SERVIÇO PÚBLICO FEDERAL

MINISTÉRIO DA EDUCAÇÃO
INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO PARÁ
CAMPUS TUCURUÍ

Curso Técnico em Eletrotécnica

Eletrônica Analógica e Industrial
Atividade Avaliativa 1: Ligações covalentes e materiais intrínsecos e Materiais dos tipos n e p
Prof. Dr. Janilson Leão de Souza
Data de entrega: 02/05/2023
Nome do Discente:

1. Esboce a estrutura atômica do cobre e discuta por que ele é um bom condutor e como sua estrutura é
diferente da do germânio, do silício e do arseneto de gálio.
2. Defina com suas próprias palavras o que significam material intrínseco, coeficiente de temperatura
negativo e ligação covalente.
3. Pesquise e liste três materiais que tenham um coeficiente de temperatura negativo e três que tenham
um coeficiente de temperatura positivo.
4. Explique a diferença entre os materiais semicondutores do tipo n e do tipo p.
5. Explique a diferença entre as impurezas doadoras e aceitadoras.
6. Explique a diferença entre portador majoritário e minoritário.
7. Esboce a estrutura atômica do silício e insira um átomo de arsênio como impureza, conforme
demonstrado para o silício na Figura 1.

Figura 1 – Impureza de antimônio em material do tipo n.

8. Repita o Problema 7, mas insira agora um átomo de índio como impureza.

9. Pesquise e encontre outra explicação para fluxo de lacunas versus fluxo de elétrons. Utilizando
ambas as explicações, descreva com suas próprias palavras o processo da condução de lacunas.