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Transistor Bipolar - Introdução
Transistor Bipolar - Introdução
npn pnp
Para o transistor operar como amplificador a junção base-emissor
deverá ser diretamente polarizada (VBE) e a coletor-base
reversamente polarizada (VCB).
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Símbolos do transistor
npn pnp
Modos de operação
Modo EB CB
Corte Reversa Reversa
Ativo Direta Reversa
Saturação Direta Direta
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Correntes no Transistor
Transistor na Região de Corte
iB = 0 iE = 0 iC = 0
Transistor na Região de Saturação
iE = i B + i C vCEsat.≈ 0,2V
Transistor na Região Ativa
i B = (1 − ) i E =
iE
= e =
+1 1- +1
iC = iB
i E = ( + 1) i B
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• A corrente de coletor IC é independente do valor da tensão do
coletor enquanto a junção coletor-base permanecer polarizada
reversamente, isto é, VCB ≥ 0.
• Portanto, no modo ativo, o terminal de coletor se comporta
como uma fonte de corrente ideal em que o valor da corrente é
determinado por VBE.
• A corrente de base IB é um fator 1/β da corrente de coletor, e a
corrente de emissor é igual a soma das correntes do coletor e
da base.
Aplicando LKT para o transistor, temos
NPN: VCE = VBE + VCB
PNP: VEC = VEB + VBC
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Podemos expressar as correntes de coletor, base e
emissor como,
I S (VBE /VT )
I B = e
I S (VBE /VT )
IE = e
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Fig. 4.5 Large-signal equivalent-circuit models of the npn BJT operating in the active mode.
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Fig. 4.8 Two large-signal models for the pnp transistor operating in the active mode.
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Modelo de Ebers-Moll (EM)
Este modelo é geral, empregado pelo SPICE e demais
simuladores, pode ser utilizado para baixas frequências ou
polarização DC.
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As correntes iDE e iDC são dadas por
i DE =ISE [e(VBE /VT ) − 1]
i DC =ISC [e(VBC /VT ) − 1]
ISE e ISC são as correntes de saturação. ISC > ISE por um fator
entre 2 e 50.
αF = alfa direto (≈1) e αR = alfa reverso (entre 0,02 e 0,5).
αFISE = αRISC = IS
Correntes nos Terminais do Transistor
i E = i DE - R i DC
i C = -i DC + F i DE
i B = (1- F )i DE + (1- R )i DC
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Fazendo as devidas substituições temos:
i C =I S [e(VBE
/VT ) − 1] - I S [e(VBC /VT ) − 1]
R
( ) [e(VBC /VT ) − 1]
IS V /V IS
iB = [e BE T
− 1] +
F R
onde
F
F =
1 - F
R
R =
1 - R
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Configurações Básicas
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CC ou EC: Para VCE constante, variando-se VBE, obtém-se uma
corrente de entrada IB. É possível controlar a corrente de base,
variando-se a tensão VBE.
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CC ou EC: Para cada valor de IB constante, variando-se VCE,
obtém-se uma corrente de saída IC.
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Especificações Básicas
VCEmáx. = Tensão máxima de coletor-emissor
ICmáx = Corrente máxima de coletor
PCmáx = Potência máxima de coletor
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Gráfico da potência
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Dependência de IC da tensão de coletor
• As curvas apresentam uma inclinação finita.
• Quando extrapoladas, as linhas características encontram-se em um ponto do
eixo negativo de VCE, em VCE = - VA.
• VA é positivo, com valores típicos entre 50 e 100V. Sendo VA a tensão de
Early.
• Para um dado valor de VBE, aumentando-se VCE aumenta-se a tensão de
polarização reversa sobre a junção coletor-base e, portanto, aumenta-se a
largura da região de depleção desta junção.
• Isso, por sua vez, resulta na diminuição da largura efetiva da base. IS é
inversamente proporcional a largura, então IS e IC aumentarão
proporcionalmente. (Efeito Early).
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A inclinação das retas IC x VCE indica que a resistência de saída vista do
coletor não é infinita. É finita e dada por
VA
ro =
IC
Esta resistência tem efeito significativo na análise AC dos circuitos
amplificadores.
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