MAKRON: Books Capitulo 1 Introducdo 1.1 APLICACOES DA ELETRONICA DE POTENCIA A demanda pelo controle de energia elétrica para sistemas de acionamento de méquinas tlétricas © controles industriais existe hé muitos anos e isto conduziu ao desen: volvimento do antigo sistema Ward-Leonard pata se obter uma tensio CC variavel utii- zada no controle dos acionamentos de maquinas CC. A eletrOnica de poténcia revolucionou © conceito de controle de poténcia para a conversio de energia e para 0 controle dos acionamentos das indquinas elétricas. A eletrénica de poténcia combina poténcia, eletrdnica ¢ controle. © controle trata das caracteristicas dinimicas e de regime permanente dos sistemas de matha fechada, A poténcia cuida de equipamentos de poténcia rotativos e estaticos para a geracio, transmissio e distribuigao de energia elétrica. A eletrOnica trata dos dispositivos € cireuitos de estado sdlido para o processamento de sinais que permitam alcangar os objetivos de controle desejados. A eletrénica de poténcia pode ser definida como a aplica: ‘G20 da eletrénica de estado sélido para o controle ¢ conversio da energia elétrica. O inter-relacionamento da eletrOnica de poténcia com a enengia, a eletrOnica e 0 controle é mostrado na Figura LL A eletrénica de poténcia & primariamente baseada no chaveamento dos dispo- sitivos semicondutores de poténcia. Com o desenvolvimento da tecnologia dos semicon- Gutores de poténcia, as capacidades nominais e a velocidade de chaveamento dos ispositivos de poténcia melhoraram enormemente, O desenvolvimento da tecnologia dde microprocessadores/microcomputadores teve grande impacto no controle e na sinte- tizagao da estratégia de controle para os dispositivos semicondutores de poténcia, OsEtetronicn de Poténcia ~ Circuits, Dispositions eAplicagies Cap. 1 equipamentos de eletrénica de poténcia modernos usam (1) semicondutores de poténcia, que podem ser considerados como 0 muisculo, e (2) a microeletrénica, que tem a inteli- sgéncia do cérebro. Figuea Lt Relagio da leteonica de poténcia com a cenergia, 2 letra © controle. Eetonica Controle ‘Analogic! Digital | Dispostivos! Equipamentos de Creates, Fe] Potenoa letters Estatconotativos| e Poténcia A cletrOnica de poténcia jé encontrou um lugar importante na tecnologia mo- derma, sendo usada em uma grande variedade de produtos de alta poténcia, ineluinde controle de aquecimentos, controle de iluminagées, controle de maquinas elétricas, fon- les de alimentacao, sistemas de propulsio de veiculos e sistemas de corrente continua em alia tensio (do inglés high voltage divect-current ~ HVDC). E dificil definir os limites para 48 aplicagdes da eletrOnica de poténcia; especialmente com a atual tendéncia no desen- volvimento de dispositivos de poténcia e microprocessadores,o limite superior é indefi- nivel. A Tabela 1.1 mostra algumas aplicagdes da eletrdnica de poténciaCap.1 Introdugio 3 Tabela 1.1 Algumas aplicagdes da elotrénica de poténeia. ‘Acolerasores de partculas ‘Retonadores de poras de garagem ‘Asionadotes de poras eeticas ‘Retnamento de maqulnaseleieas ‘arma: ‘larmos conta ladrSas ‘Amplicadores do audio ‘Ampiicadores do FF ‘Aquecimonto indutvo Bandejas aquecedocas de alimentos Bombas e compressores, Brinquodes Enns regadres de batorias, Gem aa tensse VOC) ruts do deta do TVS Cobertores eetiens Compensacao de poténia eatva (WAR compensation) Computadores Condiclonacores ear Contato de estado soto Contoladoree de interstage Iuminosa (aimmers). Contain dae varlas om reatorosrucleares Controle de motores de naugto ineares ‘Gontrotes de sinais de Wnt. Gontroles de maquinaseleticas Gontotes de aqueciments CGontotes de temperatura Correias transporadoras Diguntores astatcos Eltrodeposigao lottomecdnica Fotrodomestioos Fotromas Empinageiras de almoxanitado Exatatizes de goradores Fabness de pagel Fertamentag manuals do patina Fibra sintticas Flashes Fondgratos Fontes de alimeniagso Fontes de almentagae em avidas Fontes de almmentaego de radares'sonares Fontes do alimentagae espacals Fontes do aimeniaga solares Fontes go taser do patenea Fontes ftograteas| Geradoresutra-abnicos Stavagoes magnates SuinaSste eelovadores ce carga Fanicto eitérica. IRmnagao om aka reqincia mae Impressoras (de imprensa) doves Uaminagao 66 ago tsrtamae Limpadres a vécuo Lecemotwas Miuinas de costure Maduinas de avar Maqaias do vondas Maquinasforamontas Mineraeso, Matraaores Maturadores de alimentos Moadores Mostadres (spay) Movmontsdores ds paseoas Parga de maguinas sevonas Partaa do urns 9 gee Perturagto de pogos de petroleo Piscadotes ee hanagae Precitadores elevostateos Processos quimeos Prjetores do moe Propaganda FReaotes de limpadas@ arco de mere einigeradores Regolagores, Fegulaores do tensto Fale co estado sido Fale Gs revementa les ostaicon Secadores de roupas Secadoreswitioss Servo sistomas Sistemas de enesiainintenupia ‘Ststems de segurange, Saise ‘Sepredoreso exausores ‘omporizadores ‘Tranemssores VF Traneto de maseas Unidade de alcance de superieie Foros Veteuos setncos Formos para clmento Yentisdores| Fotoespias Ventlageres eltricos Fonte: RG. Hol, Semiconductor Poor Electronics, Nova Torque, Van Nostrand Reinhold Company, In,4 Eletrania de Poténcia~ Circuits, Dispositinese Aplicagies Cap. 1 1.2. HISTORIA DA ELETRONICA DE POTENCIA Ahistéria da eletrnica de poténcia iniciou-se com a introdugio do retificador a arco de ‘merctirio, em 1900. O retificador de tanque metilico, o retificador em tubo a vacuo de grade controlada, 0 ignitron eo tiratron, dispositivos introduzidos gradualmente, foram aplicados para o controle de poténcia até a década de 1950. A primeira revolugao da eletronica comecou em 1948 com a invengio do tran- sistor de silicio, por Bardeen, Brattain e Schockley da Bell Telephone Laboratories. A ‘maioria das tecnologias da eletrdnica avangada de hoje remonta a origem dessa inven- fo. A microeletrOnica moderna evoluiu a partir dos semicondutores de siicio. A pr6xi- ma grande descoberta, em 1956, foi também da Bell Laboratories: a invengio do transistor dispardvel PNPN, definido como tiristor ou retificador controlado de silicio (do inglés silicon-contvolled rectifier ~ SCR), Asegunda revolugio da eletrénica iniciou-se em 1958 com o desenvolvimento do tiristor comercial pela General Electric Company. Comecava uma nova era para a cletrinica de poténcia, Desde entio, muitos tipos diferentes de dispositivos semicondis- tores de poténcia e técnicas de conversao foram introduzidos. A revolugio da microele- trénica deu-nos a capacidade de processar uma enorme quantidade de informagdes uma incrivel velocidade. A revolugdo da eletrOnica de poténcia esté nos dando também a capacidade de controlar e determinar a forma de grandes quantidades de poténcia com tuma eficiéncia sempre crescente. Devido ao casamento da eletronica de poténcia, 0 muisculo, com a microeletrénica, o cérebro, muitas aplicagies potenciais da eletrénica de ppotincia estio agora emergindo, e esta tendéneia continuara. Nos préximos 30 anos, a eletrénica de poténcia dara forma e condicionaré a eletricidade, em algum lugar na linha de transmissao, entre sua geracio e todos os seus usuarios. A revolucio da eletréica de ppoténcia ganhou impeto entre o final da década de 1980 e o inicio da de 1990, Uma hhistéria cronoldgica da eletrdnica de poténcia é mostrada na Figura 1.2, 1.3 DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTENCIA Desde o primeiro tiristor, o retificador controlado de silicio (SCR) desenvolvido no final de 1957, houve tremendos avangos nos dispositivos semicondutores de poténcia. Até 1970 0s tiristores convencionais eram usados exclusivamente para o controle de poténcia em aplicagies industriais. Desde 1970, vérios tipos de dispositives semicondutores de poténcia foram desenvolvidos e tornaram-se comercialmente disponiveis. Estes em geral podem ser divididos em cinco tipos: (1) diodos de poténcia, 2) tiristores, (3) transistores de juncio bipolares (BJTS), (4) MOSFETs de poténcia, (5) transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) e transistores de indugSo estitica (SITS). Os tiristores podem ser subdivi- didos em cito tipos: (a) tiistor de comutacao forcada, (b) tiristor comutado pela rede, (c) Uiristor de desligamento pelo gatilho (GTO), (d) tiistor de condugéo reversa (RCT), (€) tiristor de inducio estitica (SITH), (f tiristor de desligamento auxiliado pelo gatilho (GATT), (g) retificador controlado de silicio ativado por luz (LASCR) e (h) tiristores controlades por MOS (MCT). Os transistores de indugio estatica esto também dispo- niveis comercialmenteCap. 1 Introdugio5 —__Eletinica de Potencia ~ Circuits, Disositvose Aplcngies Cap. 1 Os diodos de poténcia s20 de trés tipos: genéricos, alta velocidade (ou de recuperacio répida) e Schottly. Diodos genéricos sfo fornecidos em até 3000 V, 3500 Ae a faixa dos diodos de recuperacio répida pode ir até 3000 V, 1000 A. O tempo de recuperagdo reversa varia entre 0,1 © 5 4s, Os diodos de recuperagao répida sao essen- ciais para o chaveamento em alta freqiiéncia dos conversores de pot@ncia. Um diodo tem dois terminais: um catodo em um anodo. Os diodos Schottky tém baixa queda de tenso fem sentido direto e tempo de recuperagdo muito pequeno, lipicamente de nanossegun- dos. A corrente de fuga aumenta com a faixa de tenso e seus valores nominais esto limitados a 100 Y, 300 A. Um diodo conduz quando sua tensdo de anodo é maior que a de catodo; ea queda de tensio direta de um diodo de poténcia é muito baixa,tipicamente de 0,5 a 1,2 ¥. Se a tensio de catodo é maior que a tensao de anodo, diz-se que o diodo cestd no modo de bloqueio. A Figura 1.3 mostra varias configuracies de diodos genéricos, que Sa basicamente de dois tipos:o tipo rosca ou rosquedel (do inglés stud ou stud-mounted) & © tipo disco ou encapsulamento prensével ou disco de hiquei (do inglés disk ou press pak ou hockey puck). Em um tipo rosqueavel, tanto 0 anodo quanto o eatodo podem estar do lado da rosca. i Figura 13 \Vrias configuragies de diodos _genéricos (cortesia da Powerex, Inc). (Um tiristor tem tr@s terminais: um anodo, um catodo e um gatilho. Quando luma pequena corrente passa através do terminal do gatilho para o catodo, o ti conduz, contanto que o terminal de anodo esteja em tum potencial mais elevado qui ceatodo, Uma ver que o tiristor esteja no modo de condugao, 0 citcuito de gatilho nao tem controle e 0 tiristor continua a conduzir. Quando o tiristor esta no modo de cond queda de tensio direta € muito pequena, tipicamente de 0,5 a 2 V. Um tiristor em conducio pode ser desligado fazendo-se 0 potencial de anodo igual ou menor que 0 potencial de catodo. Os tiristores comutados pela rede sio desligados devido 3 natureza senoidal da tens de entrada e os tiristores de comutagio forgada sio desligados por umCap. Introdugio 7 ireuito extra, chamado circuito de comutagio. A Figura 1.4 mostra varias configuragées de liristores de controle de fase (ou comutados pela rede): dos tipos rosca, disco de héquei, chatos e de pinos, Figura 14 Vrias configuragies de tristones (cortsia da Powerex, Inc) Os tiristores de comutacdo natural ou pela rede sio fomecidos com valores rnominais de até 6000 V, 3500 A. O tempo de destigamento (do inglés turn-off time) dos tiristores de bloqueio reverso de alta velocidade foi melhorado substancialmente e & possivel ter de 10 20 ps em um tiristor de 1200 V, 2000 A. O tempo de desfigamento 6 definido como o intervalo de tempo entre o instante em que a corrente principal é diminuida a zero apés 0 chaveamento extemno do circuito de tensio principal eo instante em que o tirstor 6 capaz de suportar uma tensio principal especifica sem ligar novamen- te Os RCTS e 0s GATTS sio amplamente utilizados para chaveamento em alta veloci- dade, em especial em aplicagSes de tragao. Um RCT pode ser considerado um tiristor com tum diodo em antiparalelo. Os RCTs sio fornecidos em até 2500 V, 1000 A (e 400 A fem conduc reversa) com um tempo de chaveamento de 40 4s, Os GATTs sio forne- cidos em até 1200 V, 400 A, com uma velocidade de chaveamento de 8 jis. Os LASCRs, que so fornecidos em até 6000 V, 1500 A, com uma velocidade de chaveamento de 200 400 us, s30 apropriados para sistemas de poténcia de alta tensio, especialmente em HVDC. Para aplicagSes em CA de baixa poténcia, 05 TRIACS sio amplamente utilizados em todos os tipos simples de controle de aquecimento, controles de iluminagio, de maquinas elétricas e chaves CA. As caracteristicas dos TRIACS sio similares as de dois tiristores conectados em antiparalelo, tendo apenas um terminal de gatilho. A corrente {que flui através do TRIAC podte ser controlada em ambos os sentidos. Os GIOs e os SITHs sio tiristores autodesligiveis. Os GTOs e os SITHs sio ligados pela aplicacio de um curto pulso positivo aos gatilhos e desligados pela aplica- glo de um curto pulso negativo, também aos gatilhos. Eles ndo requerem nenhum Circuito de comutagéo, Os GTOs, muito atrativos para comutagio forgada de con- versores, sio fornecidos em até 4000 V, 3000 A. Os SITHs, cujos valores nominais8 EletrSnica de Potencia ~ Circuito, Dispositioose Aplicagdes Cap. 1 poclem ser tio altos, como 1200 Y, 300 A, tém expectativa de aplicagao em conversores, Ge média poténcia, com uma freqiiéncia de varias centenas de quilohertz e além da faixa de freqiiéncia dos GTOs, A Figura 1.5 mostra varias configuragdes de GTOs. Um MCT. pode ser “ligado” por um pequeno pulso de tensdo negativa na porta MOS (em relacao ‘20 seu anodo) e “desligado” por um pequeno pulso de tensio positiva, Ele € como um. GTO, exceto pelo fato de o ganho de desligamento ser muito alto. Os MCTS sao forne- Dieda D, (2) Diagrama do crete (6) Formas do onda de ensio Figura 19 Conversor cace coal st monosco. x Conversores CC-CC. Um conversor CC-CC ¢ também conhecido como um. chopper ou regulador chaveado; um chopper com transistor 6 mostrado na Figura L11. A. tensio média de saida é controlada pela variagao do tempo de condugao t, do transistor Qi. Se T & 0 periodo de operagdo do chopper, entdo fy = BT. 8 & chamado ciclo de trabalho do chopper.16 __letrinicn de Potencia ~Cirenitos, Dispsitowse Apliagies Cap. 1 Figura 110 Conversor CACA onotisico Rego en (a) Diagram do cecuto (b) Formas de onda de tensa Conversores CC-CA. Um conversor CC-CA é também conhecido como um ingersor. Um inversor monofasico com transistor é mostrado na Figura 1.12. Se os transis- tores Mi e Mz conduzirem por meio periodo e Ms e My conduzirem na outra metade, a lensio de safda terd a forma alternada. A tensdo de saida pode ser controlada pela variagdo do tempo de condugdo dos transistores, Figura 1.11 “Tansistor 1 Conversor me Foote cece, fe Chaves estiticas. Como os dispositivos de poténcia podem ser operados como chaves estiticas ou contatores, a alimentac3o para essas chaves pode ser tanto CA ‘quanto CC e as chaves sio chamadas chaves estticas CA ou chaves CC.Cap. Intradugio 17 Figura 132 1 T Conversor > CCA 4 monotisco. T ' 7 (a) Diagrama do cieito (b) Formas de onda de tense 1.6 PROJETO DE EQUIPAMENTOS DE ELETRONICA DE POTENCIA O projeto de equipamentos de eletrénica de poténcia pode ser dividido em quatro partes: projeto dos cicuitos de poténcia; 2. _protegio dos dispositivos de poténcia; 3. determinagio da estratégia de controle: 4. projetos dos circuits kigicoe de controle Nos capitulos a segui, varios tipos de circuitos de eletrdnica de poténcia sio descritos e analisados, Na analise os dispositivos de poténcia sio considerados chaves ideais, a menos que afirmado o contrario; e os efeitos da indutancia de dispersa0 do circuito, de suas resisténcias e da indutancia da fonte sdo desprezados. Os dispositivos de poténcia e cireuitos priticos diferem dessas condigdes ideais e os projetos dos circui- tos também sio afetados. Entretanto, no estgio inicial do projeto, a andlise simplificada do circuito € muito util para se compreender a sua operagio e se estabelecerem as caracteristicas e a estratégia do controle, Antes da construgio de um protstipo, o projetista deve investigar os efeitos dos parimetros do circuito (e as imperfeigdes dos dispositivos), devendo, ainda, modificar 0 projeto se necessério. Apenas apds a construcio e o teste do protétipo & que o projetista pode confiar na validade do projeto ¢ estimar, mais precisamente, os parimetros do ircuito (por exemplo, a indutancia de dispersio).18 __letrinicn de Potincia ~ Cireitos, Dispositioose Apliapies Cap. 1 17 EFEITOS PERIFERICOS As operagies dos conversores de poténcia sio baseadas principalmente no chaveamento dos dispositivos semicondutores de poténcia; e como resultado os conversores introdu- zem correntes e tenses harménicas no sistema de alimentacio e na sua safda. Isso pode ‘causar problemas de distorgao da tensio de safda, gerag3o de harmdnicos no sistema de alimentagao e interferéncia em circuitos de comunicagao e sinalizacdo. Normalmente & necessério introduzirfiltros na entrada e na saida de um sistema conversor para reduzit| ‘o nivel de harménicos a uma amplitude aceitavel. A Figura 1.13 mostra o diagrama em. blocos de um conversor de poténcia genético, A aplicagio da eletsiniea de poténcia para alimentar cargas eletrdnicas sensi- veis apresenta um desafio na qualidade da energia a ser entregue, apresentando pro- blemas e preocupagées a serem resolvidos pelos pesquisadores, As grandezas de entrada, € saida dos conversores podem ser tanto CA quanto CC, Fatores como a distorcao harmanica total (do inglés fotal harmonic distortion ~ THD), fator de deslocamento (do inglés displacement factor ~ HF) e fator de poténcia na entrada (do inglés input power factor = IPP) sio medidas da qualidade de uma forma de onda. Para determinar esses fatores, & necessério encontrar 0 contetido harmdnico das formas de onda. Para avaliar a perfor~ ‘mance de um conversor, as correntes e tensdes de entrada e saida deste so expressas na série de Fourier, A qualidade de um conversor de poténcia ¢ julgada pela qualidade de suas formas de onda de tensio e corrente. Figura 113 Sistema, renege | fwoge = Foe fconversor de atmnatS ‘paul Lan potincia - senérico. A estratégia de controle para os conversores de poténcia tem um papel impor tante na geragio de harménicos ¢ na distorgio da forma de onda de saida e pode ser direcionada 4 minimizagdo ou redugdo desses problemas. Os conversores de poténcia podem causar interferéncia em radiofreqiiéncia devido & radiagio eletromagnética, po- dendo os circuitos de controle gerar sinais erréneos. Esta interferéncia pode ser evitada pela blindagem aterradaCop. Introdugio 19 1.8 MODULOS DE POTENCIA Os dispositivos de poténcia sio fornecidos como unidades simples ou em um médulo, Um conversor de poténcia sempre requer dois, quatro ou seis dispositivos, dependendo de sua topologia, Os médulos de poténcia com dois (em configuracdo meia-ponte, também chamado dual), quatro (em ponte completa) ou seis (trifdsicos) sao fornecidos para quase todos os tipos de dispositivos de poténcia, Os médulos oferecem as vanta- sgens de perdas mais baixas em estado de condugio, caracteristicas de chaveamento de altas tensdes e corrente e velocidade maiores que as dos dispositives convencionais. Alguns médulos ainda incluem protecio contra transientes e a0 circuito de excitacio da porta ou do gatilho. 1.9 MODULOS INTELIGENTES (Os circuitos de excitagio da porta sio fornecides comercialmente para excitar disposi- tivos individuais ou médulos. Os muéidulos inteligentes, que so 0 estado da arte em eletrénica de poténcia, integram 0 médulo de poténcia € 0 citcuito periférico. O circuito periférico consiste de uma isolagio entrada/saida e interface do sinal com o sistema de alta tensio, um circuito de excitagio, um circuito de diagndstico e protecio (contra excesso de corrente, curto-circuito, carga aberta, sobreaquecimento, excesso de tensio), controle por microcomputador e um controle da fonte de alimentacio. Os usuarios necessitam apenas conectar fontes de alimentagio. Um médulo inteligente também conhecido como smart power. Esses médulos estio senda cada vez mais utilizados em eletednica de poténcia, Alguns fabricantes de dispositivos e médulos slo listados a seguir: Advanced Power Technology Power Integrations, Inc. Brown Boveri Powerex, Inc Fuji Electric/Collmer Semiconductor, Inc. PowerTech, Inc. Harris Corp. RCA Corp, Hitachi Ltd. ‘Semikron International International Rectifier Siliconix, Ine Marconi Electronic Devices, Inc ‘Tokin, Inc. Mitsubishi Electric Tokyo Denki Motorola, Inc. ‘Toshiba Corp. National Semiconductors, Inc. Unitrode Integrated Circuits Nihon International Electronics Corp. Westcode Semiconductors Ltd.20 Eletrnica de Poténcia ~Circuitos, Dispositions e Aplicagies Cap. 1.10 PERIODICOS E CONFERENCIAS DE ELETRONICA DE POTENCIA Ha muitos periddicos e conferéncias profissionais nos quais os novos desenvolvimentos sio publicados. Alguns deles sao: IEEE Transactions on Industrial Electronics IEEE Transactions on Industry Applications IEEE Transactions on Power Delivery IEEE Transactions on Power Electonics IEE Proceedings on Electric Power Journal of Electrical Machinery and Power Systems Applied Power Electronics Conference (APEC) European Power Electronics Conference (EPEC) IEEE Industeial Blectronics Conference (IECON) IEEE Industry Applications Society Annual Meeting (1AS) International Conference on Electrical Machines (ICEM) International Power Electronies Conference (IPEC) Power Conversion Intelige t Motion (PCIM) Power Electronics Specialist Conference (PESC) RESUMO. A medida que a tecnologia para dispositivos semicondutores de poténcia ¢ circuitos integradas se desenvolve, o potencial para as aplicagies da eletrinica de poténcia tor: se mais amplo, Js existem muitos dispositivos semicondutores de poténcia que sio fornecidos comercialmente; entretanto, 0 desenvolvimento nesse sentido & continuo. Os conversores de energia caem geralmente em seis categorias: (1) retificadores, (2) con- versores CA-CC. (3) conversores CA-CA, (4) conversores CC-CC, (5) conversores CC-CA © (6) chaves estiticas. O projeto de cireuitos de eletronica de poténcia requer o desen- volvimento dos circuitos de poténcia e de controle. As tensbes e correntes harmdnicas geradas pelos conversores de energia s80 reduzidas (ou minimizadas) com uma escolha adequada da estratégia de controleCap.1 Introdugio 21 REFERENCIAS B. K, BOSE, Maer Poser Electronics: Evolution, Technology and Applications. Nova Torque: IEEE Press, 1992. __ “Recent advances in power electronics IEEE Transactions on Power Electronics, vol. PEF, n. 1, 1992, pp. 2-16. B. R. PELLY. “Power semiconductor devices: a status review." IEEE Industry Applications Society International Semiconductor Power Converter Conference, 1982, pp. 1-19, F HARASHIMA. “State of the art on power electronics and electrical drives in Japan” 3nd IFAC Symposivm on Control in Power Electronics and Electrical Drives, Lausanne, Suiga, 1983, pp. 23.33. (GENERAL ELECTRIC. D. R. Grafham, F.B. Golden (eds.). SCR Manual. 6" ed. Englewood Clits, NJ Prentice Hall, 1982. R.G. HOFF. “Historical review, present status and future prospects.” International Power Electonics Conference, Tiquio, 1983, pp. 6-18 Semiconductor Power Electronics. Nowa Torque: Van Nostrand Reinhold Company, Tne, 1986, TT M. JAHNS. “Designing intelligent muscle into industrial motion conteoL.” IEEE Transactions on Industrial Eletroncs, vol JE37,n. 5, 1990, pp. 329-41 QUESTOES DE REVISAO 1A Oqueéeletsinica de poténcia? 12 Quais sio 08 vériostipas de trstores? 13 Oque écirevito de comutagio? 14 Quaiss 8 condigies para um tvistor conduzir? 15 Como um tiristorem conduso pode ser desligado? 1.6 que é comutasio pela rede? 17 que comutagio forvada? 18 Qual a diferenga entre um iritor e um TRIAC? 19 Qual éa caracteristica de controle de um GTO? 140 O que éo tempo de desligamento de um tiristor? LALO que éum conversor?letrnica de Poténeia~Cireuites, Dispositoos e Aplicgies Cap. 1 (Qual € principio da conversa CACC? (Qual 6 principio da conversio CA-CA? ‘Qual 6 principio da conversa CC-CC? ‘Qual 6 principio da conversa CC-CA? Quais sio as etapas envoluidas no peojeta de equipamentos de cletronica de poténca? Qua is sto os efeitos perféricas dos equipamentos de eetrnca de poténcia? Quais so as diferengas nas caracteristicos de controle dos GTOs e dos Hrstores? Quais so as diferengas nas caracteristicas de controle dos transistore e dos trstres? Quais so as diterengas nas caracteristicas de controle dos BJTs¢ dos MOSFETS? Qual éa caracterstica de controle de um IGBT? Qual éa caracterstica de controle de um MCT? (Qual éa caracterstca de controte de um SIT? Quais so as diterencas entre os BY Tse 08 IGBTR? Quais so as diferencas entre os MCTs€ 08 GTOs? (Quais so as diferencas entre os SITHS e os GTOs?nen terenneeeenee ett MAKRON Books Capitulo 2 Diodos Semicondutores de Poténcia 24 INTRODUCGAO Os diodos semicondutores de poténcia tém um papel significative nos circuitos de eletrénica de poténcia. Um diodo age como uma chave para realizar varias fungdes, tais como: chaves em retificadores, comutagao em reguladores chaveados, inversao de carga fem capacitores e transferéncia de energia entre componentes, isolagio de tensfo, reali- mentagio de energia da carga para a fonte de alimentagio e recuperacio da energia armazenada, Os diodos de poténcia podem ser considerados chaves ideais na maioria das aplicagdes, mas os diodos priticas diferem das caracteristicas ideais e tém certas limita- ‘bes. Os diodlos cle poténcia sSo similares aos diodos de sinal de jungio pr. Entretanto, 0 diodos de poténcia t&m maiores capacidades de poténcia, tensio e corrente que 0s diodos comuns de sinal, A resposta em freqiiéncia (ou velocidade de chaveamento) & baixa se comparada a dos diodos de sinal. 2.2 CURVAS CARACTERISTICAS DOS DIODOS Um diodo de poténcia & um dispositive de jungdo pu de dois terminais, e esta juncio & normalmente formada por fusio, difusio e crescimento epitaxial. As técnicas de controle modernas em difusio e processos epitaxiais permitem obter as caracteristicas desejadas do dispositivo. A Figura 2.1 mostra uma vista transversal de uma juncio pr e 0 simbolo de um diodo.24 Eleteénicn de Potincia ~Cirewitos, Dispsii jes Cap.2 Avado[J,[catodo Anode py Catodo Figura 21 Vv . o Jango puesimbolo de um diode. a ae i +H (a) tungao pn (6) Simbalo do dos Quando 0 potencial de anodo é positive em relagio a0 catodo, diz-se que 0 diodo esté diretamente polarizado e conduz. Um diodo em condugao tem uma queda de tensio no sentido direto relativamente pequena sobre ele; e a amplitude dessa queda depende do processo de fabricagio e da temperatura da juncio. Quando o potencial de catodo & positivo em relagio ao anodo, 0 diodo esta reversamente polarizado. Sob condigdes de polarizagio reversa, uma pequena corrente reversa (também conhecida como corrente de fzga, do inglés leakage current) na faixa de micro a miliampéres flui e esta corrente de fuga aumenta lentamente em amplitude com a tensio reversa até que a tensio de avalanche, ou tensio Zener, 6 atingida. A Figura 2.2a mostra as curvas carac- teristicas 2-1 em regime permanente de um diodo, Para a maioria dos propdsitos priticos, um diodo pode ser considerado uma chave ideal, cujas curvas carac- teristicas s30 mostradas na Figura 2.2b, Figura 22 : Curva caracterstica oi de sum diodo. Coens teluge (a)Priteo (ey tdeat As curvas caracteristicas »-i mostradas na Figura 2.2a podem ser expressas pela ‘equagio conhecida como equacio do diodo Schockley, que é dada por Ip = te¥™”""" = 1) en fem que Ip = corrente através do diodo, em A Vp = tensio do diodo, com 0 anodo positive em relagdo ao catodo, em VCap.2 Dios semicondutores de poteneia 25 1k = corrente de fuga (ou de saturagio reversa),tipicamente na faixa de 10°* a wa constante empitica conhecida como cnefciente de emiss dade, cujo valor varia de 1 a2. ‘ou fator de ideal © coeficiente de emissdo m depende do material e da construgio fisica do diodo, Para diodos de germanio, » é considerado como 1. Para diodos de silicio, a expectativa do valor de € de 2, mas para a maioria dos diodos praticos, 0 valor de 1 esta na faixa de 1,1 als. Vy na Eq, (21) ¢ uma constante chamada fensiv térmica (do inglés thermal voltage) e é dada por xr Vr= 2.2) cea 22) fem que q ~ carga do elétron: 1,6022 « 10°" coulomb (C) T= temperatura absoluta em kelvin (K = 273 + °C) k= constante de Boltzmann: 13806 x 10779)/K Na temperatura da jungdo de 25°C, a Bg. (2.2) dt KT _ 1,3806 x 10°? x (273 + 25) Vr= tk 4 1,6022 x 10 = 58mV ‘A uma temperatura especifica, a corrente de fuga J, € uma constante para um dado diodo. As curvas caracteristicas do diodo da Figura 2.2a podem ser divididas em trés regides: regio de polarizacao direta, onde Vy > 0; regio de polarizacao reversa, onde Vp) < 0; regiao de ruptura reversa, onde VD < -Vz5. Regido de polarizacao direta. Na regio de polarizagio direta, Vp > 0,.A corrente do diodo Ip ser muito pequena se a tensdo do diodo Vp for menor que um valor especifico Vrp (tipicamente 0,7 V). 0 diodo conduziré plenamente se Vo for maior que esse valor Vrp, que é referido como tensio de limiar (do inglés threshold voltage) ou fensao de corte (do inglés cut-in zoltage) ou tensi de ligamento (do inglés turn-on voltage), Assim, a tensio de limiar é aquela na qual o diodo conduz. completamente. Considerar uma pequena tensio no diodo Vp = 0,1V, = Le Vz = 258m. A partir da Eq, (2.1) pode-se encontrar a corrente correspondente do diodo Ip como26 —_Eletrnicn de Poténeia—Circuitos, Dispositioos e Aplicgies Cap. 2 wieXO/V 4) a p(e0A8 0058) = 154823 — 1) = 48,231, com um erro de 2.1% Portanto, para Vp > 0,1, que é normalmente 0 caso, Ip >> I, € @ Eq, (2.1) pode ser aproximada com um erro de 2,1% para Ip = L(eYO/¥9 — 4) w fe” e3) Regio de polarizagao reversa. Na regio de polarizagao reversa, Vo < 0. Se Vo & negativo e IVo | >> Vr, que ocorre para Vp < ~0,1, 0 termo exponencial na Eq, (2-1) torna-se insignificante ou muito pequeno quando comparado com a unidade, © a corrente do diado Ip torna-se I Var yw = I ay jue indica que a corrente do diodo Ip no sentido reverso & constante e igual a I. 9 a ig Regldo de ruptura reversa. Na regiso de ruptura reversa (do inglés bredk- down region) a tensio reversa & muito alta, normalmente maior que 1000 V. A amplitude dda tensdo reversa excede uma tensio especifica, conhecida como tens de ruptura reversa (do inglés breakdown voltage ~ Ven). A corrente reversa aumenta rapidamente com uma pequena variagio na tensio reversa além de Var, A operagio na regiéo de ruptura reversa nao seré destrutiva se a dissipagio de poténcia estiver dentro de um “nivel seguro”, que € especificado pelas folhas de dados do fabricante. Entretanto, é sempre necessério limitar a cortente reversa na regiao de ruptura reversa para limitar a dissipa- fo de poténcia a um valor permissivel Exemplo 2.1 ‘A queda de tensio direta de um diodo de potincia é Vo = 12V a Ip = 300A. Supondo que Ze Vr = 258m, encontrar a corrente de saturagSo L Solugio: Aplicando a Eq. @.1), pode-se encontrar a corrente de Fuga (ou de saturacio) ant x88) _ que dé 1.=2,38971 x 10°.2.3. CURVAS CARACTERISTICAS DA RECUPERACAO REVERSA Acorrente na jungio diretamente polarizada do diodo deve-se ao efeito dos portadores majoritarios e minoritérios. Uma vez que 0 diodo esteja no modo de condusio direta e ento sua corrente direta seja reduzida a zero (em funcio do comportamento natural do Circuito do diodo ou pela aplicagio de tensio reversa), 0 diodo continua conduzindo devido aos portadores minoritarios que permanecem armazenados na jungdo pn e no ‘material semicondutor propriamente dito. Os portadores minoritérios requerem um, certo tempo para recombinar com as cargas opostas e ser neutralizados. Esse tempo & chamado tempo de recuperagio reversa (do inglés reverse recovery time) do diodo. A Figura 2.3 mostra duas curvas caracteristicas de recuperagao reversa de diodos de juncio. O tipo de recuperagao suave (do inglés soft-recovery) & mais comuum. O tempo de recupera- ‘a0 reversa & denotado por t,,e & medido a partir do cruzamento inicial com o zero da corrente do diodo até 25% da corrente reversa maxima (ou de pico), Iga O ty, consiste de dois componentes, {, € ti. O fy deve-se ao armazenamento de cargas na regio de deplegio da jungio e representa o tempo entre © cruzamento com o zero € o pico da cortente reversa, Igp. O f, deve-se ao armazenamento de cargas no material semicondu- tor. Arelagio t/t, € conhecida como for de suavidade (do ingles softness factor ~ SF), Para ropésitos praticos, ¢ necessario relacionar o tempo de recuperacio reversa t,,¢ o valor de pico da corrente reversa Ing. t= tat te @s) 0 pico da corrente reversa pode ser expresso na di/dt reversa como di Ing = te Gi 26) Figuea23 recuperacio reversa. Ay (a) Recuporagao suave (b) Recuperagao abwupta28 —_Eletrinicn de Potencia ~ Cireuite, Dispositions e Aplingies Cap. 2 © tempo de recuperagio reversa t,, pode ser definido como o intervalo de tempo entre o instante em que a corrente passa pelo zero, durante a mudanga da condigdo de ‘condugio direta para o bloqueio reverso, 0 momento em que a corrente reversa jé cait 125% do seu valor de pico Igg.-O fy» & dependente da temperatura da jungio, da taxa de decaimento da corrente direta e da corrente direta antes da comutago, A carga de recuperasio reversa Qn & a quantidade de portadores de cargas que fluem através do diodo no sentido reverso devido a mudanga na condigio de conducio direta para bloqueio reverso, Seu valor é determinado a partir da érea abrangida pelo caminho da corrente de recuperagio reversa. [A carga armazenada, que 6 a rea abrangida pelo caminho da corrente de recuperagio, 6 aproximadamente Qn = fete + Lew en tan = 2088 oy Substtuindo a Eq (2.6) 0 Eq (28), obtém-se torte = 2Qen 29) aiddt Se ty for desprezivel, quando comparado a fy, 0 que normalmente € 0 ca80, f,, = fy, AEG. @3}tomase af 2 = N aiaat CD Ine = Vf 208 4 ey Pode-se notar a partir das equagies (2.10) e (2.11) que o tempo de recuperacio reversa frre 0 pico reverso da corrente de recuperacao Ix dependem da carga armazenada Qne edo did reverso (ou reaplicado). A carga armazenada é dependente da corrente diretaCap.2 Diodos semicondutores de poténcia 29 do diodo Ir. O pico da corrente de recuperagiio reversa Ine, a carga reversa Ox € 0 fator de suavidade sio todos de interesse do projetista do circuito, sendo esses pardmetzos normalmente incluidos nas folhas de especificacées dos diodos. ‘Se um diodo estiver na condicio de polarizagio reversa, uma corrente de fuga fluird devido aos portadores minoritérios. A aplicagio de tensio direta forgaria 0 diodo a conduzir corrente no sentido direto. Entretanto, 6 necessario um certo tempo, conhecido como fempo de recuperngio direta ou tempo de ligamento (do inglés forward recovery time ou. furi-on time), antes que todos os portadores majoritsrios, distribuidos por toda a juncio, possam contribuir para o fluxo da corrente. Se a taxa de crescimento da corrente direta é elevada e a propria corrente direta esta concentrada em uma pequena érea da juncio, 0 diodo pode falhar. Assim, o tempo de recuperacio direta limita a taxa de erescimento da corrente direta e a velocidade de chaveamento, Exemplo 2.2 (© tempo de recuperagio reversa de um dicdo é try =3 us ea taxa de decaimento da cortente do diodo 6 di/dt = 30 A/us. Determinar (a) a carga armazenada Onn e (b) a corrente reversa de pico ln Solugio: t;,=3 use aide G@) Apantirda Ba. 2.10), 0AM 05 x 30A/us x Gx 1057 135 uc addi One = 3 ae (b) Apartirda Bq. 2.10), 4i | Nexsxi* xm x10 tan = W2Qee 4 = V2 x 135% 0% 30 x 10 2.4 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA dealmente um diodo nao deve ter tempo de recuperagso reversa, Entretanto, o custo de fabricacao de tal diodo aumentars, Em muitas aplicagoes, os efeitos do tempo de recupe- ago reversa ndo serio significativos e diodos mais baratos poderio ser utilizados. Dependendo das caracteristicas de recuperacao e das técnicas de fabricacio, os diodos de poténcia podem ser classificados em trés categorias: diodos padrio ou genéricos, diodos de recuperacio rpida e diodos Schottky. As caracteristicase limitagbes praticas de cada tipo restringem suas aplicagbes.30. Eletrnice de Poténcin~Circuitas, Dispositions e Aplicaies Cap. 2 2.41 Diodos Genéricos (Os diodos retificadores genéricos tém tempo de recuperagao reversa relativamente alto, em geral 25 is, e sio utilizados em aplicagoes de baixa velocidade, em que o tempo de recuperagio reversa no é critico (por exemplo, aplicagbes em retificadores e conversores, com diodos para uma baixa freqiiéncia de entrada de até 1 kHz e conversores comuta- dos pela rede), Esses diodos cobrem faixas de correntes de menos de 1A a varios mmilhares de amperes, com faixas de tenses de 50 V a aproximadamente 5 KV. Esses diodos so geralmente fabricados por difusio. Entretanto, tipos de retificadores de jungao fundida, utilizados em fontes de alimentacio de méquinas de solda, sio mais baratos e robustos e suas especificagSes podem ir até a 300 Ae 1000 V. 2.4.2 Diodos de Recuperacao Répida 0s dliodos de recuperagio répida tém tempo de recuperagZo baixo, normalmente menor que 5 ls. Eles 40 usados em circuitos conversores de CC-CC e CC-CA, em que a velocidade de recuperacio é sempre de importincia critica, Esses diodos cobrem faixas de correntes de menos de 1 A.a centenas de ampéres, com especificagies de tensdes de 50 Va aproximadamente 3 kV. Para especificagées de tensses acima de 400 V, 0s diodos de recuperagio rapida sio feitos por difusio e o tempo de recuperagio reversa & controlado pela difusio de platina ou ouro. Para especificacies de tensdes abaixo de 400 V, os diodos epitaxiais Fornecem velocidades de chaveamento mais répidas que as dos diodos difundidos. Os diodos epitaxiais tém uma largura de base estreita, resultando em um tempo de recupe- ragdo rapido, na ordem de 50 ts, Diodos de recuperagao répida de varios famanhos 830, mostrados na Figura 2.4. Figura 24 Dindos de recuperagio répida (cortesia da Powerex, In)Cap. 2 Dios semicondutores de poténcia 31 2.4.3 Diodos Schottky problema do armazenamento de cargas em uma jungio pn pode ser eliminado (ou minimizado) em um diodo Schottky. Isto 6 obtido fazendo-se uma “barreira de poten- cial” com um contato entre um metal e um semicondutor. Uma camada de metal é depositada em uma fina camada epitaxial de silicio do tipo n. A barreira de potencial simula o comportamento da jungao pn, A acdo de retificacio depende apenas dos porta- dores majoritarios, e como resultado nao hd portadores minoritérios em excesso para se recombinarem. O efeito de recuperacio deve-se unicamente & capacitincia propria da jungdo semicondutora, A carga recuperada do diodo Schottky é muito menor do que a de um diodo de jungZo pn equivalente. Visto que ela se deve apenas & capacitancia da jungio, ¢ bastante independente do di/d¢ reverso. Um diodo Schottky tem uma queda de tenso no sentido direto relativamente baixa, A corrente de fuga de um diodo Schottky é maior que a de um diode de junsio pn. Um diodo Schottky com tensio de condugio relativamente baixa tem corrente de Tuga relativamente alta e vice-versa. Como resultado, sua maxima tensio disponivel é geralmente limitada a 100 V. As especificagoes de corrente dos diodos Schottky variam de 1 a 300 A, Os diodos Schottky sao ideais para fontes de alimentagao CC de altas correntes e baixas tensdes. Entretanto, eles também s5o utilizados em fontes de alimenta- 0 de baixa corrente para aumentar sua eficiéncia, Retificadores Schottky duais de 20. 30 A sio mostrados na Figura 25. Figura 25 Rotificadores Schottky duais de 20e30 A (cortesia da Intemational Rectitien,32 Eletrinice de Poténcia~Citcuitas, Dispositivos e Aplicages Cap. 2 2.5 EFEITOS DOS TEMPOS DE RECUPERACAO, DIRETO E REVERSO A importincia desses parimetros pode ser explicada pela Figura 2.6a. Se a chave CH for ligada em t = Oe permanecer ligada por um tempo grande o suficiente, uma corrente de regime permanente de Ip = V,/R fluird através da carga e o diodo de comutaco Dy, seré polarizado reversamente, Se a chave for desligada em f = t, 0 diodo Dy conduzira e Juma corrente circulard através de Dy. Agora, sea chave for ligada novamente em f = ty 6 diodo Dy, comportara um curto-cireuito, A taxa de crescimento da corrente direta da chave (e diodo Dj) e a taxa de decaimento da corrente direta do diodo D,y seriam muito elevadas, tendendo para infinito, De acordo com a Eq. 2-11), 0 pico da corrente reversa do diodo Dy, poderia ser muito alto e 05 diodos D; € Dy, poderiam ser danificados. A Figura 2.6b mostra as varias formas de onda para as correntes dos diodos. Esse problema 6 normalmente superado pela conexio de um indutor de limitagao de di/dt, L,, como mostrado na Figura 2.7a, Os diodos praticos requerem um certo tempo de entrada em condugio, antes que toda a érea da junio se torne condutiva, eo di/df deve ser mantido baixo para se alcangar o limite de tempo de ligamento. Esse tempo & também conhecido como temipo de recuperacio direta, ty (do inglés forward recovery time). Ataxa de crescimento da corrente através do diodo Dy, que deve ser a mesma que a de decaimento da corrente através do diodo Dy, & di _ Vs #7k @12y Se fy; €0 tempo de recuperacéo reversa de Dy, a corrente reversa de pico de Ducé wip th a tas Ig = te Hi = te 13) ea corrente de pico através do indutor 1, seria Ip = fo + eR to + ty UE ey