Transistores Bipolares de Junção (TBJs) – Parte II

Capítulo 4 de (SEDRA e SMITH, 1996).

SUMÁRIO
4.7. O Transistor como Amplificador
4.8. Modelos Equivalentes para Pequenos Sinais
4.9. Análise Gráfica

4.7. O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

• Para operar como amplificador um transistor deve ser polarizado na região ativa.
• A polarização deve estabelecer uma corrente cc constante no coletor, insensível a
variações de temperatura, β, etc.

Figura 4.23. (a) circuito conceitual para análise do transistor como amplificador (b)
fonte de sinal vbe eliminada para análise cc.
As Condições cc
• Fazendo vbe = 0, tem-se:
VBE

I C = IS e VT

IC
IE =
α

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IC
IB =
β
VC = VCE = VCC − I C R C
• Para operação no modo ativo, VC deve ser maior que VB por um valor que
permita oscilações com amplitudes razoáveis no sinal de coletor.

A Corrente de Coletor e a Transcondutância

• Se um sinal vbe for aplicado, tem-se:
v BE = VBE + v be
• A corrente total de coletor é então:
v BE VBE + v be VBE v be v be

i C = IS e VT
= I Se VT
= IS e VT
e VT
= ICe VT

• Para vbe << VT:

 v be  I
i C ≅ I C 1 +  = I C + C v be = I C + i c
 VT  VT

• Aproximação de pequenos sinais:

o Válida para vbe menor que cerca de 10mV.
• A corrente de coletor é composta do valor da corrente de polarização IC e de
uma componente de sinal ic:
IC
ic = v be = g m v be
VT
• A transcondutância para o transistor é definida por:
IC
gm =
VT

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• A transcondutância é igual à inclinação da curva característica iC – vBE no

ponto de operação (Figura 4.24):
∂i C
gm =
∂v BE i C =I C

Figura 4.24 – Operação linear do transistor na condição de pequenos sinais.

• O transistor comporta-se como uma fonte de corrente controlada por tensão

A Corrente de Base e a Resistência de Entrada da Base

• Determinação da corrente de base:
i C IC 1 IC
iB = = + v be = I B + i b
β β β VT
• Componente de sinal de iB:
1 IC g
ib = v be = m v be
β VT β

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• Define-se a resistência de entrada para pequenos sinais (vista do terminal da
base):
v be β V
rπ ≡ = = T
ib g m IB

A Corrente de Emissor e a Resistência de Entrada do Emissor

• Corrente total no emissor:
iC IC ic
iE = = + = IE + ie
α α α
• A componente de sinal da corrente de emissor é então:
ic I I
ie = = C v be = E v be
α αVT VT
• Define-se a resistência de emissor para pequenos sinais (vista do terminal do
emissor):
v be VT α 1
re ≡ = = ≅
ie IE gm gm
• Pode-se obter a seguinte relação:
rπ = (β + 1)re

O Ganho de Tensão
• Tensão de saída para o transistor: tensão no coletor vC.
o Observa-se a tensão resultante da passagem da corrente de coletor no
resistor RC:
vC = VCC − i C R C =
= VCC − (I C + i c )R C =
= (VCC − I C R C ) − i c R C =
= VC − i c R C

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• A componente de sinal da tensão no coletor é então definida por:

v c = −i c R C = −g m v be R C = (− g m R C )v be
• O ganho de tensão do amplificador a transistor é:
vc
= −g m R C
v be

4.8. MODELOS EQUIVALENTES PARA PEQUENOS SINAIS

• Serão vistos modelos para pequenos sinais, obtidos pelo teorema da
superposição considerando apenas o efeito das pequenas variações de tensão e
corrente.

O Modelo π–Híbrido (simplificado)

Figura 4.26. Duas versões do modelo π-híbrido simplificado

• Primeiro modelo – fonte de corrente controlada por tensão (amplificador de

transcondutância).
• Segundo modelo – amplificador de corrente.
• Os parâmetros do modelo gm e rπ dependem do valor da corrente de
polarização IC.
• Os modelos foram deduzidos para transistores npn mas valem sem troca de
polaridades também para transistores pnp.

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O modelo T

Figura 4.27 – Duas versões do modelo T.

• Primeiro modelo – fonte de corrente controlada por tensão.
• Segundo modelo – fonte de corrente controlada por corrente.
• Embora o modelo π–híbrido seja mais usado, há situações em que o modelo T é
mais conveniente.

Aplicação dos Modelos Equivalentes para Pequenos Sinais

1. Determinar o ponto de operação cc do TBJ.
• Em particular o valor da corrente cc do coletor IC.
2. Calcular os valores dos parâmetros do modelo para pequenos sinais:
IC β α
gm = , rπ = e/ou re =
VT gm gm
3. Eliminar as fontes cc:
• Fontes de tensão curto circuitadas.
• Fontes de corrente em circuito aberto.
4. Substituir o TBJ por um de seus modelos equivalentes.
• Um dos modelos deve ser mais conveniente que os outros.
5. Analisar o circuito resultante para determinar as grandezas de interesse.

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• Exemplos 4.9, 4.10 e 4.11.

Expandindo o Modelo π–Híbrido para considerar o Efeito Early

• O Efeito Early, que faz com que a corrente de coletor dependa não apenas de
vBE mas também de vCE.
• É modelado por uma resistência de saída r0 finita na saída do modelo π-
híbrido.
VA
r0 ≅
IC
• VA é a tensão Early e IC é a corrente cc de polarização do coletor.

Fig 4.33. Duas versões do modelo π-híbrido simplificado com resistência r0 incluída

• A tensão de saída é v 0 = −g m v be (R C // r 0 ) (reduz o ganho)

• Pode-se desprezar r0 quando maior que 10 RC.

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Resumo dos Parâmetros dos Modelos

Parâmetros do modelo em termos das correntes de polarização cc:

IC VT V
gm = rπ = =β T
VT IB IC
VT V VA
re = =α T r0 =
IE IC IC
Em termos de gm:
β α
rπ = re =
gm gm
Em termos de re:
α 1 1
gm = rπ = (β + 1)re gm + =
re rπ re

• Exercício 4.24, problemas 4.19, 4.20, 4.21, 4.22, 4.23 e 4.24.

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4.9. ANÁLISE GRÁFICA
• É de pouco valor prático na análise e projeto de circuitos transistorizados mas é
ilustrativo para compreensão.

Figura 4.34. Circuito que será analisado graficamente

• Considerando vi = 0, utiliza-se a característica iB – vBE para obter o valor da
corrente de base.
• Na determinação de IB, a reta de carga é definida por:
VBB − v BE
iB =
RB

Figura 4.35. Determinação gráfica da corrente cc de base

• Conhecido o valor de IB, utiliza-se a característica iC – vCE para obter o valor da
corrente de coletor IC e da tensão VCE:
• A reta de carga para determinação de IC e VCE é:
VCC − v CE
iC =
RC

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Figura 4.36. Determinação gráfica da corrente de coletor e tensão coletor-emissor

• Quando o sinal vi é aplicado, teremos variações em torno do ponto quiescente
Q e podemos usar as retas de carga instantâneas para determinar iB e,
conseqüentemente, a tensão vCE.

Figura 4.37. Determinação gráfica das componentes de sinal

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Efeitos da Localização do Ponto de Polarização na Excursão Máxima do Sinal
• O pico máximo positivo de vCE não pode ir além de VCC senão o transistor
entraria em corte
• O pico mínimo negativo de vCE não pode se estender abaixo de décimos de volt
senão o transistor entraria na região de saturação.
• As retas de carga A e B na figura abaixo correspondem a pontos de polarização
ruins.

Figura 4.38 –Localização do ponto de polarização e a excursão máxima do sinal.

• Exercícios 4.25 e 4.26, problema 4.25.

REFERÊNCIAS
SEDRA, Adel S. e SMITH, Kenneth S. Capítulo 3 – Diodos, em Microeletrônica. 4a.
Edição. Makron Books Ltda, São Paulo, 1998.
MALVINO, Albert Paul. Eletrônica Volume 1. McGraw-Hill, São Paulo, 1986.

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