BANCO DE MEMÓRIA (MEMORY BANK)

Slot ou grupo de slots que têm que ser preenchidos com módulos de memória do mesmo tipo e com a
mesma capacidade.

BIT
Um BIT (do inglês BInary digiT) é a porção de informação mais pequena que um computador
consegue reconhecer. Pode ser representado logicamente por um 0 (zero) ou um 1 (um).

BUFFER
Área de transferência de dados partilhada por dispositivos de Hardware ou processos de programas que
trabalham com velocidades ou prioridades diferentes. O Buffer compensa diferenças de taxas de fluxo
de dados ou de sincronia de eventos na transmissão entre dispositivos, permitindo que
dispositivos/processos mais rápidos operem sem os atrasos de dispositivos/processos mais lentos.

BUFFERED REGISTERED E UNBUFFERED DIMMS

Dimms Buffered e Registered utilizam, respectivamente, buffers ou registos para redireccionar os
sinais eléctricos nos módulos de memória melhorando a qualidade do sinal e reduzindo a carga sobre o
bus do sistema. Os Buffers são usados em Dimms DRAM (FPM / EDO) enquanto que os registos são
usados em Dimms SDRAM. Dimms Unbuffered especificam Dimms sem buffer ou sem registos.
Os Dimms Registered/Buffered não podem ser misturados com Dimms Unbuffered.

BUS
Conjunto de linhas de comunicação presentes na motherboard que funcionam como uma ligação
comum entre vários dispositivos (memória, processador e dispositivos de input/output).

BUS WIDTH
Indica a largura de banda do bus de dados, ou seja, o número de bits de dados que podem ser escritos
ou acedidos simultaneamente. Normalmente o Bus Width da DRAM são 32,36,40,64,72 ou 80 bits.

BYTE
Conjunto de 8 bits (ver Bit). Constitui a unidade básica de medida da linguagem de computadores.

CACHE (MEMÓRIA CACHE)

Tipo de memória especial (geralmente SRAM) de alta velocidade instalada perto do processador. Esta
memória é projectada para guardar e fornecer ao CPU as instruções e dados acedidos mais
frequentemente tornando assim mais rápido o seu acesso. Existem geralmente 2 tipos de cache: a nível
1 situada no próprio processador e a nível 2 situada na motherboard.

CAS
Os bits são armazenados na memória em células de uma matriz que correspondem à intercepção de
colunas com linhas. O CAS (Column Address Strobe) corresponde a um sinal enviado à DRAM a
indicar que deverá aceitar um determinado endereço como o endereço de coluna que juntamente com o
endereço de linha corresponderá ao endereço de uma célula da matriz de memória.

CAS LATENCY
Cas Latency é um parâmetro que indica o período de tempo que passa desde o pedido de leitura de
dados até os dados estarem efectivamente disponíveis para leitura na memória. Há dois níveis de Cas
Latency, o CL2 (o mais rápido) e o CL3, que correspondem ao número de ciclos de relógio necessários
para a informação estar disponível.

CLOCK RATE
O número de impulsos de relógio emitidos pelo computador em cada segundo. Este número é
especificado em MHz (MegaHertz) e determina a velocidade a que os processos lógicos ou aritméticos
serão executados pelo processador.

DDR (DOUBLE DATA RATE MEMORY)

A DDR SDRAM é a mais recente geração de tecnologia SDRAM em que os dados são lidos/acedidos 2
vezes em cada ciclo de relógio, duplicando a velocidade de transferência relativamente à SDRAM
standard. Neste tipo de memória são utilizados módulos de dimensões semelhantes aos SDRAM
standard, mas com 184 pinos. Existe em 2 velocidades: PC1600 (DDR 200MHz. – 1,6GB/seg.) e
PC2100 (DDR 266MHz. – 2,1GB/seg.).

DIMM (DUAL IN-LINE MEMORY MODULE)

Módulo cujos pinos que estão nos lados opostos da placa não estão ligados (ao contrário dos SIMMs)
constituindo assim dois contactos distintos. Os DIMMs mais usuais possuem 168 pinos dourados e
suportam transferência de dados a 64 bits.

DRAM (DYNAMIC RAM)

A memória RAM dinâmica é a memória principal de um computador. Nas DRAM a informação é
armazenada sob a forma de uma série de cargas de condensador. Os condensadores descarregam-se um
milisegundo após terem sido carregadas electronicamente e têm de ser refrescados para manterem a
carga. Esta renovação permanente é a razão da utilização do termo “dinâmico”.

ECC (ERROR CORRECTION CODE - CÓDIGO DE

CORRECÇÃO DE ERROS)
ECC é uma funcionalidade que verifica “on the fly” a integridade dos dados que são lidos ou escritos
em memória. Permite a detecção de erros de vários bits e a detecção + correcção no caso de erros
“single bit”.
Embora torne mais lento o processo de leitura/escrita de dados em memória, é recomendada a sua
utilização em sistemas que necessitem de uma boa tolerância a falhas (Servers, Data Centers, etc.).

EDO DRAM (EXTENDED-DATA-OUT)

A EDO é um tipo de DRAM que reduz o tempo de leitura entre o CPU e a memória. Essencialmente
reconhece que, na maior parte das vezes em que o CPU pede um determinado endereço à memória, vai
pretender aceder a alguns endereços vizinhos adicionais. Em vez de obrigar cada acesso de memória a
começar do zero, a memória EDO mantém-se nas imediações do endereço pedido anteriormente, o que
acelera o acesso dos endereços vizinhos.
A EDO melhora os tempos de acesso à memória em cerca de 10% a 20% em relação à FPM DRAM.

FPM DRAM (FAST PAGE MODE)

Um dos primeiros tipos de DRAM. Foi utilizada desde os primeiros PC’s até aos 486. Permitia um
acesso a endereços de uma mesma linha de memória, sem ter de repetidamente especificar o mesmo
endereço de linha, acelerando o acesso.
MEMÓRIA GENÉRICA
A memória genérica é concebida de modo a trabalhar com uma grande variedade de sistemas que têm
uma configuração semelhante. Também poderá ser usada na maioria dos sistemas sem marca também
chamados de “linha branca”. Não é aconselhável utilizar memórias genéricas em sistemas cujo
fabricante aconselha memórias específicas. Caso contrário corre-se o risco de causar mau desempenho
ou erros no sistema.

GIGABYTE (GB)
1 GB = 1.024 Megabytes = 1.073.741.824 Bytes

INTERLEAVING
Interleaving é um conjunto de técnicas que permitem aumentar o desempenho da memória. Para que
funcione o sistema do computador terá de ter um número par de chips de DRAM.
Como os Dimms só podem processar memória em blocos de 64 bits, quando é necessário processar
blocos de dados maiores, o Interleaving divide-os em blocos de 64 bits que são guardados em módulos
diferentes, permitindo posteriormente a leitura em simultâneo de vários blocos de dados a partir de
vários módulos.

JEDEC (JOINT ELECTRONIC DEVICE ENGINEERING

COUNCIL)
Organização responsável pela regulamentação e definição de standards em dispositivos electrónicos
semicondutores, incluindo módulos de memória.

LEAD
Pontos de contacto existentes no limite físico de um módulo de memória, no lado que encaixa e faz o
contacto (através do socket) com o sistema. São normalmente prateados ou dourados, e também tomam
o nome de Pinos.
MEGABIT (Mb)
1 Mb = 1.024 Kilobits = 1.048.576 bits

MEGABYTE (MB)
1 MB = 1.024 Kilobytes = 1.048.576 Bytes

MEMÓRIA ESPECÍFICA
São módulos concebidos para modelos específicos de determinadas marcas como a IBM, Compaq, etc.,
e que satisfazem as especificações exigidas por esses mesmos fabricantes para essas máquinas.

MÓDULO DE MEMÓRIA
Um módulo de memória é uma pequena placa de circuito impresso com vários circuitos integrados
soldados na sua superfície. Estes módulos encaixam em sockets situados na placa-mãe da máquina e
são construídos/fabricados com configurações diferentes consoante a sua capacidade, velocidade de
processamento e tipo de memória. Comunicam com a placa-mãe através de contactos eléctricos que
passam dos seus Pinos (Leads) para o respectivo socket em que se encontram.
A configuração dos sockets que suportam as memórias varia de sistema para sistema. A configuração
de um módulo de memória define a posição dos seus contactos e tamanho do módulo.
Algumas configurações típicas são:
SIMM – Single In-Line Memory Module – Módulo em cujos pinos estão colocados nos dois lados da
placa/módulo e soldados de forma a constituírem um só contacto eléctrico. Os SIMMs mais usuais
possuem 72 pinos.
DIMM – Dual In-Line Memory Module – Módulo cujos pinos que estão nos lados opostos da placa
não estão ligados (ao contrário dos SIMMs) constituindo assim dois contactos distintos. Os DIMMs
mais usuais possuem 168 pinos dourados.
SODIMM – Small Outline Dual In-Line Memory Module – É um DIMM mais pequeno (2,35” em vez
de 4 _”), criado essencialmente para computadores portáteis. Possuem normalmente 72 pinos (32bits)
ou 144 pinos (64bits).
RIMM – Rambus In-Line Memory Module – Módulos semelhantes aos DIMMs mas com contagem de
pinos (contactos) diferente. Estes módulos possuem 184 pinos e os chips estão cobertos por 2 placas de
alumínio com vista a dissipar o calor.

NANOSEGUNDO (NS)
10 segundo.

NVRAM (NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY)

NVRAM é um tipo de memória RAM não volátil onde os dados ficam guardados apesar da máquina
ter sido desligada ou perdido energia.

PARIDADE
Em computadores PARIDADE refere-se à técnica que permite controlar se houve perdas na passagem
de informação de um local de armazenamento para outro ou durante a transmissão de dados entre
computadores.
A detecção de erros é feita acrescentando 1 bit extra a cada byte de dados. Esta detecção de erros não é
infalível pois apenas consegue detectar erros se um só bit estiver errado.

PCB (PRINTED CIRCUIT BOARD)

Placa de circuito impresso onde são soldados os chips e outros componentes electrónicos. Consiste
numa placa plana composta por várias camadas de fibra-de-vidro ou plástico e trilhas de material
condutor (geralmente cobre) formando um conjunto de ligações eléctricas entre os componentes.

PINO
No caso dos módulos de memórias pinos são os contactos que existem no extremo do módulo. Ver
também Lead.

PRESENCE DETECT (DETECÇÃO DE PRESENÇA)

É o que permite ao computador reconhecer que tipo de memória tem instalada. O computador
identifica a velocidade, densidade, ECC, Paridade e outras características da memória através de
informações que lê a partir do módulo. Existem 2 tipos de presence detect: o SPD (Serial Presence
Detect) e o PPD (Parallell Presence Detect).

RAM (RANDOM ACESS MEMORY)

Num computador, RAM corresponde a uma matriz de endereços de memória onde podem ser
armazenados o sistema operativo, programas e dados que estão a ser usados, de forma a serem lidos
mais rapidamente pelo processador. A leitura/escrita de dados em memória é muito mais rápida do que
em outros dispositivos de armazenamento como o Disco Rígido, o CDRom, drive de disquetes, etc.
A RAM é uma memória do tipo volátil , ou seja, a informação só permanece em memória enquanto o
computador permanecer ligado. Quando este é desligado a RAM perde toda a sua informação. Quando
o tornam a ligar o sistema operativo e os dados são de novo carregados na RAM (normalmente vindos
do disco duro).

RAS
Os bits são armazenados na memória em células de uma matriz que correspondem à intercepção de
colunas com linhas. O RAS (Row Address Strobe) corresponde a um sinal enviado à DRAM a indicar
que deverá aceitar um determinado endereço como o endereço de linha que juntamente com o endereço
de coluna corresponderá a um endereço de uma célula da matriz de memória.

RDRAM (RAMBUS DRAM)

Arquitectura de memória desenvolvida e patenteada pela Rambus, Inc. Utiliza um canal de
comunicações (bus) especifico com 2 bytes (16 bits) de largura de banda que consegue transmitir dados
a uma velocidade máxima de 800MHz, podendo atingir taxas de transferência de 1.6 GBytes por
segundo.

REFRESH
Processo de re-alimentação eléctrica das células de memória para impedir que o conteúdo das mesmas
se perca. Ocorre em intervalos específicos de tempo.

REFRESH RATE
Corresponde ao número de linhas (em milhares) da matriz de memória que são “actualizadas” por cada
ciclo de relógio. Os valores mais usuais são 2k, 4k e 8k.

RIMM – RAMBUS IN-LINE MEMORY MODULE

Módulos semelhantes aos DIMMs mas com contagem de pinos (contactos) diferente. Estes módulos
possuem 184 pinos e os chips estão cobertos por 2 placas de alumínio com vista a dissipar o calor.

SDRAM (SYNCHRONOUS DRAM)

Tipo de DRAM que utiliza um relógio para sincronizar os sinais que entram e saem da memória. Este
relógio está sincronizado com o relógio do CPU por forma a evitar tempos de espera na transferência
de dados. PC66, PC100 e PC133 são designações de memórias SDRAM que funcionam a 66MHz,
100MHz e 133MHz respectivamente.

SIMM (SINGLE-IN-LINE-MEMORY-MODULE)
Módulo de memória em cujos pinos estão colocados nos dois lados da placa/módulo mas soldados de
forma a constituírem um só contacto eléctrico. Os SIMMs mais usuais possuem 72 pinos.

SODIMM (SMALL OUTLINE DUAL IN-LINE MEMORY MODULE)

É um DIMM mais pequeno (2,35” em vez de 4 _”), criado essencialmente para computadores portáteis.
Possuem normalmente 72 pinos (32bits) ou 144 pinos (64bits).

SRAM (STATIC RAM)

SRAM é um tipo de RAM que retém os bits em memória enquanto estiver alimentada electricamente.
Ao contrário da DRAM, não necessita de ser constantemente actualizada e é bastante mais rápida, mas
também bastante mais cara. É normalmente utilizada como memória Cache.
VRAM (VIDEO RAM)
VRAM refere-se a todos os tipos de RAM usados para armazenar informações gráficas de uma placa
gráfica.