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Relatório MOSFET
Relatório MOSFET
MOSFET NMOS
1st Gabriel Pantoja da Silva
Universidade de Brası́lia
Brası́lia, Brasil
gpantoja521@gmail.com
Obter as curvas IV do transistor NMOS em dois cenários Vgate Ids (W=2µm,L=180nm) Ids (W=2µm,L=10µm)
em que o parâmetro lenght foi alterado, validar os resultados 1.0 V 42.5080µA 1.3µA
encontrados e familiarização com a ferramenta do Cadence. 1.2 V 105.9148µA 3.5µA
1.4 V 190.5364µA 6.5µA
1.6 V 290.1421 µA 11.6µA
II. M ETODOLOGIA 1.8 V 388.1705 µA 15.5µA
2.0 V 492.1137 µA 21.5µA
III. R ESULTADOS E D ISCUSS ÃO
Como o único parâmetro alterado entre as duas simulações foi
O gráfico IV quando a tensão no gate e em drain são 1,0 o lenght, logo a razão entre as correntes, para cada caso de
V foi: tensão de gate, deve ser de, aproximadamente, 22.22. A razão
encontrada, indo de Vgate = 1.0V até Vgate = 2.0V foram:
32.35, 30.26, 29.31, 25.01, 25.04 e 22.89.
A. Efeito Early
A modulação do canal é o quão inclinado encontra-se a
curva (RAZAVI, p.247, 2010) e tem relação com o valor do
comprimento do canal, uma vez que a inclinação depende
Fig. (1) Curva IV. Fonte: Autoria própria, 2023 proporcionalmente ao valor da corrente de dreno. Uma vez
que o comprimento do canal é reversamente proporcional a
corrente, tem-se que um menor valor de Lenght resultará em
As curvas IV quando os valores dos parâmetros Width = 2 uma curva com maior inclinação enquanto que um Lenght
µm e Lenght = 180 nm foram: As curvas IV quando os valores maior resultará em uma curva menos inclinada.
IV. C ONCLUS ÃO
R EFERENCES
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