10 Semicondutores

BC1519 - Circuitos Elétricos e Fotônica
AULA 10
Semicondutores
Diodos
Eduardo Ferreira
eduardosantos.ferreira@ufabc.edu.br
1
Semicondutores – Silício Intrínseco

Observação: devido à sua maior utilização comercial e em pesquisa,
vamos tratar mais dos dispositivos fabricados de silício.
Representação 3D
da estrutura do
cristal de silício.
Um cristal de silício puro ou intrínseco tem uma estrutura com

organização atômica regular. Cada átomo partilha cada um de seus
quatro elétrons de valência com os átomos vizinhos. 2
2

Em temperaturas reduzidas
(~ 0 K)  ligações
covalentes quase completas
 sem elétrons livres (ou na
camada de condução).
Na temperatura ambiente (~ 300 K)

 algumas ligações covalentes
rompidas (ionização térmica) 
elétrons livres e lacunas (disponíveis
para a corrente elétrica). 3
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Portanto:
Considera-se que materiais semicondutores, como o Ge e o Si,
que apresentam uma redução da resistência elétrica com o
aumento da temperatura, possuem coeficiente de temperatura
negativo.
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Dizemos que:
• Lacuna (hole) é um portador carregado positivamente.
• Elétron é um portador carregado negativamente.
Ao processo de preenchimento de algumas lacunas com

elétrons dá-se o nome de recombinação.
Importante: em silício intrínseco, as concentrações de elétrons

e de lacunas são iguais.
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No equilíbrio térmico:
taxa de ionização = taxa de recombinação
concentração de elétrons livres = concentração de lacunas
A concentração intrínseca de portadores (elétrons/cm3 ou
lacunas/cm3), depende, fundamentalmente, da temperatura.
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Mecanismos pelos quais as lacunas e os elétrons se movem através
de um cristal de silício:
DIFUSÃO
associada ao movimento aleatório devido à agitação térmica
(ausência de fluxo líquido de carga – corrente elétrica)
A corrente devido à diferença de concentração de carga em duas

regiões do cristal é chamada de corrente de difusão
DERIVA
ocorre quando um campo elétrico é aplicado nas extremidades do
cristal de silício
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Exemplo de valores:
Estimativa da concentração de portadores (elétrons livres ou
lacunas por cm3) para um cristal de silício intrínseco à uma
temperatura ambiente de 300 K:
1,5x1010 portadores/cm3
Estimativa da relação entre o número de portadores e o

número de átomos de silício num volume de 1 cm3.
1 portador/trilhão de átomos de silício
Nota: 1 mol de Silício (6,02x1023 átomos) ocupa um volume de 12 cm3.

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Semicondutores – Silício Extrínseco (Dopado)

Semicondutores dopados
São materiais em que um dos tipos de portadores (elétrons ou
lacunas) predomina.
Silício dopado
Tipo-n  elétrons como portadores de carga majoritários
lacunas como portadores de carga minoritários
Tipo-p  lacunas como portadores de carga majoritários

elétrons como portadores de carga minoritários
Introdução de um pequeno número de átomos de impureza  dopagem

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Assim pode-se ter uma outra definição de semicondutor...

Material cujas propriedades podem ser modificadas pela
adição de determinados átomos (impurezas) em sua rede
cristalina.
Portanto, pode-se modificar a resistividade de um material
semicondutor apenas pela adição de uma quantidade de uma
determinada impureza.
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Como obter um cristal de silício do tipo-n?

Introduzir, como átomos de impureza, elementos pentavalentes
(5 elétrons na camada de valência)
Exemplos: arsênio, antimônio e fósforo

Estes elementos chamam-se
impurezas DOADORAS pois
doam um elétron extra para a
rede cristalina de silício.
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Como obter um cristal de silício do tipo-p?

Introduzir, como átomos de impureza, elementos trivalentes
(3 elétrons na camada de valência)
Exemplos: índio e boro

Estes elementos chamam-se
impurezas ACEITADORAS pois
aceitam um elétron da rede
cristalina de silício.
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O que ocorre se juntarmos os dois

cristais de silício dopado acima?
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O Diodo não Polarizado
o A região onde os cristais tipo-p e tipo-n são unidos chama-se junção.
o Esta junção pn é conhecida como diodo semicondutor.
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O Diodo não Polarizado
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O Diodo não Polarizado – Camada de Depleção

o Devido a repulsão mútua, elétrons livres no lado n difundem para o lado p.
o Quando um elétron livre sai da região n cria-se um átomo carregado
positivamente (um íon positivo) na região n.
o À medida que penetra na região p, o elétron livre:
- torna-se um portador minoritário e
- preenche uma lacuna (quando isto ocorre, a lacuna desaparece e o
átomo associado torna-se carregado negativamente  íon negativo).
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o À medida que o número de íons aumenta, a região próxima à junção esvazia-
se de elétrons livres e lacunas (depleção).
o A camada de depleção age como uma barreira dificultando a continuação da
difusão de elétrons livres através da junção.
o A largura da camada de depleção continua aumentando com cada elétron que
a atravessa até que se atinja uma condição de equilíbrio.
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Para uma junção pn com NA = 1017/cm3 e ND = 1016/cm3 a uma
temperatura ambiente T = 300 K:
- a tensão interna ~ V0 = 0,728 V
- a largura da região de depleção ~ Wdep = 0,32 mm
- as distâncias pelas quais ela se estende no lado p e no lado n
~ xn = 0,03 mm
~ xp = 0,29 mm
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Polarização Direta
o Na polarização direta, o terminal positivo da fonte é ligado ao material tipo-
p, e o terminal negativo ao material tipo-n.
o À medida que aumenta-se a d.d.p. da bateria a barreira de potencial
diminue e mais elétrons passam da região n para a região p.
Polarização direta Diagrama de Bandas de Energia 20

20
Polarização Direta
o A polarização direta pode produzir uma alta corrente elétrica.
o O negativo da fonte repele os elétrons livres da região n para a junção.
o Estes elétrons podem atravessar a junção e encontrar as lacunas.
o A recombinação ocorre em distâncias variáveis a partir da junção.
o À medida que os elétrons encontram as lacunas, eles se tornam elétrons
de valência.
o Como elétrons de valência, os elétrons continuam a se deslocar para a
esquerda através das lacunas no material p até ao positivo da fonte.
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Polarização Reversa
o Se você mudar a polarização da fonte CC, você colocará o diodo em
polarização reversa.
o Os elétrons livres na região n passam a se afastar da junção em direção
ao terminal positivo da fonte. As lacunas da região p também passam a se
deslocar da junção para o terminal negativo.
o Camada de depleção fica mais larga.
Polarização reversa Bandas de energia. 22

22
o A energia térmica cria continuamente um número limitado de elétrons livres
e de lacunas de ambos os lados da junção, originando os portadores
minoritários.
o A corrente reversa produzida pelos portadores minoritários é chamada
corrente de saturação e é designada por IS.
o Somente um aumento de temperatura pode aumentar IS.
o Com base na experiência, para os diodos de silício, IS tem o seu valor
quase dobrado a cada aumento de 10ºC na temperatura.
o Exemplos:
O valor de IS será 5 nA a 25ºC, 10 nA a 35ºC, 20 nA a 45ºC, ...
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o A corrente de fuga superficial IFS é produzida por impurezas da superfície
que criam trajetos ôhmicos para a corrente.
o A corrente reversa IR é a soma das corrente IS e IFS.
o É especificada para um dado valor de tensão reversa VR e à temperatura
ambiente TA.
o Como IS varia com a temperatura e IFS com a tensão, IR varia com a
temperatura e com a tensão.
o Exemplo:
no diodo lN914, a corrente IR é de 25 nA para uma tensão reversa
VR = 20 V à temperatura ambiente TA = 25ºC. Se aumentar ou a temperatura
ou a tensão, a corrente reversa aumenta.
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Tensão de Ruptura
o Se aumentar-se muito a tensão reversa, pode-se atingir a tensão de

ruptura do diodo (VBR).
o Devido à polarização reversa, o elétron livre é empurrado para a direita.
o Quanto maior a polarização reversa, mais rápido desloca-se o elétron (o
que equivale a um ganho de energia). Isto causa a corrente de avalanche.
o Por causa do grande número de elétrons livres, o diodo conduzirá
intensamente e será danificado pela excessiva potência dissipada.
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Simbologia
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Aproximações do Diodo
o Primeira Aproximação - O Diodo Ideal
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27
o Segunda aproximação
28
28
o Terceira aproximação
29
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A Curva Característica do Diodo
 VkTD 
I D  I S  e  1
 
 
n=1 p/ Ge e n=2 p/ Si
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30
Exercícios e Questões
1) Em que consiste um semicondutor tipo-n?
2) Cite ao menos duas características importantes de um cristal
semicondutor.
3) Em que consiste o bandgap?
4) Porque as impurezas pentavalentes são chamadas de doadoras e as
impurezas trivalentes são chamadas de aceitadoras?
5) Quais os mecanismos pelos quais as lacunas e os elétrons se movem
através de um cristal de silício?
31
31
6) Determine a corrente I para o circuito da Figura com VS = 5 V e

RS = 1 k. Assuma que a queda de tensão no diodo é de 0,7 V.
32
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7) Determine a corrente ID para o circuito da Figura, tendo-se

os valores VDD = 5 V, R = 1 k, rD = 20  e VD0 = 0,65 V.
33
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8) Uma fonte de tensão de 8 V leva o diodo a ter um resistor limitador de
corrente de 100 . Nesta situação, a tensão no diodo é de 0,75 V. Qual é a
corrente de operação do diodo?
9) Esboce o gráfico I – V do exercício anterior.
10) Levando em consideração a curva característica de um diodo, explique
de forma concisa a sua operação.
11) A tensão VS é de 9 V e a resistência RS é de 1 k  (figura abaixo).
Calcule a corrente através do diodo.
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Semicondutores – Silício Intrínseco

Um cristal de silício puro ou intrínseco tem uma estrutura com

Semicondutores – Silício Intrínseco

Na temperatura ambiente (~ 300 K)

Semicondutores – Silício Intrínseco

Considera-se que materiais semicondutores, como o Ge e o Si,

que apresentam uma redução da resistência elétrica com o

aumento da temperatura, possuem coeficiente de temperatura

Semicondutores – Silício Intrínseco

Ao processo de preenchimento de algumas lacunas com

Importante: em silício intrínseco, as concentrações de elétrons

Semicondutores – Silício Intrínseco

taxa de ionização = taxa de recombinação

concentração de elétrons livres = concentração de lacunas

A concentração intrínseca de portadores (elétrons/cm3 ou

lacunas/cm3), depende, fundamentalmente, da temperatura.

Semicondutores – Silício Intrínseco

Semicondutores – Silício Intrínseco

A corrente devido à diferença de concentração de carga em duas

Semicondutores – Silício Intrínseco

temperatura ambiente de 300 K:

Estimativa da relação entre o número de portadores e o

1 portador/trilhão de átomos de silício

Nota: 1 mol de Silício (6,02x1023 átomos) ocupa um volume de 12 cm3.

Semicondutores – Silício Extrínseco (Dopado)

Tipo-p  lacunas como portadores de carga majoritários

Introdução de um pequeno número de átomos de impureza  dopagem

Semicondutores – Silício Extrínseco (Dopado)

Assim pode-se ter uma outra definição de semicondutor...

Semicondutores – Silício Extrínseco (Dopado)

Como obter um cristal de silício do tipo-n?

Exemplos: arsênio, antimônio e fósforo

Semicondutores – Silício Extrínseco (Dopado)

Como obter um cristal de silício do tipo-p?

Exemplos: índio e boro

Semicondutores – Silício Extrínseco (Dopado)

O que ocorre se juntarmos os dois

O Diodo não Polarizado

o A região onde os cristais tipo-p e tipo-n são unidos chama-se junção.

o Esta junção pn é conhecida como diodo semicondutor.

O Diodo não Polarizado

O Diodo não Polarizado – Camada de Depleção

O Diodo não Polarizado – Camada de Depleção

O Diodo não Polarizado – Camada de Depleção

Para uma junção pn com NA = 1017/cm3 e ND = 1016/cm3 a uma

temperatura ambiente T = 300 K:

- a tensão interna ~ V0 = 0,728 V

- a largura da região de depleção ~ Wdep = 0,32 mm

- as distâncias pelas quais ela se estende no lado p e no lado n

Polarização direta Diagrama de Bandas de Energia 20

Polarização reversa Bandas de energia. 22

o Se aumentar-se muito a tensão reversa, pode-se atingir a tensão de

o Primeira Aproximação - O Diodo Ideal

A Curva Característica do Diodo

1) Em que consiste um semicondutor tipo-n?

2) Cite ao menos duas características importantes de um cristal

3) Em que consiste o bandgap?

4) Porque as impurezas pentavalentes são chamadas de doadoras e as

impurezas trivalentes são chamadas de aceitadoras?

5) Quais os mecanismos pelos quais as lacunas e os elétrons se movem

através de um cristal de silício?

6) Determine a corrente I para o circuito da Figura com VS = 5 V e

7) Determine a corrente ID para o circuito da Figura, tendo-se