Universidade Estadual de Campinas

EE530 - U
Lista 03 de exerccios prticos

Nome: Fernando Ortolano 100948

EXERCCIO 01: Primeiramente, pediu-se a montagem do circuito abaixo, configurando o Nmos para: vto = 1.078, W = 100u, L = 10u, kp = 100u e lambda = 0.01 .

Fig.01 circuito simulao Nmos.

Plotou-se o comportamento do sinal de vds em relao a corrente do dreno atravs do DC sweep:

Fig.02 Plotagem do comportamento do circuito NMos.

Para o circuito da fig.01 foram feitas quatro simulao para cada valor distinto de Vgs, referentes : Vgs1 Vgs2 Vgs3 Vgs4 Vgs5 = = = = = 1,948 2,448 2,948 3,448 3,948 V; V; V; V; V.

Onde calcula-se a Vds de saturao atravs da frmula: VdsSat = Vgs Vt Assim comparando os Vds de saturao terico com o medido, temos: 3

Vgs1 = 1,948 V Id calc = Id medido = 0 A. Vgs2 = 2,448 V Pelo Grfico: VDS < 0,4 V = Regio Triodo VDS > 0,4 V = Saturao Portanto VDS 0,4 V, que um resultado razovel -> Vds teorico = 0,5 V. Vgs3 = 2,948 V Pelo Grfico: VDS < 0,9 V = Regio Triodo VDS > 0,9 V = Saturao Portanto VDS 0,9 V, que um resultado razovel -> Vds teorico = 1,0 V. Vgs4 = 3,448 V Pelo Grfico: VDS < 1,45 V = Regio Triodo VDS > 1,45 V = Saturao Portanto VDS 1,45 V, que um resultado razovel -> Vds teorico = 1,5 V Vgs5 = 3,948 V Pelo Grfico: VDS < 2,0 V = Regio Triodo VDS > 2,0 V = Saturao Portanto VDS 2,0 V, que um resultado esperado -> Vds teorico = 2,0 V.
EXERCCIO 02:

Conforme pedido no exerccio, temos que a fonte de corrente DC tem valor Idc = 1,948mA, assim para que a tenso em Vd =4 V, ento o resistor de Rd = (10 4) / Idc = 3,080 K [Ohms]. Para o ltimo resistor a ser determinado, Rg, foi calculado de forma que a tenso de Vsig fosse quase muito prximo de Vg, assim como o resistor da fonte era de 100 [ohms], calculou-se um resistor Rg = 100[ohms].

Fig.03 Circuito ex 2.

Onde obteve-se o ganho do circuito em relao a frequncia da fonte Vsig (VIN)

Fig.04 Plotagem do comportamento do circuito em relao a frequncia

Nota-se pela Fig.04 que o circuito tem um ganho estvel a partir de 10khz de aproximadamente 2,9 / V]. Para comparar este valor medido com o terico tem-se: Como RG >> Rsig, Vin Vsig gm = kn (W/L)(VGS -Vt ) ro =1/( ID ) Av = gm (ro // RD // RL) = 1,422 m [A / V] 100 K [ohms] = 2,901 / V]

O resultado muito prximo do esperado.

EXERCCIO 03: Para esta parte do experimento, precisou-se modelar um PMos com as seguintes caractersticas: Vtp = -1,078 [V], W = 330u [m], L = 10u [m], k'p = 30u [A/V] e VA = 100 [V]. E montou-se a seguinte configurao:

Fig.05 Circuito Not usando mosfet

Onde plotou-se o grfico da tenso de sada com relao entrada:

Fig.06 Comportamente circuito da Fig.05

Tambm se obteve o grfico com relao ao comportamento da corrente do circuito:

Fig.07 Circuito transferncia de corrente da bateria

Para a execuo do terceiro subitem da parte 3 do experimento, acoplou-se capacitor de 1,948 nF na sada:

Fig.08 Circuito da Fig.05 com capacitor acoplado

Com este circuito fez-se anlise do transitrio para alguns ciclos da tenso Vsig:

Fig.09 Plotagem transitrio com capacitor acoplado

E tambm o comportamento da corrente nos instantes iniciais de carregamento do capacitor:

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Fig.10 Plotagem corrente da bateria perto de t = 0 segundos

Onde aproximamos a carga do capacitor para uma grfico triangular:

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Fig.11 Plotagem corrente da bateria perto de t = 0 segundos

Atravs da aproximao feita, medimos a carga aproximada do capacitor e comparamos com o terico: Temos pela rea aproximada que o valor de Q : Q = (I * t) / 2 Q = (5mA * 4us) / 2, logo Q = 10n [C]. O valor terico de Q dado por: Q = C*Vdd O que fornece o valor de 1.948nF * 5V, logo Q = 9,74n [C].

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Temos que a Energia fornecida pela bateria durante o carregamento do capacitor utilizando o valor prtico dada por: E = VDD * Q E = 5V * 10nC, logo E = 50,0n [J]. Utilizando o valor terico: E = 5V * 9,74nC, logo E = 48,70n [J]. Observou-se que os valores tercos e medidos atravs da aproximao deram muito prximos.

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