Tópico 12 –

Propriedades
Elétricas I
Prof. Romis Attux – DCA/FEEC/UNICAMP
Primeiro Semestre / 2016

Obs.: O conteúdo dos slides se baseia fortemente

no livro texto [Pierret, 1988]. As figuras são do
material de apoio de [Callister 2011] exceto onde
indicado.

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 Prelúdio
• A eletrônica moderna é baseada essencialmente em semicondutores.
Cumpre, portanto, discutir em mais detalhe as propriedades desses
materiais.
• Vimos que semicondutores são materiais que, em termos de condução
elétrica, estão entre os metais (excelentes condutores) e os isolantes
(maus condutores). Isso explica, inclusive, a razão de ser do nome
“semicondutor”.
• A estrutura de bandas de um semicondutor pode ser vista no slide a seguir,
que já havia sido estudado por nós. Há uma banda de valência e uma
banda de condução, ambas separadas por uma região proibida ou “gap”.
Esse “gap” é menor que o de materiais isolantes.

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 Estrutura de Bandas de um Semicondutor
• Semiconductors:
-- narrow band gap (< 2 eV)

Energy empty
conduction
? band
GAP

filled

filled states
valence
band

filled
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band
 Composição
• Existem semicondutores elementares (Si, Ge), formados por um único
elemento químico (coluna IV da tabela periódica), semicondutores
compostos por combinações de elementos das colunas III e V (e.g. GaAs),
semicondutores compostos por combinações de elementos das colunas II
e VI (CdTe) e ligas. Trataremos como material paradigmático o silício.
• O silício é tetravalente, e, em sua estrutura cristalina pura, se liga a outros
quatro átomos de silício de maneira covalente. Isso é ilustrado, numa
representação bidimensional conveniente do ponto de vista didático, na
figura a seguir. Numa temperatura maior que 0 K, se há a quebra de uma
ligação, tem-se a criação de um par lacuna – elétron livre.

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 Representação da Estrutura do Silício
valence
electron Si atom

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 Bandas
• Para um cristal de N átomos de silício, forma-se uma banda de valência
com 4N estados permitidos e uma banda de condução com 4N estados
permitidos. Para T = 0 K, a banda de valência estará totalmente
preenchida e a banda de condução totalmente vazia.
• Mostramos, na figura a seguir, uma maneira singela, mas muito útil, de
representar essa estrutura. Temos que Ec é a menor energia possível de
condução, Ev é a maior energia possível de valência e Eg (ou Ee) é a
variação energética associada ao “gap”.

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 Representação Simples

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 Portadores
• Portadores são as entidades que, no semicondutor, serão capazes de
produzir corrente elétrica.
• Na situação vista nas figuras anteriores, todos os elétrons estão ligados
covalentemente. Portanto, não há elétrons livres na banda de condução e a
banda de valência está plenamente preenchida.
• No entanto, quando há a quebra de uma ligação, tem-se a excitação de um
elétron da banda de valência para a banda de condução. Esse elétron
passa a ser um portador, ou seja, elétrons na banda de condução são
portadores. A energia para quebrar a ligação e a energia que vence a
separação Eg são a mesma coisa.

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 Portadores
• Além disso, o processo cria uma “ligação faltante” ou um “vazio” na
estrutura. Pode-se pensar, em termos do modelo de ligação, que esse vazio
se move pelo reticulado cristalino, com elétrons vizinhos tomando um lugar
na ligação faltante. Em termos do modelo de bandas, pode-se pensar que a
promoção de um elétron à banda de condução cria um vazio na banda de
valência.
• Essa ligação faltante, ou vazio na banda de valência, também é um
portador – a lacuna.
• Embora isso pareça estranho à primeira vista, as lacunas são sim capazes
de portar carga, e, como o tempo, passamos a vê-la como se fosse uma
partícula elementar a mais...
• A figura a seguir mostra a criação de um par elétron-lacuna na estrutura do
semicondutor.

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 Portadores

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 Gaps
• Alguns valores de gaps de semicondutores são (à temperatura ambiente):
• Silício: 1,12 eV
• Arseneto de Gálio: 1,42 eV
• Germânio: 0,66 eV

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 Portadores - Carga
• Tanto os elétrons quanto as lacunas possuem carga elétrica. Os elétrons
possuem carga negativa, as lacunas possuem carga positiva, e a
magnitude dessa carga é idêntica e igual a q = 1,6 x 10-19 C.
• Portanto, a carga do elétron é –q e a de uma lacuna é +q.

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 Portadores – Massa Efetiva
• Massa efetiva é um conceito importante e um tanto abstrato. Para
entendê-lo, imaginemos primeiramente um elétron que está sujeito à ação
de um campo elétrico E no vácuo. Podemos escrever, usando a segunda lei
de Newton:

𝑑𝑣
𝐹 = −𝑞𝐸 = 𝑚0
𝑑𝑡
onde m0 é a massa do elétron e v é sua velocidade.
• Agora imaginemos que um campo elétrico E seja experimentado por um
elétron (na banda de condução) num semicondutor. Podemos nos
perguntar se poderíamos fazer uso da mesma equação. A resposta, nesse
caso, é não.

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 Portadores – Massa Efetiva
• No cristal, os elétrons colidirão com átomos do semicondutor e, ademais,
estarão sujeitos a campos cristalinos de caráter complexo.
• Isso mostra diferenças fundamentais, e mostra que o estudo deveria adentrar
as profundezas da mecânica quântica. No entanto, felizmente, essa formulação
pode ser simplificada de modo que se use a lei de Newton com uma
adaptação:

𝑑𝑣
𝐹 = −𝑞𝐸 = 𝑚𝑛∗
𝑑𝑡
onde 𝑚𝑛∗ é a massa efetiva do elétron. Pode-se escrever uma equação análoga
para as lacunas, trocando –q por +q e 𝑚𝑛∗ por 𝑚𝑝∗ .
• O resumo de tudo isso é que em campos cristalinos internos, podem-se tratar
elétrons e lacunas como partículas clássicas desde que se utilize a massa
efetiva em vez da massa “convencional”.

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 Portadores – Massa Efetiva
• A seguinte tabela apresenta as massas efetivas para três semicondutores.

Material 𝒎∗𝒏 /𝒎𝟎 𝒎𝒑∗ /𝒎𝟎

Silício 1,18 0,81
Germânio 0,55 0,36
Arseneto de Gálio 0,066 0,52

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 Número de Portadores – Material
Intrínseco
• Um semicondutor intrínseco é uma amostra de semicondutor contendo
pouquíssimos átomos de impurezas. Em outras palavras, trata-se de um
semicondutor com as propriedades nativas do material (não modificadas
pela adição de materiais externos).
• O número de portadores num semicondutor intrínseco é uma propriedade
do material. Definamos, para portadores internos ao semicondutor:
n – número de elétrons/cm3
p – número de lacunas/cm3
• Teremos, para um semicondutor intrínseco, em condições de equilíbrio,
n = p = ni .

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 Número de Portadores – Material
Intrínseco
• A tabela a seguir traz o valor de ni para três semicondutores à temperatura
ambiente.

Material ni
Silício 1 x 1010/cm3
Germânio 2 x 1013/cm3
Arseneto de Gálio 2 x 106/cm3

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 Número de Portadores – Material
Intrínseco
• Tem-se que n = p, no caso intrínseco, pois a criação de portadores sempre
se dá em pares. Quando se quebra uma ligação, geram-se
simultaneamente um elétron na banda de condução e uma lacuna na
banda de valência.
• Note que a concentração de portadores intrínsecos, embora alta em
valores absolutos, não é tão alta assim do ponto de vista relativo. No silício,
por exemplo, há 2 x 1023 ligações (ou elétrons de valência) por cm3. Assim,
menos de uma ligação em 1013 é quebrada à temperatura ambiente.

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 Dopagem
• Dopagem é a adição controlada de átomos de impurezas a um
semicondutor com o propósito expresso de aumentar a concentração de
elétrons ou de lacunas. A adição de dopantes em quantidades controladas
é rotina na fabricação de dispositivos semicondutores.
• Dopantes rotineiros do silício para aumentar o número de elétrons
(doadores) são o fósforo (o mais usual), o arsênio e o antimônio. Para
aumentar o número de lacunas (receptores), utilizam-se o boro (o mais
usual), o gálio, o índio e o alumínio. Os primeiros são elementos da coluna
V da tabela periódica, ou seja, possuem um elétron de valência a mais que
o silício, e os últimos são da coluna III, ou seja, possuem um elétron de
valência a menos.

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 Dopagem
• Quando um dos doadores ocupa o lugar de um átomo de silício no cristal,
quatro de seus cinco elétrons de valência se ajustam adequadamente ao
arcabouço de 4 ligações covalentes. No entanto, o quinto elétron fica
fracamente ligado ao sítio em que se localiza o doador. À temperatura
ambiente, a tendência é que esse elétron possa se tornar um portador de
carga. Perceba que a criação de um elétron livre dessa forma não gera
uma lacuna associada.
• Analogamente, quando um dos receptores ocupa o lugar de um átomo de
silício, apenas três elétrons se ajustam a um sítio onde quatro elétrons são
esperados. Por tanto, ele tende a aceitar facilmente elétrons, o que implica
na geração de uma lacuna livre. Note que isso não cria um elétron de
condução.

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 Dopagem
• Na tabela a seguir, apresentamos a energia de ligação desses elétrons e
lacunas adicionais, que é bem menor que o “gap” intrínseco dos
semicondutores.

Doador Energia de Receptor Energia de

Ligação (|EB|) Ligação (|EB|)
Sb 0,039 eV B 0,045 eV
P 0,045 eV Al 0,067 eV
As 0,054 eV Ga 0,072 eV
In 0,16 eV

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 Dopagem
• Essas energias de ligação nos fazem inferir que os elétrons advindos de
doadores ocupam níveis de energia muito próximos à banda de condução
(separação = |EB|), e que as lacunas advindas de receptores ocupam níveis
de energia muito próximos à banda de valência (separação = |EB|).
• As figuras a seguir ilustram isso.

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 Dopagem

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 Dopagem
• A 0 K, todos os sítios de doadores estão preenchidos, pois não há energia
térmica para promover os elétrons para a banda de condução. À medida
que a temperatura aumenta, mais e mais elétrons fracamente ligados são
doados à banda de condução. À temperatura ambiente, a doação é
virtualmente total.
• A mesma idéia se aplica às lacunas no caso de receptores. A 0 K, os sítios
dos receptores estão vazios. No entanto, com o aumento da temperatura,
mais e mais elétrons da banda de valência passam a esses sítios, criando
lacunas na banda de valência. À temperatura ambiente, virtualmente todos
os sítios estarão preenchidos.

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 Terminologia
• Dopantes – átomos específicos de impurezas que são adicionados aos
semicondutores em concentrações determinadas, com o propósito de
aumentar a concentração de elétrons ou lacunas.
• Semicondutor Intrínseco – semicondutor não dopado; amostra ultrapura de
semicondutor, com propriedades nativas do material.
• Semicondutor Extrínseco – semicondutor dopado; semicondutor cujas
propriedades são controladas pelas impurezas adicionadas.
• Doador – átomo de impureza que aumenta a concentração de elétrons;
dopante tipo n.
• Receptor – átomo de impureza que aumenta a concentração de lacunas;
dopante tipo p.

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 Terminologia
• Material tipo n – material dopado com doadores; semicondutor contendo
mais elétrons que lacunas.
• Material tipo p – material dopado com aceitadores; semicondutor contendo
mais lacunas que elétrons.
• Portador majoritário – o portador mais abundante num semicondutor –
elétrons num material tipo n, lacunas num material tipo p.
• Portador minoritário – o portador menos abundante num semicondutor –
lacunas num material tipo n, elétrons num material tipo p.

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 Densidade de Estados
• Quando o modelo de bandas foi discutido, analisamos a relação entre o
número de estados atômicos e o número de estados que compõem as
bandas de energia.
• Trataremos agora, no entanto, da distribuição de energia dos estados, ou
seja, da densidade de estados. Essa densidade é um componente muito
importante para determinar as distribuições e concentrações de
portadores.
• A realização dessa análise requer o uso de ferramentas da mecânica
quântica que transcendem o escopo de nosso curso. Portanto,
apresentaremos os resultados sem maiores preocupações com provas.

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 Densidade de Estados
• Para energias não muito distantes dos limites das bandas, tem-se que:

𝑚𝑛∗ 2𝑚𝑛∗ (𝐸 − 𝐸𝑐 )
𝑔𝑐 𝐸 = 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝐸 ≥ 𝐸𝑐
𝜋 2 ℎ3
ℎ
sendo ℎ = . Tem-se também
2𝜋

𝑚𝑝∗ 2𝑚𝑝∗ (𝐸𝑣 − 𝐸)

𝑔𝑣 𝐸 = 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝐸 ≤ 𝐸𝑣
𝜋 2 ℎ3
• A primeira dessas funções é a densidade de estados numa energia E na
banda de condução. A segunda, por sua vez, é a densidade na banda de
valência.

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 Densidade de Estados
• Note que as densidades são nulas, respectivamente, para E = Ec e E = Ev. O
crescimento com a energia é na forma de uma raiz quadrada. Ambas as
densidades não são simétricas porque as massas efetivas dos portadores
não são idênticas.
• Note que gc(E)dE representa o número de estados da banda de condução
por cm3 entre E e E + dE (se E  Ec), e gv(E) representa o número de estados
da banda de valência por cm3 entre E e E + dE (se E  Ev). A unidade típica
é número / cm3 – eV.
• O slide a seguir traz um esboço (rudimentar) das funções.

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 Densidade de Estados

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 Função de Fermi
• A função de Fermi, f(E), traz uma informação adicional: qual é a proporção
de estados com energia E que estarão ocupados por um elétron a uma
temperatura T. Em outras palavras, a função especifica, em condições de
equilíbrio, a probabilidade de que um estado disponível com energia E
esteja ocupado por um elétron.
• Matematicamente, temos:

1
𝑓 𝐸 = 𝐸−𝐸𝐹
1+𝑒 𝑘𝑇

onde EF é a energia de Fermi ou nível de Fermi, k é a constante de Boltzmann

(8,62 x 10-5 eV/K) e T é a temperatura em kelvin.

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 Função de Fermi (Wikipedia)

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 Função de Fermi
• Se T  0 K, há duas situações: se E > EF, f(E) = 0; se E < EF, f(E) = 1.
• Se T > 0 K, tem-se que, quando E  EF + 3kT, exp[(E – EF)/kT] >> 1, e
f(E)  exp[-(E – EF)/kT]. Há, portanto, uma situação em que a maioria dos
estados estarão vazios.
• Se T > 0 K, tem-se que, quando E  EF - 3kT, exp[(E – EF)/kT] << 1, e
f(E)  1 - exp[(E – EF)/kT]. Há, portanto, uma situação em que a maioria dos
estados estarão ocupados.
• À temperatura ambiente, T = 300 K, kT = 0,026 eV e 3kT = 0,078 eV,
energias muito menores que o “gap” do silício.

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 Função de Fermi (Pierret)

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 Distribuição de Equilíbrio dos Portadores
• Estando de posse da densidade de estados disponíveis e da probabilidade
de ocupação dos mesmos em equilíbrio, podemos deduzir a distribuição
dos portadores nas suas respectivas bandas.
• Para tanto, basta multiplicar a densidade de estados adequada à
probabilidade apropriada.
• Para a banda de condução, o produto é gc(E)f(E).
• Por outro lado, gv(E)[1 – f(E)] corresponde à distribuição das lacunas na
banda de valência.

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 Distribuição de Equilíbrio dos Portadores
• As distribuições de portadores são nulas nos limites das bandas, atingem
um pico perto de Ec ou Ev, e decaem rapidamente para zero à medida que
se avança na respectiva banda. Em outras palavras, a maioria dos
portadores está agrupada na vizinhança dos limites das bandas.
• A posição do nível de Fermi também é importante. Quando ele está na
metade de cima do gap, há uma tendência de que os elétrons tenham
mais peso probabilístico que as lacunas. Quando ele está na metade de
baixo do gap, por outro lado, há uma predominância de lacunas. Quando
ele está no meio do gap, há uma certa equanimidade na distribuição
(supondo que gc e gv sejam equilibrados).

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 Distribuições (Pierret)

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 Distribuição e Níveis
• Para um material intrínseco, tem-se o nível de Fermi posicionado
aproximadamente no meio do “gap”. Daremos a esse nível o nome de Ei.
Isso está de acordo com o comentário de que as probabilidades de elétrons
e lacunas são praticamente iguais quando se tem o nível de Fermi dessa
maneira.
• Quando o nível de Fermi está acima de Ei, pode-se dizer, com imediata
intuição, que se trata de um material tipo n. Caso o nível esteja abaixo de
Ei, tender-se-á a um material tipo p.
• A figura a seguir ilustra isso.

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 Distribuição e Níveis – Caso Intrínseco

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 Distribuição e Níveis – Tipo n

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 Distribuição e Níveis – Tipo p

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 Concentrações de Equilíbrio
• Atacaremos agora o problema de uma perspectiva matemática, o que não
será fácil.
• O número total de elétrons na banda de condução é dada por:

𝐸𝑡𝑜𝑝
𝑛= 𝐸𝑐
𝑔𝑐 𝐸 𝑓 𝐸 𝑑𝐸

• O número total de lacunas na banda de valência é dada por:

𝐸𝑣
𝑝= 𝑔𝑣(𝐸) 1 − 𝑓(𝐸) 𝑑𝐸
𝐸𝑏𝑜𝑡𝑡𝑜𝑚

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 Concentrações de Equilíbrio
• Tem-se

𝐸𝑡𝑜𝑝
𝑚𝑛∗ 2𝑚𝑛∗ 𝐸 − 𝐸𝑐 𝑑𝐸
𝑛= 𝐸−𝐸𝐹
𝜋 2 ℎ3 𝐸𝑐 1+ 𝑒 𝑘𝑇
Considerando

𝐸 − 𝐸𝑐
 =
𝑘𝑇

𝐸𝐹 − 𝐸𝑐
𝑐 =
𝑘𝑇
Etop  

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 Concentração de Equilíbrio
• Chega-se a:

𝑚𝑛∗ 2𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇 3/2 ∞ /

1 2 𝑑
𝑛=
𝜋 2 ℎ3 0 1 + 𝑒 −𝐶
• A integral acima é tabelada, e é definida como integral de Fermi-Dirac de
ordem ½:
∞ /
1 2 𝑑
𝐹1 𝑐 =
2 0 1 + 𝑒 −𝐶

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 Concentração de Equilíbrio
• Definindo a densidade “efetiva” de estados da banda de condução e da banda de valência,

3/2
2𝜋𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇
𝑁𝐶 = 2
ℎ2

3/2
2𝜋𝑚𝑝∗ 𝑘𝑇
𝑁𝑉 = 2
ℎ2

• Chega-se a

2
𝑛 = 𝑁𝐶 𝐹1 ( )
𝜋 2 𝑐

2
𝑝 = 𝑁𝑉 𝐹1 ( )
𝜋 2 𝑣

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 Concentração de Equilíbrio
• Na expressão anterior, tem-se que:

𝐸𝑣 − 𝐸𝐹
𝑣 =
𝑘𝑇
• Para Ev + 3kT  EF  Ec – 3kT, podem-se utilizar as seguintes aproximações:

𝐸𝐹 −𝐸𝑐
𝑛= 𝑁𝐶𝑒 𝑘𝑇

𝐸𝑉 −𝐸𝐹
𝑝= 𝑁𝑉𝑒 𝑘𝑇

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 Concentração de Equilíbrio
• Quando Ev + 3kT  EF  Ec – 3kT, o semicondutor é dito não-degenerado.
Quando isso não ocorre, o semicondutor é dito degenerado.
• No caso não-degenerado, para um semicondutor intrínseco com EF = Ei, n = p =
ni, pode-se escrever:

𝐸𝑖 −𝐸𝑐 𝐸𝑣 −𝐸𝑖
𝑛𝑖 = 𝑁𝐶𝑒 𝑘𝑇 = 𝑁𝑉 𝑒 𝑘𝑇
• Assim,

𝐸𝐹 −𝐸𝑖
𝑛= 𝑛𝑖𝑒 𝑘𝑇

𝐸𝑖 −𝐸𝐹
𝑝= 𝑛𝑖𝑒 𝑘𝑇

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 Concentração de Equilíbrio
• Uma primeira relação é:

np = ni2
• E também

−𝐸𝐺
𝑛𝑖 = 𝑁𝐶𝑁𝑉𝑒 2𝑘𝑇

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 Neutralidade de Carga
• A relação de neutralidade de carga permite que se coloquem as
concentrações dos dopantes “em cena”.
• Consideremos um semicondutor dopado uniformemente, no qual o número
de átomos dopantes por centímetro cúbico seja o mesmo em qualquer
lugar. Analisando pequenas seções do material e assumindo condições de
equilíbrio, deve-se ter neutralidade de carga.
• A neutralidade requer que qp – qn + qND+ – qNA- = 0. Isso significa que
p – n + ND+ – NA- = 0. Supondo que, à temperatura ambiente, haja
ionização completa dos dopantes, tem-se que

p – n + ND – NA = 0

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 Cálculo de Concentrações
• Para um semicondutor intrínseco, tem-se n = p = ni.
• Para um semicondutor dopado com ND – NA  ND >> ni ou NA – ND  NA >>
ni, tem-se as duas situações abaixo (caso não-degenerado e ionização
total):

n  ND e p = ni2/ND, ND >> NA e ND >> ni

p  NA e n = ni2/NA, NA >> ND e NA >> ni

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 Determinação de Ei
• Num material intrínseco, temos n = p. Considerando EF = Ei,

𝐸𝑖−𝐸𝑐 𝐸𝑣 −𝐸𝑖
𝑁𝐶 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑁𝑉𝑒 𝑘𝑇
• Daí vem

𝐸𝑐 + 𝐸𝑣 3 𝑚𝑝∗
𝐸𝑖 = + 𝑘𝑇 𝑙𝑛
2 4 𝑚𝑛∗

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 Determinação do Nível de Fermi – Caso
Não-Degenerado, Ionização Plena
• Com ND >> NA e ND >> ni,

𝑁𝐷
𝐸𝐹 − 𝐸𝑖 = 𝑘𝑇 𝑙𝑛
𝑛𝑖
• E com NA >> ND e NA >> ni,

𝑁𝐴
𝐸𝑖 − 𝐸𝐹 = 𝑘𝑇 𝑙𝑛
𝑛𝑖

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