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Como Testar IGBTs e MOSFETs de Potência com o Multímetro (INS010)

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Muito se apregoa que o multímetro é o mais útil de todos os instrumentos

com que o profissional da eletrônica pode contar. No entanto, a maioria
dos usuários deste instrumento, baseados unicamente no que aprendem nos
cursos técnicos e de engenharia, apenas sabem usá-lo nas medidas
básicas: tensão, corrente e resistência. O multímetro é muito mais do
que um medidor de apenas três grandezas: sabendo usá-lo podemos obter
muito mais que isso, testando componentes, tendo idéia sobre formas de
onda e distorção de um circuito e até detectando sinais de RF. Veja
neste artigo algumas destas aplicações incomuns do multímetro.
No nosso livro Curso de Instrumentação Eletrônica – O Multímetro,
insistimos no fato de que não basta saber usar o multímetro na medida de
três grandezas básicas, corrente, resistência e tensão, para se poder
dizer que a sua finalidade está completa.
O multímetro é muito mais, mas para que ele possa ser usado em funções
que vão além de simples medidas diretas é preciso saber interpretar suas
indicações.
O movimento da agulha, a oscilação de valores de uma escala digital, a
escala usada e o modo como o instrumento é ligado ao circuito em teste
são alguns fatores que poucos profissionais sabem interpretar e fazer
corretamente.
Com um simples multímetro,mesmo de baixo custo, testes de componentes e
de circuitos podem revelar coisas que os leitores não imaginam. Alguns
testes incomuns que podem ser feitos com um multímetro são analisados
neste artigo.

*Como Testar IGBTs*

Os IGBTs são amplamente utilizados em inversores de freqüência,
controles de potência, fontes chaveadas e conversores DC/DC.
Estes componentes possuem características híbridas, com uma porta
isolada como um MOSFET e junções entre o coletor e emissor como um
transistor bipolar.
A figura 1 mostra o símbolo adotado para representar um IGBT.

Um dos testes mais comuns para a prova de um IGBT é o teste dinâmico que
consiste em se colocar como carga uma lâmpada de 40 a 100 W no seu
coletor e alimentar o circuito com uma tensão de até 20 VDC.

Com a comporta ligada ao emissor do transistor, ele deve permanecer no

corte e com isso a lâmpada apagada.

Ligando a comporta ao coletor (o que deve ser feito com um resistor de

10 k ohms), o transistor satura e a lâmpada acende. Este procedimento
dinâmico é mostrado na figura 2.

Se a lâmpada permanecer acesa nas duas prova o IGBT está em curto e se

permanecer apagada, o IGBT está aberto. O leitor deve estar atento para
a máxima tensão que pode ser aplicada entre a comporta e o emissor do
transistor que em geral é 20 V.

Se o teste for feito com tensões maiores, a tensão aplicada à comporta

deve ser sempre inferior à 20 V.

No entanto, um teste semelhante pode ser feito com multímetro analógico

e mesmo com alguns tipos de multímetros digitais que tenham tensão de
prova suficiente para saturá-lo, quando colocados nas escalas de
resistências ou teste de diodos. Para esta finalidade podemos
inicialmente fazer um teste de curto-circuito, conforme mostra a figura 3.

Medimos inicialmente a resistência entre os terminais de gate e o

coletor e depois entre o gate e o emissor.
Nas duas medidas devemos ter leituras de altas resistências. Por alta
resistência entendemos valores acima de 10 M ohms.
Se em qualquer das medidas tivermos uma leitura de baixa resistência ou
mesmo média (entre 10 k e 1M ohms), o IGBT está inutilizado por curto
ou ainda fuga excessiva. Se ele passar neste teste, medimos a
resistência entre coletor e emissor.
Num sentido ela deve ser alta e no outro baixa, pois devemos considerar
o diodo de proteção que estes componentes têm, conforme mostra a figura 4.

Uma leitura de baixa resistência nas duas medidas indica um IGBT em

curto e uma leitura de resistência algo baixa onde deveria ser muito
alta (entre 10 k e 1 M) indica um componente com fugas. Em ambos os
casos, o componente não deve ser utilizado.
Dependendo da tensão da bateria do multímetro, pode ser realizado um
teste de comutação relativamente simples. Para isso, utilizamos a
conexão da figura 4 com o multímetro numa escala intermediária de
resistências.
Tocando com uma chave de fendas ou fazendo uma ponte entre o gate (g) e
o coletor (C) do transistor, ele deve comutar.
Isso fará com que a resistência caia, passando de um valor muito alto
para um valor mais baixo que depende das características do IGBT em
teste e do próprio multímetro.
No entanto, é preciso levar em conta que a bateria interna de alguns
multímetro não tem tensão suficiente para levar o componente a condução.
Para não ter dúvidas se este teste se aplica com o multímetro de que se
dispõe, será interessante tentar com um IGBT que sabemos estar em bom
estado.
Uma forma de se testar um IGBT com o multímetro no caso de não ser
possível a prova direta descrita é a mostrada na figura 5.

Uma bateria de 9 V fornece a tensão necessária à polarização do

componente e com isso uma leitura de corrente aumentando com o toque
pode ser feita para o caso de um componente em bom estado.

*Como Testar Power MOSFET*

Partindo do princípio de que em muitas aplicações os MOSFETs de potência
substituem os IGBTs, o procedimento de teste de um poderia ser
considerado válido para o outro.
No entanto, existem algumas diferenças a serem consideradas o que nos
leva a um procedimento algo diferenciado e que passamos a descrever.
Assim, o teste dinâmico, que também pode fazer uso do multímetro,
consiste em alimentar o MOSFET de potência com uma tensão contínua entre
12 e 25 V, conforme mostra a figura 6.

A carga tanto pode ser uma lâmpada de acordo com a tensão usada na
alimentação como um resistor de 1 a 2,2 k ohms x 2 W ou de dissipação
maior se usarmos o multímetro.
Sem polarização de comporta, o transistor permanece no corte e a lâmpada
apagada. A tensão medida no caso do resistor deve ser nula ou muito baixa.
Se a lâmpada permanecer acesa ou com brilho reduzido, ou ainda se a
tensão medida não for nula, isso indica um transistor em curto ou com fugas.
Numa segunda etapa, ligamos a comporta do transistor ao positivo da
alimentação, conforme mostra a figura 7.
Isso deve fazer com que o transistor vá à saturação e temos duas
possibilidades de indicação. No caso da lâmpada, ela deve acender com
bom brilho e no caso do multímetro a tensão indicada deve subir para bem
perto da tensão de alimentação.
Veja que este teste é feito desta forma no caso de transistores MOSFET
de canal N.
Para MOSFETs de canal P devemos inverter as polaridades das tensões
aplicadas.
O uso do multímetro sem nenhum componente adicional também pode ajudar a
revelar o estado de um MOSFET de potência. Para isso devemos considerar
se este componente possui ou não o diodo de proteção interna, conforme
mostra a figura 8.

Colocando o multímetro numa escala intermediária de resistências (Ohms

x10 ou ohms x100) medimos a resistência entre o dreno (d) e a fonte (s),
nos dois sentidos, conforme mostra a figura 9.

Num sentido ( quando o diodo se encontra polarizado no sentido direto)

temos uma baixa resistência. No sentido inverso (quando o diodo se
encontra polarizado no sentido inverso) temos uma alta resistência.

Entendemos por alta resistência, neste caso, valores acima de 1 M ohms.

Duas resistências baixas indicam que o transistor está em curto.

Uma resistência intermediária (entre 10 k e 1 M) onde deveria ser lido

um valor muito maior, praticamente infinito, indica um transistor em curto.

A resistência entre a comporta e qualquer dos outros demais eletrodos

(dreno e fonte) deve ser sempre muito alta em qualquer sentido, conforme
mostra a figura 10.

Esta elevada resistência, bem acima dos 10 M ohms, deve-se à presença do

óxido que isola a comporta do substrato do componente.
Uma resistência anormalmente baixa nesta medida indica um transistor
danificado (em curto ou com fugas).
O teste dinâmico também é possível. Para isso temos a configuração
mostrada na figura 11 para o caso em que a tensão da bateria interna do
multímetro é suficiente para polarizar a comporta do componente.

Com as pontas de prova na posição indicada, a leitura deve ser de uma

alta resistência inicialmente.
Fazendo uma ponte com uma chave de fendas ou um fio entre o dreno e a
comporta do MOSFET devemos ter sua condução com o multímetro acusando
uma queda de resistência.Se a resistência não se alterar é sinal que o
componente está com problemas.
Para ter certeza que seu multímetro é confiável neste teste, dadas suas
características elétricas, tente antes com um MOSFET que você sabe que
está em bom estado.

*Conclusão*
Com um pouco mais de paciência pode-se ir além no uso do multímetro no
teste de IGBTs e Power MOSFETs.
Podemos até determinar algumas de suas características dinâmicas,
utilizando para isso alguns componentes externos adicionais.
No entanto, para os leitores que trabalham com estes componentes e às
vezes têm dúvidas se eles estão bons ou não, o simples teste de estado
que descrevemos pode ser de muita utilidade.

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Opinião

Olhando para o futuro

Já estamos aprendendo a viver com a pandemia e nos preparando para os

tempos em que tudo voltará ao normal, mas não o normal a que estávamos
acostumados. Um novo normal, com novos hábitos, a tecnologia aplicada
talvez de uma forma diferente, novas profissões e principalmente
tecnologias específicas que antes não haviam sido pensadas.

Leia mais...
<https://www.newtoncbraga.com.br/index.php/41-newton-c-braga/opiniao/18418-olhando-
para-o-futuro-2.html>

Keletron
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Localizador de Datasheets e Componentes

N° do componente

(Como usar este quadro de busca

<https://www.newtoncbraga.com.br/index.php/ingles-para-eletronica/548-datasheet-
como-usar-o-quadro-de-busca.html>)

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Arduino Brasil
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