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Departamento de Eletrônica
Escola Politécnica
Universidade Federal do Rio de Janeiro
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Índice
Introdução.............................................................................................................................................. 6
Capítulo 1 ............................................................................................................................................... 7
Amplificadores de Potência .................................................................................................................. 7
1.1 Amplificador Classe A........................................................................................................... 7
1.1.1 Eficiência ............................................................................................................................. 8
1.2 Amplificador Classe B......................................................................................................... 10
1.2.1 Eficiência ........................................................................................................................... 11
1.2.2 Distorção Harmônica ......................................................................................................... 12
1.3 Amplificador Classe AB ...................................................................................................... 13
1.4 Amplificador Classe C......................................................................................................... 13
1.5 Amplificador Push-Pull ....................................................................................................... 14
1.5.1 Distorção de Crossover...................................................................................................... 14
1.6 Dissipadores de Calor .......................................................................................................... 15
1.6.1 Resistência Térmica........................................................................................................... 15
1.6.2 Região Trabalho do Transistor em Função da Temperatura.............................................. 16
1.6.3 Segundo Breakdown .......................................................................................................... 17
1.7 Circuitos Para Polarização Classe AB ................................................................................. 17
1.7.1 Polarização Com Diodos ................................................................................................... 17
1.7.2 Multiplicador de VBE ......................................................................................................... 18
1.8 Exemplo de Projeto.............................................................................................................. 20
Capítulo 2 ............................................................................................................................................. 26
Amplificador Sintonizado................................................................................................................... 26
2.1 Circuito RLC de Segunda Ordem ........................................................................................ 26
2.2 Amplificadores com Sintonia Síncrona ............................................................................... 28
2.3 Amplificador de Banda Plana .............................................................................................. 30
2.4 Fator de Qualidade............................................................................................................... 30
2.4.1 Fator de Qualidade dos Indutores ...................................................................................... 30
2.4.2 Fator de Qualidade dos Capacitores .................................................................................. 31
2.5 Indutores Acoplados ............................................................................................................ 32
2.5.1 Modelos Equivalentes Para Indutores Acoplados.............................................................. 32
2.5.2 Autotransformador............................................................................................................. 33
2.5.3 Múltiplos Indutores Acoplados.......................................................................................... 33
2.5.4 Relação de Impedâncias no Transformador....................................................................... 34
Capítulo 3 ............................................................................................................................................. 39
Amplificadores Classe C ..................................................................................................................... 39
3.1 Eficiência do Amplificador em Classe C ............................................................................. 40
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Capítulo 4 ............................................................................................................................................. 43
Redes de Casamento de Impedâncias ................................................................................................ 43
4.1 Transformações de Impedâncias.......................................................................................... 43
4.1.1 Transformação Indutor Série-Paralelo Com Resistor ........................................................ 43
4.1.2 Transformação Capacitor Paralelo-Série com Resistor ..................................................... 45
4.2 Rede Com T de Capacitores e Indutor ................................................................................. 46
4.3 Rede em π ............................................................................................................................ 48
4.4 Rede em π Modificada......................................................................................................... 48
4.5 Resumo das Redes de Casamento de Impedâncias .............................................................. 49
4.6 Redes de Casamento com Zeros de Transmissão ................................................................ 51
4.6.1 Zeros de Transmissão com circuito LC Paralelo ............................................................... 51
4.6.2 Zeros de Transmissão com Circuito LC Série ................................................................... 51
4.7 Exemplos ............................................................................................................................. 52
4.7.1 Casamento de Impedâncias de Uma Antena...................................................................... 52
4.7.2 Eliminação do 2° Harmônico, com Zero de Transmissão ................................................. 53
4.8 Impedância para Grandes Sinais .......................................................................................... 54
4.9 Parâmetros Y........................................................................................................................ 56
4.10 Exemplo de Projeto.............................................................................................................. 57
Capítulo 5 ............................................................................................................................................. 61
Osciladores Senoidais.......................................................................................................................... 61
5.1 Osciladores LC..................................................................................................................... 62
5.1.1 Oscilador Colpitts em Base Comum.................................................................................. 62
5.1.2 Oscilador Colpitts em Emissor Comum ............................................................................ 65
5.1.3 Oscilador Hartley em Base Comum .................................................................................. 66
5.1.4 Oscilador Hartley em Emissor Comum ............................................................................. 67
5.1.5 Ajuste da Freqüência de Oscilação .................................................................................... 67
5.2 Exemplo de Projeto.............................................................................................................. 68
5.3 Oscilador a Cristal................................................................................................................ 70
5.3.1 Cristal Oscilador ................................................................................................................ 70
5.3.2 Oscilador Colpitts a Cristal................................................................................................ 72
5.3.3 Exemplo de Projeto............................................................................................................ 74
5.3.4 Oscilador Colpitts com Cristal em Ressonância Série....................................................... 76
5.3.5 Oscilador Pierce com Porta Lógica ................................................................................... 76
Capítulo 6 ............................................................................................................................................. 79
Modulação de Amplitude.................................................................................................................... 79
6.1 Modulador AM de Alto Nível.............................................................................................. 81
6.1.1 Considerações de Projeto................................................................................................... 83
6.2 Modulador AM de Alto Nível com Amplificador Classe C ................................................ 86
6.3 Modulador Chopper ............................................................................................................. 87
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Introdução
Esta apostila abrange a ementa da disciplina Eletrônica IV, ministrada no Departamento de
Eletrônica da Universidade Federal do Rio de Janeiro.
Quando iniciei minhas atividades como professor da cadeira Eletrônica IV, tive muita dificuldade
em selecionar um número reduzido de material bibliográfico, necessário ao acompanhamento do
curso. Isto se deve à grande diversidade dos assuntos abordados.
Tendo acumulado a experiência de alguns anos no exercício desta disciplina, senti-me motivado a
produzir este material, e fornecer aos alunos uma fonte de consulta concisa, mas ao mesmo tempo
detalhada em muitos aspectos, e de fácil aquisição.
Neste texto são abordados aspectos teóricos e práticos para o projeto de amplificadores de potência
para áudio e radio freqüência; moduladores e demoduladores de amplitude, fase e freqüência; fontes
chaveadas; conversores analógico-digitais; circuitos com PLL.
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Capítulo 1
Amplificadores de Potência
Os amplificadores têm como objetivo alterar o nível de um sinal. Por exemplo, consideremos um
amplificador de áudio que recebe um sinal tênue de um microfone, eleva seu nível por um fator A, e
aplica-o a um alto-falante. Além do ganho A, a resistência da carga (alto-falante) é uma componente
que deve ser cuidadosamente considerada no projeto do amplificador.
Muitos parâmetros foram definidos para caracterização dos amplificadores, cujos principais são: o
ganho de tensão (ou corrente) A; a freqüência de corte; a potência de saída, o slew-rate; a distorção
harmônica total (THD); a distorção por intermodulação; a eficiência.
Um parâmetro muito importante é a eficiência η, que relaciona a potência média PVCC que a fonte de
alimentação dá ao circuito e a potência média PL que o amplificador dá à carga, conforme a equação
1.1.
PL
η= (1.1)
PVCC
A eficiência nos mostra quanta potência PA foi desperdiçada no amplificador, normalmente sob
forma de calor, conforme a equação 1.2.
⎛ 1⎞
PA = PVCC − PL = PL ⎜1 − ⎟ (1.2)
⎝ η⎠
Portanto, um amplificador com potência de saída de 100W e eficiência de 50%, desperdiça
PA = 100W sob forma de calor, obrigando a fonte ser capaz de gerar 200W. Quanto maior for a
eficiência melhor será o amplificador, sendo o limite físico η = 1 .
Muitas configurações foram desenvolvidas para implementação dos amplificadores, mais
especificamente para o estágio de saída, das quais estudaremos as principais que são as classes A, B,
AB e C. A definição de cada classe depende do tipo de polarização do estágio de saída, e para cada
uma temos uma característica própria de eficiência.
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RL
Vo(t) Vcc
Q1
Ic(t)
Vin(t)
Vbq
Quando o transistor está sempre na região ativa, o amplificador opera em classe A, e a corrente de
coletor comporta-se como na Fig. 1.2.
1.1.1 Eficiência
Sabemos que
Vo ( t ) = VCC − I C ( t ) RL = VCC − I Cq RL − I m sin (ω t ) RL
A corrente que circula pela fonte de tensão é a mesma do coletor, e pode ser calculada por
VCC − Vo ( t ) VCC − VCq + Vm sin (ω t )
IVCC ( t ) = = (1.4)
RL RL
e a potência instantânea entregue pela fonte é
2
VCC − VCCVCq + VCCVm sin (ω t )
PVCC ( t ) = IVCC ( t )VCC = (1.5)
RL
Podemos calcular a potência média PVCC pelo valor médio da equação 1.5 ou seja,
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(V − Vo ( t ) )
2
2
VCC − 2VCCVo ( t ) + Vo2 ( t )
PL ( t )
CC
= =
RL RL
e cujo valor médio é
1 VCC − 2VCCVo ( t ) + Vo ( t )
2
T 2 2
VCC − 2VCCVCq + VCq2 + Vm2 2
PL = ∫ dt = (1.7)
T0 RL RL
Da equação 1.7 notamos que a parcela de potência relacionada ao sinal de entrada (por exemplo o
som) é Vm2 2 RL e portanto, podemos considerar que efetivamente a potência média útil na carga é
Vm2
PL = (1.8)
2 RL
Consideremos também que o circuito opera com excursão de saída simétrica e máxima amplitude
de sinal. Desta forma, temos que a tensão máxima de saída é VCC e a mínima é VCEsat ou seja,
Quando VCEsat é suficientemente pequeno para ser desprezado, a equação 1.12 reduz-se a η = 1 4 .
Isto significa que somente 25% da potência entregue pela fonte é considerada útil. Se fossemos
projetar um amplificador de áudio para 100W de saída, desperdiçaríamos 300W sob forma de calor no
transistor.
Uma forma alternativa de implementação de um amplificador classe A com eficiência superior
pode ser vista na Fig. 1.3. O indutor L1 e o capacitor C1 são suficientemente elevados, para que nas
freqüências de trabalho, L1 seja um circuito aberto e C1 um curto-circuito. A tensão DC armazenada no
capacitor é VCC , pois o indutor não oferece resistência à passagem da corrente contínua. Temos então
que a tensão de saída no coletor VC ( t ) está deslocada de VCC em relação a Vo ( t ) . Assumindo que
VCEsat seja zero, VC ( t ) pode ser no mínimo zero, obrigando uma excursão de sinal negativa igual a
VCC. Portanto, para excursão de sinal simétrica, devemos ter
vo ( t ) = Vm sin (ω t ) = VCC sin (ω t ) (1.13)
Com o máximo de tensão na saída, o transistor está cortado e toda corrente que passa pelo indutor é
direcionada para a carga. Sabemos que o indutor, neste caso, funciona como fonte de corrente, e sua
corrente é a própria ICq. Portanto temos que
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VCC
I Cq = (1.14)
RL
Utilizando as equações 1.13 e 1.14, podemos calcular as potências médias entregue pela fonte e a
consumida pela carga ou seja,
2
VCC
PVCC = VCC I Cq = (1.15)
RL
e
2
VCC
PL = (1.16)
2 RL
A eficiência é obtida das equações 1.15 e 1.16 ou seja,
PL
η= = 0.5 (1.17)
PVCC
Este valor é consideravelmente melhor que o anterior, mas a implementação do indutor não é
prática. Este circuito dificilmente é usado para grandes potências de saída.
L1
+ Vcc _
Vcc
Vc(t) Vo(t)
Q1 C1
Ic(t)
RL
Vin(t)
Vbq
Um fato interessante que podemos observar é que a tensão no coletor VC ( t ) pode ser mais elevada
que a da fonte. Isto é possível pois o indutor atua como fonte de corrente, e acumula energia.
Q1
Ic(t)
Vcc
Vo(t)
Vin(t)
RL
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Podemos observar que somente o ciclo positivo do sinal de entrada é aplicado à carga, e também
com desconto de VBE. A queda de VBE pode ser compensada com o circuito da Fig. 1.6.
Q1
Ic(t)
Vcc
Vin(t) Vo(t)
RL
Vbe
1.2.1 Eficiência
Podemos calcular a potência média da fonte e da carga considerando que a corrente de coletor é a
mesma que circula por RL. Desta forma temos que
Vm2 sin (ω t )
T 2 2
1 Vm2
PL =
T ∫0
RL
dt =
4 RL
(1.18)
1
T 2
1
T 2
VCCVm sin (ω t ) VCCVm
PVCC =
T ∫ VCC IC ( t ) dt =
0 T ∫0 RL
dt =
π RL
(1.19)
Considerando o caso ideal, onde a tensão de pico na saída pode chegar a VCC, temos para eficiência
máxima teórica do amplificador classe B
π
η= ≅ 78.5% (1.21)
4
Entretanto, devemos considerar a possibilidade de Vm < VCC , devido ao VCEsat e a outros fatores.
Ao contrário dos amplificadores classe A, no classe B a potência dissipada pela fonte é dependente
do nível máximo da saída. É interessante observarmos que a potência média dissipada PQ no transistor
é dada pela equação 1.22, e cujo gráfico é o da Fig. 1.7.
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VCCVm Vm2
PQ = PVCC − PL = − (1.22)
π RL 4 RL
Derivando a equação 1.22 em relação a Vm e igualando a zero, concluímos que a potência máxima
dissipada no transistor ocorre para Vm = 2VCC π , e com valor dado pela equação 1.23. Este valor deve
ser considerado no cálculo dos dissipadores de potência, conforme será mostrado mais à frente.
Observamos que o ponto de maior aquecimento do transistor não coincide com a condição de potência
máxima de saída, conforme mostrado na Fig. 1.7.
2
VCC
PQ max = (1.23)
π 2 RL
∑V
n=2
n
2
THD = (1.25)
V1
No caso do amplificador classe B, vo ( t ) pode ser expresso pela série de Fourier como
∞
vo ( t ) = V0 + ∑ ⎣⎡ An sin ( nω 0 t ) + Bn cos ( nω 0 t ) ⎤⎦ (1.26)
n =1
onde
⎧ 1
T
vo ( t ) dt
T ∫0
⎪ 0V =
⎪
⎪⎪ 2
T
⎨ An = ∫ vo ( t ) sin ( nω 0 t ) dt (1.27)
⎪ T0
⎪ T
⎪ Bn = 2 vo ( t ) cos ( nω 0t ) dt
⎪⎩ T ∫0
∑ ⎡⎣ A
n=2
2
n + Bn2 ⎤⎦
THD = (1.28)
A12 + B12
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T 2
⎧0, para n ímpar
2 ⎪
Bn =
T ∫0 Vm sin (ω0t ) cos ( nω0t ) dt = ⎨− 2V2 m , para n par (1.31)
⎪ π ( n − 1)
⎩
Segundo a equação 1.26 temos
∞
Vm Vm 2Vm
vo ( t ) = + sin (ω 0t ) − ∑ cos ( 2nω 0 t ) (1.32)
π 2 n =1 π (( 2n ) − 1)
2
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QN
Vo(t)
Vin(t)
QP RL
-VCC
A configuração da Fig. 1.9 emprega duas fontes simétricas. Entretanto, podemos implementar o
circuito com fonte unipolar, ao custo de um capacitor de desacoplamento a mais, conforme a Fig. 1.10.
O capacitor C é calculado, segundo a especificação de freqüência de corte inferior fCI, pela equação
1.34, onde ro é uma estimativa da resistência de saída dos transistores. Normalmente, ro é desprezado.
1
C= (1.34)
2π f CI ( RL + ro )
VCC
QN
C
Vin(t) _ Vo(t)
+
Vcc/2
QP RL
Vbb
Vcc/2
O crossover pode ser eliminado com o uso de fortes realimentações negativas ou através de pré-
polarização do estágio de saída, levando o amplificador a operar em classe AB. Com este
procedimento obtemos baixíssima THD, conforme a Fig. 1.11b.
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(a) (b)
Fig. 1.11: Sinal de saída do estágio push-pull: a) com crossover; b) sem crossover.
QN
Vben
Vo(t)
Vin(t) | Vbep|
RL
QP
-VCC
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Rθ JA = Rθ JC + Rθ CA (1.36)
Quando temos uma seqüência de materiais acoplados mecanicamente, conforme a Fig. 1.14, a
diferença de temperatura nas interfaces é calculada simplesmente por
N
T0 − TN = P ∑ Rθ n (1.37)
n =1
⎧ PQ ≤ I C maxVCC
⎪
⎨ (TJ max − TA ) (1.38)
⎪ PQ ≤ Rθ JA
⎩
Das inequações 1.38, concluímos que o transistor deve operar dentro da região hachurada do
gráfico da Fig. 1.15a. Entretanto, quando acoplamos um dissipador de calor ao transistor, o termo
Rθ CA é substituído por ( Rθ CD + Rθ DA ) , que é a soma das resistências térmicas da carcaça para o
dissipador e do dissipador para o ar. Mas Rθ CD é muito menor que Rθ DA , de forma que podemos
considerar a nova resistência térmica total como sendo Rθ′ JA ≅ Rθ JC + Rθ DA , e é muito menor que Rθ JA .
A curva de operação segura torna-se a da Fig. 1.15b, onde podemos observar que, para mesma
temperatura, o transistor pode dissipar mais potência.
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(a) (b)
Fig. 1.15: Curva de operação segura do transistor: a) ao ar livre; b) com dissipador.
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VCC
Rb
QN
C1
D1
Vo(t)
Vin(t) D2 RL
C1
QP
Ib
-VCC
R2
Ix Q Vo
R1
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1 +
Ic
R2
Ib
Ix 2 Q Vo
+
R1 Vbe
_
⎪VBE − Vo VBE
⎨ + + IB = 0 (1.39)
⎪ R2 R1
⎪ IC = β I B
⎪
⎩
Do sistema de equações 1.39 obtemos
⎛ β R2 ⎞ R2
Vo = ⎜1 + ⎟VBE + Ix (1.40)
⎝ β + 1 R1 ⎠ β +1
Aplicando a equação 1.43 em 1.42, obtemos como forma alternativa para estabelecer o valor
máximo dos resistores a expressão
β +1
R1 (1.44)
⎛ 1 1⎞
⎜ − ⎟ Ix
⎝ VBE Vo ⎠
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Devemos ter em mente também que o transistor tem que estar em condições de ser polarizado, isto
limita o menor valor de R1 ou seja,
R1 I x ≥ VBE (1.45)
Na Fig. 1.20 temos um estágio de saída em push- pull, polarizado em classe AB, com multiplicador
de VBE. Este circuito é muito prático pois permite gerar qualquer diferença de potencial proporcional a
um VBE. Se acoplarmos termicamente o transistor Q1 ao dissipador de calor, temos que VBE de Q1 varia
junto com os VBE dos transistores de potência, permitindo um ajuste dinâmico da polarização. Outro
fator a ser considerado, é o melhor casamento entre as características da junção base-emissor de Q1
com as dos transistores de potência.
VCC
Rb
QN
C1
R2
Q1 Vo(t)
Vin(t)
R1 RL
C1
QP
Ib
-VCC
4. VBE = 0.7V para Q1, e Q2, para IC na faixa dos mA, e VBE = 1V para IC próximo a 1A.
6. Rθ JC = 4.17 D C W
7. TJ max = 150D C
O circuito empregado é o da Fig. 1.21, onde temos os transistores de saída na configuração
Darlington, para aumentar o ganho de corrente, e um multiplicador de VBE para a polarização em
classe AB. O transistor Q5 funciona como fonte de corrente controlada por tensão, gerando sinal e
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R4 Q3
BC548C
Q2
+Vcc
TIP29C
P2
R1
Q4
BC548C Vo(t)
R5 R2 RL
0
0
Q1
Q6 0
TIP30C
R6 BC558C
Q5
C1 -Vcc
BC548C
Vin(t)
P1 R3 C2
0
0
Vo max 8
I L max = = → I L max = 1A
RL 8
Passo 2: Eficiência máxima.
π Vom π ×8
η= = ≥ 0.5 → VCC ≤ 12.56V (1.46)
4VCC 4VCC
Passo 3: Ciclo positivo.
Vamos considerar que no pico de sinal positivo na saída, o transistor Q5 está no limite entre o corte
e a condução, de forma que temos o circuito abaixo.
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VR4 R4
Q3
_
BC548C
Q2
+Vcc
Ib3 TIP29C
+
Ib2
VR1 R1
_ Vomax=8V 0
RL
1A
Escolhemos VCC de forma a atender às inequações 1.46 e 1.48, por exemplo VCC = 12V , e com a
equação 1.47 calculamos o valor comercial de R4 ou seja,
R4 = 2.416 ⋅ 103 × 12 − 24.64 ⋅ 103 = 4.35k Ω → R4 = 3.9k Ω
+ Vomin=-8V
VR2 R2 RL
_
Q1
Q6 0
TIP30C
Q5 BC558C
+
BC548C
Vin(t)max VCEsat
_
+
C2
R3 VR3
_ 0
-Vcc
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Descobrimos o valor de VR3, e sabemos que R3 está “bypassado” por C2. Isto significa que a tensão
VR3 é uma constante.
I CQ 5 2.72 ⋅ 10−3
I B5 = = → I B 5 = 18.1µ A
β5 150
Neste momento, a tensão VR3 deve ser recalculada por causa da aproximação feita para R3.
VR 3 = R3 I Cq 5 = 560 × 2.72 ⋅ 10−3 → VR 3 = 1.52V
R6
Q5
IR6 BC548C
P1 R3 C2
-Vcc
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⎧ R6 < 27.01k Ω → R6 = 27 k Ω
⎪
⎨
⎪⎩ P1 = 0.23R6 → P1 = 6.21k Ω
R5 I CQ 5 ≥ 0.7V → R5 ≥ 257Ω
β4 + 1
R5 → R5 51.8k Ω
⎛ 1 1⎞
⎜ − ⎟ I CQ 5
⎝ VBE Vo ⎠
⎛ P ⎞ ⎛ P2 ⎞
Vo = ⎜1 + 2 ⎟VBE → 4 × 0.7 = ⎜1 + 3 ⎟
× 0.7 → P2 = 11.7 k Ω
⎝ R5 ⎠ ⎝ 3.9 ⋅ 10 ⎠
Passo 8: Cálculo do ganho de tensão.
Para o cálculo do ganho de tensão, vamos considerar o estágio de saída como sendo um
amplificador de ganho unitário, mas com impedância de entrada dependente da carga. O multiplicador
de VBE atua como fonte de tensão, e não aparece no modelo AC. Com as considerações acima, temos o
circuito abaixo para a análise. Temos então que
Rref = ( β 3,6 + 1)( β1,2 + 1) ( R + RL ) = (150 + 1)(15 + 1)( 0.5 + 8 ) = 20.54k Ω
Vo RL RL
Av = = − gm ( R4 // Rref ) = −40 × I CQ 5 ( R4 // Rref ) → Av = −336
Vin R + RL R + RL
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R=(R1 ou R2)
1 Vo
vin ( t )
2
Pin =
Rin
e
vo ( t )
2
PL =
RL
mas
vo ( t ) = Av2 vin ( t )
2 2
Cada transistor deve ser acoplado a um dissipador de calor com resistência térmica igual a
50.8 D C W .
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Capítulo 2
Amplificador Sintonizado
Os amplificadores sintonizados são empregados quando desejamos separar e amplificar uma faixa
de freqüências de um sinal. Suponha que o gráfico da Fig. 2.1 seja uma faixa de transmissão de rádio,
e desejamos separar (sintonizar) e amplificar o canal centrado na freqüência ω 0 . Devemos usar um
amplificador com função de transferência A ( jω ) passa-banda.
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Vo gm s
A( s ) = =− (2.2)
Vin C s2 + s + 1
RC LC
Substituindo s por jω na equação 2.2, temos
gm jω
A ( jω ) = − (2.3)
C −ω 2 + jω + 1
RC LC
Calculando o módulo ao quadrado de A ( jω ) , temos
2 gm 2 ω2
A ( jω ) = A ( jω ) A ( jω ) =
*
2
(2.4)
C2 ω2 ⎛ 1 ⎞
+ ⎜ω 2 − ⎟
( RC )
2
⎝ LC ⎠
A (ω 0 ) = gmR (2.6)
VCC
L R
C
Vo
Vo
L R
hie gmVin C
Vin
Vin
Vbeq
(a) (b)
Fig. 2.3: Circuito RLC de segunda ordem: a) circuito com transistor; b) modelo AC.
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⎛ 2C 2 R 2 ⎞ 2 R 2
C 2 R 2ω 4 − ⎜1 + ⎟ω + 2 = 0 (2.8)
⎝ LC ⎠ L
2C 2 R 2 4C 2 R 2
1+ ± 1+
ω2 = LC LC (2.9)
2C 2 R 2
Tomando como referência o gráfico da Fig. 2.2, é fácil concluir que
⎧
⎪ ⎛ 2C 2 R 2 ⎞ ⎛ 4C 2 R 2 ⎞
⎜1+ ⎟ ⎜ 1 + ⎟
⎪ LC LC
⎪ω1 = ⎜ ⎟−⎜ ⎟
⎟ ⎜ 2C R ⎟
2 2 2 2
⎪ ⎜ 2C R
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎪⎪ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎨ (2.10)
⎪ ⎛ 2C R ⎞ ⎛
2 2
4C 2 R 2 ⎞
⎪ ⎜ 1 + ⎟ ⎜ 1 + ⎟
⎪ω 2 = LC ⎟ + ⎜ LC ⎟
⎜
⎪ ⎜ 2 C 2 2
R ⎟ ⎜ 2C 2 2
R ⎟
⎪ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎪⎩ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
Para encontrarmos ω 2 − ω1 , consideremos o sistema de equações 2.11.
⎧⎪ x = a − b
⎨ (2.11)
⎪⎩ y = a + b
Por manipulação algébrica temos que
( y − x)
2
= 2 a − 2 a 2 − b 2 → y − x = 2a − 2 a 2 − b 2 (2.12)
Comparando o sistema de equações 2.11 com 2.10, termo a termo, e através da equação 2.12,
temos finalmente que
1
ω 2 − ω1 = (2.13)
RC
Pela equação 2.1, temos que a seletividade do circuito é
Q = ω 0 RC (2.14)
Considerando a equação 2.5, temos que a seletividade também pode ser expressa por
R
Q= (2.15)
ω0 L
Substituindo as equações 2.14 e 2.5 em 2.2, temos
Vo gm s
A( s ) = =− (2.16)
Vin ω
C s2 + 0 s + ω 2
0
Q
28
Material não disponível para publicação
ak s
Ak ( s ) = (2.17)
ω0
s2 + s + ω 02
Q
Definindo
s
T (s) = (2.18)
ω0
2
s + s +ω 2
0
Q
temos
Ak ( s ) = ak T ( s ) (2.19)
Da equação 2.19, concluímos que função de transferência do filtro da Fig. 2.4 é dada por
Vo ( s ) N
= H (s) = T (s) ∏a
N
(2.20)
Vin ( s )
k
k =1
2N ω 2N
T ( jω ) = N
(2.21)
⎡ 2 ⎤
(⎢ ω − ω02 ) + ωQ02 ω 2 ⎥
2
2
⎣ ⎦
Aplicando a transformação de variável ω = ω 0 + ∆ω = ω 0 (1 + ∆ω ω 0 ) à equação 2.21, temos
ω 02 N (1 + ∆ω ω 0 )
2N
T ( j (ω 0 + ∆ω ) )
2N
= N
(2.22)
⎡ 2 ω 02 ⎤
( )
2
⎢ ω 0 (1 + ∆ω ω 0 ) − ω 0 ω (1 + ∆ω ω 0 )
2 2 2 2
+ 0 ⎥
⎣ Q2 ⎦
Considerando Q 1 , temos que a freqüência de queda de 3dB está muito próxima de ω0, e
(1 + x ) ≅ (1 + 2 x ) ,
2
lembrando que, para x 1, vale a aproximação temos que
(1 + ∆ω ω0 ) ≅ (1 + 2 ∆ω ω 0 ) , e a equação 2.22 torna-se
2
ω 02 N (1 + 2 ∆ω ω 0 )
N
T ( j (ω 0 + ∆ω ) )
2N
= N
(2.23)
⎡ ω 02 2 ⎤
( ) ω 0 (1 + 2 ∆ω ω 0 ) ⎥
2
⎢ 2ω 0 ∆ω + 2
⎣ Q ⎦
Como estamos considerando variações de freqüências em torno da faixa de passagem, é razoável
assumir que 2 ∆ω ω 0 é da mesma ordem de grandeza que 1 Q , e como 1 Q 1 , a equação 2.23 pode
ser aproximada por
ω 02 N
T ( j (ω 0 + ∆ω ) )
2N
= N
(2.24)
⎡ ω 02 2 ⎤
( )
2
⎢ 2ω ∆ω + ω0
Q 2 ⎥⎦
0
⎣
29
Material não disponível para publicação
2N
ω 02 N T ( jω 0 ) Q2 N
T ( j (ω 0 + ∆ω ) )
2N
= = = (2.25)
⎡ ω 02 2 ⎤
N
2 2ω 02 N
⎢( 0 )
2
2ω ∆ω + ω0 ⎥
⎣ Q2 ⎦
30
Material não disponível para publicação
impedância em função de ω. Esta impedância pode ser representada pela associação série ou paralelo
do indutor com resistor.
Rp
Qp = ω Rp C p (2.30)
Cp
Rp
1
Qs = (2.31)
ω Rs Cs
Cs Rs
⎡V1 ⎤ ⎡ L1 M ⎤ ⎡ I1 ⎤
⎢V ⎥ = ⎢ M ⎢ ⎥
L2 ⎥⎦ ⎣ I2 ⎦
(2.32)
⎣ 2⎦ ⎣
⎡V1 ⎤ ⎡ L1 k L1 L2 ⎤ ⎡ I1 ⎤
⎢V ⎥ = ⎢ ⎥⎢ ⎥ (2.33)
⎣ 2 ⎦ ⎣⎢ k L1 L2 L2 ⎥⎦ ⎣ I2 ⎦
+ +
I1 I2
V1 V2
L1 L2
_ _
O valor de k varia entre zero e um. Para indutores com acoplamento fraco, temos k muito próximo
de zero, enquanto k tende para um quando o acoplamento é forte.
V1
I1 I2
La Lc V2
Lc = ( L1 L2 − M 2 ) ( L1 − M )
_ _
b)
La Lc
1:1 La = L1 − M
+ . . +
V1
I1 I2 Lb = M
Lb V2
_ _
Lc = L2 − M
32
Material não disponível para publicação
c)
La
a:1
La = (1 − k 2 ) L1
+ . . + Lb = k 2 L1
V1
I1 I2
Lb V2
a = k L1 L2
_ _
k=M L1 L2
Para acoplamento unitário, ou muito próximo, o circuito c) pode ser simplificado, e representado
pela Fig. 2.11. Esta forma de representação é uma das mais usadas para a análise dos amplificadores
sintonizados.
a:1 N1 L1
a= =
+ . . + N2 L2
V1
I1 I2
L1 V2
_ _ N1 N 2 é a relação de espiras
do transformador.
2.5.2 Autotransformador
Consideremos os indutores acoplados, com k = 1 , da Fig. 2.12. Este circuito é chamado de
autotransformador, pois os indutores formam um enrolamento contínuo. Da mesma forma que no item
anterior, podemos representar o sistema por um indutor e um transformador ideal, conforme a Fig.
2.13.
V1
.
L1 N1
V2 .
L2 N2
V3
V1
L = L1 + L2 + 2 L1 L2
. V1 V2
L1 N1 . . N 3 = N1 + N 2
V2 . L N3 N2
L2 N2
(V1 − V2 ) (V2 − V3 ) = N1 N 2
V3 V3
V3
(V1 − V3 ) (V2 − V3 ) = ( N1 + N 2 ) N 2 = N3 N 2
33
Material não disponível para publicação
1 4
. .
L1
2
. L3
L2
3 5
1 4 1 4
. . . .
L1 N1
R1 L1
. . R1
2 L3 2 N3 Q=
ω L1
L2 N2
3 5 3 5
1 4 1 4
. . . .
L1 N1
. . R2
2 L3 2 N3 Q=
ω L2
L2 N2
R2 L2
3 5 3 5
1 4 1 4
. . . .
L1 N1
. . R3
2 L3 2 N3 L3 R3 Q=
ω L3
L2 N2
3 5 3 5
R
Q=
1 4 1 4
ωL
. . . .
( N1 + N 2 ) ( N1 + N 2 )
2 2
L1 N1
L = L1 ; R = R1
N12 N12
2
. L3 R L 2
. N3
( N1 + N 2 ) ( N1 + N 2 )
2 2
L2 N2 L = L2 ; R = R2
N 22 N 22
5 5
( N1 + N 2 ) ( N1 + N 2 )
3 3 2 2
L = L3 ; R = R3
N 32 N 32
34
Material não disponível para publicação
2
⎛ N2 ⎞
Z1 N1 N2 N1 N2 Z2 Z2 = ⎜ ⎟ Z1
⎝ N1 ⎠
Para o caso específico dos resistores, indutores e capacitores, as relações estão na Fig. 2.16.
2
⎛ N2⎞
R1 N1 N2 N1 N2 R2 R2 = ⎜ ⎟ R1
⎝ N1 ⎠
2
⎛ N2 ⎞
L1 N1 N2 N1 N2 L2 L2 = ⎜ ⎟ L1
⎝ N1 ⎠
2
⎛ N1 ⎞
C1 N1 N2 N1 N2 C2 C2 = ⎜ ⎟ C1
⎝ N2 ⎠
Vo
. .
Vcc
L1
10V
R1 . L3
RL
50k 100
C3
1n L2
C1
Q
Vin
R2 C2
10k R3
1k
35
Material não disponível para publicação
R2 10k
VBq = VCC = × 10 = 1.7V
R1 + R2 50k + 10k
Com este valor, podemos calcular a corrente de coletor, assumindo β muito elevado, através da
diferença de potencial em R3.
VEq 1
VR 3 = VBq − 0.7 = 1V → I Eq ≅ I Cq ≅ = → I Cq = 1mA
R3 1k
Com o valor de ICq, temos também que
gm ≅ 40 I Cq → gm = 40m
e
β
hie ≅ → hie = 12.5k Ω
40 I Cq
Vo
.
L2
RL
. L3 100
Vin R1 R2 hie C3
gmVin
50k 10k 12.5k L1
1n
.
N1 L1 25 ⋅ 10−6 N1
= = −6
→ =1
N2 L2 25 ⋅ 10 N2
N1 N 2 L1 25 ⋅ 10−6 N1 N 2
= = = −6
→ = =5
N3 N3 L3 1 ⋅ 10 N3 N3
N1 + N 2
N1 = 5 × N 3 → N 2 = 5 × N 3 → = 10
N3
N1 + N 2
N1 = N 2 → =2
N1
36
Material não disponível para publicação
Vo
.
N2
Rp RL
. N3 L3
316 100
1u
Vin R1 R2 hie C3
gmVin
50k 10k 12.5k N1
1n
.
Vo
Vin RBeq C L R
gmVin N1+N2 N3
onde
2 2
⎛ N1 ⎞ −9 ⎛1⎞ −9
C =⎜ ⎟ × 1 ⋅ 10 = ⎜ ⎟ × 1 ⋅ 10 → C = 250 pF
⎝ N1 + N 2 ⎠ ⎝2⎠
2
⎛ N1 + N 2 ⎞
⎟ × 1 ⋅ 10 = (10 ) × 1 ⋅ 10 → L = 100µ H
−6 2 −6
L=⎜
⎝ N3 ⎠
2
⎛ N1 + N 2 ⎞
⎟ × ( 316 //100 ) = (10 ) × ( 316 //100 ) → R = 7.6k Ω
2
R=⎜
⎝ N3 ⎠
RBeq = 50 ⋅ 103 //10 ⋅ 103 //12.5 ⋅ 103 → RBeq = 5k Ω
VC ( jω 0 )
= gmR = 40 ⋅ 10−3 × 7.6 ⋅ 103 = 304
Vin ( jω 0 )
Sabemos que
V0 ( jω 0 ) N3 1
= = = 0.1
VC ( jω 0 ) N1 + N 2 10
portanto
37
Material não disponível para publicação
Obs:
A seletividade nunca é maior que o fator de qualidade do indutor ou do capacitor. Normalmente, o
indutor possui Q muito menor que o do capacitor, na ordem de algumas dezenas. Seletividades
elevadas, na ordem dos milhares, são obtidas com amplificadores de sintonia síncrona.
Nos circuitos sintonizados, nem sempre obtemos valores práticos para os componentes, por
exemplo um capacitor muito pequeno. Conforme observado no exemplo, o uso dos indutores
acoplados, permite que o capacitor seja refletido para o coletor do transistor segundo a relação de
espiras ao quadrado ( N1 ( N1 + N 2 ) ) , que pode ser qualquer valor. Isto facilita a escolha apropriada
2
38
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Capítulo 3
Amplificadores Classe C
Os amplificadores em classe C são empregados nos estágios de saída de potência dos circuitos de
rádio freqüência RF, devido à sua elevada eficiência. A Fig. 3.1a representa um circuito básico, onde
podemos observar que a base do transistor Q está polarizada com uma tensão negativa −VBq . Desta
forma, só haverá corrente no coletor quando a tensão de entrada vin ( t ) − VBq ultrapassar VBEq ,
definindo um ângulo de condução menor que 180°, conforme observado na Fig. 3.1b. Ajustando o
nível de −VBq , podemos controlar o ângulo de condução.
VCC
Vo(t)
C1 L1 L2 RL
Vin(t)
Vbq
(a)
(b)
Fig. 3.1: Amplificador em classe C: a) circuito básico; b) forma de onda.
39
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40
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Representando iC ( t ) em série de Fourier, e lembrando que para funções pares existem somente os
termos em cosseno, temos
∞
I C ( t ) = I 0 + ∑ ⎡⎣ Bn cos ( nω 0t ) ⎤⎦ (3.4)
n =1
onde
⎧ t
1 θ 1 θ
t
( ) α ( cos (ω 0 t ) − cos (θ ) ) dt
T −∫tθ T −∫tθ
I
⎪ 0 = iC t dt =
⎪
⎨ t t
(3.5)
⎪ 2 θ 2 θ
⎪ Bn = T ∫ iC ( t ) cos ( nω 0t ) dt = T ∫ α ( cos (ω 0t ) − cos (θ ) ) cos ( nω 0t ) dt
⎩ − tθ − tθ
Sendo a carga sintonizada em ω0, e com seletividade elevada, podemos considerar que a tensão AC
no coletor depende somente da impedância e da componente de I C ( t ) em ω0 ou seja,
41
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I C ( t ) = I 0 + iC ( t ) = I 0 + B1 cos (ω 0t ) (3.10)
Temos que a potência média que o circuito entrega à carga, na freqüência ω0, é
2
1 1 ⎛ N1 ⎞ 1 L1
PL = RCeq B12 = ⎜ 2
⎟ RL B1 = RL B12 (3.11)
2 2⎝ N2 ⎠ 2 L2
onde RCeq é a resistência RL refletida para o primário do transformador.
Concluímos facilmente que a amplitude da tensão AC no coletor é dada por
N1
VC = Vo = RCeq B1 (3.12)
N2
Aplicando as equações 3.12 e 3.8 em 3.11, obtemos
η=
PL
=
(θ − sin (θ ) cos (θ ) )Vo N1 (3.14)
PVCC 2 ( sin (θ ) − θ cos (θ ) )VCC N 2
Considerando que a amplitude máxima da tensão AC no coletor seja VCC, pelas equações 3.12 e
3.14 temos que
N2
Vo = VC (3.15)
N1
e
η=
PL
=
(θ − sin (θ ) cos (θ ) ) (3.16)
PVCC 2 ( sin (θ ) − θ cos (θ ) )
Este valor é uma possibilidade teórica, mas para ser alcançado teríamos picos de corrente tendendo
para o infinito, o que não é razoável. Na prática, os amplificadores transistorizados em classe C para
RF são projetados com eficiências em torno de 60%.
42
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Capítulo 4
43
Material não disponível para publicação
ω 02 L2s
Z ( jω 0 ) = ω 02 L2s + Rs2 = Rs + 1 = Rs Q 2 + 1 (4.1)
Rs2
1 1 1 R p2 1
Y ( jω 0 ) = + 2 = +1 = Q2 + 1 (4.2)
ω 0 Lp R p R p
2 2
ω L2 2
0 p Rp
1
Z ( jω 0 ) = (4.3)
Y ( jω 0 )
e
1
Rs Q 2 + 1 = (4.4)
1
Q2 + 1
Rp
L p = Ls
(Q 2
+ 1) ⎛ 1 ⎞
= Ls ⎜1 + 2 ⎟ (4.8)
2
Q ⎝ Q ⎠
De forma geral, temos para as transformações de indutor série e paralelo com resistor, as relações
abaixo
Tabela 4.1: Relações de transformações das impedâncias e admitâncias indutivas.
Lp
Ls Rs
Rp
Rp
Rs =
(Q 2
+ 1) R p = Rs ( Q 2 + 1)
Lp ⎛ 1 ⎞
Ls = L p = Ls ⎜1 + 2 ⎟
⎛ 1 ⎞ ⎝ Q ⎠
⎜1 + 2 ⎟
⎝ Q ⎠
44
Material não disponível para publicação
ω 0 Ls Rp
Q= =
Rs ω 0 Lp
É interessante observar que para valores elevados de Q, o indutor quase não altera o valor, mas a
resistência muda significativamente.
Temos que o fator de qualidade Q é o mesmo nas duas representações, e o módulo da admitância e
da impedância é dado por
1 1 1
Y ( jω 0 ) = ω 02C p2 + 2
= ω 02C p2 R p2 + 1 = Q2 + 1 (4.9)
Rp Rp Rp
1 1
Z ( jω 0 ) = + Rs2 = Rs + 1 = Rs Q 2 + 1 (4.10)
ω Cs
2
0
2
ω 0 Cs Rs
2 2 2
1 1
Q2 + 1 = (4.11)
Rp Rs Q 2 + 1
45
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1 Q Cs
= 2 (4.14)
Q ( Q + 1) C p
Cp
Cs Rs
Rp
R p = Rs ( Q 2 + 1) Rp
Rs =
Cs
(Q 2
+ 1)
Cp =
⎛ 1 ⎞ ⎛ 1 ⎞
⎜1 + 2 ⎟ Cs = ⎜ 1 + 2 ⎟ C p
⎝ Q ⎠ ⎝ Q ⎠
1
Q = ω0C p Rp =
ω 0Cs Rs
Como no caso do indutor com perdas, para fatores de qualidade elevados, o capacitor quase não
altera de valor na transformação, mas o resistor varia muito.
Na maioria das aplicações, o resistor Rs não existe, e representa somente a resistência vista naquele
ponto.
Iniciamos o projeto da rede definindo as reatâncias
X L1 = ω 0 L1 (4.16)
1
X Cout = (4.17)
ω 0Cout
46
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1
X C1 = (4.18)
ω 0C1
1
X C2 = (4.19)
ω 0 C2
Parte da reatância de L1 é usada para cancelar Cout na freqüência ω0. Temos então o circuito
equivalente da Fig. 4.4, onde
X L2 = X L1 − X Cout (4.20)
L2 C2
Rs C1 RL
Definimos também
X L2
Q= (4.21)
Rs
onde obtemos
X L2 = QRs (4.22)
⎛ 1 ⎞
L2 p = ⎜1 + 2 ⎟ L2 (4.24)
⎝ Q ⎠
⎛ 1 ⎞ ⎛ X C22 ⎞
RLp = ⎜1 + ⎟ R = ⎜ 1 + ⎟⎟ RL (4.25)
⎜ (ω C R ) 2 ⎟ L ⎜ RL 2
⎝ 0 2 L ⎠ ⎝ ⎠
C2
C2 p = (4.26)
1 + (ω 0C2 RL )
2
Rsp C1 C2p
L2p RLp
Para que haja o casamento das impedâncias, devemos ter as resistências iguais e a reatância total
infinita. Isto significa fazer
47
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e
1 1 1
− − =0 (4.29)
X L2 p X C1 X C2 p
Rs (1 + Q 2 )
X C1 = (4.32)
Rs
Q−
RL
(1 + Q2 ) − 1
A constante Q, embora tenha a forma de fator de qualidade, não está diretamente relacionada com a
seletividade da rede. Infelizmente, não existe uma formula simples que determine a seletividade, pois
a rede tem ordem maior que dois. Sabemos que quanto menor for Q, menor será a seletividade, mas
esta deve ser verificada com auxílio do computador; como exemplo, os programas de simulação.
4.3 Rede em π
A rede em π é normalmente usada quando a fonte de sinal apresenta um capacitor para terra,
conforme a Fig. 4.6. Não existem restrições aos valores de Rs e RL ou seja, Rs ≥ RL ou Rs ≤ RL . O
procedimento de análise é idêntico ao do item 4.2, e as equações de projeto são:
1 Q 1
= −
X C1 Rs X Cout
Rs RL
X C2 = RL
(Q 2
+ 1) − Rs RL
QRs + Rs RL X C2
X L1 =
Q2 + 1
X C1 = QRs
Rs
X C2 = RL (4.33)
RL − Rs
Rs RL
X L2 = X C1 +
X C2
Z ( jω ) =
1
= j
( ω 2 ω x2 − 1) L2
(4.34)
C1 ω
jω
(1 − ω ω x )
2 2
Notamos que para ω0 ligeiramente menor que ωx, Z ( jω 0 ) é capacitiva e com valor equivalente do
capacitor muito elevado. Da mesma forma, para ω0 ligeiramente maior que ωx, Z ( jω 0 ) é indutiva e
com indutância equivalente muito pequena. Esta é uma forma eficiente de implementar capacitores
muito grandes e indutores muito pequenos, a partir de componentes práticos (realizáveis). Mas só
funciona numa única freqüência, e aproximadamente em torno desta.
49
Material não disponível para publicação
X L1 = QRs + X Cout
X C2 = ARL
B
X C1 =
Q− A
A
Rs (1 + Q 2 )
A= −1
RL
B = Rs (1 + Q 2 )
1 Q 1
= −
X C1 Rs X Cout
Rs RL
B X C2 = RL
(Q 2
+ 1) − Rs RL
QRs + Rs RL X C2
X L1 =
Q2 + 1
X L1 = X Cout
X C1 = QRs
Rs
X C2 = RL
C RL − Rs
Rs RL
X L2 = X C1 +
X C2
RL > Rs
X C1 = QRs
Rs
X C2 = RL
D RL − Rs
Rs RL
X L2 = X C1 + + X Cout
X C2
X L1 = Rs Q + X Cout
X L2 = RL B
A
X C1 =
E Q+B
A = Rs (1 + Q 2 )
A
B= −1
RL
50
Material não disponível para publicação
Lx
L
1 2 1 2
Cx
1
Nível de potência relativo à portadora (carrier).
51
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deve ser a mesma em ambos os circuitos, mas Y ( jnω 0 ) deve ser infinita no circuito LC série. Desta
forma, temos
jω 0 C x
jω 0C = (4.38)
1 − ω 02 Lx C x
e
1
( nω 0 )
2
= (4.39)
Lx C x
Das equações 4.38 e 4.8, temos que
⎧ ⎛ 1 ⎞
⎪C x = ⎜1 − n 2 ⎟ C
⎪ ⎝ ⎠
⎨ (4.40)
⎪ Lx = 1
⎪
⎩ ( n − 1)ω02C
2
1
Cx
C
Lx
4.7 Exemplos
4.7.1 Casamento de Impedâncias de Uma Antena
Considere como exemplo, uma fonte de sinal cuja impedância de saída é um resistor de 2Ω em
paralelo com um capacitor de 10pF, e desejamos fazer o casamento de impedâncias com uma carga de
50Ω , por exemplo uma antena de rádio, na freqüência de 100MHz.
Consideremos as redes B e C da Tabela 4.3 como soluções do problema.
Rede B:
Rs=2 L1
52
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2 50
X C2 = 50 × 2
= 0.995Ω
10 + 1 − 2 50
10 × 2 + 2 × 50 0.995
X L1 = = 1.19Ω
102 + 1
1
X C1 = = 0.2 → C1 = 7.96nF
ω 0C1
1
X C2 = = 0.995 → C2 = 1.6nF
ω 0 C2
X L1 = ω 0 L1 = 1.19 → L1 = 1.89nH
Rede C:
Rs=2 C1 L2
Vo
Considerando Q = 10 , temos
X C1 = 10 × 2 = 20Ω
2
X C2 = 50 × = 10.2Ω
50 − 2
2 × 50
X L2 = 20 + = 29.8Ω
10.2
X L1 = ω 0 L1 = 159.15 → L1 = 253.3nH
1
X C1 = = 20Ω → C1 = 79.6 pF
ω 0C1
1
X C2 = = 10.2Ω → C2 = 156.0 pF
ω 0 C2
X L2 = ω 0 L2 = 29.8 → L2 = 47.42nH
Podemos observar na solução da rede B, que a dispersão dos capacitores é 1000. Na freqüência de
100MHz, capacitores na ordem de nF não apresentam bom desempenho, pois possuem indutância
parasita muito elevada. Entretanto, a rede C não apresenta este problema, e por isso é uma das mais
usadas.
L2x
Rs=2 C1
Vo
C2x
O gráfico de resposta em freqüência encontra-se na Fig. 4.11, onde podemos observar a curva
original e a modificada pelo zero de transmissão em 200MHz. Podemos verificar que na faixa de
freqüências onde ocorre o casamento de impedâncias, as duas redes são praticamente iguais, havendo
uma pequena diferença na seletividade, que é 7.1 para a rede original e 9.0 para a rede modificada.
O mesmo resultado poderia ser obtido substituindo C2 pelo circuito da Fig. 4.9.
20
10
-10
Ganho (dB)
-20
-30
-40
-50
-60
1.0E+07 1.0E+08 1.0E+09
Freqüência (Hz)
Fig. 4.11: Gráfico de resposta em freqüência da rede de casamento de impedâncias: curva contínua,
rede original; curva tracejada, rede com zero de transmissão.
54
Material não disponível para publicação
Quando aplicamos grandes sinais ao transistor, podemos usar o modelo da Fig. 4.13, onde I b (Vb ) é
uma fonte de corrente controlada, que representa a corrente que circula pela condutância não linear da
junção base-emissor, I r (VC ) e I C (Vb ,VC ) são as fontes de corrente controladas reversa e direta
respectivamente. Os harmônicos gerados pelas fontes de corrente I b (Vb ) e I C (Vb ,VC ) são filtrados
pela rede de casamento, de forma que a fonte de sinal enxerga somente correntes senoidais e nas
freqüências próximas de ω0. O mesmo ocorre para a carga RL. Portanto, se ajustarmos as duas redes
até obtermos a máxima transferência de potência (casamento de impedâncias), e medirmos a
impedância de saída de Hin e entrada de Hout, estaremos medindo também o complexo conjugado de Zin
e Zo, nas proximidades de ω0.
Este procedimento é normalmente usado para caracterizar os transistores e dispositivos de potência
para RF, e os parâmetros são conhecidos como impedâncias para grandes sinais. É evidente que estes
parâmetros devem ser extraídos para vários níveis de potência de entrada e saída, devido às suas não
linearidades.
É muito comum caracterizar os transistores de potência para RF pelo seu ganho de potência
Pout Pin , com as impedâncias de grandes sinais fornecidas para vários níveis de potência de entrada e
saída, e tensão de polarização do coletor.
Consideremos como exemplo o circuito da Fig. 4.14, onde a carga Z L é evidentemente não linear.
A rede LC que acopla o gerador de sinais à carga está sintonizada em 100MHz, e é extremamente
seletiva.
A tensão Vin e a corrente Iin vistas pelo gerador são essencialmente senoidais, conforme os gráficos
da Fig. 4.15a e b, obtidos de simulações em computador. A impedância Z L* , medida na saída da rede é
55
Material não disponível para publicação
igual a 50Ω, onde concluímos que a impedância da carga Z L , para grandes sinais, também é igual a
50Ω.
1.5 25
20
1
15
Corrente (mA)
0.5 10
Tensão (V)
5
0 0
-5
-0.5 -10
-1 -15
-20
-1.5 -25
9.95 9.96 9.97 9.98 9.99 10.00 9.95 9.96 9.97 9.98 9.99 10.00
Tempo (µs) Tempo (µs)
(a) (b)
Fig. 4.15: Caracterização da impedância para grandes sinais: a) forma de onda da tensão Vin vista pelo
gerador; b) forma de onda da corrente Iin entregue pelo gerador.
4.9 Parâmetros Y
O modelo híbrido π, normalmente usado para representar o transistor em baixas freqüências, está
fortemente relacionado com componentes físicos de dispositivo, tais como resistências e capacitâncias
das junções. Para freqüências mito altas, f > 100MHz , as capacitâncias, indutâncias e resistências
parasitas do encapsulamento devem ser levadas em consideração. Portanto, é comum tratar o transistor
como um dispositivo de duas portas, e extrair os parâmetros de pequenos sinais em uma matriz de
admitâncias, avaliada ponto a ponto na freqüência. Tal como no modelo híbrido π, os parâmetros Y
podem ser extraídos nas configurações emissor-comum, base-comum e coletor-comum. A Fig. 4.16
apresenta os parâmetros Y para emissor-comum.
+ +
I1 I2
V1 V2
_ _
56
Material não disponível para publicação
Verificamos facilmente que as impedâncias de entrada e saída são modeladas por cargas
capacitivas. Usaremos a rede de casamento de impedâncias A da Tabela 4.3, para a entrada e a saída.
O circuito do amplificador encontra-se na Fig. 4.17, onde verificamos que LC e Lb são indutores
considerados infinitos na freqüência de 40MHz, cuja função é estabelecer nível DC zero na base e VCC
no coletor.
Vcc
12.5V
Lc
L2 C4
Vo
Rs=50 C2 L1
C3 RL=50
Vs Lb
C1
Para o dimensionamento da rede, podemos substituir o transistor pelo seu modelo equivalente de
impedâncias para grandes sinais, conforme a Fig. 4.18.
Rs=50 C2 L1 Xcin=2.3 R1=6.4 Xcout=4.4 L2 C4
VL
Vs Rin=1 Vo C3 RL=50
C1
57
Material não disponível para publicação
R1 (1 + Q 2 ) 6.4 (1 + 102 )
A= −1 = − 1 = 3.45
RL 50
B 646.4
X C3 = = = 98.687Ω
Q − A 10 − 3.45
X L2 68.4
L2 = = → L2 = 272.15nH
ω0 251.32 ⋅ 106
1 X C3 1 98.687
C3 = = → C3 = 40.3 pF
ω0 251.32 ⋅ 106
1 X C4 1 172.5
C4 = = → C4 = 23.1 pF
ω0 251.32 ⋅ 106
Projeto da rede de entrada:
A entrada do transistor possui impedância Z in ( jω 0 ) = 1.0 − j 2.30 , e a máxima transferência de
potência acorre quando a resistência da fonte de sinal é refletida para entrada, com o valor conjugado
de Z in ( jω 0 ) ou seja, Z in* ( jω 0 ) = 1.0 + j 2.30 .
X Cin = 2.3Ω
Rin (1 + Q 2 ) 1 × (1 + 202 )
A= −1 = − 1 = 2.65
Rs 50
B 401
X C1 = = = 23.1Ω
Q − A 20 − 2.65
X L1 22.3
L1 = = → L1 = 88.73nH
ω0 251.32 ⋅ 106
1 X C2 1 132.5
C2 = = → C2 = 30.0 pF
ω0 251.32 ⋅ 106
1 X C1 1 23.1
C1 = = → C1 = 172.2 pF
ω0 251.32 ⋅ 106
Cálculo do indutor LC:
Devemos dimensionar LC de forma que sua impedância seja muito maior que a do coletor. Na
freqüência ω0, a impedância no coletor é puramente resistiva e é dada por
58
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1
RC = Z o* ( jω 0 ) // Z o ( jω 0 ) = = 4.7Ω
1 1
+
6.4 − j 4.4 6.4 + j 4.4
e devemos ter
ω 0 LC 4.7 → LC 18.7 nH → LC = 1µ H
16
14
12
Potência (W)
10
8
6
4
2
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Freqüência (MHz)
Obs:
Muitas vezes, a impedância equivalente de grandes sinais do coletor não é fornecida. Mas é
possível fazer uma estimativa razoável de seu valor, lembrando que a excursão máxima de sinal no
coletor é (VCC − VCEsat ) . No exemplo acima, para termos PL = 15W de potência de saída, devemos ter
no coletor do transistor uma resistência RC tal que
(V − VCEsat )
2
PL = CC (4.41)
2 RC
12.52
15 = → RC = 5.2Ω
2 RC
A capacitância parasita de coletor para emissor do MRF233 é igual a 320pF, e podemos modelar a
impedância de grandes sinais do coletor por um circuito RC paralelo ou, através de uma transformação
de impedâncias, por um RC série, conforme a Fig. 4.20
59
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R1=6.1 Cout=2.1nF
Vc Vc
Io Rc=5.2 Cce=320pF Vo
Cp
Coe
Se olharmos com cuidado a Fig. 4.21, veremos que a resistência calculada pela equação 4.41, e
também o capacitor Cce, são vistos no terminal de coletor modificados por uma rede de transformação
de impedâncias em π. Este efeito torna-se mais preponderante em freqüências elevadas. Portanto,
devemos, sempre que possível, usar as impedâncias para grandes sinais fornecidas pelo manual do
dispositivo.
60
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Capítulo 5
Osciladores Senoidais
O oscilador é um amplificador realimentado, cuja malha de realimentação produz pólos no
semiplano lateral direito (SPLD). Do diagrama de blocos da Fig. 5.1, obtemos facilmente a equação
5.1 para função de transferência, e 5.2 para os pólos.
Vo ( s ) AH1 ( s )
= H (s) = (5.1)
Vin ( s ) 1 − AH1 ( s ) H 2 ( s )
1 − AH1 ( s ) H 2 ( s ) = 0 (5.2)
H2(s )
61
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VA(s) H2(s )
A função de transferência H ( s ) pode possuir mais de um par de pólos no SPLD, o que estabelece
mais de uma freqüência de oscilação. Entretanto, os osciladores são limitados em amplitude, devido às
não linearidades na região de grandes sinais. O mecanismo de limitação se dá pela redução do ganho
de malha até a unidade. Neste processo, somente um par de pólos permanece exatamente sobre o eixo
imaginário, enquanto os outros migram para o semiplano lateral esquerdo (SPLE).
5.1 Osciladores LC
Os osciladores RC, que utilizam amplificadores operacionais opamps como componente ativo,
possuem freqüência máxima de oscilação na faixa de alguns MHz. Isto se deve às limitações de slew-
rate e freqüência de corte superior dos opamps. Normalmente, os osciladores de elevada freqüência,
na ordem de centenas de MHz, utilizam circuitos LC transistorizados.
As configurações mais comuns são a Colpitts e Hartley, e outras derivadas para osciladores a
cristal.
L RL
Rb1
Vo(t)
Vcc
Q C1
Cb Rb2
Re C2
62
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Vm
I Cq = (5.6)
RL
Uma vez calculada a corrente de polarização ICq no coletor, abrimos a malha de realimentação, e
representamos o circuito no modelo AC de pequenos sinais, conforme a Fig. 5.4. A capacitância
parasita entre base e emissor Cb’e e a resistência de entrada do amplificador em base comum re, devem
ser representadas no circuito em malha aberta, para que o diagrama de blocos da Fig. 5.2 seja válido.
Vo
C1
Q
VA
L C2 Cb'e Re re
Vin RL
Substituindo o transistor pelo seu modelo de pequenos sinais em base comum, temos o circuito da
Fig. 5.5, onde
C2′ = C2 + Cb′e
e
Re′ = Re // re
Vo
C1
VA
gmC1 RL Re′ Ls 2
H (s) = (5.7)
C1C2′ LRL Re′s 3 + L ( Re′ ( C1 + C2′ ) + C1 RL ) s 2 + ( Re′ RL ( C1 + C2′ ) + L ) s + RL
e
gmC1 RL Ls
H 2 ( s ) = lim H ( s ) = (5.9)
Ré′ →∞ C1C2′ LRL s + L ( C1 + C2′ ) s + RL ( C1 + C2′ )
2
63
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− gmC1 Re′ Lω 2
H1 ( jω ) = (5.10)
(1 − LC1ω 2 ) + j ( Re′ ( C1 + C2′ )ω − C1C2′ LRe′ω 3 )
e
jgmC1 RL Lω
H 2 ( jω ) = (5.11)
( RL ( C1 + C2′ ) − C1C2′ LRLeω 2 ) + jL ( C1 + C2′ )ω
Analisando a equação 5.10, verificamos que a condição )H1 ( jω 0 ) = 0 é alcançada quando
onde obtemos
1 1
ω0 = = (5.12)
C1C2′ C ( C + Cb ' e )
L L 1 2
C1 + C2′ C1 + C2 + Cb ' e
C2′ 1 − gmRe′
≥ (5.14)
C1 gmRe′
C2′
≤ gmRL − 1 (5.16)
C1
64
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1 − gmRe′ C2′
≤ ≤ gmRL − 1
gmRe′ C1
Igualando as equações 5.13 e 5.15, obtemos a equação 5.17 como uma boa aproximação para o
valor ótimo de C2′ C1 .
C2′ RL C + Cb ' e RL
= −1 ≡ 2 = −1 (5.17)
C1 Re′ C1 re // Re
Obs:
A freqüência de oscilação exata , obtida da condição )H ( jω 0 ) = 0 aplicada diretamente à equação
5.7 é
1 1 1
ω0 = + ≅
CC ′ Re′ RL C1C2′ C C′
L 1 2 L 1 2
C1 + C2′ C1 + C2′
e
1 C + Cb ' e
≤ 2 ≤ gmRL (5.19)
gm ( Rb // hie ) C1
Também temos uma relação entre capacitores, onde o ganho de malha é próximo do máximo, dada
por
C2 + Cb ' e RL
= (5.20)
C1 Rb 2 // hie
65
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XL
Vo(t)
L
C2
L
Rb1 C1 RL
Vcc Cb Q
RL C1 C2
Rb2
Vo(t)
Rb2 Re
Ce (b)
(a)
Fig. 5.7: Oscilador Colpitts em emissor comum: a) circuito completo; b) modelo AC.
L1
RL C
Vo(t)
Rb1 L2
L2 Q
Vcc
Vo(t) RL C L1
Re
Q Ce
Cb Rb2
Re
(b)
(a)
Fig. 5.8: Oscilador Hartley em base comum: a) circuito completo; b) modelo AC.
66
Material não disponível para publicação
Também é possível determinar uma relação entre os indutores, onde o ganho de malha é próximo
do máximo, conforme a equação 5.23.
L2 RL
= −1 (5.23)
L1 Re // re
L1
C
Vo(t)
C
Cb Rb1 L2
RL
Q
RL L2 L1
Vo(t) Rb2
Q Vcc
Rb2 Re
Ce
(b)
(a)
Fig. 5.9: Oscilador Hartley em emissor comum: a) circuito completo; b) modelo AC.
Também é possível determinar uma relação entre os indutores, onde o ganho de malha é próximo
do máximo, conforme a equação 5.26.
L2 RL
= (5.26)
L1 Rb 2 // hie
67
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XL
L RL
Cv
Rb1
C2
Vo(t) L
Vcc Cv
Rb1 C1 RL
Q C1 Vcc Cb
Vo(t)
Cb Rb2 Q
Re C2
Rb2 Re
Ce
(a)
(b)
Fig. 5.10: Oscilador Colpitts com ajuste de freqüência de oscilação: a) configuração em base comum;
b) configuração em emissor comum.
A freqüência de oscilação do oscilador Hartley pode ser facilmente ajustada usando um capacitor
variável CV no lugar de C.
VEq = 1 → Re I Cq = 1 → Re × 1 ⋅ 10−3 = 1 → Re = 1k Ω
A tensão de base é
VBq = 1 + 0.7 = 1.7V
e conseqüentemente
VRb1 = 1.7V
68
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Considerando a corrente que circula por Rb1 e Rb2 iguais, e dez vezes superior a IBq, temos
1 ⋅ 10−3 1 ⋅ 10−3
I Bq = = = 2µ A
β 500
VRb 2 1.7
Rb 2 = = → Rb 2 = 85k Ω
I Rb 2 20 ⋅ 10−6
VRb1 8.3
Rb1 = = → Rb1 = 415k Ω
I Rb1 20 ⋅ 10−6
O capacitor Cb deve ser um bypassing para freqüência de oscilação. Podemos, por exemplo,
dimensioná-lo para freqüência de corte de 10kHz. Temos então que
VT 0.026
hie ≅ = = 13k Ω
I Bq 2 ⋅ 10−6
1 1
Cb = = → Cb = 1.45nF
2π × 10 ⋅ 10 × Rb1 // Rb 2 // hie 2π × 10 ⋅ 10 × 415 ⋅ 103 // 85 ⋅ 103 //13 ⋅ 103
3 3
C2 RL 10 ⋅ 103 10 ⋅ 103 C
= −1 = −1 = − 1 → 2 = 19 (5.29)
C1 Re // re ⎛V ⎞ ⎛ 0.026 ⎞ C1
1 ⋅ 103 // ⎜ T ⎟⎟ 1 ⋅ 103 // ⎜ −3 ⎟
⎜I ⎝ 1 ⋅ 10 ⎠
⎝ Cq ⎠
Solucionando o sistema de equações formado por 5.28 e 5.29, temos finalmente
C1 = 1.7 nF
C2 = 31.7 nF
69
Material não disponível para publicação
20
18
L RL 16
Rb1 100u 10k
415k 14
Amplitude (V)
12
Vcc Vo(t)
10V 10
C1 8
Q
1.7n 6
4
Cb Rb2
1.45n
2
85k Re C2
1k 31.7n 0
990 992 994 996 998 1000
Tempo (µs)
(a) (b)
Fig. 5.11: Exemplo de projeto de oscilador Colpitts: a) circuito completo; b) sinal de saída.
O equivalente elétrico do cristal e o símbolo normalmente usado são apresentados na Fig. 5.13a e b
respectivamente. Podemos notar a associação em paralelo de N circuitos RLC série, representando os
vários modos de vibração, e um capacitor Cp, que é a capacitância de placas paralelas dos contatos.
70
Material não disponível para publicação
LN
L1 L2 L3
Cp C1 C3 C3 CN
RN
R1 R2 R3 (b)
(a)
Fig. 5.13: Cristal oscilador: a) modelo elétrico; b) símbolo.
Os cristais projetados para operar no modo fundamental podem ser representados como na Fig.
5.14a. Uma das principais características destes dispositivos é o elevadíssimo fator de qualidade do
circuito RLC série, que o torna essencialmente reativo. Então, podemos calcular a impedância
desprezando Rs, onde obtemos facilmente que
s 2 LS CS + 1
Z (s) =
s 3 LS CS CP + s ( CS + CP )
1 ⎛ ω 2 − ω S2 ⎞
Z ( jω ) = − j ⎜ ⎟ (5.30)
ω CP ⎝ ω 2 − ω P2 ⎠
onde
1
ωS = (5.31)
LS CS
CS + C P
ωP = (5.32)
LS CS CP
Verificamos que o cristal possui duas freqüências de ressonância, uma série ωS e outra paralelo ωP,
conforme a Fig. 5.14b.
Ls
Cp Cs
Rs
(b)
(a)
Fig. 5.14: Cristal no modo fundamental: a) modelo elétrico; b) curva de reatância.
que é a ressonância do circuito LC paralelo da Fig. 5.16a. Ao substituirmos o indutor pelo cristal,
temos o circuito LC da Fig. 5.16b, cuja freqüência de ressonância é
C1C2′
CS + C P +
C1 + C2′
ω0 = (5.33)
⎛ C C′ ⎞
LS CS ⎜ CP + 1 2 ⎟
⎝ C1 + C2′ ⎠
Sabemos que
C1C2′
CS C P +
C1 + C2′
e aplicando esta condição à equação 5.33, lembrando que 1 + x ≅ ~ 1 + x 2 quando x 1 , temos que
a freqüência de oscilação é
72
Material não disponível para publicação
1 ⎛ C1C2′ ⎞
1 + CS ⎜ CP + ⎟
2 ⎝ C1 + C2′ ⎠ ⎛ 1 ⎛ C1C2′ ⎞ ⎞
ω0 ≅ = ωS ⎜⎜1 + CS ⎜ CP + ⎟ ⎟ ≅ ωS (5.34)
LS CS ⎝ 2 ⎝ C1 + C2′ ⎠ ⎟⎠
Ls Cs
C1 C'2
C1 C'2
(a)
(b)
Fig. 5.15: Carga reativa do oscilador Colpitts: a) sem cristal; b) com cristal.
O circuito da Fig. 5.16a é um oscilador Colpitts, em emissor comum, com cristal, também
conhecido como Pierce. O Indutor XL tem a função de polarizar o transistor, mas é um circuito aberto
na freqüência de oscilação.
XL
RL Vo(t)
XTAL
Rb1 XTAL
Vo(t)
Vcc
Q
RL C1 C2
Q Rb1 Rb2
C1
Rb2 C2
Re
Ce
(b)
(a)
Fig. 5.16: Oscilador Colpitts a cristal: a) circuito completo; b) modelo AC.
A relação entre os capacitores C1 e C2’ deve respeitar a equação 5.20. Como o cristal pode assumir
qualquer valor de reatância indutiva, em princípio, C1 e C2’ podem ter qualquer valor, desde que a
relação imposta por 5.20 seja mantida. Entretanto, quando substituímos o indutor pelo cristal,
adicionamos a resistência RS. O cálculo da condição de oscilação realizado anteriormente considerou o
circuito equivalente da Fig. 5.17a, mas com a presença de RS temos o circuito da Fig. 5.17b. Uma
forma prática de estabelecermos uma equivalência entre os dois circuitos, é forçar o fator de qualidade
associado a L e RS ser muito maior que o do circuito formado pelos capacitores C1 e C2’ e os resistores
Rb e RL. Desta forma temos que
ω0 L ⎛ C C′ ⎞ ⎛ C C′ ⎞ L
ω0 ⎜ CP + 1 2 ⎟ ( Rb + RL ) → ⎜ CP + 1 2 ⎟
RS ⎝ C1 + C2′ ⎠ ⎝ C1 + C2′ ⎠ RS ( Rb + RL )
Rb = Rb1 // Rb 2 // hie
C2′ = C2 + Cb ' e
⎛ C1C2′ ⎞ 1
⎜ CP + ⎟ (5.35)
⎝ C1 + C2′ ⎠ ω0 RS ( RL + Rb )
Cp Cp
L L Rs
RL C1 C'2 Rb C1 C'2 Rb
RL
(a) (b)
Fig. 5.17: Malha de realimentação do oscilador Colpitts: a) sem cristal; b) com cristal.
2. Resistência de carga RL = 5k Ω .
3. Tensão de alimentação VCC = 10V .
4. Tensão de polarização de emissor VEq = 1V .
A tensão de base é
VBq = 1 + 0.7 = 1.7V
e conseqüentemente
VRb1 = 1.7V
Considerando a corrente que circula por Rb1 e Rb2 iguais, e dez vezes superior a IBq, temos
2 ⋅ 10−3 2 ⋅ 10−3
I Bq = = = 4µ A
β 500
74
Material não disponível para publicação
VRb 2 1.7
Rb 2 = = → Rb 2 = 21.25k Ω
I Rb 2 80 ⋅ 10−6
VRb1 8.3
Rb1 = = → Rb1 = 103.75k Ω
I Rb1 80 ⋅ 10−6
O capacitor Ce deve ser um bypassing para freqüência de oscilação, por exemplo 10kHz. Temos
então que
I Bq 0.026
hie ≅ = = 6.5k Ω
VT 4 ⋅ 10−6
C1C2′ 1 C C′
− 2.488 ⋅ 10−12 → 1 2 199 ⋅ 10−12
C1 + C2′ 2π × 1 ⋅ 106 64 × ( 5 ⋅ 103 + 4.75 ⋅ 103 ) C1 + C2′
Observe que C2 é tão pequeno, que não precisa ser considerado no circuito, pois a capacitância
parasita Cb’e representa quase a totalidade de C’2.
O indutor XL deve ter reatância muito elevada na freqüência de oscilação, representando um
circuito aberto. Podemos fazer X XL RL , e um valor que satisfaz a esta condição é
XL = 10mH
O circuito completo e a forma de onda do sinal de saída vo ( t ) , obtida por simulação, encontram-se
na Fig. 5.18a e b respectivamente.
Observe que a excursão de sinal é um pouco menor que 10V, isto se deve à dissipação de potência
nas outras resistências do circuito, inclusive RS, que não foram consideradas.
75
Material não disponível para publicação
20
XL 18
10m RL 16
5k
Rb1 14
Amplitude (V)
103.75k XTAL
12
Vo(t)
Vcc 10
10
8
Q 6
C1 4
20p 2
Rb2 C2 Re Ce
21.25k 9p 500 1.2u 0
0 1 2 3 4
Tempo (µs)
(a) (b)
Fig. 5.18: Oscilador Colpitts a cristal: a) circuito completo; b) tensão de saída.
L RL
Rb1
Vo(t)
Vcc
Q C1
XTAL
Cb Rb2
Re C2
76
Material não disponível para publicação
Vo R
Vo
R
Vdd
XTAL
C2 C1
XTAL
C2 C1
(a)
(b)
Fig. 5.21: Oscilador Pierce com porta inversora: a) forma geral; b) porta CMOS.
C2 C1 Ro gmVin Vin
Fig. 5.22: Circuito em malha aberta, para análise das condições de oscilação.
e a condição de ganho em ω0 é
77
Material não disponível para publicação
Lgm
H1 ( jω 0 ) = ≥1 (5.37)
RS ( C1 + C2 )
e
Ro gmC1
H 2 ( jω 0 ) = ≥1 (5.38)
C2
Igualando as equações 5.37 e 5.38, temos
1
C1 = (5.39)
ω0 Ro RS
Substituindo a equação 5.39 em 5.40, temos que o capacitor C2 deve respeitar a inequação
gm Ro
C2 ≤ (5.41)
ω0 RS
Aparentemente, C2 pode ser zero, pois o cristal pode representar qualquer valor de reatância
indutiva. Mas nos cálculos acima, não consideramos a resistência de entrada do amplificador, pois é
extremamente elevada. Esta resistência, embora muito alta, e a capacitância parasita no gate dos
transistores, limitam o valor mínimo de C2. Na prática, utilizamos valores C2 próximos de C1.
Os parâmetros Ro e gm não são fornecidos pelos fabricantes, e por isto, o dimensionamento destes
osciladores é feito por estimativa. Em geral, os datasheets provêem aplicações das portas lógicas como
osciladores, e os valores dos capacitores são fornecidos. A ordem de grandeza dos capacitores é de
algumas dezenas de pF.
A análise realizada nesta seção se aplica ao oscilador Colpitts da Fig. 5.16a, quando utilizamos
transistores MOSFET ou JFET no lugar dos bipolares.
78
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Capítulo 6
Modulação de Amplitude
A modulação de amplitude (AM) é uma forma eficiente de codificação do sinal na freqüência. É
muito usada nas transmissões de rádio e televisão, e é de simples implementação.
A modulação AM é feita simplesmente alterando a amplitude de uma senoide em alta freqüência
(portadora), proporcionalmente a um determinado sinal modulador. Desta forma, a informação é
enviada no entorno da freqüência da portadora.
Matematicamente, o sinal AM possui a forma
v ( t ) = A ⎣⎡1 + mf ( t ) ⎦⎤ cos (ω 0t ) (6.1)
Onde:
• f ( t ) é o sinal modulador (voz, música, dados, etc...), com módulo máximo igual a 1 e média
zero ou seja, max f ( t ) = 1 e f ( t ) = 0 .
C−B
m= (6.2)
C+B
79
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F ⎡⎣v ( t ) ⎤⎦ = F ⎡⎣ A (1 + mf ( t ) ) cos (ω 0 t ) ⎤⎦
A Am
V (ω ) = F [1] ∗ F ⎡⎣ cos (ω 0t ) ⎤⎦ + F ⎡ f ( t ) ⎦⎤ ∗ F ⎣⎡ cos (ω 0t ) ⎦⎤
2π 2π ⎣
1
V (ω ) = π Aδ (ω ) ∗ (δ (ω + ω 0 ) + δ (ω − ω 0 ) ) + AmF (ω ) ∗ (δ (ω + ω 0 ) + δ (ω − ω 0 ) )
2
ou de forma melhor
1 1
V ( ω ) = π A ( δ (ω + ω 0 ) + δ ( ω − ω 0 ) ) + AmF (ω + ω 0 ) + AmF (ω − ω 0 ) (6.4)
2 2
onde δ (ω ) é a função impulso.
80
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A2
PC =
2
A2 m 2 2
Pm = f (t )
2
A2 A2 m 2 2
PAM = PC + Pm = + f (t ) (6.5)
2 2
A máxima potência do sinal é alcançada quando m = 1 ou seja, 100% de modulação. A potência da
portadora não é aproveitada, portanto, é comum em alguns sistemas de transmissão, retirar a
portadora, obtendo a modulação AM DSB SC (Supressed Carrier), conforme a Fig. 6.4.
(a)
(b)
Fig. 6.5: Modulação AM SSB: a) sem a banda interior; b) sem a banda exterior.
seletivo, os harmônicos produzidos são filtrados, dando a impressão que não houve corte nem
saturação do transistor. Uma análise cuidadosa mostra que o ganho de tensão tende a zero, com o
aumento do sinal de entrada. O resultado final deste processo, é manter uma senoide com amplitude
limitada na saída do amplificador. O mesmo ocorre com os osciladores, que mantêm a amplitude da
oscilação constante e limitada pela tensão de alimentação. Podemos usar este efeito para construir um
modulador AM, bastando variar a tensão de alimentação proporcionalmente ao sinal modulador.
Considere o circuito da Fig. 6.6. Verificamos facilmente que o transistor Q1 faz parte de um
oscilador Colpitts, em base comum, e é alimentado pelo emissor de Q2. Se polarizarmos Q2 de forma
que a tensão no emissor seja VCC 2 , a amplitude do sinal no coletor de Q1 será VCC 2 ou seja, a
tensão de coletor variará de zero a VCC; este resultado foi analisado em detalhes no capítulo Capítulo 5.
Ao aplicarmos a tensão AC vin ( t ) à base de Q2, a tensão no emissor será ve ( t ) = VCC 2 + vin ( t ) , e
devemos ter o sinal no coletor de Q1 variando de zero a 2ve ( t ) . Assumindo por simplicidade que
vin ( t ) = Vm sin (ω m t ) , temos que
VCC
ve ( t ) = + Vm sin (ω m t )
2
Sendo ω0, a freqüência de oscilação, muito maior que ωm, teremos no coletor de Q1 o sinal
VCC ⎛V ⎞
vC ( t ) = + Vm sin (ω m t ) + ⎜ CC + Vm sin (ω m t ) ⎟ cos (ω 0t )
2 ⎝ 2 ⎠
A diferença de potencial em L1 é
⎛V ⎞
vL1 ( t ) = vC ( t ) − ve ( t ) = ⎜ CC + Vm sin (ω m t ) ⎟ cos (ω 0t )
⎝ 2 ⎠
e conseqüentemente, pela relação de espiras do transformador, a saída v0 ( t ) é
N 2 ⎛ VCC ⎞
vo ( t ) = ⎜ + Vm sin (ω m t ) ⎟ cos (ω 0t )
N1 ⎝ 2 ⎠
Colocando VCC 2 em evidência na equação acima, temos finalmente que
N 2 VCC ⎛ 2Vm ⎞
vo ( t ) = ⎜1 + sin (ω m t ) ⎟ cos (ω 0t ) (6.6)
N1 2 ⎝ VCC ⎠
Rb3
C3
Q2
Ce
Vo(t)
Cv
Rb1 L1 L2 RL
Vcc
Vin(t)
Q1 C1
Cb
Re C2
Rb2
82
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Os cálculos acima, assumem que a razão ω 0 ω m é muito grande, de forma que em relação ao
período da portadora ω 0 , o sinal modulador comporta-se como uma fonte DC. Considere, por
exemplo, uma portadora em 1MHz e um sinal modulador senoidal em 1kHz. Em um ciclo da
portadora, 1µs, temos um milésimo do período do sinal modulador, praticamente constante.
onde RCeq compreende todas as cargas resistivas em paralelo com L1, inclusive RL refletido.
Fazendo Vm = 0 , colocamos o circuito em repouso, sem sinal de modulação, e pela equação 6.7,
temos
VCC
I Cq1 = (6.8)
2 RCeq
Mas a equação 6.7 mostra que a corrente de coletor deve acompanhar as variações do sinal
modulador. Analisando o circuito da Fig. 6.6, concluímos que a tensão na base de Q2 deve ser
VCC
Vb 2 = vin ( t ) + + VBEq 2
2
e conseqüentemente
⎛ V ⎞ Rb 2
Vb1 = ⎜ vin ( t ) + CC + VBEq 2 − Vd ⎟ + Vd (6.9)
⎝ 2 ⎠ Rb1 + Rb 2
Então, podemos calcular a tensão no emissor de Q1 e conseqüentemente IC1, de forma que
⎛ VCC ⎞ Rb 2
⎜ vin ( t ) + 2 + VBEq 2 − Vd ⎟ R + R + Vd − VBEq1
⎝ ⎠ b1
I C1 = b2
(6.10)
Re
Rb 2 Rb 2 VCC
I C1 = vin ( t ) + (6.11)
Re ( Rb1 + Rb 2 ) Re ( Rb1 + Rb 2 ) 2
83
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VCC VCC
+ Vm sin (ω m t ) + Vm sin (ω m t )
I C1 = 2 ≡ I C1 = 2 (6.12)
Re ( Rb1 + Rb 2 ) RCeq
Rb 2
Vemos da equação 6.12, que a condição imposta por 6.7 é facilmente atendida.
A tensão no emissor de Q1 deve ser pequena, em torno de 1V, para não limitar a excursão de sinal
no coletor.
Capacitor C3.
O capacitor C3 deve ser um bypassing para o sinal modulador. Devemos escolher uma freqüência
ωC3 abaixo da mínima de vin ( t ) e calcular
1
C3 = (6.13)
ω C 3 RC 3
onde RC3 é a resistência vista por C3. Uma análise detalhada do circuito, mostra que
1
RC 3 = (6.14)
1 1 Rb 2
+ +
Rb 3 Rb1 + Rb 2 // ( hie1 + ( β1 + 1) Re ) Re ( Rb1 + Rb 2 )( β 2 + 1)
Capacitor Cb.
Cb deve ser um bypassing para a freqüência da portadora ω0, e um circuito aberto para a maior
freqüência de vin ( t ) . Devemos escolher uma freqüência ωCb dentro deste intervalo e calcular
1
Cb = (6.15)
ω Cb RCb
onde a resistência RCb vista por Cb é
RCb = Rb1 // Rb 2 // ( hie1 + ( β1 + 1) Re ) (6.16)
Capacitor Ce.
Ce deve ser um bypassing para a freqüência da portadora ω0, e um circuito aberto para a maior
freqüência de vin ( t ) . Portanto, devemos escolher uma freqüência ωCe dentro deste intervalo e calcular
1 I Cq 1
Ce = ≅ (6.17)
hie 2 ω CeVT
ωCe
β2 + 1
Um cuidado especial deve ser tomado durante a escolha de Ce. O capacitor se carrega através do
emissor de Q2, que possui impedância muito pequena, mas se descarrega através de Q1, pois Q2 não
consegue drenar corrente. O transistor Q1 atua como fonte de corrente, e com valor
VCC
+ Vm sin (ω t )
I C1 ( t ) = 2 (6.18)
RCeq
Portanto, Ce se descarrega através de uma fonte de corrente de valor IC1, e para Q2 permanecer
sempre conduzindo, é necessário que a corrente Ie2 seja sempre positiva. Então, devemos ter que
I e2 ( t ) = I C1 ( t ) + I Ce ( t ) ≥ 0 (6.19)
Sabendo que
84
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dvCe ( t ) dvin ( t )
I Ce ( t ) = Ce = Ce = ω CeVm cos (ω t ) (6.20)
dt dt
Substituindo as equações 6.18 e 6.20 em 6.19, temos
VCC
+ Vm sin (ω t )
Ie (t ) = 2 + ω CeVm cos (ω t ) ≥ 0 (6.21)
RCeq
85
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Rb3
Q2
C3 D1 Ce
D2
Q3
Vo(t)
Cv
Rb1 L1 L2 RL
Vcc
Vin(t)
Q1 C1
Cb
Re C2
Rb2
Rb2
Q2
C3 D1 Ce
D2
Q3
Rb1 L1
Vcc
C1 L2
Vin(t)
Vo(t)
Cb
Q1
C2 RL
Vc(t) Lb
86
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portadora
va ( t ) = vin ( t ) S ( t ) (6.23)
onde
⎪⎧0, para vC ( t ) = 0
S (t ) = ⎨
⎪⎩1, para vC ( t ) = VC
Supondo S ( t ) uma onda quadrada simétrica e com freqüência igual a ω0, podemos representá-la
pela séria de Fourier
1 2 ∞ ⎡ ( −1) ⎤
n
S (t ) = + ∑⎢ cos ( ( 2n + 1) ω 0t ) ⎥ (6.24)
2 π n = 0 ⎢⎣ ( 2n + 1) ⎥⎦
vin ( t ) 2 ∞ ⎡ ( −1)n ⎤
va ( t ) = + ∑ ⎢ vin ( t ) cos ( ( 2n + 1)ω 0t ) ⎥ (6.25)
2 π n =0 ⎢⎣ ( 2n + 1) ⎥⎦
87
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88
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VCC
C RL
L
Va(t) Vo(t)
R1
Q
D1 D3
Re
R2
Vin(t)
-VEE
D2 D4
Vc(t)
Va(t)
Vo(t)
R1
Q
D1
_
D3 +
Vd I1
R2 Vc(t) Vd L RL
+
_ C
Vin(t)
+
_ Re
Vd I2 Vd
D2 D4
+
_
Ao passo em que o módulo de vin ( t ) aumenta, duas correntes, I3 e I4, aparecem no circuito,
conforme a Fig. 6.14. Estas correntes estão em sentido contrário às correntes de malha, nos diodos D1
e D4, ou D2 e D3, dependendo do sentido de I3 e I4. Isto pode despolarizar um par de diodos, levando a
chave à condição aberta, impedindo o funcionamento correto do circuito.
Va(t)
Vo(t)
R1
Q
_ D1 D3 +
Vd I1
R2 Vc(t) Vd L RL
+
_ C
Vin(t) I3 I4
+ _ Re
Vd I2 Vd
_ D2 D4
+
89
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Vm
Iy = (6.29)
2 R1
O mesmo resultado é obtido para vin ( t ) negativa, e podemos expressar a condição 6.30 de forma
mais genérica como
R1
vin ( t ) ≤ (VC − 2Vd ) (6.31)
R2
O circuito possui seletividade dada por
RL
QC = (6.32)
ω0 L
e o módulo do ganho na freqüência de ressonância ω0 é
H ( jω 0 ) =
( h + ( β + 1) R )
ie e RL
(6.33)
( R1 + hie + ( β + 1) Re ) Re
e a tensão vo ( t ) dada por
2 H ( jω 0 )
vo ( t ) = vin ( t ) cos (ω 0t ) (6.34)
π
Podemos expandir a função não linear Y ⎡⎣vin ( t ) + vC ( t ) ⎤⎦ em uma série de potências e obter
∞
va ( t ) = a0 + ∑ ⎡ an ( vin ( t ) + vC ( t ) ) ⎤
n
(6.35)
n =1
⎣ ⎦
90
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⎣ n =3
⎣ ⎦ ⎦
ou de forma melhor
⎡ 2a ⎤ ∞
⎡ a n −1 ⎤
vo ( t ) = a1VC H ( jω 0 ) ⎢1 + 2 vin ( t ) ⎥ cos (ω 0t ) + a1VC H ( jω 0 ) ∑ ⎢ n n vin ( t ) ⎥ cos (ω 0 t ) (6.36)
⎣ a1 ⎦ n = 3 ⎣ a1 ⎦
Verificamos na equação 6.36 dois termos em cos (ω 0t ) , o primeiro é exatamente o sinal AM,
enquanto o segundo representa distorção do sinal. Entretanto, os termos da série de potências
decrescem com o índice n, e podemos considerar, em geral, que
⎡ 2a ⎤
vo ( t ) ≅ a1VC H ( jω 0 ) ⎢1 + 2 vin ( t ) ⎥ cos (ω 0 t ) (6.37)
⎣ a1 ⎦
No caso da função quadrática, não ocorre distorção, pois an = 0 para n ≥ 3 . Este tipo de modulador
também aceita a modulação AM sem portadora, basta fazer a1 = 0 .
C L1 RL
L2
Q
Vcc Id
1:1
Vin(t)
|Vp| Vc(t)
2 I DSSVC RL ⎛ N1 ⎞
vo ( t ) = ⎜ ⎟ vin ( t ) cos (ω 0t ) (6.41)
VP2 ⎝ N2 ⎠
2 I DSSVCVm RL ⎛ N1 ⎞
vo ( t ) = ⎜ ⎟ (1 + mf ( t ) ) cos (ω 0t ) (6.42)
VP2 ⎝ N2 ⎠
Podemos notar facilmente que as equações 6.42 e 6.41 representam a modulação AM com e sem
portadora respectivamente.
Este circuito não gera distorção apreciável, pois o dispositivo não linear é de ordem 2 ou seja,
n=2.
92
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⎧ I1 + I y
⎪ gm1 =
⎪ 2VT
⎨ (6.46)
⎪ gm = I1 − I y
⎪ 2 2VT
⎩
Substituindo as equações 6.46 em 6.45, temos
⎧ Vx I y
⎪ I A = I1 −
⎪ 2VT
⎨ (6.47)
⎪ I = I + Vx I y
⎪ B 1 2V
⎩ T
Finalmente, substituindo a equação 6.43 em 6.47, temos para as correntes nas cargas
⎧ VxVy
⎪ I A = I1 −
⎪ 2 ReVT
⎨ (6.48)
⎪ I = I + VxVy
⎪ B 1 2R V
⎩ e T
Vcc
IA IB
RL RL
I4
Vo1 Vo2
I3
I2 I5
1 2
Vx
_
+ I1+Iy I1-Iy
Iy
Vy
_ Re
I1 I1
-Vee
Conhecendo as correntes IA e IB, podemos calcular as tensões de saída Vo1 e Vo2 ou seja,
⎧ RL
⎪Vo1 = VCC − RL I A = VCC − RL I1 + 2 R V VxVy
⎪ e T
⎨ (6.49)
⎪V = V − R I = V − R I − RL V V
⎪⎩ o 2 CC L B CC L 1
2 ReVT
x y
93
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max Vx = 77 mV (6.51)
Vo
N2 C
T1
N1 N1
Vcc
T2
N3 Vb
N4
Vc(t)
N3
Vin(t) Re
I1 I1
-Vee
Podemos representar o circuito no modelo AC, conforme a Fig. 6.19, fazendo as reflexões de
impedâncias e fontes de sinal convenientes.
Considerando o circuito sintonizado em ω 0 = 1 L2C , pela equação 6.50 temos que na freqüência
de ressonância, a tensão de saída é
N 3 N1 RL
vo ( t ) = 2 vin ( t ) vC ( t ) (6.52)
N 4 N 2 ReVT
94
Material não disponível para publicação
N 3 N1 RLVCVm
vo ( t ) = 2
N 4 N 2 ReVT
(1 + mf ( t ) ) cos (ω0t ) (6.53)
Verificamos pelas equações 6.52 e 6.53, que este circuito admite as modulação AM com ou sem
portadora.
Vo
L2
2 2
2RL(N1/N2) N2 2RL(N1/N2)
2N1
N3Vc(t)
2 ________
N4
Vin(t)
Re
95
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Capítulo 7
Demodulação AM
A demodulação consiste em recuperar o sinal modulador, em um canal de rádio, por exemplo, cuja
portadora encontra-se na freqüência ω0; é o processo inverso da modulação.
Podemos destacar basicamente dois tipos de demoduladores AM: os de detecção de envoltória; os
demoduladores síncronos. Os demoduladores baseados em detecção de envoltória se dividem em
detectores de pico e média, e são usados nos sinais AM com portadora e banda estreita. Os
demoduladores síncronos são empregados na demodulação dos sinais AM SSB (single-side band) e
AM SC (supressed carrier).
D
Vin(t) Vo(t)
RL CL
96
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O demodulador AM, em geral, atua como carga para um filtro sintonizado, cuja função é selecionar
e amplificar a faixa de freqüências desejada. A Fig. 7.3 é um exemplo deste circuito. Devemos
considerar que a carga RL é importante também na determinação da seletividade do filtro.
Vin(t)
D
Vo(t)
C L1 L2 RL
CL
R1
Cb
V1(t) Q
R2
Re Ce
Para determinarmos a resistência equivalente do demodulador, vista pelo indutor L2, consideremos
as potências médias Pin , entregue ao demodulador, e PRL entregue à carga RL, conforme a Fig. 7.4.
Consideremos também que o diodo D é ideal, tendo tensão de condução igual a zero. Desta forma,
pelo princípio de conservação de energia, devemos ter Pin = PRL . Analisando os sinais na base de
tempo da portadora, temos que vin ( t ) é senoidal com amplitude constante ou seja,
vin ( t ) = VC cos (ω 0 t ) . Após a retificação e a filtragem, vo ( t ) é uma tensão constante de valor VC.
Chamando Req a resistência observada pela fonte vin ( t ) , temos os valores das potências são
VC2
Pin = (7.3)
2 Req
VC2
PRL = (7.4)
RL
Impondo a igualdade Pin = PRL às equações 7.3 e 7.4, temos finalmente que
RL
Req = (7.5)
2
97
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Pin PRL
D
Vin(t) Vo(t)
CL RL
O capacitor CL permanece o tempo todo praticamente carregado com o valor máximo de tensão.
Sendo a variação de tensão em CL quase nula, a corrente iCL = CL dVCL dt é aproximadamente zero, e
por este motivo CL não é percebido pela fonte vin ( t ) .
R1
D
Vin(t) Vo(t)
L1 L2 CL RL
D1 C1 R2
98
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⎧ A
⎪ (1 + mf ( t ) ) cos (ω 0t ) ; para cos (ω 0t ) ≥ 0
id ( t ) = ⎨ Rin (7.7)
⎪0; para cos (ω t ) < 0
⎩ 0
A forma de onda de id ( t ) está representada na Fig. 7.7, e pode ser matematicamente expressa por
A
id ( t ) =
Rin
(1 + mf ( t ) ) cos (ω0t ) S ( t ) (7.8)
1 2 ∞ ⎡ ( −1) ⎤
n
S (t ) = + ∑ ⎢ cos ( ( 2n + 1) ω 0t ) ⎥ (7.9)
2 π n = 0 ⎢⎣ ( 2n + 1) ⎥⎦
A ⎡ cos (ω t ) 2 ∞ ⎡ ( −1)n ⎤⎤
id ( t ) =
Rin
(1 + mf ( t ) ) ⎢
2
0
+ ∑⎢
π n =0 ⎣⎢ ( 2n + 1)
cos (ω 0t ) cos ( ( 2n + 1) ω 0 t ) ⎥ ⎥ (7.10)
⎢⎣ ⎦⎥ ⎥⎦
αA ⎡ cos (ω t )
2 ∞ ⎡
( −1)
n
(
cos ( 2nω 0 t ) + cos ( 2 ( n + 1) ω 0t ) ) ⎤⎥ ⎥⎤
α id ( t ) = (1 + mf ( t ) ) ⎢
⎢
0
+ ∑⎢
π n =0 ⎢ ( 2n + 1)
(7.11)
Rin 2 2 ⎥⎥
⎣ ⎣ ⎦⎦
99
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Vin(t) RL CL
É interessante observar que, no exemplo, utilizamos um filtro passa-baixas de primeira ordem, com
atenuação de 20dB por década na faixa de rejeição. Entretanto, podemos usar um filtro de ordem mais
alta, com atenuação elevada e freqüências de corte e rejeição muito próximas, permitindo que a
freqüência máxima da envoltória ωm seja próxima da portadora ω0, conforme ilustra a Fig. 7.10. O
mesmo não pode ser feito com detector de pico de envoltória.
V1(t)
C
Vin(t) Vc(t)
100
Material não disponível para publicação
vin ( t ) = Af ( t ) cos (ω 0 t )
e
vC ( t ) = AC cos (ω 0t )
A multiplicação de vin ( t ) por vC ( t ) é realizada por uma célula de Gilbert, onde obtemos
AAC f ( t )
vo ( t ) = (7.14)
2
Este tipo de demodulador necessita de um mecanismo de sincronismo de freqüência e fase do
oscilador com a portadora. Normalmente, em determinados intervalos de tempo, é enviada uma
amostra da portadora para sincronizar o oscilador.
Um exemplo onde este processo ocorre, é na transmissão do sinal de cor de TV, que é modulado
em AM SC. Durante o pulso de apagamento horizontal é enviada uma amostra da portadora de cor
(burst), que serve para sincronizar o oscilador a cristal de 3.56MHz.
101
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Capítulo 8
φ ( t ) = ∆φ f ( t )
onde ∆φ é o máximo desvio de fase, e está limitado por
0 ≤ ∆φ ≤ π
O sinal modulador f ( t ) deve ser limitado em f ( t ) ≤ 1 . Isto garante um desvio de fase entre −π
e π . Desvios de fase maiores que π devem ser evitados, pois o ângulo π + α é equivalente a −π + α ,
e −π − α equivale a π − α . Isto gera uma ambigüidade na modulação, e não podemos ter excesso de
modulação de fase, pois a informação se perde.
Portanto, o sinal modulado em fase linear tem a forma
y ( t ) = AC cos (ω0t + ∆φ f ( t ) ) → 0 ≤ ∆φ ≤ π
Observe que as equações 8.1 e 8.2 são idênticas, e a diferença entre as modulações PM e FM está
no ângulo φ ( t ) .
102
Material não disponível para publicação
Sabemos que a freqüência é a derivada da fase no tempo, e aplicando este conceito à equação 8.2,
temos que a freqüência de y ( t ) é dada por
dθ ( t ) dφ ( t )
ω (t ) = = ω0 + (8.3)
dt dt
Verificamos que ω ( t ) possui um termo constante, que é a freqüência da portadora, e outro
dependente do tempo, que é a modulação. Podemos interpretar dφ ( t ) dt como sendo a variação de
freqüência em torno da portadora. Assumindo que a modulação FM é linear, devemos ter
dφ ( t )
= ∆ω f ( t ) (8.4)
dt
onde f ( t ) é o sinal modulador e ∆ω o desvio de freqüência. Da mesma forma que na modulação AM,
devemos ter f ( t ) = 0 e f ( t ) ≤ 1 .
θ ( t ) = ω 0t + ∆ω ∫ f (τ ) dτ (8.6)
t
ou de forma equivalente
y ( t ) = AC ⎡⎣ cos (ω 0t ) cos ( β sin (ω m t ) ) − sin (ω 0t ) sin ( β sin (ω m t ) ) ⎤⎦ (8.8)
Podemos representar as funções cos ( β sin (ω m t ) ) e sin ( β sin (ω m t ) ) pelas suas séries de Fourier
como
∞
cos ( β sin (ω m t ) ) = J 0 ( β ) + 2∑ ⎣⎡ J 2 n ( β ) cos ( 2nω m t ) ⎤⎦ (8.9)
n =1
e
∞
sin ( β sin (ω m t ) ) = 2∑ ⎡⎣ J 2 n +1 ( β ) cos ( ( 2n + 1) ω m t ) ⎤⎦ (8.10)
n=0
onde J n ( β ) são as funções de Bessel de primeira classe e ordem n. Graficamente, estas funções tem a
forma da Fig. 8.1.
103
Material não disponível para publicação
n =1
⎣ (
y ( t ) = AC J 0 ( β ) cos (ω 0 t ) + AC ∑ ⎡ J 2 n ( β ) cos ( (ω 0 + 2nω m ) t ) + cos ( (ω 0 − 2nω m ) t ) ⎤
⎦ )
∞
(8.11)
( ( ) (
− AC ∑ ⎡ J 2 n +1 ( β ) cos (ω 0 − ( 2n + 1) ω m ) t − cos (ω 0 + ( 2n + 1) ω m ) t ⎤
n=0
⎣ ⎦ ))
Através da equação 8.11, verificamos facilmente que o espectro de freqüências, positivas, de y ( t )
é formado por um conjunto infinito de raias, espaçadas de ωm, simetricamente em torno de ω0, e com
amplitude proporcional à funções de Bessel, conforme a Fig. 8.2.
Se definirmos a largura de banda do sinal FM como sendo a faixa que engloba todas as raias com
módulo maior que 1% da portadora, J n ( β ) J 0 ( β ) ≥ 0.01 , veremos que esta é normalmente maior
104
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que a do sinal AM. Entretanto, quando β 1 , temos a largura de banda do sinal FM praticamente
igual a do AM.
Muitas fórmulas empíricas foram desenvolvidas para determinação da largura de banda necessária
de um modulador FM. Definindo a razão de desvio
∆ω
D= (8.12)
W
onde W é a máxima freqüência do sinal modulador f ( t ) . Empiricamente, determinamos que o sinal
FM possui a largura de banda BT dada por
⎧⎪2 ( D + 2 )W ; D > 2
BT = ⎨ (8.13)
⎪⎩2W ; D 1
Como exemplo, considere uma estação transmissora de FM, cujo modulador possui
∆ω = 471.24 ⋅ 103 rd s (75kHz) e sinal modulador com W = 94.25 ⋅ 103 rd s (15kHz). A razão de
desvio calculada pela equação 8.12 é D = 5 , e conseqüentemente, pela equação 8.13, a largura de
banda necessária para a transmissão é BT = 1.32 ⋅ 106 rd s (210kHz).
Os moduladores de FM são essencialmente osciladores com freqüência controlada por tensão
(VCO), neste caso, um sinal modulador vin ( t ) . Portanto, podemos definir o parâmetro ko, que
relaciona a variação de freqüência do oscilador com a variação da tensão vin ( t ) ou seja, ko = ∆ω ∆V .
Podemos observar na Fig. 8.2, que a amplitude da portadora que é proporcional a J 0 ( β ) , e conforme
o gráfico da Fig. 8.1, verificamos que J 0 ( β ) é zero para infinitos valores de β, sendo que o primeiro
zero ocorre em β ≅ 2.4 . Neste momento temos o primeiro apagamento da portadora. Medindo o
primeiro apagamento de portadora com um analisador de espectro, para um sinal modulador
vin ( t ) = Vm cos (ω m t ) conhecido, podemos determinar a constante ko do modulador FM utilizando a
equação 8.6 ou seja,
∆ω koVm ωm
β= = = 2.4 → ko = 2.4 (8.14)
ωm ωm Vm
Este procedimento é muito útil na calibração de moduladores de FM.
⎛ ⎞
y ( t ) = AC cos (ω 0t ) − AC ⎜ ∆ω ∫ f (τ ) dτ ⎟ sin (ω 0t ) (8.16)
⎝ t ⎠
A equação 8.16 pode ser facilmente implementada pelo diagrama de blocos da Fig. 8.3, onde
vin ( t ) é um oscilador senoidal ( vin ( t ) = AC cos (ω 0 t ) ), e a rede de defasamento de −90D é
implementada com circuito LC. Esta estrutura é conhecida como modulador de Armstrong.
105
Material não disponível para publicação
C0
CT = (8.17)
V
1+ R
VT
Vo(t)
L1 L2 RL
Cv
R2
Rb1
R1 C3
A
Vcc
C4
Q C1
R3 Vin(t)
D
Cb C2
Rb2 Re
106
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R3
VRq = VCC
R2 + R3
Como CT varia com a tensão de polarização ou seja, CT ← CT (VR ) , e VR = VRq + vin ( t ) , temos que
a variação de freqüência do oscilador é
dω 0
∆ω 0 = ∆VR (8.19)
dVR
Substituindo a equação 8.18 em 8.19, e calculando a derivada, temos
3
−
2
−
1
−
3
⎛ VR ⎞ 2
C0C L C ⎜1 + ⎟
2 2
4 1 eq
∆ω 0 = ⎝ VT ⎠ ∆VR (8.20)
2 ( C4 + CTq ) VT
2
onde
C1 ( C2 + Cb ' e ) C4CTq
Ceq = CV + +
C1 + ( C2 + Cb ' e ) C4 + CTq
Da equação 8.20 podemos concluir que a curva ω 0 × VR possui coeficiente angular positivo,
conforme a Fig. 8.5.
∆ω 0 = ⎝ VT ⎠ vin ( t ) (8.21)
2 ( C4 + CTq ) VT
2
Para estabelecer uma equivalência com a equação 8.5, podemos considerar vin ( t ) = Vm f ( t ) na
equação 8.21, e obtermos
3
−
2
−
1
−
3
⎛ VR ⎞ 2
Vm C0C L C ⎜1 + ⎟
2 2
4 1 eq
ω (t ) = ω0 + ⎝ VT ⎠ f ( t ) → ω ( t ) = ω 0 + ∆ω f ( t ) (8.22)
2 ( C4 + CTq ) VT
2
O capacitor variável CV é usado para ajustar a freqüência de oscilação. É possível realizar este
ajuste através da tensão de polarização do varactor. Entretanto, é recomendável que o varactor esteja
polarizado em um ponto que permita grande excursão de sinal.
O dimensionamento de C1, C2 e Cb segue as mesmas considerações feitas na seção 5.1.1 para o
oscilador Colpitts.
107
Material não disponível para publicação
O capacitor C4 serve para desacoplar o diodo varactor da fonte de alimentação, e também atua
como divisor capacitivo, reduzindo a amplitude do sinal de RF aplicado ao diodo, para minimizar a
distorção harmônica. Seu valor é, na prática, escolhido próximo de CTq 3 .
C4 D R2 Vin(s)
R3
(a) (b)
⎛ ⎞
v1 ( t ) = V1 cos ⎜ ω1t + ∆φ ∫ f (τ ) dτ ⎟ (8.25)
⎝ t ⎠
108
Material não disponível para publicação
Integrador
Vin(t)
O circuito não linear, gerador de harmônico, produz um harmônico de ordem N, que é selecionado
pelo filtro sintonizado na freqüência Nω1 , e disponibilizado para a carga RL. O sinal de saída v0 ( t )
tem a forma
⎛ ⎞ ⎛ ⎞
v0 ( t ) = V0 cos ⎜ Nω1t + N ∆φ ∫ f (τ ) dτ ⎟ → v0 ( t ) = V0 cos ⎜ ω 0t + N ∆φ ∫ f (τ ) dτ ⎟ (8.26)
⎝ t ⎠ ⎝ t ⎠
Comparando a equação 8.26 com 8.25, verificamos que o desvio de freqüência está multiplicado
por N. Na prática, constatamos que este tipo de implementação necessita de um fator de multiplicação
N = 15 . Portanto, se desejamos uma freqüência de portadora ω0, devemos dimensionar um oscilador a
cristal em ω 0 15 .
O circuito da Fig. 8.8 é uma implementação prática deste modulador. O oscilador a cristal possui,
como carga, o modulador de fase, que é simplesmente um circuito RLC paralelo, sintonizado em ω0,
mais um diodo varactor que modifica a sintonia, e altera a fase. O sinal gerado no modulador de fase é
aplicado a um amplificador sintonizado em ω1, que aumenta a amplitude. O sinal é então aplicado,
através dos indutores acoplados L2-L3, ao amplificador em classe C, formado por Q5, que gera
harmônicos e sintoniza a freqüência 5ω1 . Novamente, o sinal é aplicado, através dos indutores
acoplados L4-L5, a um segundo amplificador em classe C, formado por Q4, que também gera
harmônicos e sintoniza a freqüência desejada 15ω1 .
O mecanismo de modulação de fase pode ser melhor entendido pela Fig. 8.9. Verificamos que
exatamente na freqüência de sintonia ω1, a fase de V ( jω1 ) é zero. Sendo ω1 fixa, ao modificarmos a
capacitância do varactor, a freqüência de sintonia muda de posição, e a fase de V ( jω1 ) também
modifica. A tensão de polarização e o sinal de controle do varactor, são fornecidos pelo circuito
integrador implementado com amplificador operacional.
Os cálculos envolvidos no dimensionamento dos componentes são derivados das análises feitas
para circuitos sintonizados, amplificadores em classe C e osciladores a cristal.
109
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C4
V
I L1 C3 D
8.3 Demodulação de FM
A demodulação FM consiste em transformar as variações de freqüência de um sinal, em variações
de amplitude. Dado o sinal modulado em freqüência
⎛ ⎞
y ( t ) = AC cos ⎜ ω 0 t + ∆ω ∫ f (τ ) dτ ⎟
⎝ t ⎠
se aplicarmos a derivada, obtemos
110
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dy ( t ) ⎛ ⎞
= − AC (ω 0 + ∆ω f ( t ) ) sin ⎜ ω 0 t + ∆ω ∫ f (τ ) dτ ⎟ (8.27)
dt ⎝ t ⎠
Verificamos na equação 8.27 que dy ( t ) dt é essencialmente um sinal modulado em amplitude,
com portadora em torno de ω0. Podemos realizar a demodulação FM, simplesmente demodulando este
sinal AM. Entretanto, a implementação de circuitos diferenciadores perfeitos não é possível.
Nos itens seguintes, serão apresentadas algumas implementações usadas para realização,
aproximada, de diferenciadores.
O circuito da Fig. 8.11 é uma implementação prática desta técnica de demodulação. A freqüência
de ressonância ω1, do amplificador sintonizado, deve ser escolhida de forma que a portadora ω0 esteja
na região mais linear possível de H ( jω ) . Evidentemente, a amplitude de vo ( t ) dependerá do ganho
H ( jω1 ) e da inclinação de H ( jω ) em torno de ω0.
Este tipo de demodulador é de fácil implementação, mas não é empregado em sistemas de alta
qualidade, devido às distorções produzidas pela não linearidade da curva H ( jω ) .
111
Material não disponível para publicação
D
Vo(t)
C L1 L2 RL
CL
R1
Cb
Vin(t) Q
R2
Re Ce
Cp L R
⎛ CS ⎞ 2
⎜ ⎟s
Vo ( s ) ⎝ CS + CP ⎠
H (s) = = (8.30)
Vin ( s ) ω
s 2 + 0 s + ω 02
Q
onde
1
ω0 =
L ( C P + CS )
e
Q = ω 0 R ( C P + CS )
112
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⎛ CS ⎞ 2
−⎜ ⎟ω
⎝ CS + C P ⎠
H ( jω ) = (8.31)
(ω02 − ω 2 ) + j ωQ0 ω
A fase de H ( jω ) é dada por
⎛ω ω ⎞
)H ( jω ) = π − tan −1 ⎜ 0 2 ⎟ (8.32)
⎜ Q (ω 0 − ω 2 ) ⎟
⎝ ⎠
Vista no gráfico da Fig. 8.13, verificamos que )H ( jω ) = π 2 em ω = ω 0 e possui derivada
negativa em ω.
Se considerarmos a região próxima de ω0, podemos aproximar )H ( jω ) por uma série de Taylor
com os termos de ordem zero e um. Desta forma, temos
π 2Q π 2Q
)H ( jω ) = − (ω − ω 0 ) = + 2Q − ω (8.33)
2 ω0 2 ω0
A variação de ω, em torno de ω0, onde a equação 8.33 gera erros pequenos, depende do Q. Quanto
menor o Q, maior é a variação admissível para ω.
Assumindo que, na faixa de freqüências correspondente a largura de banda de vin ( t ) ,
H ( jω ) ≅ H ( jω 0 ) , podemos fazer a aproximação
⎛π ⎞ 2Q
ω ⎛π ⎞ 2Q
ω
j ⎜ + 2Q ⎟ − j j ⎜ + 2Q ⎟ − j
H ( jω ) = H ( jω 0 ) e ⎝2 ⎠
e ω0
→ Vo ( jω ) = H ( jω 0 ) e ⎝2 ⎠
e ω0
Vin ( jω ) (8.34)
AC QCS ⎛ ⎛ 2Q ⎞ ⎞
vo ( t ) = − sin ⎜ ω 0 t + φ ⎜ t − ⎟ ⎟⎟ (8.35)
⎜
CS + C P ⎝ ⎝ ω0 ⎠ ⎠
Podemos chamar ∆t = 2Q ω 0 , e reescrever a equação 8.35 como
113
Material não disponível para publicação
AC QCS
vo ( t ) = − sin (ω 0t + φ ( t − ∆t ) ) (8.36)
CS + C P
AC2 QCS
vdem ( t ) = − sin (ω 0t + φ ( t − ∆t ) ) cos (ω 0 t + φ ( t ) ) (8.37)
CS + C P
Aplicando vdem ( t ) por um filtro passa-baixas, com freqüência de corte bem abaixo de 2ω0, e
utilizando a equação 8.29 para aproximar φ ( t ) − φ ( t − ∆t ) = ∆tφ ′ ( t ) , temos
ou de forma melhor
AC2 QCS ⎛ 2Q∆ω ⎞
vdem ( t ) = sin ⎜ f (t ) ⎟ (8.39)
2 ( CS + C P ) ⎝ ω 0 ⎠
Se 2Q∆ω ω 0 1 , o que normalmente é verdade, temos finalmente que
AC2 Q 2CS ∆ω
vdem ( t ) = f (t ) (8.40)
( CS + C P ) ω 0
O circuito da Fig. 8.14 implementa o demodulador. Os valores de R1 e C1 devem ser dimensionados
para que a freqüência de corte do filtro passa-baixas seja bem menor que 2ω0 e maior que a máxima
freqüência de f ( t ) ou seja,
1
ωm < 2ω 0 (8.41)
R1C1
Vin(t)
Cs R1
Vdem(t)
Célula
de
Cp L R Gilbert C1
114
Material não disponível para publicação
ω0
H ( jω ) ≅ H ( jω 0 ) → Q < → Q < 53.5
Largura de Banda
Podemos escolher Q = 20 e fazer
CS 1
=
CS + C P Q
Aplicando estes resultados à equação 8.40, obtemos
vdem ( t ) = 0.14 AC2 f ( t )
Por inspeção, verificamos que 2Q∆ω ω 0 = 0.28 1 , satisfaz a aproximação de primeira ordem de
tan −1 ( x ) .
onde
AV ( t ) = AC 1 + ρ 2 + 2 ρ cos (θ i ( t ) )
⎛ ρ sin (θ i ( t ) ) ⎞
φV ( t ) = tan −1 ⎜ ⎟
⎜ 1 + ρ cos (θ i ( t ) ) ⎟
⎝ ⎠
Ai
ρ=
AC
θ i ( t ) = ω i t + φi
Se a interferência for pequena, ρ 1 , podemos considerar
AV ( t ) ≅ AC (1 + ρ cos (ω i t + φi ) ) (8.44)
e
φV ( t ) ≅ ρ sin (ω i t + φi ) (8.45)
Das equações 8.43, 8.44 e 8.45, observamos que a portadora é modulada em fase e amplitude, pelo
sinal de interferência. A modulação em amplitude pode ser eliminada por um limitador de amplitude.
Entretanto, a demodulação de fase ou freqüência é contaminada pela interferência.
Conforme apresentado na Fig. 8.15, vemos que a amplitude da interferência é constante com a
freqüência, e com valor ρ, na demodulação de fase. Entretanto, na demodulação em freqüência, devido
à diferenciação, a amplitude da interferência cresce proporcionalmente com a freqüência, e com valor
ρωi .
115
Material não disponível para publicação
onde
1
τZ = = R1C
ωZ
e
1 R1 R2C
τP = =
ωP R1 + R2
Normalmente, adotamos como padrão τ Z = 75µ s , e ωP deve ser escolhida acima da freqüência
limite do sinal modulador.
R1
Vin(t) Vo(t)
R2
C
(a)
(b)
Fig. 8.16: Pré-ênfase: a) circuito; b) resposta em freqüência.
onde
116
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1
τP = = RC
ωP
Conforme podemos observar na Fig. 8.17b, a freqüência do pólo ωP, deve ser igual a ωZ no circuito
de pré-ênfase. Portanto, devemos fazer τ P = 75µ s . É importante observar que, ao atenuarmos o sinal
nas freqüências altas, atenuamos também a interferência, mantendo a relação sinal-ruído constante.
R
Vin(t) Vo(t)
(a)
(b)
Fig. 8.17: De-ênfase: a) circuito; b) resposta em freqüência.
117
Material não disponível para publicação
Capítulo 9
Fontes Chaveadas
As fontes de tensão convencionais Baseiam-se na retificação do sinal AC da rede elétrica, com
subseqüente filtragem por capacitor.
Considere o retificador de onda completa, com filtro capacitivo, da Fig. 9.1. A tensão de ripple na
carga RL é dada por
V pico
Vr =
2 fCRL
C
RL
VAC
Como a freqüência f da rede elétrica é 60Hz, para circuitos de potência (RL baixo), com Vr pequeno,
temos capacitores de filtragem muito grandes, na ordem de mF. Isto aumenta o tamanho da fonte e
conseqüentemente o custo. Outro aspecto importante é o tamanho do transformador. Para manter a
corrente de magnetização pequena, os transformadores são muito grandes, quando usamos freqüências
baixas. Isto também contribui para o aumento do custo da fonte. É desejável também, nos circuitos
modernos, que as fontes de alimentação não ocupem muito espaço e sejam leves.
Se usarmos freqüências mais elevadas, teremos uma redução proporcional no tamanho do capacitor
e do transformador. As fontes chaveadas exploram esta propriedade.
118
Material não disponível para publicação
L D
Vs
Cs Is
Q
Vcc
Rb
Vp
O transistor Q atua como chave, que liga e desliga sob o comando do sinal de controle VP, cujo
período vale T. Duas regiões de operação são possíveis neste conversor; o modo contínuo e o
descontínuo. No modo contínuo, sempre existe corrente circulando pelo indutor. No modo
descontínuo, em determinados intervalos de tempo, a corrente que circula no indutor é zero.
Considerando o modo de operação contínuo em regime permanente, a Fig. 9.3 representa o
diagrama de chaveamento. Vamos assumir que a fonte VP e o resistor Rb estão dimensionados para
garantir o corte e a saturação do transistor. No intervalo αT, em que o transistor está conduzindo, o
indutor se carrega até a corrente IMAX. Quando o transistor é cortado, o indutor se descarrega, através
do diodo, até a corrente IMIN. Desta forma, uma certa quantidade de energia é transferida à carga IS, e o
capacitor atua como filtro.
Consideremos que a tensão de condução (saturação) da chave (transistor) seja VT, a tensão
condução do diodo seja Vd, e que o ripple na carga seja pequeno ou seja, VS seja aproximadamente
constante. Durante o carregamento, a variação de corrente no indutor é
∆I = I MAX - I MIN (9.1)
e a diferença de potencial que está submetido é
∆V = VCC − VT (9.2)
Lembrando que a relação entre a tensão e corrente no indutor é V = L dI dt , e na Fig. 9.3 equivale
a
∆I
∆V = L (9.3)
∆T
substituindo as equações 9.1 e 9.2 em 9.3, temos
VCC − VT =
( I MAX - I MIN ) L
(9.4)
αT
119
Material não disponível para publicação
I MAX - I MIN =
(VCC − VT )αT (9.7)
L
A operação em modo descontínuo é caracterizada pela corrente I MIN = 0 . Isto significa que o
indutor se descarrega em um intervalo de tempo α1T menor que (1 − α ) T , conforme exemplificado
na Fig. 9.4. Neste caso, as equações 9.4 e 9.5 podem ser reescritas como
I MAX
VCC − VT = L (9.8)
αT
e
− I MAX
VCC − Vd − VS = L (9.9)
α1T
Das equações 9.8 e 9.9, temos que a tensão de saída do conversor Boost no modo descontínuo é
dada por
⎛ α ⎞ α
VS = ⎜ 1 + ⎟VCC − VT − Vd (9.10)
⎝ α1 ⎠ α1
120
Material não disponível para publicação
I MAX =
(VCC − VT )αT (9.11)
L
IS =
(1 − α )( I MAX − I MIN )
(9.12)
2
Solucionando o sistema formado pelas equações 9.6, 9.7 e 9.12, temos
VS − VCC + Vd
α= (9.13)
VS − VT + Vd
e
Para garantirmos a operação em modo contínuo, devemos ter I MIN ≥ 0 . Esta condição é sempre
satisfeita se o conversor operar na fronteira, quando VCC = VCCMAX e I S = I SMIN . Qualquer redução de
VCC ou aumento de ISMIN, coloca o conversor obrigatoriamente no modo contínuo. Aplicando estas
condições às equações 9.13 e 9.14, temos
(V − VCCMAX + Vd )(VCCMAX − VT )
2
T
LContínuo = S (9.15)
2 I SMIN (VS − VT + Vd )
2
Evidentemente, as variações de VCC e IS provocam alterações em VS. Para manter a tensão de saída
constante, é necessário controlar o parâmetro α. O menor α admissível no circuito é
VS − VCCMAX + Vd
α MIN = (9.16)
VS − VT + Vd
Podemos calcular o maior valor de α necessário, aplicando a condição VCC = VCCMIN à equação 9.6.
Temos então que
VS − VCCMIN + Vd
α MAX = (9.17)
VS − VT + Vd
De forma análoga, para garantirmos a operação em modo descontínuo, basta dimensionar o circuito
para operar na fronteira quando VCC = VCCMIN e I S = I SMAX . Qualquer aumento de VCC ou redução de IS
obriga o conversor a operar no modo descontínuo.
121
Material não disponível para publicação
Também é necessário controlar o parâmetro α, para manter a tensão de saída constante. O maior α
admissível neste circuito é
VS − VCCMIN + Vd
α MAX = (9.19)
VS − VT + Vd
É importante observar que, no modo contínuo a tensão de saída não depende do consumo da carga,
enquanto no modo descontínuo, devemos controlar o parâmetro α1 para estabilizar a tensão.
Entretanto, no modo descontínuo, a quantidade de energia armazenada pelo indutor é menor, pois a
corrente vai a zero. Isto permite o uso de indutores com núcleos menos volumosos. Este assunto será
melhor estudado mais à frente.
O capacitor CS pode ser determinado pela máxima tensão de ripple Vripple na carga. Durante o
carregamento do indutor, a carga é alimentada exclusivamente pela tensão no capacitor. Podemos
determinar aproximadamente, que a máxima variação de carga no capacitor neste momento é
∆Q = I SMAX α MAX T
e conseqüentemente
∆Q I SMAX α MAX T
∆VS = Vripple = =
CS CS
Portanto, devemos ter
I SMAX α MAX T
CS ≥ (9.20)
Vripple
A Tabela 9.1 resume as equações de projeto do conversor Boost nos dois modos de operação.
VCC Vα ⎛ α⎞ α
VS = − T − Vd VS = ⎜ 1 + ⎟VCC − VT − Vd
1−α 1−α ⎝ α1 ⎠ α1
VS − VCCMIN + Vd VS − VCCMIN + Vd
α MAX = α MAX =
VS − VT + Vd VS − VT + Vd
está apresentado na Fig. 9.5. A fonte de tensão VP coloca o transistor em corte e saturação em
intervalos de tempo controlados. Quando o transistor está em condução, temos Va = VCC − VT , e uma
corrente é estabelecida no indutor. Quando o transistor está em corte, a corrente do indutor é obrigada
a circular pelo diodo, estabelecendo a tensão Va = −Vd . O diagrama de chaveamento da Fig. 9.6
exemplifica o processo.
Podemos verificar que a tensão Va atua como fonte de sinal para o filtro passa-baixas formado por
L, CS e IS. Desta forma, a tensão de saída VS é o valor médio de Va, que é facilmente calculado por
VS = (VCC − VT )α − Vd (1 − α ) (9.21)
Va
L
Q
Vs
I
Rb
Cs Is
Vcc D
Vp
O conversor Buck deve operar sempre no modo contínuo. Desta forma, devemos determinar o
menor valor admissível para a corrente média da carga. Neste circuito, a corrente média que circula
pelo indutor é a mesma da carga, e pode ser calculada pela área do gráfico da Fig. 9.6 ou seja,
I − I MIN
I = I S = MAX + I MIN (9.22)
2
De forma similar ao conversor Boost, podemos calcular ( I MAX − I MIN ) pela diferença de potencial
aplicada ao indutor no intervalo de carregamento αT , e no descarregamento (1 − α ) T ou seja,
123
Material não disponível para publicação
I MAX − I MIN =
(VCC − VT − VS )αT (9.23)
L
e
I MAX − I MIN =
(VS + Vd )(1 − α ) T (9.24)
L
Solucionando o sistema de equações 9.22, 9.23 e 9.24, temos que a corrente média da carga deve
ser
α (1 − α ) T
IS = (VCC + Vd − VT ) + I MIN (9.25)
2L
Para garantir o funcionamento no modo contínuo, devemos ter I MIN ≥ 0 . Considerando os
intervalos VCCMIN ≤ VCC ≤ VCCMAX e I SMIN ≤ I S ≤ I SMAX , pela equação 9.25 concluímos que
α MIN (1 − α MIN ) T
I SMIN − (VCCMAX + Vd − VT ) ≥ 0
2L
ou de forma equivalente
α MIN (1 − α MIN ) T
L≥ (VCCMAX + Vd − VT ) (9.26)
2 I SMIN
O parâmetro αMIN pode ser calculado aplicando a condição VCC = VCCMAX à equação 9.21, e é dado
por
VS + Vd
α MIN = (9.27)
VCCMAX − VT + Vd
Substituindo a equação 9.27 em 9.26, temos finalmente
(VS + Vd )(VCCMAX − VS − VT ) T
L≥ (9.28)
2 I SMIN (VCCMAX − VT + Vd )
VS ( jω ) 1
H ( jω ) = =−
Va ( jω ) ω LCS
2
Embora va ( t ) seja uma onda quadrada, com variação de tensão igual a VCC + Vd − VT , podemos
assumir de forma aproximada que esta variação é atenuada pelo filtro e transferida à carga, produzindo
a tensão de ripple Vripple ou seja,
⎛ 2π ⎞ (VCCMAX + Vd − VT ) T 2
Vripple = H ⎜ j (V
⎟ CCMAX + Vd − VT ) = (9.29)
⎝ T ⎠ 4π 2 LCS
Para atender à equação 9.29, devemos fazer
(VCCMAX + Vd − VT ) T 2
CS ≥ (9.30)
4π 2 LVripple
124
Material não disponível para publicação
(VS + Vd )(VCCMAX − VS − VT ) T
L≥
2 I SMIN (VCCMAX − VT + Vd )
(VCCMAX + Vd − VT ) T 2
CS ≥
4π 2 LVripple
VS + Vd
α MIN =
VCCMAX − VT + Vd
VS + Vd
α MAX =
VCCMIN − VT + Vd
Rb
Cs Is
Vcc I L
Vp
I MAX − I MIN =
(VCC − VT )αT (9.31)
L
125
Material não disponível para publicação
No momento em que o transistor é cortado, a corrente do indutor é obrigada a circular pelo diodo,
transferindo energia à carga. O indutor fica submetido à diferença de potencial (VS − Vd ) , e sofre a
mesma variação de corrente, mas negativa ou seja,
− ( I MAX − I MIN ) =
(VS − Vd )(1 − α ) T (9.32)
L
Solucionando o sistema de equações 9.31 e 9.32, obtemos
VS = −
(VCC − VT )α + V (9.33)
d
1−α
Verificamos facilmente da equação 9.33 que a tensão de saída é negativa.
No modo descontínuo, temos I MIN = 0 , e o descarregamento ocorre no intervalo α1T , menor que
(1 − α ) T . As equações 9.31 e 9.32 são reescritas como
I MAX =
(VCC − VT )αT
(9.34)
L
e
− I MAX =
(VS − Vd )α1T (9.35)
L
Solucionando o sistema de equações 9.34 e 9.35, obtemos que a tensão de saída no modo
descontínuo é dada por
VS = −
(VCC − VT )α + V (9.36)
d
α1
A fronteira entre os dois modos de operação ocorre em I MIN = 0 e α1 = 1 − α . A corrente média que
circula pela carga pode ser calculada com base na Fig. 9.8, e é dada por
IS =
( I MAX − I MIN )(1 − α )
(9.37)
2
Solucionando o sistema formado pelas equações 9.31, 9.33 e 9.37, temos
(VS − Vd )(VCC − VT ) T
2
L=− (9.38)
2 (VS − VCC + VT − Vd ) I S
2
e
VS − Vd
α= (9.39)
VS − VCC + VT − Vd
Para garantirmos a operação em modo contínuo, usaremos as mesmas considerações feitas para o
conversor Boost. Portanto, temos
(VS − Vd )(VCCMAX − VT ) T
2
LContínuo = − (9.40)
2 (VS − VCCMAX + VT − Vd ) I SMIN
2
VS − Vd
α MIN = (9.41)
VS − VCCMAX + VT − Vd
VS − Vd
α MAX = (9.42)
VS − VCCMIN + VT − Vd
Da mesma forma, o modo descontínuo é garantido quando
126
Material não disponível para publicação
(VS − Vd )(VCCMIN − VT ) T
2
LDescontínuo = − (9.43)
2 (VS − VCCMIN + VT − Vd ) I SMAX
2
VS − Vd
α MAX = (9.44)
VS − VCCMIN + VT − Vd
O capacitor de filtragem CS é o mesmo calculado para o conversor Boost ou seja,
I SMAX α MAX T
CS ≥ (9.45)
Vripple
(VCC − VT )α + V VS = −
(VCC − VT )α + V
VS = − d
1−α
d
α1
L=− L=−
2 (VS − VCCMAX + VT − Vd ) I SMIN 2 (VS − VCCMIN + VT − Vd ) I SMAX
2 2
VS − Vd VS − Vd
α MAX = α MAX =
VS − VCCMIN + VT − Vd VS − VCCMIN + VT − Vd
2 I SMIN L (Vd − VS )
VS − Vd
α MIN = T
VS − VCCMAX + VT − Vd α MIN =
VCCMAX − VT
L1 L2 I2 Cs Is
I1
.
Vcc
Rb
Q
Vp
127
Material não disponível para publicação
I1MAX − I1MIN =
(VCC − VT )αT (9.46)
L1
e durante o descarregamento de L2, temos
I 2 MAX − I 2 MIN =
(VS + Vd )(1 − α ) T (9.47)
L2
Considerando o circuito em regime permanente, o valor médio de energia no núcleo dos indutores é
constante, isto obriga que as variações de corrente nos indutores respeite a relação
N1 ( I1MAX − I1MIN ) = N 2 ( I 2 MAX − I 2 MIN ) (9.48)
I 2 MAX =
(VS + Vd )α1T (9.51)
L2
e
N 2 (VCC − VT )αT
I 2 MAX = (9.52)
N1 L1
Solucionando o sistema de equações 9.51 e 9.52, temos que a tensão de saída no modo descontínuo
é dada por
N 2α
VS = (VCC − VT ) − Vd (9.53)
N1α1
IS =
( I 2 MAX − I 2 MIN )(1 − α ) (9.54)
2
Solucionando o sistema de equações 9.49, 9.50 e 9.54, temos
N 2 (1 − α )(VS + Vd )
= (9.55)
N1 α (VCC − VT )
α 2 (VCC − VT ) T
2
L1 = (9.56)
2 (VS + Vd ) I S
(1 − α ) (VS + Vd ) T
2
L2 = (9.57)
2I S
Neste conversor, o parâmetro α é uma especificação de projeto ou seja, deve ser arbitrado.
As condições necessárias para garantir a operação em modo contínuo são as mesmas do conversor
Boost, mas podemos escolher o αMIN. Desta forma temos
N 2 (1 − α MIN )(VS + Vd )
= (9.58)
N1 α MIN (VCCMAX − VT )
(VCCMAX − VT ) T
2
α MIN
2
L1 = (9.59)
2 (VS + Vd ) I SMIN
(1 − α MIN ) (VS + Vd ) T
2
L2 = (9.60)
2 I SMIN
Pela equação 9.50, podemos calcular o αMAX, fazendo VCC = VCCMIN ou seja,
1
α MAX = (9.61)
(V
1 + CCMIN
− VT ) N 2
(VS + Vd ) N1
De forma similar ao conversor Boost, o modo descontínuo é garantido, escolhendo o αMAX, e
aplicando as condições VCC = VCCMIN e I S = I SMAX ou seja,
N 2 (1 − α MAX )(VS + Vd )
= (9.62)
N1 α MAX (VCCMIN − VT )
129
Material não disponível para publicação
(VCCMIN − VT ) T
2
α MAX
2
L1 = (9.63)
2 (VS + Vd ) I SMAX
(1 − α MAX ) (VS + Vd ) T
2
L2 = (9.64)
2 I SMAX
O capacitor de filtragem é calculado da mesma forma que no conversor Boost ou seja,
I SMAX α MAX T
CS ≥ (9.65)
Vripple
O transistor e o diodo também devem ser dimensionados, segundo as correntes e tensões que estão
submetidos. Vamos considerar somente o modo de operação descontínuo, pois as correntes e tensões
de pico são, na maioria das vezes, maiores que no modo contínuo. Desta forma, se dimensionarmos o
transistor e o diodo para operarem no modo descontínuo, também estarão dimensionados para o modo
contínuo, com margem de segurança mais alta.
A corrente de pico ICpico no transistor coincide com o pico de corrente no indutor L1, e é alcançada
quando α = α MAX e VCC = VCCMIN . Portanto, temos pela 9.46 que
I Cpico =
(VCCMIN − VT )α MAX T
L1
A corrente média no transistor é obtida pelo valor médio da corrente no indutor L1 ou seja,
IC =
(VCCMIN − VT )α MAX
2
T
2 L1
A tensão máxima no transistor ocorre durante o descarregamento de L2, quando a tensão reversa de
L1 se soma à da fonte. Desta forma, pela relação de espiras, temos
N1
VCMAX = VCCMAX + (Vd + VS )
N2
A corrente média que circula pelo diodo é a mesma da carga ou seja,
I d = I SMAX
A corrente de pico no diodo é a corrente máxima do indutor L2 ou seja,
I dpico = I 2 MAX =
N1 (V
I1MAX = CCMIN
− VT ) N1α MAX T
N2 L1 N 2
A tensão reversa Vdr no diodo equivale à variação máxima de tensão no indutor L1 refletida para L2
e somada com a tensão de saída. Através da relação de espiras, temos
N2
Vdr = VS + (VCCMAX − VT )
N1
A Tabela 9.4 resume as equações de projeto do conversor Flyback.
Tabela 9.4: Equações de projeto do conversor Flyback.
CONVERSOR FLYBACK
CONTÍNUO DESCONTÍNUO
N 2α N 2α
VS = (VCC − VT ) − Vd VS = (VCC − VT ) − Vd
N1 (1 − α ) N1α1
130
Material não disponível para publicação
(VCCMAX − VT ) T (VCCMIN − VT ) T
2 2
α MIN
2
α MAX
2
L1 = L1 =
2 (VS + Vd ) I SMIN 2 (VS + Vd ) I SMAX
L2 = L2 =
2 I SMIN 2 I SMAX
α MAX =
1 2 L1 I SMIN (VS + Vd )
(V
1 + CCMIN
− VT ) N 2 T
α MIN =
(VS + Vd ) N1 VCCMAX − VT
TRANSISTOR E DIODO
I Cpico =
(VCCMIN − VT )α MAX T
L1
IC =
(VCCMIN − VT )α MAX
2
T
2 L1
N1
VCMAX = VCCMAX + (Vd + VS )
N2
I d = I SMAX
I dpico =
(VCCMIN − VT ) N1α MAX T
L1 N 2
N2
Vdr = VS + (VCCMAX − VT )
N1
Exemplo: Projetar um conversor Flyback que opere no modo descontínuo, e atenda às especificações
abaixo:
1. 100V ≤ VCC ≤ 155V .
2. 100mA ≤ I S ≤ 5 A .
3. α MAX = 0.5 .
4. Vripple ≤ 100mV .
6. Tensão de saída VS = 5V .
7. VT = 0 e Vd = 1V .
Solução:
Usaremos as equações da Tabela 9.4.
131
Material não disponível para publicação
Passo 1:
Determinação da relação de espiras.
N 2 (1 − α MAX )(VS + Vd ) (1 − 0.5 )( 5 + 1) N1
= = = 0.06 → = 16.7
N1 α MAX (VCCMIN − VT ) 0.5 (100 − 0 ) N2
Passo 2:
Cálculo dos indutores.
Passo 4:
Cálculo das correntes de pico e média no coletor do transistor.
A corrente de pico no transistor é determinada pela máxima variação de tensão no indutor L1, no
intervalo de carregamento αMAX. Portanto, temos
I1MAX =
(VCCMIN − VT )α MAX T = (100 − 0 ) × 0.5 × 1 40 ⋅103 = 1.2 → I Cpico = 1.2 A
L1 1.04 ⋅ 10−3
A corrente média é dada pela área da corrente de carregamento ou seja,
α MAX I1MAX 0.5 × 1.2
IC = = = 0.3 → I C = 0.3 A
2 2
Passo 5:
Cálculo da tensão máxima no coletor do transistor.
A tensão máxima no coletor do transistor ocorre durante o descarregamento de L2, quando a tensão
reversa de L1 se soma à da fonte.
N1
VCMAX = VCCMAX + (Vd + VS ) = 155 + 16.7 × (1 + 5 ) = 255.2 → VCMAX = 255.2V
N2
Passo 6:
Cálculo das correntes média máxima e pico do diodo.
A corrente média que circula pelo diodo é a mesma da carga ou seja,
I d = I SMAX = 5 → Id = 5 A
A tensão reversa Vdr no diodo equivale à variação máxima de tensão no indutor L1 refletida para L2
e somada com a tensão de saída. Através da relação de espiras, temos
N2
Vdr = VS + (VCCMAX − VT ) = 5 + 0.06 × (155 + 0 ) = 14.3 → Vdr = 14.3V
N1
L3 L2 I2 D Cs Is
I1 L1
.
Vcc
Rb
Q
Vp
As equações de projeto são as mesmas do conversor Buck, mas trocando (VCC − VT ) por
N 2 N1 (VCC − VT ) − Vd 1 ou seja,
⎛N ⎞
VS = ⎜ 2 (VCC − VT ) − Vd 1 ⎟α − Vd (1 − α ) (9.66)
⎝ N1 ⎠
Entretanto, devemos determinar o valor máximo do α, que neste caso é menor que 1. Isto se deve
aos indutores acoplados. Quando o transistor é ligado, o indutor L1, além de fornecer potência à carga,
acumula um pouco de energia no núcleo. Esta energia deve ser totalmente descarregada quando o
transistor é desligado. Este procedimento é realizado pelo indutor L3, que força a passagem de uma
corrente pelo diodo e a fonte de alimentação, devolvendo a energia acumulada à fonte. Observe que,
133
Material não disponível para publicação
ou de forma equivalente
N3 1 − α MAX
= (9.71)
N1 ⎛V −V ⎞
α MAX ⎜ CCMAX T ⎟
⎝ VCCMAX + Vd 2 ⎠
Aplicando a condição VCC = VCCMIN à equação 9.66, também temos que
VS + Vd
α MAX = (9.72)
N2
(VCCMIN − VT ) − Vd 1 + Vd
N1
ou de forma melhor
N2 VS + Vd Vd 1 − Vd
= + (9.73)
N1 α MAX (VCCMIN − VT ) (VCCMIN − VT )
As equações 9.71 e 9.73 sugerem que αMAX deve ser uma especificação de projeto.
É importante observar que, em regime permanente, α = α MAX ocorre em VCC = VCCMIN , mas na
equação 9.70, usamos α = α MAX em VCC = VCCMAX . Isto pode acontecer quando o conversor passa por
um transiente, por exemplo, uma mudança brusca no consumo da carga, ou na tensão de alimentação.
A Tabela 9.5 resume as equações de projeto do conversor Forward.
Tabela 9.5: Equações de projeto do conversor Forward.
CONVERSOR FORWARD
⎛N ⎞
VS = ⎜ 2 (VCC − VT ) − Vd 1 ⎟α − Vd (1 − α )
⎝ N1 ⎠
N2 VS + Vd Vd 1 − Vd
= +
N1 α MAX (VCCMIN − VT ) (VCCMIN − VT )
134
Material não disponível para publicação
N3 1 − α MAX
=
N1 ⎛ VCCMAX − VT ⎞
α MAX ⎜ ⎟
⎝ VCCMAX + Vd 2 ⎠
⎛ N2 ⎞
(VS + Vd ) ⎜ (VCCMAX − VT ) − Vd 1 − VS ⎟ T
L≥ ⎝ N1 ⎠
⎛N ⎞
2 I SMIN ⎜ 2 (VCCMAX − VT ) − Vd 1 + Vd ⎟
⎝ N1 ⎠
⎛ N2 ⎞
⎜ (VCCMAX − VT ) − Vd 1 + Vd ⎟ T 2
N
CS ≥ ⎝ 1 ⎠
4π 2 LVripple
VS + Vd
α MIN =
N2
(VCCMAX − VT ) − Vd 1 + Vd
N1
Note que os valores dos indutores não estão definidos. Isto é razoável, pois quaisquer valores
servem, desde que as relações de espiras corretas sejam respeitadas. Entretanto, devemos escolher os
menores valores possíveis, para termos as menores dimensões. Esta escolha é feita, considerando a
energia armazenada no núcleo dos indutores como um percentual, pré-definido, da energia transferida
à carga no intervalo de chaveamento.
(a) (b)
Fig. 9.13: Núcleo do transformador: a) retangular; b) toroidal.
135
Material não disponível para publicação
2µ E
B= (9.74)
Aef l
onde
1. µ é a permeabilidade magnética do material;
2. E é a energia acumulada no indutor;
3. l é o comprimento médio do caminho magnético;
4. Aef é a área efetiva do núcleo, por onde podemos concentrar todo o fluxo, como se o núcleo
fosse um toróide.
Portanto, sabendo a energia máxima EMAX acumulada no núcleo, e o máximo campo magnético
BMAX que o material suporta sem saturação, escolhemos um núcleo segundo os parâmetros Aef e l, de
forma a atender a equação 9.75.
2µ EMAX
BMAX = (9.75)
Aef l
O cálculo da energia máxima acumulada é simples. Por exemplo, considere o conversor Flyback.
No intervalo de tempo T, a carga e o diodo consomem a quantidade de energia
EMAX = I SMAX (Vd + VS ) T , que deve ser o mesmo valor armazenado pelo núcleo, no mesmo intervalo T.
+
+
Vrede
CF
Vrede Vcc Vcc
CF
_
_
(a)
(b)
Fig. 9.14: Retificador com filtro capacitivo: a) meia onda; b) onda completa.
Chamando fF a freqüência da rede elétrica, podemos calcular o capacitor CF pela energia perdida
durante o intervalo de descarga. O capacitor CF se carrega a cada intervalo de tempo TF = 1 f F (meia
onda) ou TF = 1 ( 2 f F ) (onda completa). Neste intervalo, a tensão no capacitor varia de VCCMIN a
VCCMAX, e a variação de energia é dada por
1 2 1 2
∆E = CF VCCMAX − CF VCCMIN (9.76)
2 2
Esta quantidade de energia tem que ser equivalente ao consumo do conversor no intervalo TF.
Considerando que, no intervalo de chaveamento TF, a potência média máxima consumida pelo
conversor seja PMAX , a energia consumida é dada por
∆E = PMAX TF (9.77)
Substituindo a equação 9.77 em 9.76, temos
2P T
CF = MAX F
(9.78)
(V 2
CCMAX −V2
CCMIN )
136
Material não disponível para publicação
Como exemplo, considere o conversor Flyback projetado no item 9.4, onde VCCMIN = 100V e
VCCMAX = 155V . A potência média máxima consumida pelo conversor é
137
Material não disponível para publicação
Capítulo 10
As chaves analógicas são comandadas pelos sinais lógicos Dk. Quando Dk = 0 , a chave conecta o
resistor 2R ao terra, e quando Dk = 1 , a conexão é feita ao terra virtual do opamp. O número N de
chaves é o número de bits do conversor.
A tensão de referência VR, estabelece a faixa de tensão de saída do conversor. Analisando o
circuito, verificamos que as tensões nos nós são
138
Material não disponível para publicação
VR V V V V V V
VN −1 = → VN − 2 = N −1 = R → VN −3 = N − 2 = R → VN − n = N − n +1 = Rn
2 2 4 2 8 2 2
Fazendo a substituição N − n = k , temos que
VR k
Vk = 2 (10.1)
2N
Pela equação 10.1 determinamos facilmente as correntes Ik ou seja,
VR
Ik = 2k (10.2)
2R2N
A corrente total ITotal que entra no terra virtual do opamp, é dada por
N −1 N −1
⎡ V ⎤ V N −1
ITotal = ∑ [ Dk I k ] = ∑ ⎢ R N Dk 2k ⎥ = N +R1 ∑ ⎡⎣ Dk 2k ⎤⎦
k =0 k =0 ⎣ 2 R 2 ⎦ 2 R k =0
Portanto, a tensão de saída Vo é
VR R f N −1
Vo = − ∑ ⎡ Dk 2k ⎤⎦
2 N +1 R k =0 ⎣
(10.3)
139
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DN-1 DN-2 D0
Contador de N bits
Reset Clock
Lógica de Controle
140
Material não disponível para publicação
Este tipo de conversor é lento (alguns kHz), e é muito sensível aos erros nos resistores da rede R-
2R. O tempo máximo de conversão TCmax ocorre para o maior valor de vS ( t ) , e é
Re gis trador
Clock EC
de
De s locam e nto
BN-1 BN-2 B0
SAR
DN-1 DN-2 D0
Vo
DAC de N bits +
Vs(t) -
141
Material não disponível para publicação
7. A tensão vS ( t ) é comparada com Vo. Se Vo é maior que vS ( t ) , o bit DN-2 é igualado a 0, caso
contrário, é mantido em 1.
8. O processo continua, até que todos os bits do registrador de deslocamento sejam percorridos,
quando então, temos na saída do SAR o resultado da conversão. Neste momento, o sinal EC
assume nível lógico alto, sinalizando o final da conversão. O procedimento é reiniciado, e
outra conversão é realizada.
Este conversor é relativamente rápido (alguns MHz), pois necessita somente de N ciclos de clock,
para qualquer valor de vS ( t ) . O tempo de conversão é sempre
TC = NTck (10.6)
e a freqüência de amostragem equivale a
1
fS = (10.7)
TC
DN-1 DN-2 D0
142
Material não disponível para publicação
Enquanto a saída Vo1 é menor que vS ( t ) , Vo2 é igual a 1 e a lógica de controle aplica sinais de clock
ao contador, que acumula a contagem. Quando Vo1 é maior que vS ( t ) , Vo2 é igual a 0 e o contador
para a contagem, transferindo o resultado da conversão para o latch de saída. Neste momento, o sinal
EC assume nível lógico 1, por um determinado intervalo de tempo, fechando a chave S, que
descarrega o capacitor. O processo tem início novamente, e outra conversão é realizada.
O tempo de conversão TC é dado pelo intervalo no qual Vo1 varia de zero a vS ( t ) , portanto
vS ( t )
TC = RC (10.9)
Vref
Considerando que o pulso de clock possui período Tck, a contagem final do contador, e
conseqüentemente o valor da conversão é
⎛T ⎞ ⎛ vS ( t ) RC ⎞
D = int ⎜ C ⎟ = int ⎜⎜ ⎟⎟ (10.10)
⎝ Tck ⎠ ⎝ Vref Tck ⎠
O maior tempo de conversão ocorre quando D = 2 N − 1 ou seja,
TCmax = ( 2 N − 1) Tck (10.11)
EC
S2
C Contador de N bits CO
Clock
Vo1
Reset
Vs(t) S1 R
- BN-1 BN-2 B0
Vo2 Lógica
-Vref +
de
+
- Latch de N bits
Controle
DN-1 DN-2 D0
143
Material não disponível para publicação
A lógica de controle aplica pulsos de clock, com período Tck, ao contador, que incrementa de 0 até
2 . Portanto, neste intervalo Vo1 varia de zero a − vS ( t ) 2 N Tck RC . Após receber 2 N pulsos de clock,
N
o contador volta a condição inicial B = 000" 0 , e a saída CO vai ao nível lógico alto, que comuta a
chave S1 para −Vref . O contador conta os pulsos de clock até o momento em que Vo 2 = 1 . Esta
condição é alcançada quando Vo1 > 0 . Neste momento, a lógica de controle carrega o resultado da
contagem no latch, e reinicia o contador. A saída EC vai ao nível lógico alto, que fecha a chave S2 e
descarrega o capacitor. O intervalo de tempo ∆T que Vo1 gasta para variar de − vS ( t ) 2 N Tck RC a zero
é
Vref vS ( t ) 2 N Tck vS ( t )
∆T − = 0 → ∆T = 2 N Tck (10.14)
RC RC Vref
⎛ ∆T ⎞ ⎛ N vS ( t ) ⎞
D = int ⎜ ⎟ = int ⎜⎜ 2 ⎟ (10.15)
⎝ Tck ⎠ ⎝ Vref ⎟⎠
144
Material não disponível para publicação
Vref
- A
OP4
+
R
CODIFICADOR BINÁRIO
V3 B
-
OP3
+ OVF
R
D1
V2
- C
OP2
+ D0
R
V1
- D
OP1
+
R
Vs(t)
vS ( t ) < V1 0 0 0 0 0 0 0
V1 ≤ vS ( t ) < V2 0 0 0 1 0 0 1
V2 ≤ vS ( t ) < V3 0 0 1 1 0 1 0
V3 ≤ vS ( t ) < Vref 0 1 1 1 0 1 1
vS ( t ) ≥ Vref 1 1 1 1 1 0 0
Este tipo de conversor é muito rápido, trabalha na faixa de centenas de MHz. O tempo de
conversão é determinado pelo slew-rate dos comparadores de tensão, e a velocidade de propagação do
sinal no circuito combinacional. Entretanto, existem alguns inconvenientes. São necessários 2N
resistores idênticos, o que é difícil de obter com precisão. São necessários também, 2N comparadores
de tensão, e uma lógica combinacional grande. Estes fatores levam a um consumo elevado de
potência, e a uma área grande de integração (circuito integrado).
De forma geral, podemos representar o ADC de N bits como na Fig. 10.10, onde as tensões de
comparação são dadas por
k
Vk = V ; k = 1," , 2 N − 1
N ref
(10.18)
2
O codificador binário pode ser implementado por uma memória de 2N posições.
145
Material não disponível para publicação
10.8 Conversor Σ∆
Os conversores Σ∆ são largamente usados nos circuitos integrados que realizam processamento
misto analógico-digital de sinais, e em circuitos de comunicações. Estes conversores amostram o sinal
a uma taxa muito acima do limite de Nyquist, mas com um número de bits muito pequeno, na maioria
das aplicações somente 1 bit. O diagrama de blocos do conversor encontra-se na Fig. 10.11.
INTEGRADOR
u(kT)
Vs(kT) DELAY 1bit ADC y (kT)
q(kT)
-1 1bit DAC
u ( kT ) = vS ( kT − T ) − q ( kT − T ) + u ( kT − T ) (10.19)
Como o ADC é de 1 bit, é natural que exista uma discrepância grande entre u ( kT ) e y ( kT ) , que é
devida ao erro de quantização Qe ( kT ) gerado pelo ADC. Portanto, podemos assumir que
Qe ( kT ) = y ( kT ) − u ( kT )
ou de forma melhor
146
Material não disponível para publicação
u ( kT ) = y ( kT ) − Qe ( kT ) (10.20)
É comum aproximar o erro de quantização Qe ( kT ) por um ruído branco, com densidade espectral
de potência SQQ (ωT ) = N 0 2 . Lembrando que z = e jωT , temos que a densidade espectral de potência
do sinal desejado é S XX (ωT ) , e a do ruído dada por
Verificamos no gráfico da Fig. 10.12 que a potência do ruído cresce com a freqüência, significando
que a relação sinal ruído (SN) degrada com o aumento da freqüência.
Fig. 10.12: Gráfico das densidades espectrais de potência do sinal desejado e ruído.
Assumindo que a máxima freqüência do sinal de entrada seja ωmax, podemos calcular a relação
sinal ruído por
ω max ω max ω max
É possível fazer a relação sinal ruído tão grande quanto desejarmos, bastando reduzir T ou, de
forma equivalente, aumentar a freqüência de amostragem. Entretanto, como se tratam de sinais
amostrados, devemos avaliar a potência dos sinais até metade da freqüência de amostragem 1 2T .
Portanto, para estabelecermos a SN calculada na equação 10.24, devemos aplicar o sinal de saída a um
filtro passa-baixas que elimine todas as componentes de freqüência acima de ωmax, e para esta tarefa,
empregamos um filtro digital de N bits. Obrigatoriamente, na saída do filtro, obtemos um sinal
147
Material não disponível para publicação
digitalizado com N bits. Evidentemente, a SN deve ser compatível com a faixa dinâmica do filtro ou
seja,
SN > 2 N (10.25)
Vref
1
2 S6
1 2 +
S5
- C4 q(kT)
O sinal vS ( t ) é amostrado pelo sample-hold, formado pela chave S1 e o capacitor C3, durante a fase
2. Portanto, o sinal de saída deve ser avaliado na fase 2.
Neste circuito, temos y ( kT ) = q ( kT ) , e o conversor ADC de 1 bit é um comparador de tensão, em
torno de Vref.
Para a análise do circuito, usaremos a nomenclatura 1 x para representar as variáveis (tensão,
corrente ou carga) observadas na fase 1, e 2 x para a fase 2. O intervalo entre as fases 2 e 1 é T 2 , que
equivale a z −1 2 no domínio da transformada Z.
No tempo da fase 1, todas as chaves comandadas por ela estão fechadas, enquanto as outras
permanecem abertas, e temos o circuito equivalente da Fig. 10.14.
Neste momento, os capacitores C1 e C2 acumulam as cargas 1 Q1 = C1 1VS ( z ) e 1 Q2 = C2 1U ( z )
respectivamente. Observamos que a tensão 1VS ( z ) é a mesma medida na fase 2 anterior ou seja,
1
−
1VS ( z ) = 2VS ( z ) z (10.26)
2
1 1
− −
1Y ( z ) = 1 Q ( z ) = 2Y ( z ) z = 2Q( z) z (10.29)
2 2
148
Material não disponível para publicação
1
−
V ( z ) = 1Q ( z ) = 2 Q ( z ) z
1 4
2
(10.30)
C2
Vs(z)
C1 U(z)
+
-
- +
C3 + Y (z)
-
Vref
V4(z)
+
V4(z)
1 2 - C4 Q(z)
No tempo da fase 2, todas as chaves comandadas por ela fecham, enquanto as outras abrem, e
temos o circuito equivalente da Fig. 10.15. Agora, o capacitor C1 acumula a carga
2 Q1 = C1 2V4 ( z ) (10.31)
C2
Vs(z)
C1 U(z)
Vs(z) +
-
- +
C3 + Y (z)
-
Vref Q(z)
V4(z)
1 2 +
- C4
Esta variação de carga é integralmente transferida ao capacitor C2, que passa a acumular a carga
−
1
⎛ −
1
− ⎞
1
⎝ ⎠
Portanto, a tensão 2U ( z ) é dada por
149
Material não disponível para publicação
Q2 −
1
⎛C C −
1
− ⎞
1
2U ( z ) = = 1U ( z ) z 2 − ⎜ 1 2V4 ( z ) − 1 2VS ( z ) z 2 z 2 ⎟
2
(10.35)
C2 ⎝ C2 C2 ⎠
Substituindo as equações 10.28, 10.32 em 10.35, temos
−
1
−
1
⎛C −
1
C −
1
− ⎞
1
⎝ C2 C2 ⎠
Finalmente, substituindo a equação 10.30 em 10.36, temos
C1
2 U ( z ) = 2U ( z ) z −1 −
C2
( 2Q ( z) z
−1
− 2VS ( z ) z −1 ) (10.37)
u ( kT ) = vS ( kT − T ) − q ( kT − T ) + u ( kT − T ) (10.38)
Verificamos facilmente que as equações 10.38 e 10.19 são idênticas, mostrando que o circuito
desempenha a função do conversor Σ∆.
150
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Capítulo 11
O sinal vin ( t ) = Ain f in (θ in ( t ) ) é aplicado ao detector de fase (PD), juntamente com o sinal
vo ( t ) = Ao f o (θ o ( t ) ) vindo do VCO. As funções fin (θ ) e f o (θ ) são periódicas em 2π , e com
amplitude igual a 1. A saída do detector de fase é um sinal de tensão proporcional ao erro
θ e ( t ) = θ in ( t ) − θ o ( t ) ou seja,
vd ( t ) = kdθ e ( t ) = kd (θ in ( t ) − θ o ( t ) )
onde kd é a constante de ganho do detector de fase. O circuito do detector de fase é, de forma geral, um
multiplicador. Portanto, o sinal de saída possui componentes harmônicas indesejáveis em altas
freqüências, e por este motivo, vd ( t ) é aplicado a um filtro passa-baixas, chamado loop-filter (LF). O
sinal vC ( t ) na saída do loop-filter é aplicado ao VCO, que o integra, e produz o sinal
vo ( t ) = Ao f o (θ o ( t ) ) , com fase θ o ( t ) = ko ∫ vC (τ ) dτ .
t
Conforme podemos notar, o PLL é um sistema de realimentação negativa que utiliza a fase como
sinal de controle.
Como em todo sistema de malha fechada, devemos garantir a estabilidade da rede, e respeitar as
amplitudes máximas admitidas pelos amplificadores.
Existem várias estruturas para a implementação do detector de fase, e todas possuem uma faixa de
detecção, que pode ser linear ou não, conforme a Fig. 11.2. Portanto, devemos respeitar o maior erro
de fase admissível pelo detector.
151
Material não disponível para publicação
θe ( s ) s
= (11.2)
θ in ( s ) s + ko kd F ( s )
VC ( s ) skd F ( s ) sH ( s )
= = (11.3)
θ in ( s ) s + ko k d F ( s ) ko
11.2 Loop-Filter
O loop-filter é uma das partes mais importantes do PLL, pois define a estabilidade e o desempenho
do circuito. Os filtros mais empregados são os de primeira ordem com ganho DC unitário (passivo), e
152
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com ganho DC infinito (ativo). A Tabela 11.1 apresenta os dois tipos de filtros, com as respectivas
funções de transferência.
Tabela 11.1: Implementação do Loop-Filter.
Loop-Filter Passivo Loop-Filter Ativo
R1 R2 C
V1(s) V2(s) R3
R1
R2
V1(s)
- R3
-
V2(s)
+
C
+
sτ z + 1 sτ z + 1
F (s) = F (s) =
sτ p + 1 sτ p
τ z = CR2 τ z = CR2
τ p = C ( R1 + R2 ) τ p = CR1
s
s2 + θe ( s ) s2
θe ( s ) τp =
= θ in ( s ) s 2 + ω1 s + ω 2
θ in ( s ) s 2 + ω1 s + ω 2 1
1 Q
Q
⎛ ω1 ω2 ⎞ ω 2Q ω1 ω12
⎜ − 2 1 ⎟ s2 + 1 s s2 + s
VC ( s ) ⎝ ko Q ko kd ⎠ ko VC ( s ) ko Q ko
= =
θ in ( s ) ω θ in ( s ) s2 +
ω1
s + ω12
s 2 + 1 s + ω12
Q Q
ko k d ko k d
ω1 = ω1 =
τp τp
1
Q= 2
ko k d ⎛ 1 ⎞ Q=
⎜τ z + ⎟ ω1τ z
τp ⎝ ko k d ⎠
τ p = ( R1 + R2 ) C τ p = R1C
τ z = R2C τ z = R2C
153
Material não disponível para publicação
É comum usarmos Q = 1 2 para obter a resposta ao degrau mais rápida e sem overshoot.
O erro em regime permanente pode ser calculado pelo teorema do valor final ou seja,
lim y ( t ) = lim ⎡⎣ sY ( s ) ⎤⎦ (11.6)
t →∞ s →0
O erro de fase igual a zero, significa que o PLL está funcionando corretamente, e o sinal de saída
do VCO possui a mesma fase e freqüência do sinal de entrada.
Sabendo que, para o loop-filter passivo, F ( 0 ) = 1 , pela equação 11.8, temos que
θ e ( ∞ ) = ∆ω ( ko kd ) . Considerando θemax o módulo do maior erro de fase que o detector consegue
medir, devemos ter ∆ω ≤ ko kdθ e max .
154
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1− H (s)
θ o ( s ) = H ( s )θ in ( s ) + ωo (11.9)
s2
ωo
sθ in ( s ) −
θe ( s ) = s (11.10)
s + ko k d F ( s )
sH ( s ) H (s)
VC ( s ) = θ in ( s ) − ωo (11.11)
ko ko s
Sabendo que o erro de fase deve estar no intervalo −θ emax ≤ θ e ≤ θ emax , devemos ter
155
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∆ω
−θ emax ≤ ≤ θ emax
ko k d
ou de forma equivalente
∆ω ≤ ko kdθ emax
Portanto, temos
Hold − in Range = ko kdθ emax (11.12)
Assumindo que o máximo erro de fase seja θemax, temos que ∆ω max = ko kdθ emax , ou de forma
equivalente
Lock − in Range = ko kdθ emax (11.15)
Para o loop-filter de ordem igual a zero, o ganho de malha do PLL, ko kd F ( s ) , é constante em toda
faixa de freqüência. Podemos considerar, de forma aproximada, que o PLL com loop-filter de ordem
maior que zero, se comporta como no caso anterior, mas com ganho de malha igual a ko kd F ( ∞ ) . Esta
aproximação é razoável, pois, para variações rápidas em θ in ( t ) , o loop-filter possui ganho reduzido ou
seja, F ( ∞ ) = τ z τ p . Desta forma, temos
τz
Lock − in Range = ko kdθ emax (11.16)
τp
156
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sincroniza, mas após alguns ciclos do sinal de entrada. Esta faixa é chamada pull-in range, e é
determinada empiricamente.
Sabendo que H ( s ) é um filtro passa baixas, e dimensionando sua freqüência de corte acima da
máxima freqüência de x ( t ) , podemos fazer a aproximação
∆ω ∆ω
VC ( s ) = X ( s ) → vC ( t ) = x (t ) (11.20)
ko ko
Devemos tomar o cuidado de manter o erro de fase sempre menor que o valor máximo permitido
pelo detector de fase. O erro máximo de fase θ e ( s ) é dado por
VC ( s ) H ( s ) ∆ω ∆ω
θe ( s ) = = X (s) = X (s)
F ( s ) kd F ( s ) k d ko s + F ( s ) k d ko
Admitindo que x ( t ) = cos (ω t ) , devemos ter, para toda faixa de freqüência do sinal de entrada, que
∆ω
θ e ( t ) ≤ θ emax → ≤ θ emax (11.21)
jω + F ( jω ) kd ko
157
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3. x (t ) ≤ 1 .
2. kd = 0.8 .
3. ko = 2.5 ⋅ 106 - com este valor, o VCO aceita uma variação de ±2π × 1 ⋅ 106 rd s em torno da
freqüência central.
4. Freqüência de offset do VCO igual a 2π × 10.7MHz , com tensão de offset Vo = 2.5V .
5. Loop-filter ativo.
6. Alimentação de 5V.
O circuito encontra-se na Fig. 11.5. Vamos assumir que vin ( t ) é uma função do tipo
⎛ ⎞
vin ( t ) = f ⎜ ω 0t + ∆ω ∫ x (τ ) dτ ⎟ .
⎝ t ⎠
-Vc(t)
R2 C1
R3
PD R1
Vin(t)
- R3
-
Vc(t)+Vo
+
R3 +
Vo
2.5V
VCO
Para suavizar a resposta transiente, vamos considerar Q = 1 2 . Da equação 11.4, temos que a
freqüência de corte é dada por
2
1 ⎛ 1 ⎞
ω 3db = ω1 1 + 2
+ ⎜ 2 + 1⎟ + 1
2Q ⎝ 2Q ⎠
2
⎛ ⎞
⎜ ⎟
1 ⎜ 1
2π × 53 ⋅ 103 = ω1 1 + + + 1⎟ + 1 → ω1 = 161.8 ⋅ 103 rd s
⎛ 1 ⎞
2 ⎜ ⎛ 1 ⎞2 ⎟
2⎜ ⎟ ⎜ 2
⎜ ⎜ 2⎟ ⎟⎟
⎝ 2⎠ ⎝ ⎝ ⎠ ⎠
Das equações da Tabela 11.1, temos
2 1 2
Q= → = → τ z = 17.5 ⋅ 10−6
ω1τ z 2 161.8 ⋅ 103 × τ z
158
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τ z = R2 C1 → 17.5 ⋅ 10 −6 = R2 × 10 ⋅ 10 −9 → R2 = 1750Ω
Para funcionar como modulador, o sinal θ in ( t ) deve ser periódico e com freqüência estabilizada,
sem qualquer tipo de modulação, ou seja, θ in ( t ) = ω 0t . A tensão vo ( t ) deve ser contínua ( vo ( t ) = Vo ),
pois determina a freqüência de offset do VCO em ω0, e ω 0 = koVo . Aplicando estas condições às
equações 11.23 e 11.23, temos
ω0 ko (1 − H ( s ) ) H (s)
θo ( s ) = 2
+ VF ( s ) + VP ( s ) (11.25)
s s kd
159
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ko (1 − H ( s ) ) H (s)
θe ( s ) = − VF ( s ) − VP ( s ) (11.26)
s kd
ω0 VP ( s )
θo ( s ) = 2
+
s kd
cuja representação no domínio do tempo é
vP ( t )
θ o ( t ) = ω0t + (11.29)
kd
Verificamos na equação 11.29, que a saída do VCO é exatamente um sinal modulado em fase, e
com desvio de fase ∆φ = 1 kd .
ω0 ko (1 − H ( s ) )
θo ( s ) = 2
+ VF ( s ) (11.30)
s s
e
ko (1 − H ( s ) )
θe ( s ) = − VF ( s ) (11.31)
s
Como o filtro H ( s ) é passa-baixas, a função de transferência (1 − H ( s ) ) é passa-altas, e com
freqüência de corte inferior próxima à freqüência de corte superior de H ( s ) . Dimensionando a
freqüência de corte de H ( s ) consideravelmente abaixo da mínima freqüência de VF ( s ) , podemos
considerar (1 − H ( s ) ) aproximadamente constante na faixa de passagem de VF ( s ) . Portanto,
podemos aproximar a equação 11.30 por
ω0 ko
θo ( s ) = 2
+ VF ( s ) (11.32)
s s
Diferenciando a equação 11.32, obtemos a freqüência Ωo ( s ) , dada por
ω0
Ωo ( s ) = + koVF ( s )
s
160
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Verificamos facilmente na equação 11.33 que a saída do VCO é exatamente um sinal modulado em
freqüência, e com desvio de freqüência ∆ω = ko .
Com esta técnica de modulação de FM, podemos obter freqüência de portadora extremamente
estável, bastando usar um oscilador a cristal para gerar o sinal θ in ( t ) .
Podemos considerar o VCO e o divisor como sendo um novo VCO com constante ko′ = ko N .
Desta forma, as equações desenvolvidas no item 11.7.2.2 são aplicadas diretamente ao sistema da Fig.
11.7. Portanto, temos
ω o ( t ) = ω 0 + ko′vF ( t )
ω oN ( t ) = Nω 0 + Nko′vF ( t ) (11.34)
O projeto deste modulador é feito como no item 11.7.2.2, simplesmente considerando ko′ no lugar
de ko.
161
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O sinal de entrada θ in ( t ) é gerado por um oscilador a cristal com freqüência ω0, e a saída é θ oN ( t ) ,
com freqüência Nω0. O divisor por N é simplesmente um contador programável.
162
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Verificamos que, para cada ciclo de saída, em ωo, devemos ter D ciclos em ωoN. Portanto, a
freqüência de entrada é
ω oN = ( QA + NP )ω o (11.35)
ω oN = ( A + NP ) ω o (11.36)
Verificamos na equação 11.36 que a freqüência ωoN pode ser ajustada a cada intervalo ωo. Portanto,
basta escolher o valor apropriado de ωo, para dimensionar a resolução do sintetizador de freqüências.
O sinal de RESET deve ser um pulso muito estreito, e gerado a cada transição de SN. O circuito
formado pelos inversores e a porta ou-exclusivo, realizam esta tarefa. Considerando o atraso de
propagação do sinal nas portas inversoras, temos o diagrama de sinais da Fig. 11.11.
Este sintetizador pode ser incorporado ao modulador FM, permitindo o ajuste digital da freqüência
da portadora, conforme a Fig. 11.12.
163
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Vin(t) Vd(t)
Vo(t)
Ao Ain
vd ( t ) = Ao Ain cos (ω 0 t ) cos (ω 0 t + φ ) =
2
( cos (φ ) + cos ( 2ω 0t + φ ) ) (11.37)
Assumindo que a saída do detector é aplicada a um filtro passa-baixas, que elimina as componentes
de freqüência na faixa de 2ω0, podemos aproximar a equação 11.37 por
Ao Ain
vd ( t ) = cos (φ ) (11.38)
2
e cujo gráfico encontra-se na Fig. 11.14.
Verificamos que a faixa de atuação do detector é 0 ≤ φ ≤ π , e a tensão de saída vd é zero quando o
erro de fase é π 2 . Quando usado em um PLL, o sincronismo ocorre com diferença de fase igual a
π 2 . Podemos notar também que a curva de detecção de fase é não linear e decrescente.
O detector por multiplicação é rápido, mas muito dependente da amplitude e da forma de onda dos
sinais.
164
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O gráfico da Fig. 11.16 mostra a tensão de saída vd ( t ) em função da diferença de fase dos sinais
de entrada.
2π∆T
φ= (11.39)
T
Aplicando vd ( t ) a um filtro passa-baixas, obtemos o valor médio, que é dado por
165
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2 A∆T
vd ( t ) = (11.40)
T
Substituindo a equação 11.39 em 11.40, temos
A
vd ( t ) = φ (11.41)
π
A equação 11.41 mostra que a curva de detecção de fase é linear, e a faixa de atuação do detector é
0 ≤ φ ≤ π , conforme a Fig. 11.17. Quando usado em um PLL, este detector deve estabelecer o
sincronismo com erro de fase π 2 , e é possível estabelecer o sincronismo em freqüências harmônicas.
O detector com ou-exclusivo é rápido, mas muito dependente da simetria da onda quadrada.
D Q Vd(t)
Vin(t) CLK Q
RESET
D Q
Vo(t) CLK Q
F2
Para analisar o circuito, vamos considerar inicialmente que a saída Q de cada flip-flop está em 0, e
os sinais de entrada representados pelos gráficos da Fig. 11.19.
A entrada vo ( t ) está atrasada em fase em relação a vin ( t ) . Isto significa que vin ( t ) sobe antes de
vo ( t ) , sendo Q1 = 1 e Q2 = 0 . Quando vo ( t ) sobe, a saída Q2 troca de estado, Q2 = 1 , e rapidamente o
sinal de RESET põe as saídas Q1 e Q2 em nível 0. O que se observa em Q2 é um pulso extremamente
rápido. Entretanto, Q1 permanece alto pelo intervalo de tempo ∆T. O processo se repete a cada período
T dos sinais de entrada.
Se vo ( t ) estiver adiantada em relação a vin ( t ) , é fácil deduzir que os gráficos de Q1 e Q2 são
permutados.
166
Material não disponível para publicação
2π∆T
φ=
T
e a diferença de fase é estimada pelo valor médio de vd ( t ) .
Este detector é linear, insensível a assimetria dos sinais dos sinais de entrada, e possui faixa de
atuação muito ampla, −2π ≤ φ ≤ 2π , conforme a Fig. 11.20.
Uma característica interessante, e muito útil, deste circuito, é que também funciona como detector
de freqüência ou seja, quando a diferença de freqüência dos sinais de entrada é muito alta, gerando
erro de fase fora da faixa de atuação, vd ( t ) aponta o sinal de maior freqüência. Esta propriedade
garante que o PLL sempre entra em sincronismo, evidentemente respeitando a faixa de operação do
VCO.
167