Projeto conversor flyback

João Paulo Duranti

Leonardo Weber Stringini Parâmetros do MOSFET
Dados de Projeto VDS 570
Vi 320 V Id 0.61
Vo 200 V
Po 100 W Modelo VDS
Δvo% 8.00% MOSFET sugerido
FQP780C 800
Definições Modelo MOSFET Utilizado
D 0.35 <0,5 FQP780C 800
f 60000 Hz Perdas comutação MOSFET
0.706845238 W
Preliminares
T 2E-05 s Parâmetros do Diodo
Io 0.5 A Vr 456
Δvo 16 V Id 0.5
Ro 400 Ω
n_max 1.160714 Máxima relação de transformação Modelo VDS
N2/N1 0.8 <n_max Diodo sugerido
MUR1560 600
Dados de Saída Modelo Diodo Utilizado
Lp 1.05E-03 H MUR1560 600
Ls 6.69E-04 H Perdas comutação Diodo
C 1.82E-07 F 0.6 W

Esforços de tensão e corrente Snubber RCD Clamp

iLppk 1.786 A iLprms 0.609938
iLspk 2.232143 A iLsrms 8.63E-01 Lpdisp 6.00E-06

VDSmax 570.00 V Vspike 720

Ispk 1.786 A Vclamp 400

Vdmax 456 V Rclamp 1.05E+05

Idpk 2.232143 A Cclamp 1.59E-09

tx 1.33E-05 s Prclamp 1.53E+00

Projeto Indutor Vrdiodo 400

If 1.786
Projeto AeAw

Bmax 0.35 T Entre 0,3 - 0,35 T

Jmax 4.50E+06 A/m² 350 - 450 [A/cm²]
K 0.25 0,5 (1 bobina); 0,25 (2+ bobinas)

AeAw 2.89E-01 cm4

auto
Nucleo E-30/7 #NAME?
Ae 0.6 cm² #NAME?
Aw 0.8 cm² #NAME?

Espiras

Np 88.89 Arredondamento Np 90
Ns 71.11 Ns 72

Efeito Skin

δ 0.030619
Askin 0.002945

AWGskin 23
AAWGskin 0.002582

Condutores em Paralelo
Primario
Afiop 1.36E-03 AWGmin 23 Condutores
AWGp 25 AWGp X 1
AAWGp 0.001624 AAWGp X
PRECISA? NÃO
Secundario
Afios 1.92E-03 AWGmin 23 Condutores
AWGs 24 AWGs X 1
AAWGs 0.002047 AAWGs X
PRECISA? NÃO

Entreferro

lg 5.84E-01 mm

Fator de Execução

Aisop 0.002078 cm²

Aisos 0.002586 cm²

Awmin 0.373212 cm²

Fe 0.466515
metros do MOSFET Modelos de MOSFET
V Modelo Vds (V) Id (A) Rdson (Ω) Ciss (pF)
A FDA38N30 300 22 0.085 2600
FQA38N30 300 24 0.085 3380
Id IRF740 400 6.3 0.55 1400
OSFET sugerido FQA13N50C 500 8.5 0.48 1580
4.2 FQPF13NC50F 500 8 0.54 2055
o MOSFET Utilizado IRF840 550 5.5 0.7 527
4.2 FQP780C 800 4.2 1.9 1680
comutação MOSFET STD5N95K3 950 3 3.5 460
STW22N95K5 950 11 0.33 1550
STF12N1120K5 1200 7.6 0.69 1370
âmetros do Diodo
V
A Modelos de Diodo
Modelo Vr (V) Id (A) Trr (ns)
Id MUR420 200 4 60
Diodo sugerido MUR480H 400 8 30
15 Ultra Fast FES16GTR 400 16 50
elo Diodo Utilizado MUR1560 600 15 60
15 UF5408 1000 3 75
s comutação Diodo SB140 40 1
MBR1040 40 10
Schottky
11DQ06 60 1.1
bber RCD Clamp MBR10100 100 10

V
V

Ω
F

V
A
Vf (V) Trr (ns)
1.4 315
1.5 300
2 790
1.4 160
1.4 410
1.2 308
1.4 650
1.6 410
1.6 410
1.5 630

Vf (V)
1.35
1.85
1.3
1.2
1.7
0.85
0.57
0.53
0.65
Núcleo Ae(cm²) Aw(cm²) Ie(cm) It(cm) Ve(cm³) AeAw(m4)
E-20 0.31 0.26 4.28 3.8 1.34 0.08
E-30/7 0.6 0.8 6.7 5.6 4 0.48
E-30/14 1.2 0.85 6.7 6.7 8 1.02
E-42/15 1.81 1.57 9.7 8.7 17.1 2.84
E-42/20 2.4 1.57 9.7 10.5 23.3 3.77
E-55 3.54 2.5 1.2 11.6 42.5 8.85