Trabalho de fsica

ndice
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1 Introduo
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1.1 Contexto geral 1.2 Contexto avanado

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1.3 Ilustrao do conceito para compartimento monodimensional quadrado 1.4 O caso tridimensional 1.5 Energias de Fermi tpicas
o o

1.6 Ans brancas 1.5 Ncleos

2 Estatistica de fermi dirac em semicondutor 2.1 interpretacao fsica 2.2 funcao estatstica de ocupacao dos estados quanticos
y

3. Nvel de Fermi 4. transporte nos semicondutores: efeito da temperatura e dopagem

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Introduo E i i

A Energia de Fermi t i. Contexto geral A t i i t i i f i A t E t t E i it lt A ti i i l , i l f i l l i l i t t li it l f i i i i-i t i i i i t j i lt lt i i t t t l lifi , t i l t i i i , hi , ifi t t . i i t z . S t

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Contexto avanado

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Out fi i ui l t i li iz ue energi e ermi rresponde o potenci l eletroqumico do sistema na temperatura de zero absoluto. Uma extenso a temperaturas maiores evidente, e a energia de ermi corresponde assim ao potencial eletroqumico do sistema na temperatura considerada. A energia de ermi expressa, portanto, qual seria a variao da energia interna total do slido, considerado sempre como sistema isolado e em equilbrio termodinmico, caso um eltron fosse dele removido. Sendo E total a energia total do sistema no estado neutro, em seu equilbrio termodinmico, e E - total a energia total do sistema tambm em seu novo equilbrio termodinmico mas aps a remoo do eltron, temos que:

as definies acima, o nvel de referncia o nvel de menor energia disponvel aos eltrons, e a remoo de um eltron provoca, ento, a reduo da energia do sistema. este referencial a energia de ermi , portanto, positiva, bem como o potencial eletroqumico. Quando dois materiais diferentes so colocados em contato, a condio de equilbrio termodinmico exige que as suas energias de Fermi sejam iguais. Se as energias de ermi fossem diferentes, a passagem de um eltron do slido com maior energia de ermi para o slido com menor energia de ermi resultaria em uma diminuio da energia total do sistema e o sistema composto no estaria, ento, em sua configurao de equilbrio, a de mnima energia, conforme exigido pelas leis da termodinmica. Este fato d origem a u m fenmeno conhecido por diferena de potencial de contato que encontra diversas aplicaes prticas, a saber na eletrnica de estado s lido (juno P ) e no uso do metal de sacrifcio em navios.

Ilustrao do onceito para compartimento monodimensional quadrado A monodimensional compartimento quadrado infinito um modelo para uma caixa mono dimensional. um sitema modelo padro em mecnica quntica para o qual a soluo para uma partcula isolada bem conhecido. Os nveis so marcados por um nico nmero quntico n e as energias so dadas por . Suponha-se agora que em vez de uma partcula nesta caixa ns temos partculas na caixa e que estas partculas so frmions com spin / . Ento somente duas partculas podem ter a mesma energia i.e. duas partculas podem ter a energia de , ou duas partculas podem ter energia E = E e assim por diante. A razo que duas partculas podem ter a mesma energia que uma partcula de spin / pode ter um spin de / (spin "acima") ou um spin de - / (spin "abaixo"), conduzindo a dois estadois para cada nvel de energia. Quando ns olhamos na energia total deste sistema, a configurao para as quais a energia total a menor (o estado fundamental), a configurao onde todos os nveis de


E =E

total

-E

total

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energia acima de n= / esto ocupados e todos os nveis mais altos esto vazios. A energia de ermi consequentemente . O caso tridimensional O caso tridimensional isotrpico conhecido como a esfera de Fermi. Deixe-nos agora considerar uma caixa cbica tridimensional que tem um lado de comprimento L (ver compartimento quadrado infinito ). Este torna-se uma muito boa aproximao para descrever eltrons em um metal. Os estados agora so marcados po trs nmeros qunticos nx, ny, e nz. As energias da partcula isolada so nx, ny, nz so inteiros positivos.

Agora deixemos colocar-se

frmions no interativos de spin / nesta caixa. Para calcular grande . rnto cada estado quntico

a energia de ermi, ns veremos no caso de que Se ns introduzios um vetor

corresponde a um ponto num "n-espao" com energia

O nmero de estados com energia menor que E f igual ao nmero de estados que residem em uma esfera de raio na regio do "n-espao" onde n x, ny, nz so positivos. o estado bsico este nmero iguala o nmero de frmions no sistema.

Os trs frmions que ocupam os mais baixos estados de energia formam umaesfera em espao de momento. A superfcie desta esfera a superfcie de ermi.

Existem mltiplos estados com a mesma energia, por exemplo E

00

= E0

= E00 .

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o fator de dois novamente porque so doisestados de spin, o fator de /8 porque somente /8 da esfera repousa na regio onde todos n so positivos. s obtemos

ento a energia de ermi dada por

Tais resultados em uma relao entre a energia de ermi e o nmero de partculas por volume (quando ns substitumos L com V / ):
 

A energia de ermi total de um esfera de fermi de N0 frmions dada por

Energia de ermi total:

Integrao por substituio:

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A eliminao de L em favor de V:


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Energias de Fermi tpicas Ans brancas Estrelas conhecidas como ans brancas tem massa comparvel a nosso Sol, mas tm um raio aproximadamente 00 vezes menor. As alta densidades implicam que os eltrons esto no mais ligados a um ncleo isolado e formam um gs de eltrons degenerado. Os nmeros da densidade de eltrons em uma an branca so da ordem de 0 eltrons/m3. Isto significa que sua energia de ermi :


Ncleos Outro exemplo tpico as partculas em um ncleo de um tomo. Os ncleons de um ncleo atmico pode ser tratado, assim, como um gs de ermi e como tal, modelado. [ O raio do ncleo aproximadamente [3]:


onde A o nmero de ncleons.

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Estatstica de Fermi-Dirac

Distribuio Fermi-Dirac como uma funo de / num grfico para diferentes. Ocupando transies so derivveis a mais altas temperaturas.

temperaturas

A estatstica de Fermi-Dirac uma estatstica quntica que rege as partculas de spin semi-inteiro, os frmions. Leva o nome de dois eminentes fsicos: Enrico ermi e Paul Adrien Maurice Dirac. ormulao matemtica A distribuio de ermi-Dirac dada por

Onde: ni o nmero mdio de partculas no estado de energia gi a degenerao do estado i-simo

i i.

a energia no estado i -simo o potencial qumico

T a temperatura kB a constante de Boltzmann Em casos aonde de funo Fermi: a energia de ermi e , a funo chamada

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Fermi-Dirac distribution as a function of temperature. More states are occupied at higher temperatures. Interpretao fsica Para baixas temperaturas, a distribuo de ermi uma funo de passo que vale se < e 0 se > . Isto quer dizer que as partculas vo se posicionando desde o nivel mais baixo de energia at acima devido ao princpio de excluso de Pauli at que se tenham postas todas as partculas. A energia do ltimo nvel ocupado se denomina energia de ermi e a temperatura que corresponde esta energia mediante f =kBTf , a temperatura de ermi. Se da circunstncia de que a temperatura de ermi da maioria dos metais reais enorme (da ordem de 0000 Kelvin), portanto a aproximao d e dizer que a distribuo de ermi-Dirac segue sendo um escalar at temperatura ambiente vlida com bastante preciso. A distribuio de ermi-Dirac tem importncia capital no estudo de gases de frmions e em particular no estudo dos eltrons livres em ummetal. Aplicaes Estatsticas de ermiDirac e BoseEinstein aplicadas quando efeitos qunticos tendem a ser levadas em conta e as partculas so consideradas "indistinguveis". Os efeitos qunticos aparecem se a concentrao de partculas (N/V) nq (aonde nq a concentrao quntica). A concentrao quntica quando a distncia interpartculas igual ao comprimento de onda trmico de de Broglie, i.e.quando a funes de onda das partculas so atingidos mas no ultrapassados. omo a concentrao quntica depende da temperatura; altas temperaturas iro colocar a maioria dos sistemas no limite clssico sem eles terem uma muito alta densidade, e.g. uma an branca. A estatstica de ermiDirac aplicada a frmions (partculas que obedecem ao princpio de excluso de Pauli), a estatstica de BoseEinstein aplicada a bsons. Tanto ermiDirac e BoseEinstein

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tornam-se a estatstica concentraes.
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de MaxwellBoltzmann a altas temperaturas ou baixas

Estatsticas de MaxwellBoltzmann so frequentemente descritas como estatsticas de partculas clssicas "distinguveis". Em outras palavras a configurao de partcula A no estado e a partculaB no estado diferente do caso aonde a partcula B est no estado e a partcula A est no estado . Quando esta idia estendida, conduz distribuio prpria (de Boltzmann)de partculas em estados de energia, mas conduz a r esultados sem significado fsico para a entropia, conforme encorporado no paradoxo de Gibbs. Estes problemas desaparecem quando se percebe que todas as partculas so de fato indistinguveis entre s. Ambas as distribuies se aproximam da distribuio de MaxwellBoltzmann no limite de alta temperatura e baixa densidade, sem a necessidade de quaisquer pressupostos adicionais ad hoc. A distribuio estatstica de MaxwellBoltzmann particularmente til para estudar gases. A distribuio estatstica de ermiDirac mais omo tal, a usualmente usada para o estudo do comportamento de eltrons em slidos. base da teoria dos dispositivos semicondutores e da eletrnica.

Funes Estatsticas de Ocupao dos Estados Qunticos: A determinao da densidade de estados em funo da energia uma parte da soluo do nosso problema. A segunda parte refere-se a determinar quantos e quais destes estados estaro ocupados por eltrons numa dada temperatura. Esta questo tratada pela mecnica estatstica. A probabilidade de ocupao de estados qunticos segue a funo chamada de funo de distribuio de ermi-Dirac, que foi desenvolvidaconsiderando as seguintes condies, que se aplicam no caso dos eltrons: O princpio de excluso de Pauli As partculas so todas idnticas O nmero total de partculas conservada A energia total do sistema conservada A funo estatstica obtida com estas condies dada como:

onde: EF uma energia de referncia, chamado de nvel de ermi, k = constante de Boltzmann = .38 x J/K = 8. x eV/K Observa-se facilmente a seguinte propriedade desta funo:

Desta propriedade podemos tambm afirmar que o nvel de referncia, ou de ermi, o nvel de energia onde a probabilidade de ocupao 0. . A ig. mostra curvas correspondentes funo de ermi-Dirac para 3 temperaturas, 0 K, 00 K e 000 K. Observa-se que a funo varia de a 0, aumentando -se a energia. o caso da temperatura de 0 K, a funo abrupta em E = E . Quanto maior a temperatura, mais gradual torna -se a variao da funo. Este comportamento da funo est de acordo com as observaes

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fsicas. A 0 K todos os eltrons buscam ocupar os estados de mnima energia, ou seja, os eltrons ocuparo todos os estados at um certo nvel de energia, no caso E . Assim, o nmero total de estados com energia menor que este nvel deve ser igual ao total de eltrons no sistema e a probabilidade de ocupao destes estados um. Todos os estados com energia acima do nvel E estaro desocupados e portanto com probabilidade de ocupao zero. Ao aumentarmos a temperatura do material, alguns dos eltrons recebero energia trmica, a partir da vibrao da rede de tomos. Desta forma,estes eltrons iro ocupar estados de energia quntica maior, deixando o seu estado original desocupado. Isto explica porque a funo de ermi -Dirac torna-se mais gradual pelo aumento da temperatura. A ig. (b) mostra uma outra funo estatstica, chamado de Maxwell-Boltzmann, que se aplica a casos de sistemas diludos (muitos estados e poucas partculas) onde: As partculas so consideradas distintas O nmero total de partculas conservado A energia total do sistema conservada

ig. (a) A funo de probabilidade de ermi -Dirac para temperaturas de 0 k, 00 k e 000 k ; (b) A funo de probabilidade clssica de Maxwell -Boltzmann para as mesmas temperaturas. A funo estatstica desenvolvida para este caso de sistema : f (E) = ( )

Estritamente, nunca poderamos usar a estatstica de Maxwell-Boltzmann para descrever a probabilidade de ocupao de estados qunticos por eltrons , dado que esta estatstica no obedece ao princpio de excluso de Pauli. Porm, quando a energia dos estados considerados for bem maior que o nvel de ermi, a probabilidade de ocupao torna-se prximo a zero. esta situao, o princpio de excluso de Pauli deixa de ser uma restrio, dado que temos muitos estados e baixa probabilidade de ocupao. A probabilidade to baixa que no haver competio entre eltrons para ocuparem um

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mesmo estado, correspondendo portanto a um sistema diludo. fcil ver ificar que matematicamente, a funo de ermi-Dirac (9) pode ser aproximada funo Maxwellapresenta as curvas das funes de ermiBoltzmann ( ) quando E - E >> kT. A ig. Dirac e Maxwell-Boltzmann, mostrando que ambas se aproximam para altas energias, ou seja, para E - E >> kT. A ttulo de informao, a ig. apresenta tambm a curva da funo estatstica de Bose-Einstein. Esta funo nunca se aplica a sistema de eltrons, mas sim ao caso em que valem as mesmas hipteses da estatstica de ermi -Dirac, com partculas idnticas, com excepo da hiptese do princpio de excluso de Pauli. Estas hipteses aplicam-se a um sistema de partculas como ftons.

ig. omparao entre as curvas das funes de probabilidades de ermi -Dirac, Maxwell-Boltzmann e Bose-Einstein. importante frisar que as funes estatsticas correspondem s descries das distribuies mais provveis das partculas nos estados quando o sistema est em equilbrio. Estas funes no se aplicam a casos de sistemas fora do equ ilbrio. o caso de estados com energias altas, ou seja, E-E >> kT, poderemos usar a estatstica de Maxwell-Boltzmann, como j foi detalhado acima. c) o caso de estados com energias baixas tal que E -E >> kT podemos aproximar a funo de ermi-Dirac (9) como sendo: f (E) @ ( )

Aqui a probabilidade de ocupao do estado prximo a . esta situao conveniente definir a probabilidade do estado estar desocupado como sendo (a partir de ): - f (E) = ( 3)

Esta funo de probabilidade de desocupao do estado, para E -E >> kT, apresenta-se tambm na forma da funo de distribuio de Maxwell -Boltzmann ( ). os casos em que os nveis de energia dos estados no forem dis tantes suficiente do nvel de ermi, no poderemos usar as aproximaes dos casos acima, e teremos que obrigatoriamente usar a funo de ermi -Dirac como a funo de probabilidade de ocupao dos estados. Podemos calcular por exemplo, em que faixa de energ ia a funo de ermiDirac varia entre 0.9 e 0. . azendo este clculo pela relao 9, obtemos DE = . kT. esta

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faixa com certeza no poderamos usar a aproximao descrita. Se quisermos ser mais restritos ainda, poderamos tomar como intervalo de .0 kT, o intervalo no qual no aceitamos a aproximao da funo de ermi-Dirac para a funo de Maxwell-Boltzmann. este limites teremos a funo de ermi-Dirac variando entre 0.9 e 0.0 . Nivel de Fermi A nvel de ermi Quasi (tambm chamado imref) um termo usado na mecnica quntica e especialmente em fsica do estado slido para o nvel de ermi novo que descreve a populao de cada tipo de portador de carga (eltrons e buracos) em um semicondutor separadamente quando suas populaes esto desl ocadas de equilbrio. Este deslocamento pode ser causado pela aplicao de um potencial eltrico externo, que injeta eltrons e buracos, ou pela exposio luz de energia E> Por exemplo, o que aumenta a densidade de ambos os eltrons e buracos acima seus valores de equilbrio. O deslocamento do equilbrio tal que as populaes transportador no pode mais ser descrito por um nico nvel de ermi, e separar quasi- ermi nveis devem ser utilizados para cada portador de carga. ( este artigo o termo "nvel de ermi" usada para significar a mesma coisa que o potencial qumico. Este o uso mais comum em fsica de semicondutores, embora em outras reas da fsica do estado slido, o termo "nvel de ermi" significa algo diferente, ou seja, o potencial da qumica temperatura zero.) Quando um semicondutor est em equilbrio trmico, a funo de distribuio dos eltrons no nvel de energia E apresentada por ermi -Dirac funo de distribuio. este caso, o nvel de ermi definido como o nvel em que a prob abilidade de ocupao de eltrons em que a energia 0 /0 . Em equilbrio trmico, o nvel de quase - ermi de eltrons, o nvel de buraco quase- ermi eo nvel de ermi so iguais. Quando uma perturbao de uma situao de equilbrio trmico ocorre, as populaes dos buracos e eltrons sero alterados. Se o distrbio no muito grande ou no mudando muito rapidamente, as populaes de eltrons e buracos cada relaxar a um estado de quase equilbrio trmico. Porque o tempo de relaxamento para os eltrons dentro da banda de conduo muito menor do que em toda a diferena banda, podemos considerar que os eltrons esto em equilbrio trmico na banda de conduo. Isto tambm se aplica para os buracos na banda de valncia. o caso de eltrons, podemos definir um nvel quase ermi ea temperatura devido ao equilbrio trmico dos eltrons na banda de conduo eo nvel de ermi para furos quase da mesma forma. Podemos afirmar a funo de ermi para os eltrons geral na banda de conduo, como

por

buracos

na

banda

de

valncia

como

onde: a funo de distribuio de ermi -Dirac, E E P o o nvel de nvel quase- ermi de de quase- ermi eltrons buraco na no posio local r, r,

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Tn a temperatura de eltrons, Tp a temperatura buraco, fc (k, r) a probabilidade de que um estado de conduo banda particular, com wavevector k e r posio ocupada por um eltron, fv (k, r) a probabilidade de que um estado de valncia banda parti cular, com wavevector k e r posio ocupada por um eltron, ou seja, no ocupado por um buraco, E a energia do estado de conduo ou de valncia -banda em questo, kB a constante de Boltzmann. Esta simplificao vai nos ajudar em muitas reas. Por exemplo, podemos usar a mesma equao para o eltron eo buraco densidades utilizadas em equilbrio trmico, mas ermi e temperatura. ou seja: substituindo os nveis de

onde: n a densidade (nmero por unidade de volume) de eltrons de conduo, p a densidade de furos, ni (Tn) a densidade de eltrons de conduo que estaria presente em equilbrio trmico se ermi estavam em Ei ea temperatura foram Tn o nvel de pi (Tp) a densidade de furos que estaria presente em equilbrio trmico se o nvel d e ermi estavam em Ei ea temperatura foram Tp, Esta equao vlida na aproximao de Boltzmann, ou seja, supondo que o eltron eo buraco densidades no so muito altos. Uma corrente (devido aos efeitos combinados de deriva e difuso) ser apenas o fluxo, se h uma variao no nvel de ermi ermi ou quase. A densidade de corrente de fluxo de eltrons pode ser mostrado para ser proporcional ao gradiente no nvel de ermi de eltrons quase como tal:

, Onde

is a mobilidade de eltrons, e

o gradiente com relao distncia r.

Da mesma forma, para furos, temos:

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4. Transporte nos semicondutores: Efeito da temperatura na condutividade de semicondutores Vimos que a condutividade dos condutores metlicos diminui com o aumento da temperatura ( igura . 0), contrariamente nos semicondutores, esta incrementa. A causa dessa tendncia j foi explicada no item acima pela dependncia do nmero de portadores com a forma da funo de ermi Dirac.

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(

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Figura 13.20 - Grfico da resistividade do cobre versus temperatura. A natureza precisa de condutividade dos semicondutores ser uma funo de T, = (T) se deriva de que a produo de portadores um processo termicamente ativado, para este mecanismo a densidade d e portadores se incrementa exponencialmente com a temperatura, isto ,

Aqui Eg a separao entre as bandas e T a temperatura absoluta. Este mecanismo representa outro fenmeno no qual a rapidez do processo apresenta comportamento de Arrhenius. Observe o fator de no expoente da Equao . , ele surge pelo fato que cada promoo trmica produz um par eltron -lacuna. J a condutividade para um semicondutor foi dada na Equao . .

Assim (T) est determinada por n e n e l. Da mesma forma que para os condutores, a mobilidade diminui com o aumento de T, mas o crescimento exponencial de n domina a dependncia geral com a T o qual permite escrever,

O a constante pr-exponencial do tipo associado s equaes de Arrhenius. azendo o ln em ambos os lados da Equao acima:

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Figura 15.21 - Grfico de Arrhenius dos dados de condutividade eltrica para o silcio.

4.1 Tcnicas de dopagem A dopagem pode ser feita em quatro situaes, a saber: Durante o crescimento do cristal; Por liga; Por difuso; Por implantao inica. Vejamos alguns comentrios sobre cada um dos processos indicados.

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Durante o crescimento do cristal
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O material de base sofre um aquecimento at se transformar em massa cristalina fundente, estado em que se efetua o acrscimo do material de dopagem. Durante esse processo trmico, o nosso cristal vai crescendo, posicionando -se os tomos da dopagem na cadeia cristalina que se forma. Por liga O material de base levado fuso conjuntamente com o de ac rscimo, formando-se assim uma liga. Aps essa formao e esfriamento, os dois materiais esto agregados entre si. A igura .31 apresenta o caso de um transistor de germnio (Ge) ao qual foram acrescentadas partculas de ndio (In).

Por implantao inica tomos eletricamente carregados (com ons) de material dopante em estado gasoso so acelerados por um campo eltrico e injetados na cadeia cristalina do semicondutor. O mtodo da implantao inica ( igura 15.32) o mais preci so e o mais sofisticado entre os mencionados, permitindo um timo controle tanto de posicionamento quanto de concentrao da dopagem feita.

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Por difuso Nesse processo, vrios discos do metal tetravalente bsico (por exemplo, o silcio) so elevados a temperaturas da ordem de 1000 e, nessas condies, colocados na presena de metais em estado gasoso (por exemplo, boro). Os tomos do metal em estado gasoso se difundem no cristal slido. Sendo o material slido do tipo n, cria-se, assim, uma zona n. Sua representao feita na igura
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igura 15.34 - Passos do processo fotolitogrfico. Por meio deste processo possvel transferir um traado macroscpico feito numa fotomscara para uma camada de material num circuito. A igura mostra a impresso por ataque qumico de um traado numa camada de xido de silcio na superfcie de uma bolacha de silcio. A bolacha oxidada (1) , em primeiro lugar, revestida com uma camada de material sensvel luz, designado por fotoresist (2); depois, exposta luz UV atravs da fotomscara (3). A exposio torna a fotomscara insolvel num lquido revelador, obtendo-se deste modo um traado de fotoresist nos locais onde a mscara transparente (4). A seguir, a bolacha imersa numa soluo de cido fluordrico, que ataca seletivamente o dixido de silcio, deixando inalterado o desenho de fotoresist e o substrato de silcio (5). No final, o desenho de fotoresist removido por meio de outro ataque qumico ( ).

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O n m e r o u m n c l e o c o n

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