Aula 02

Semicondutores
Agenda
• Condutividade elétrica
• Elementos semicondutores
• Semicondutores intrínsecos
• Dopagem: semicondutores extrínsecos
• Semicondutores tipo N e tipo P
• Diagramas de bandas de energia
• Junção PN
Condutividade elétrica
Condutividade
Material
elétrica (S/m)
8
Cobre 10
Metais Ferro
Mercúrio 10
6 Condutores
(ligação metálica) Germânio 10
4

dopado 2
10
Germânio
Semimetais 10
0

Polímeros Silício 10
-2 Semicondutores
Cerâmicas 10
-4

(ligação covalente) Grafita 10

-6

-8
10
Concreto -10
Polímeros 10
Polietileno -12
Cerâmicas Alumina, Vidro
10 Isolantes
-14
(ligações covalente Diamante 10
-16
e iônica) Poliestireno 10
-18
Sílica 10
Elementos semicondutores
Configuração Eletrônica
Camadas Eletrônicas do Si
Ligação Química Covalente
Excitação Térmica
Propriedades eletrônicas de semicondutores
intrínsecos
Camadas Eletrônicas do B
Ligação Química Covalente
Configuração eletrônica de elementos do
grupo 13 (IIIA)
Propriedades de Metais
Camadas Eletrônicas do As
Ligação Química Covalente
Bandas de Energia

3p 3p
3p

"Gap"

3s
3s 3s

Nível eletrônico Níveis eletrônicos

Níveis eletrônicos formando
para um átomo para cinco átomos
faixas quase contínuas de
energia para um número
muito grande de átomos
 Bandas de Energia

Bandas de energia para o diamante versus constante da rede

Bandas de Energia
Diagrama de bandas de energia
Diagrama de bandas de energia
Bandas de Energia de Semicondutores

Germânio Silício GaAs

Bandas de Energia de Semicondutores
Bandas de Energia
Energias do gap da banda proibida a 300 K para alguns
materiais semicondutores importantes.

Cristal EG (eV)
Ge 0,66
Si 1,12
GaAs 1,43
InSb 0,18
InP 1,29
Bandas de Energia de Semicondutores

Relação empírica entre Eg e temperatura:

Efeito Hall
i
B

+
Desvio dos -
 buracos - -

-
+
Desvio dos
+ + elétrons livres -
+ L z

i y

VH x

-
Efeito Hall
Resistência Hall
EY: campo elétrico transversal
A: área de seção transversal
i: corrente
B: densidade de fluxo magnético
Tensão Hall

: espessura

Mobilidade Hall:
Elétrons negativos
orbitam o núcleo.
Elétron de valência Possui 29 prótons.

Possui 29 elétrons.
Sua carga = 0.
Elétron de valência

O elétron de valência é uma característica importante.

 Um modelo simples de átomo de cobre tem esta aparência:

O elétron de valência

O núcleo mais a órbita interna do elétron

 Lembre-se que a atração dos elétrons em relação ao núcleo é fraca.

O fio de cobre é usado para conduzir eletricidade porque os elétrons de

valência movem-se livremente pela sua estrutura.
Sabemos que a valência de elétron único do cobre faz dele um bom condutor.

A regra de oito mostra que um material como este poderia ser estável desde
que sua órbita de valência esteja cheia.

Sem espaçamento

Ele age como um isolante elétrico .

 Quiz sobre átomos

▪ núcleo
A parte densa e central de qualquer átomo é chamada de ________.

▪ A carga do átomo é 0 já que o número de prótons é igual ao número de

elétrons
________.

▪ A órbita mais ao exterior de todos os átomos é chamada de órbita de

valência
________

▪ elétrons de valência livres.

Bons condutores elétricos ________

▪ O número "mágico" para a estabilidade de valência é ________.

oito
Átomos do mesmo tipo podem se juntar e formar ligações covalentes.

Este é um processo de troca entre elétrons.

Átomos de silício possuem quatro elétrons de valência.

 A troca covalente satisfaz a regra de oito.
Nesta estrutura, uma ligação é formada com cada vizinho.
 Este é um cristal de silício.

Ele não conduz porque elétrons de valência são capturados

por ligações covalentes.
Ligações covalente podem ser quebradas ao se aquecer um cristal de silício.

Lacuna
Portadores
Elétron livre térmicos
Aquecer cristais de silício para que eles possam conduzir não é prático!
Um cristal de silício pode ser dopado com uma impureza doadora.

5 Elétron livre
1 4

2 3
Cada átomo doador que entra no cristal adiciona um elétron livre.
O silício que tenha sido dopado com arsênico é chamado de tipo N.

Os elétrons em silício de tipo N suportam o fluxo da corrente.

Um cristal de silício pode ser dopado com uma impureza aceitadora.

Lacuna
1
Isto é um átomo de boro.
2 3
Cada átomo aceitador que entra no cristal cria um buraco.
O silício que tiver sido dopado com boro é chamado de tipo P.

As lacunas em um silício de tipo P suportam o fluxo da corrente.

 Quais são dois métodos práticos de
se fazer silício semicondutor?

Elétron livre Lacuna

(Tipo N) (Tipo P)

Adicione uma impureza

pentavalente.
Adicione uma impureza
trivalente.
 Este é um cristal tipo P.

Devido ao calor, pode possuir alguns elétrons livres.

Estes são chamados portadores minoritários.
 Este é um cristal tipo N.

Devido ao calor, pode possuir algumas lacunas.

Estes são chamados portadores minoritários.
 O silício é o principal material da indústria de semicondutores,
mas compostos semicondutores contribuem em áreas específicas.

▪ Arseneto de gálio (GaAs)

▪ Nitreto de gálio (GaN)
▪ Fosfeto de índio (InP)
▪ Telureto de cádmio (CdTe)
▪ Carbeto de silício (SiC)
▪ Sulfeto de cádmio (CdS)
Esta tela de Kodak usa diodos emissores de luz orgânicos.
 Quiz sobre semicondutores
isolante
▪ Um cristal de silício puro, a temperatura ambiente, age como um ________
elétrico.

elétrons
▪ Os portadores de corrente, em silício de tipo N, são chamados ________.

▪ Os portadores de corrente, em silício de tipo P, são chamados ________.

buracos

▪ Os portadores minoritários, em silício de tipo N, são chamados ________.

buracos

elétrons
▪ Os portadores minoritários, em silício de tipo P, são chamados ________.
 Revisão

▪ Condutores e isolantes
▪ Semicondutores
▪ Semicondutores tipo N
▪ Semicondutores tipo P
▪ Portadores majoritários e
▪ minoritários