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Guião 3
Turma 1DE
Docente
Eduardo Carvalho
José Resende
Hannah Bittar – 1191880
Unidade Curricular
Luis Peixoto - 1201245
Eletrónica
05 de maio de 2021
Índice
Introdução...................................................................................................................... 2
Simulação e análise do circuito......................................................................................2
Situação A.................................................................................................................. 2
Situação B.................................................................................................................. 4
Montagem e análise do circuito.....................................................................................5
Situação A.................................................................................................................. 5
Situação B.................................................................................................................. 5
Conclusão...................................................................................................................... 6
Referência bibliográfica.................................................................................................6
Figura 1:Construção física dos dois tipos de transístores bipolares de junção: o tipo
NPN (a) e o PNP (b)......................................................................................................2
Figura 2: Símbolos usados para representar transístor NPN (a) e PNP (b)...................2
Figura 3: Circuito de polarização...................................................................................2
Figura 4: Circuito para pequenos sinais.........................................................................4
Figura 1:Construção física dos dois tipos de transístores bipolares de junção: o tipo NPN (a) e o PNP (b)
Figura 2: Símbolos usados para representar transístor NPN (a) e PNP (b)
Situação A
β
(1) α=
β+ 1
(2) I C =α I E
(3) I C =β I B
Tabela 3: equações para análise de um transístor no modo ativo
R2∗V BB
V Th =
R 1 + R2
V Th =1,8V
RTh =R1 /¿ R 2
RTh =1803,3Ω
Usando as equações (1), (2) e (3) na equação acima (4), obtêm-se os dados
solicitados para análise que são apresentadas na tabela 4:
Situação B
V1 0 19,992m 5000
Ganho em tensão:
V 4 pp 3,041
A v= =
V 1 pp 19,922∗10−3
A v =152,65V /V
Multímetro
Situação B
V1
V2
V3
V4
Tabela 8: Valores obtidos com o osciloscópio
Ganho em tensão:
É obtido através da razão entre a tensão de entrada e tensão de saída, assim temos:
V 4 pp
A v= =¿
V 1 pp
A v =V 4 /V 1
Conclusão
O regime de funcionamento dos transístores pode ser estabelecido através da relação
entre as tensões em seus terminais. Os valores encontrados estabelecem que
VC > VB > VE, o que indica que a junção base-emissor está diretamente polarizada e a
junção está reversamente polarizada, caracterizando o modo ativo.
Referência bibliográfica
Boylestad, R., Nashelsky, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, 11ª ed,
Prentice-Hall do Brasil, 2013.