Eletrônica Analógica

Transistor de Efeito de Campo

Prof. Paulo Piber
Transistor de Efeito de Campo (MOSFET)
- Disponível em dois tipos:
- Enriquecimento
- Depleção
- Disponível em duas polaridades:
- canal n
- canal p
- Possui 4 terminais: Dreno (D), porta/gate (G), fonte (S) e Bulk (B);
- Adequado para uso em CI (MOSFET);
- Possui alta impedância de entrada;
- Utilizado como amplificador ou chave analógica;

- Propriedades:
- Tamanho: o MOSFET ocupa de 20 a 30% da área de um chip ocupada por um BJT;
- Resistência controlada por tensão: ocupa menor área do que um resistor;
- Alta resistência e pequena capacitância de entrada (CGS): utilizado como elemento de
armazenamento em circuitos digitais;
- Capacidade para dissipar alta potência e chavear grandes correntes em menos do que
1ns. Possibilitando seu uso em chaveamento de alta frequência e alta potência.
Transistor de Efeito de Campo (MOSFET)
MOSFET

- Apresenta baixa capacitância de entrada;

- Alta impedância de entrada.

MOSFET – Tipo enriquecimento

Um MOSFET canal n consiste de um substrato tipo p onde duas regiões tipo n,

fortemente dopadas, são difundidas. Estas duas regiões formam a fonte e o dreno. O canal
não é fabricado neste dispositivo, ao contrário do que acontece no MOS Depleção.
Transistor de Efeito de Campo (MOSFET)
A porta (gate) é formada cobrindo a região entre o dreno e a fonte com uma camada de dióxido
de silício, do qual em cima é colocada uma placa de metal, daí o nome MOSFET (Metal, Óxido
e Semicondutor). Outro nome utilizado é IGFET (Insulated-Gate FET).

A região do canal tem um comprimento L e uma largura W, dois parâmetros importantes.

O caminho entre dreno e fonte tem uma resistência muito elevada (1012Ω), evitando, assim, a
condução de corrente entre dreno e fonte quando VDS é aplicado sem voltagem de porta (gate).
Este dispositivo opera com tensão VGS > 0, daí o termo enriquecimento ou crescimento. Nesta
situação (VGS > 0), um canal tipo n é induzido, entre fonte e dreno, como resultado dos elétrons,
da banda de condução, atraídos à superfície do substrato p, diretamente abaixo da porta (gate). O
valor de VGS na qual um número suficiente de elétrons móveis se acumulam na região do canal,
para formá-lo, é chamada tensão de limiar (Threshold Voltage) e é denominada Vt.
Transistor de Efeito de Campo (MOSFET)
Criando um Canal de Condução

A figura abaixo mostra que a fonte e o dreno estão aterrados e uma tensão positiva é
aplicada à porta.

O valor de VGS para o qual um número suficiente de elétrons móveis se acumulam na região
do canal para formar um canal de condução é chamado de tensão de limiar (threshold) e é
representado por Vt, que é positivo para um FET canal n.
Transistor de Efeito de Campo (MOSFET)
Operação com aumento de vDS

Mantemos VGS constante com um valor maior do que Vt. Portanto, a tensão entre a
porta e os pontos ao longo do canal diminui de VGS na fonte até VGS – VDS no dreno. Com
isso, o canal será mais profundo no final da fonte e mais superficial no final do dreno.

Quando VDS aumenta até o valor que reduz a tensão entre a porta e o canal no final do dreno
para Vt, isto é, VGS – VDS = Vt ou VDS = VGS – Vt, a profundidade do canal no final do
dreno diminui até próximo de zero e dize-se que o canal está estrangulado (pinched-off). A
corrente de dreno se mantém constante e dizemos que o MOSFET inicia sua operação na
região de saturação.
Para cada valor de VGS ≥ Vt, existe um correspondente valor de VDSsat. = VGS – Vt.
Transistor de Efeito de Campo (MOSFET)

Parabólica: VDS≥100mV →

Linear: VDS≤2∙(VGS-Vt)≈100mV →

W
 (μ n  C ox )     (VGS - Vt )  (1 + λ  VDS )
1
ID =
2

2 L
W
I D =  (μ n  Cox )     (VGS - Vt )
1 2

2 L
Transistor de Efeito de Campo (MOSFET)
Transistor de Efeito de Campo (MOSFET)
Transistor de Efeito de Campo (MOSFET)
Transistor de Efeito de Campo (MOSFET)
Modelo para Pequenos Sinais (MOSFET)
Modelo para Pequenos Sinais (MOSFET)
Onde ro pode ser dado por

VA
ro =
ID

Em que ID é uma grandeza de polarização cc. A figura abaixo mostra o efeito de ro em ID.

O link abaixo apresenta uma simulação da operação do MOSFET:

http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/mosfet.html
MOSFET – Circuitos de Polarização
Transistor de Efeito de Campo (MOSFET)
Transistor de Efeito de Campo (MOSFET)
MOSFET Depleção - Símbolo

Canal p
Canal n
Ganho do Amplificador com RS

Figura 1: Amplificador de tensão

com resistor RS.
Ganho do Amplificador com RS
Modelo AC equivalente:

Figura 2: Modelo AC do Amplificador de

tensão com resistor RS.
Ganho do Amplificador com RS
Equacionamento:

Figura 3: Modelo AC equivalente.

Onde RG = RG1//RG2 e
Ganho do Amplificador com RS

Então,
Espelho de Corrente MOS

O transistor Q1 está operando na região ativa, tal que

1 ' W
I D1 = k n   (VGS - Vt )
2

2  L 1
 Como as correntes de porta são nulas e considerando IREF
determinado por uma resistência R, podemos escrever que

VDD - VGS
I D1 = I REF =
R
Considerando Q2, que tem o mesmo VGS de Q1, portanto, se
assumirmos que o mesmo esteja na região de saturação, sua corrente de
dreno, que é a corrente de saída IO, será

1 ' W
IO = I D2 = k n   (VGS - Vt )
2

2  L 2
Relacionando IO com a corrente IREF, temos

IO
=
( W/L )2
I REF (W/L )1
 Para garantir que Q2 esteja saturado, o circuito ao qual o dreno
de Q2 será conectado deve estabelecer uma tensão de dreno VO que
satisfaça a relação
VO  VGS - Vt
A corrente IO será igual a IREF somente para o valor de VO que
faz com que os dispositivos tenham o mesmo VDS, isto é, em VO = VGS.
Aumentando-se VO acima desse valor, IO aumentará regida pela
resistência incremental de saída rO2 de Q2.

VA2
rO2 =
IO

Figura 5.42 Característica de saída da fonte de corrente

Par Diferencial MOS

Figura 6.29 O par diferencial MOSFET

1 ' W
iD1 = k n  (vGS1 - Vt )
2

2 L
1 ' W
iD2 = k n  (vGS2 - Vt )
2

2 L
Par Diferencial MOS
Ver desenvolvimentos das páginas 492, 493 e 494, do livro texto,
onde obtém-se os valores de iD1 e iD2 em função de I e vid.

I  I  vid 
iD1  +   
2  VGS - Vt  2 
I  I  vid 
iD2  −   
2  VGS - Vt  2 

gm =
2 I ( )
2 =
I
VGS - Vt VGS - Vt
 vid 
id = g m   
 2 Figura 6.30 Curvas normalizadas das correntes em um par diferencial.
Figure - A faixa linear de operação pode ser estendida utilizando-se valores maiores de VOV = VGS - Vt.
Fonte: Sedra e Smith, 5ª Edição

2
Ganho Diferencial

v o1 1
= −  gm  R D
v id 2
v o2 1
=  gm  R D
v id 2
v o2 − v o1
Ad = = gm  R D
v id

2
Ganho em Modo Comum

v o1 v o2 RD
= =-
v icm v icm 1
+ 2  R SS
gm
RD
ACM = -
2  R SS

CMRR

Ad
CMRR = = g m  R SS
A CM