MOSFETTransistor de Efeito de Campo de Jungao © transistor de efeito de campo de juncao, ou JFET, é um dispositive semicondutor unipolar de trés terminais controlado por tensdo disponivel em configuragdes de canal N e canal P. O transistor de efeito de campo de juncio é um dispositive unipolar no qual o fluxo de corrente entre seus dois eletrodos é controlado pela ago de um campo elétrico em uma juncao pn com polarizagao reversa. Nos tutoriais do transistor de jun¢ao bipolar, vimos que a corrente do coletor de safda do transistor & proporcional @ corrente de entrada que flui para o terminal base do dispositivo. Isso torna o transistor bipolar um dispositive operado por “CORRENTE” (modelo Beta), pois uma corrente menor pode Ser usada para comutar uma corrente de carga maior. Otransistor de efeito de campo, ou simplesmente FET, no entanto, usa a tensdo que é aplicada ao seu terminal de entrada, chamado Gate, para controlar a corrente que flui através deles, resultando ha corrente de saida sendo proporcional & tensdo de entrada. Como sua operagao"depende de um campo elétrico (daf 0 nome efeito de campo) gerado pela tensao, do Gate dé entrada, isso torna o transistor de efeito de campo um dispositivo opérado por “VOLTAGEM” Z # Transistor de Efeito de Campo Tipico O transistor de efeito de campo é um dispositive semicondutor unipolar de trés terminais que possui caracteristicas muito semelhantes as de seus homélogos do transistor bipolar. Por exemplo, alta eficiéncia, operagdo instanténea, robusta e barata e pode ser usada na maioria das aplicagées de circuitos eletrénicos para substituir seus primos equivalentes de transistores de juncao bipolar (BJT). Os transistores de efeito de campo podem ser muito menores do que um transistor BIT equivalente e, juntamente com seu baixo consumo de energia edissipacdo de energia, os tornam ideais para uso em circuitos integrados, como a linha CMOS de chips de l6gica digital. Lembramos dos tutoriais anteriores que existem dois tipos basicos de construgdo de transistores bipolares, NPNe PNP, que basicamente descrevem o arranjo fisico dos materiais semicondutores do tipo P e do tipo N dos quais sio feitos. Isso também é verdade para os FETS, pois também existem duas classificages bésicas do transistor de efeito de campo, chamadas de FET de canal Ne FET de canal P. O transistor de efeito de campo é um dispositivo de trés terminais que ¢ construido sem jungdes PN dentro do caminho principal de transporte de corrente entre os terminais Drain e Source. Esses terminais correspondem em fungdo ao Coletor e ao Emissor, respectivamente, do transistor bipolar. 0 caminho da corrente entre esses dois terminais é chamado de “canal”, que pode ser-feito de um material semicondutor do tipo P ou do tipo N. O controle da corrente que flui neste caflal &:obtido pela variacdo da tensdo aplicada aoGate.Como o préprio nome indica, o8\transistores bipolares sio dispositivos “bipolares” porque operam com os dois,tipos de portadores de carga, buracos e elétrons. Jé 0 transistor de eféito de campo é um dispositive “unipolar” que depende apenas da condugdo de elétrons (eanal'N) ou buracos (canal P). O transistor de efeito de campo.tem uma grande vantagem sobre seus primos transistores bipolares padrdo, na medida em que sua impedancia de entrada ( Rin) ¢ muito alta (milhares de’ Ohms), \enquanto o BIT & comparativamente baixo. Essa impedancia de entrada muito"alta os torna muito sensiveis aos sinais de tensio de entrada, mas o prego.dessa alta sensibilidade também significa que eles podem ser facilmente danificados pela eletricidade estatica. Existem dois tipos principais de transistor de efeito de campo, o transistor de efeito de campo de junsdo ou JFETe otransistor de efeito de campo de gate isolado ou IGFET), que é mais comumente conhecido como 0 transistor de efeito de campo semicondutor de éxido de metal padréo ou MOSFET para abreviar. O transistor de efeito de campo de jungio Vimos anteriormente que um transistor de jungdo bipolar é construido usando duas jungées PN no caminho principal de transporte de corrente entre os terminais Emissor e Coletor. O transistor de efeito de campo de juncao (JUGFET ou JFET) nao possui juncdes PN, mas possui um pedaco estreito de material semicondutor de alta resistividade formando um "canal" de silicio tipo N ou tipo P para os portadoresmajoritarios fluirem com dois conexées elétricas éhmicas em cada extremidade comumente chamadas de Dreno e Source , respectivamente. Existem duas configuracées bésicas de transistor de efeito de campo de jung3o, 0 JFET de canal Ne 0 JFET de canal P. O canal do JFET do canal N é dopado com impurezas doadoras, 0 que significa que 0 fluxo de corrente através do canal é negativo (dai o termo canal N) na forma de elétrons. Da mesma forma, o canal do JFET do canal P é dopado com impurezas aceitadoras, o que significa que o fluxo de corrente através do canal é positivo (daf o termo canal P) na forma de orificios. Os JFETs de canal N tém uma maior condutividade de canal (menor resisténcia) do que seus tipos de canal P equivalentes, uma vez que 05 elétrons tém uma mobilidade maior através de um condutor em comparagdo com 0s buracos. Isso torna o JFET de canal N um condutor mais eficiente em comparacaio com seus equivalentes de canal P. Dissemos anteriormente que existem duas ‘conexées elétricas Ghmicas em cada extremidade do canal chamadas Dreno e So dentro deste canal hé uma terceira conexo elétrica que é chamada de terminal Gate e isso também pode ser um material tipo P ou tipo N formando uma\jungao PNicom o canal principal. A relacdo entre as conexé nsistor de efeito de campo de juncao e um transistor de jungao bipolar s aradas abaixo. Comparagao de conexdes entre um JFET e um BIT Emissot ~ (E) Source ~(S) Base ~(B) > Gate - (6) Coletor- (C) > Drain (dreno) = (0) Os simbolos e a construgdo basica para ambas as configuragdes de JFETs sdo mostrados abaixo.FET Channel cs ‘Construction N-channel JFET P-channel JFET © “canal” semicondutor do transistor de efeito\de de jungio é um caminho resistivo através do qual uma tensao Vos fi jue uma corrente Ip flua e, como tal, o transistor de efeito de campo Gi jode conduzir corrente igualmente bem em qualquer direcdo. Como ovcanal’é de natureza resistiva, um gradiente de tenso é assim formado ao longo do canal com essa tensdo se tornando menos positiva & medida que vamos do terminal Drain para o terminal Source. O resultado é que a junc: tanto, tem uma polarizaao reversa alta no terminal Drain e uma polariza a Menor no terminal Source. Essa polarizagao faz com que uma “camada de deplegio” seja formada dentro do canal e cuja largura aumenta com a polarizaga0. A magnitu rrente que flui através do canal entre os terminais Drain e Source é controlada\por uma tensdo aplicada ao terminal Gate, que é polarizado reversamente. Em T de canal N esta tensdo de Gate é negativa enquanto para um JFET de canal P a tensdo de Gate é positiva. A principal diferenga entre o JFET e um dispositivo BIT é que quando a jung JFET & reversamente polarizada a corrente Gate é praticamente zero, enquanto a corrente Base do BJT é sempre algum valor maior que zero.Polarizacao de um transistor de efeito de campo de junco de canal N Source “of Depletion Layer O diagrama de secdo transversal acima mostra um canal semicondutor do tipo N com uma regio do tipo P chamada Gate difundida rio canal do tipo N formando uma junco PN com polarizagio reversa e essaxjuncao que forma a regido de deplecdo ao redor da area do Gate quando nenhuma ténsdo externa é aplicada. Os JFETs so, portanto, conhecidos como dispositivos de modo de deplecao. Esta regido de deplecao produz um gradiente de potencial que é de espessura variével em torno da jungdo PN e restringe’o.fluxo de corrente através do canal reduzindo sua largura efetiva e aumentando assim a resisténcia geral do préprio canal. Entdo podemos ver que a porcd® mais esgotada da regio de deplesao esta entre o Gate e o Drenoyenquanto a’drea menos esgotada esta entre o Gate e o Source. Ent&o 0 canal, doJFET. conduz com tensdo de polarizacao zero aplicada (ou seja, a regio de deplecao tem largura préxima de zero). Sem tensdo,de Gate externa (Vc = 0), e uma pequena tens&o (Vos) aplicada entre o dreno e a fonte, a corrente de saturacgdo maxima (Ipss) fluird através do canal do dreno para a fonte restrita apenas pela pequena regido de deplecdo ao redor das jungées. Se uma pequena tensio negativa (-Vcs) é agora aplicada ao Gate, o tamanho da regizio de deplecdo comega a aumentar, reduzindo a drea efetiva geral do canal e, assim, reduzindo a corrente que flui através dele, uma espécie de efeito “squeezing” ocorre Lugar, colocar. Assim, aplicando uma tensdo de polarizacio reversa, aumenta a largura da regido de deple¢do que, por sua vez, reduz a condugdo do canal. Como a jung3o PN é polarizada inversamente, pouca corrente fluiré para a conexdo do Gate. A medida que a tensdo do Gate (-Vcs) se torna mais negativa, a largura do canal diminui até que nao haja mais fluxo de corrente entre o dreno e afonte e 0 FET é dito “pinched-off” (semelhante ao cut-off regio para um BJT). A tensiio na qual o canal fecha é chamada de “tensdo de pincamento”, (Ve). Efeito de campo de jungao Canal do transistor comprimido Drain N-type Channel vde Gate ‘When Vos >> Ve! channel closes "Pinch: Nesta regio de pingamento, a tensa aie, controla a corrente do canal e Vps tem pouco ou nenhum efeito. C o root SoD FET. 3 QS Modelo JFET AC O resultado é que 6 FET/age mais como um resistor controlado por tenso que tem resisténcia ze s = 0 e resisténcia maxima “ON” (Ros) quando a tensdo do Gate é muito a. Sob condigées normais de operacdo, o Gate JFET é sempre negativamente polal em relagao a fonte. E essencial que a tensdo do Gate nunca seja positiva, pois se for toda a corrente do canal fluird para o Gate e ndo para a Fonte, o resultado seré dano ao JFET. Ento para fechar o canal: No Gate Voltage (Vcs) e Vos ¢ aumentado de zero. Nenhum controle de Vos e Gate é diminuido negativamente de zero. Vos € Ves variando. 0 transistor de efeito de campo de jungdo do canal P opera exatamente da mesma forma que 0 canal N acima, com as seguintes excegées: 1). A corrente do canal6 positiva devido aos furos, 2). A polaridade da tensio de polarizacao precisa ser invertida. As caracteristicas de saida de um JFET de canal N com o Gate em curto-circuito com a fonte séo dadas como: Curvas V; caracteristicas de saida de uma jungao tipica FET A tens Ves aplicada ao Gate controla a corrente que flui entre os terminais Drain e Source. Ves refere-se & tenso aplicada entre o Gate e a Fonte, enquanto Vos refere-se & tens&o aplicada entre o Dreno ea Fonte. Como um transistor de efeito de campo de jungao é um dispositivo controlado por tensdo, “Nenhuma corrente flui para o gate!” entdo a corrente de fonte (Is) que sai do dispositivo é igual a corrente de dreno que flui para ele e, portanto, (Ip = Is).O exemplo das curvas caracteristicas mostradas acima mostra as quatro diferentes regides de operacdo para um JFET e so dadas como: Regido éhmica— Quando Vos = 0 a camada de deplecdo do canal é muito pequena e o JFET atua como um resistor controlado por tensao. Regido de corte — Também conhecida como regiao de pingamento, onde a tensdo do Gate, Vcs é suficiente para fazer com que o JFET atue como um circuito aberto, pois a resisténcia do canal est no maximo. Saturagdo ou Regiao Ativa — 0 JFET torna-se um bom condutor e é controlado pela tensao Gate-Source, (Ves) enquanto a tens&o Drain-Source, (Vos) tem pouco ou nenhum efeito. Regido de ruptura — A tensdo entre o dreno e a fonte, (Vps) € alta o suficiente para fazer com que o canal resistivo do JFET se quebre e passe corrente maxima descontrolada. As curvas caracteristicas para um transistor de efeito de campo de junsao de canal P sdo as mesmas que as acima, exteto que a)corrente de dreno | p diminui com um aumento da tensdo Gate-Source positiva, Ves. A corrente de drenové zero=quando Vcs = Ve. Para operagdo normal, Ves é polarizado para estar em algum lugarentre VP e 0. Entdo podemos calcular a corrente de dreno, lp para qualquer ponto de polarizagao na saturacdo ou regido ativa da seguinte forma, Drenar a correnté.na regiao at Observe que o valor da corrente de dreno estar entre zero (pinch-off) € Ipss (Corrente maxima). Conhecendo a corrente de dreno Ine a tensdo de dreno- fonte Vps a resisténcia do canal (Rps) é dada como: Resisténcia do canal da fonte de drenagem. AVo 5 Al,Onde: gm é 0 “ganho de transcondutancia” uma vez que o JFET é um dispositivo controlado por tensdo e que representa a taxa de variacao da corrente de dreno em relacao a variagao da tensao Gate-Source. Modos de FET's Como o transistor de jun¢do bipolar, o transistor de efeito de campo sendo um dispositivo de trés terminais é capaz de trés modos distintos de operacao e pode, portanto, ser conectado dentro de um circuito em uma das seguintes configuracées. Configuracao de fonte comum (CS) py V0 Ro . «ert we 5 | ¢—__1 __4w ( Na configuracdo Common Source (semelhante ao emissor comum), a entrada d € aplicada ao Gate e sua saida é ‘ain conforme mostrado. Este é o modo de operacao mais comum ido 8 sua alta impedncia de entrada e boa amplificagao de tensao e, al, amplificadores de fonte comum sao amplamente utilizados. © modo mum de conexio FET é geralmente usado em amplificadores ncia de dudio e em pré-amplificadores e estagios de alta impedancia de entrada. Sendo um circuito amplificador, o sinal de saida est 1802 “fora de fase” com a entrada. Configuracao de Gate comum (CG) VeoNa configurago Common Gate (semelhante & base comum), a entrada & aplicada Fonte e sua saida é retirada do Dreno com o Gate conectado diretamente ao terra (Ov) conforme mostrado. O recurso de alta impedancia de entrada da conexao anterior é perdido nesta configuracao, pois o Gate comum tem uma baixa impedancia de entrada, mas uma alta impedancia de saida Este tipo de configuracao FET pode ser usado em circuitos de alta frequéncia ou em circuitos de casamento de impedancia onde uma baixa impedancia de entrada precisa ser combinada com uma alta impedancia de saida. A saida esta “em fase” com a entrada. Configuragao de Dreno Comum (CD) Na configuracdo Common Drain (semelhante ao coletor comum), a entrada & aplicada ao Gate e sua saida éfetifada'da Source. A configuracio de dreno comum ou “seguidor de fonte” tem ura alta impedancia de entrada e uma baixa impedancia de saida e ganho de tensao proximo da unidade, portanto, é usado em amplificadores de buffer. 0 ganho de tensdo da)configuracdo do seguidor de fonte é menor que a unidade, e o sinal de'Saida est “em fase”, 0° com o sinal de entrada, Este tipo de configuracao é chamado de “dreno comum” porque nao ha sinal disponivel na conexéo do dreno, a tensdo presente, +Vop apenas fornece uma polarizagdo. A saida esta em fase com a entrada. Amplificador de transistor de efeito de campo de jun¢do Assim como o transistor de jungao bipolar, os JFETs podem ser usados para fazer circuitos amplificadores classe A de estdgio Unico com o amplificador de fonte comum JFET e caracteristicas muito semelhantes ao circuito emissor comum BIT. A principal vantagem dos amplificadores JFET sobre os amplificadores BJT é sua alta impedancia de entrada, que é controlada pela rede resistiva de polarizacao de gate formada por R: e Rz, conforme mostrado. 10Polarizacao do amplificador de transistor de efeito de campo de jun¢ao Vo Rt RS \ +} evn vn_| ve Ys Ra Re | Basng + Este circuito amplificador de fonte comum (CS) & polarizado no modo classe “A” pela rede divisora de tensdo formada pelos resistores R: e Ro. A tensao através do resistor Source Rs é geralmente definida para ser€erea de um quarto de Vpo, (Vov / 4), mas pode ser qualquer valor razoavel. A tensio Gate necessdria 80 ser calculada a partir le deste valor Rs. Como a corrente do Gate Y (Ic = 0) podemos definir a tensio quiescente DC necessaria pela s jequada dos resistores Rie Ro. O controle da corre de dreno por um potencial de Gate negativo torna o transistor de efeito de €ampo de junc&o util como um interruptor e é essencial que a tensdo do Gate nun jtiva para um JFET de canal N, pois a corrente do canal fluird para o Gate endo para.o Drenar resultando em danos ao JFET. Os principios de operagao para anal P so os mesmos do JFET de canal N, exceto que a polaridade das ten: recisa ser invertida. No préximo capitulo sobre Transistores, veremos outro tipo de transistor de efeito de campo chamado MOSFET cuja conexdo Gate é completamente isolada do canal principal de transporte de corrente. 11O MOSFET Os MOSFETs operam da mesma forma que os JFETs, mas possuem um terminal de gate eletricamente isolado do canal condutor. Além do transistor de efeito de campo de jungao (JFET), existe outro tipo de transistor de efeito de campo disponivel cuja entrada Gate ¢ isolada eletricamente do canal principal de transporte de corrente.O MOSFET é um tipo de dispositivo semicondutor chamado de transistor de efeito de campo de Gate isolada © tipo mais comum de Gate isolada FET que & usado em muitos tipos diferentes de circuitos eletrénicos é chamado de transistorde efeito de campo de semicondutor de éxido de metal ou MOSFET para abreviar. O IGFET ou MOSFET é um transistor de efeito de campo controlado por tensdo que difere de um JFET por possuir um eletrodo Gate de “éxido de metal” que é eletricamente isolado do canal n ou canal”p do'semicondutor principal por uma camada muito fina de material isolante geralmente didxido de silicio, comumente conhecido como vidro. Este eletrodo de Gate de metal isolado ultrafino pode ser pensado como uma placa de um capacitor. 0 isolamento do Gate de controle torna a resisténcia de entrada do MOSFET extremamente alta na regido de Mega-ohms (MQ), tornando-a quase infinita. Como o termifial Gate é eletricamente isolado do canal principal de transporte de corrente entre'o dfeno e a fonte, “Nenhuma corrente flui para o gate” e assim como 0 JFET, o MOSFET também atua como um resistor controlado por tenséio onde a corrente flui através do canal principal entre o dreno e a fonte & proporcional & tensdo de entrada. Também como o JFET, a resisténcia de entrada muito alta do MOSFET pode facilmente acumular grandes quantidades de carga estatica, resultando no MOSFET se tornando facilmente danificado, a menos que seja cuidadosamente manuseado ou protegido. Como no tutorial anterior do JFET, os MOSFETs sao trés dispositivos terminais com Gate, Drain e Source e MOSFETs de canal P (PMOS) e canal N (NMOS) estéo disponiveis. A principal diferen¢ga desta vez é que os MOSFET’s esto disponiveis em duas formas basicas: 12Tipo de Deplecdo — 0 transistor requer a tensdo Gate-Source, (Vs) para desligar o dispositivo. O MOSFET de modo de deplecao é equivalente a um interruptor “Normalmente Fechado”. Tipo de Aprimoramento — o transistor requer uma tensdio Gate-Source, (Ves) para ligar o dispositive. modo de aprimoramento MOSFET é equivalente a uma chave “Normally Open”. Os simbolos e a construgdo basica para ambas as configuracdes de MOSFETs sdo mostrados abaixo. Emancemet MOSFET chanetcocton Ae s ose o| ma} resw AE wo, 3 N-channel MOSFET P-channel MOS Dit ee subseae satetate Drain : own ron source Deplon Typ Source Os quatro simbolos MOSFET acima mostram um terminal adicional chamado Substrato e normalmente ndo é usado como uma conexdo de entrada ou saida, mas & usado para aterrar o substrato. Ele se conecta ao canal semicondutor principal através de uma jun¢do de diodo ao corpo ou aba de metal do MOSFET. Normalmente em MOSFETs do tipo discreto, este cabo de substrato 6 conectado internamente ao terminal de origem. Quando este for o caso, como nos tipos de aprimoramento, ele é omitido do simbolo para esclarecimento. 13A linha no simbolo MOSFET entre as conexées de dreno (D) e fonte (S) representa o canal semicondutor do transistor. Se esta linha de canal for uma linha continua, ela representa um MOSFET do tipo “Esgotamento” (normalmente LIGADO), pois a corrente de dreno pode fluir com potencial de polarizacao de Gate zero. Se a linha do canal for mostrada como uma linha pontilhada ou quebrada, entio ela representa um MOSFET do tipo “Aprimoramento” (normalmente DESLIGADO), pois a corrente de dreno zero flui com potencial de Gate zero. A direc3o da seta que aponta para esta linha de canal indica se o canal condutor é um dispositive semicondutor do tipo P ou do tipo N. Estrutura e simbolo basico do MOSFET Source A construi Junction FET. At ‘Ts do tipo Depletion e Enhancement usam um campo elétrico produzid ‘a tenso de Gate para alterar o fluxo de portadores de carga, elétrons para o canal,n ou buracos para o canal P, através do canal dreno-fonte semicondutor. O eletrodo de Gate é colocado no topo de uma camada isolante muito fina e hd um par de pequenas regides do tipo n logo abaixo dos eletrodos de dreno e fonte. Vimos no tutorial anterior que a Gate de um transistor de efeito de campo de jungo, JFET, deve ser polarizada de forma a reverter a polarizacao da jun¢o pn. Com um dispositive MOSFET de Gate isolada, tais limitacdes nao se aplicam, portanto, é possivel polarizar a Gate de um MOSFET em qualquer polaridade, positiva ( +ve ) ou negativa ( -ve ) 14Isso torna o dispositivo MOSFET especialmente valioso como interruptores eletrénicos ou para fazer portas légicas porque, sem polarizacdo, eles normalmente no séo condutores e essa alta resist€ncia de entrada do Gate, significa que muito pouca ou nenhuma corrente de controle é necesséria, pois os MOSFETs sao dispositivos controlados por tensiio. Ambos os MOSFETs de canal p e canal n esto disponiveis em duas formas bésicas, 0 tipo aprimoramento e 0 tipo deplecao. MOSFET em modo de deplecio O MOSFET de modo de deplecaio, que é menos comum do que os tipos de modo de aprimoramento, é normalmente comutado para “ON (condutor) sem a aplicacao de uma tensdo de polarizaco de Gate. Ou seja, 0 canal conduz quando Ves = 0 tornando-o um dispositivo “normalmente fechado”. O'simbolo de circuito mostrado acima para um transistor MOS de deplec3o/tusa uma linha de canal sdlido para significar um canal condutor normalmente fechado» Para 0 transistor MOS de deplegao'de canal n, uma tensio Gate-Source negativa, Vos esgotard (dai seu nome) o canal condutor de seus elétrons livres, desligando o transistor. Da mestna forma,para um transistor MOS de deplesdo de canal p, uma tens&o Gate-Soutce positivay+Vcs esgotard o canal de seus orificios livres, desligando-o. Em outras_palavras, para um MOSFET de modo de deplecdo de canal n: 4V os significa. mais“elétrohs e mais corrente. Enquanto a -Vos significa menos elétrons e menos cortente. 0 oposto também é verdadeiro para os tipos de canal p. Ento 0 MOSFET de,modo de deplecao é equivalente a uma chave “normalmente fechada”. Simbolos de circuito de canal N no modo de esgotamento 15Saturation Regan N-channel Phonnal O MOSFET de modo de deplegao é « homélogos do transistor JFET, onde o ci condutor com os elétrons e buracos j dopagem do canal produz um caminho coi a fonte com polarizacao de Gate MOSFET de modo de sm primoramento ou eMOSFET mais comum é 0 inverso JowAqui o canal condutor é levemente dopado ou mesmo no dopado torn no condutor. Isso resulta no dispositivo sendo normalmente “OFF” (ndo condutot) quando a tensdo de polarizacaio de Gate, Vos é igual a zero. O simbolo de circuito mostrado acima para um transistor MOS de aprimoramento usa uma linha de canal quebrada para significar um canal ndo condutor normalmente aberto. itor de baixa resisténcia entre o drenoe do tipo de modo Para o transistor MOS de aprimoramento de canal n, uma corrente de dreno fluir apenas quando uma tensdo de Gate (Vs) for aplicada ao terminal de Gate maior que 0 nivel de tensao de limiar (Vrs) no qual a condutancia ocorre, tornando-o um dispositivo de transcondutancia, Aaplicaco de uma tens&o de Gate positiva (+ve ) a um eMOSFET tipo n atrai mais elétrons para a camada de dxido ao redor do gate, aumentando ou aumentando 16(dai o nome) a espessura do canal, permitindo que mais corrente flua. E por isso que esse tipo de transistor é chamado de dispositivo de modo de aprimoramento, pois a aplicacao de uma tensio de Gate aprimora o canal. Aumentar essa tenso positiva da Gate faré com que a resisténcia do canal diminua ainda mais, causando um aumento na corrente de dreno, |p através do canal,Em outras palavras, para um modo de aprimoramento de canal n MOSFET: +Vcs liga o transistor, enquanto zero ou -V ¢s desliga o transistor. Assim, o MOSFET de modo de aprimoramento é equivalente a uma chave “normalmente aberta”. O inverso é verdadeiro para o transistor MOS devaprimoramento de canal P. Quando Vcs = 0 0 dispositivo esta “OFF” e o canal esté ab plicagao de uma tensdo de Gate negativa (-ve) a0 eMOSFET tipo p aumentaia condutividade dos canais tornando-o “ON”. Entéo, para um modo ramento de canal p MOSFET: +V cs desliga o transistor, enquanto - transistor. Simbolos de circuito de a lo lo de aprimoramento iP Vos+ve 17© smoenectee GO Os MOSFETs de modo de aprimoramento s&o excelentes interruptores eletrénicos devido 8 sua baixa resisténcia “ON” e resisténcia extremamente alta “OFF”, bem como sua resistncia de entrada infinitamente alta devido ao seu gate isolado. Os MOSFETs de modo de aprimoramento sdo usados em circuitos integrados para produzir portas ldgicas do tipo CMOS e circuitos de comutagao de energia na forma de portas PMOS (canal P) e NMOS (canal N). Na ver: MOS significa MOS Complementar, o que significa que 0 dispositivo légico possul e NMOS em seu design. O amplificador MOSFET X Assim como o transistor de efei ampo de jun¢ao anterior, os MOSFETs podem ser usados para fazer circuitos amplificadores classe “A” de estdgio unico com o amplificador de fonte comum ET de canal n de modo de aprimoramento sendo © circuito mais popular. Os a s MOSFET de modo de deplecao sio muito semelhantes aos amplificadores JFET;exceto que o MOSFET tem uma impedancia de entrada muito maior. Esta alta ia de entrada é controlada pela rede resistiva de polarizacio de da_por Rie R2. Além disso, o sinal de saida para o amplificador MOSFET de fonte comum do modo de aprimoramento ¢ invertido porque quando Vo é baixo, o transistor é desligado e Vo (Vout) é alto. Quando Vs est alto o transistor ¢ ligado e Vo (Vout) est baixo como mostrado. Amplificador de canal N de modo de aprimoramento 18A polarizacao DC deste circuito amplificador MOSFET de fonte comum (CS) é praticamente idéntica ao amplificador JFET. O circuito MOSFET é polarizado no modo classe A pela rede divisora de tensdo formada pelos resistores Ri e R2. A resisténcia de entrada CA é dada como Rin = Re = 1MQ. Os transistores de efeito de campo de sei tores de éxido metilico séo dispositivos ativos de trés terminais feitos de dif eta iais semicondutores que podem atuar como isolante ou condutor p ¢40\de uma pequena tensio de sinal. A capacidade do MOSFET de altern esses dois estados permite que ele tenha duas fungées basicas: wot {eletrénica digital) ou “amplificagdo” (eletrénica analégica). Entdo tém a capacidade de operar em trés regides diferentes: 1. Regido de = COM Ves < Viinte a tensdo Gate-Source é muito menor do que a tensio limit nsistores, de modo que o transistor MOSFET é desligado “totalmente”, 0, com o transistor agindo como um chave aberta independentementedo valor de Vos. 2. Regido Linear (Ohmica) — com Ves > Vimiar € Vos < Ves 0 transistor esta em sua regido de resisténcia constante se comportando como uma resisténcia controlada por tensdo cujo valor resistivo é determinado pela tensdo de gate, nivel Ves . 3, Regidio de saturagdo — com Ves > Veweshoid € Vos > V cs 0 transistor esté em sua regido de corrente constante e, portanto, esta “totalmente ligado”. A corrente de dreno Ip = Maxima com o transistor atuando como uma chave fechada. Resumo do capitulo MOSFET 19© transistor de efeito de campo de semicondutor de éxido de metal, ou MOSFET, tem uma resisténcia de Gate de entrada extremamente alta com a corrente que flui através do canal entre a fonte e o dreno sendo controlada pela tenséo da Gate. Devido a esta alta impedancia de entrada e ganho, os MOSFETs podem ser facilmente danificados pela eletricidade estatica se nao forem cuidadosamente protegidos ou manuseados. Os MOSFETs sao ideais para uso como interruptores eletrénicos ou amplificadores de fonte comum, pois seu consumo de energia é muito pequeno. Aplicagées tipicas para transistores de efeito de campo semicondutores de 6xido metélico so em microprocessadores, memérias, calculadoras e portas légicas CMOS etc. Além disso, observe que uma linha pontilhada ou quebrada dentro do simbolo indica um tipo de aprimoramento normalment strando que a corrente “NO” pode fluir através do canal quando a te je Gate-Source Vcs zero ¢ aplicada. ‘olo indica um tipo de deplecio flu através do canal com tensao bolos sdo exatamente os mesmos para fora. Isso pode ser resumido na tabela Uma linha continua ininterrupta dentro do si normalmente “ON” mostrando que a cor “( de Gate zero. Para os tipos de canal ambos os tipos, exceto que a set ap nti de comutacao a seguir. Portanto, para MOSFETs do tipo n de aprimoramento, uma tensao de Gate positiva liga o transistor e com tensio de Gate zero, o transistor estard "DESLIGADO". Para um tipo MOSFET de aprimoramento de canal p, uma tensio de Gate negativa ligara o transistor e com tensdo de Gate zero, o transistor ficard 20“DESLIGADO”. O ponto de tensdo no qual o MOSFET comega a passar corrente através do canal é determinado pela tensio limite Vrs do dispositivo. No préximo capitulo sobre transistores de efeito de campo em vez de usar 0 transistor como um dispositive amplificador, veremos 0 funcionamento do transistor em suas regides de saturagao e corte quando usado como chave de estado sélido. Os interruptores de transistor de efeito de campo so usados em muitas aplicages para ligar ou desligar uma corrente CC, como LEDs que requerem apenas alguns miliamperes em baixas tensdes CC, ou motores que exigem correntes mais altas em tensdes mais altas. 21