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NETO
FACULDADE DE CINCIAS
DEPARTAMENTO DE FSICA
Trabalho de Tecnologia de
Microelectrnica
LITOGRAFIA
Discente: Medina Zola Makuntima
4 Ano de Electrnica de Telecomunicaes
N 83397
DOCENTE
Dr. Serghei Psar
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Sumrio
1. INTRODUO
1.1 Definio e conceitos gerais.
1.2 Classificao dos tipos de litografia.
2. ETAPAS DA LITOGRAFIA PTICA.
2.1 Sala limpa.
2.2 Fabricao da mscara.
2.3 Preparao de Superfcie (HMDS vapor prime ).
2.4 Deposio da camada de barreira (SO2).
2.5 Deposio do fotoresiste.
2.6 Cozimento suave (Soft bake).
2.7 Alinhamento.
2.8 Exposio (Transferncia de padres).
2.9 Revelao
2.10 Ps-cozimento (Cozimento duro - Hard bake).
2.11 Remoo do fotoresiste (Etching).
2.12 Inspeco final.
2.13 Tipos de fotoresistes e suas caractersticas.
3. CONCLUSO
4. BIBLIOGRAFIA
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INTRODUO
No mundo moderno e muito informatizado em que vivemos, h uma
necessidade de fabricao de dispositivos e circuitos que respondam a
demanda do mercado muito concorrido.
Um dos processos importantssimos e indispensveis na criao desses
circuitos a litografia, que inicialmente foi inventada para fins artsticos e
tambm usada na imprensa, actualmente ela foi muito aprimorada e
refinada de modo a responder as exigncias requeridas no fabrico de um
circuito integrado. Por esta razo, de grande relevncia conhecermos o
funcionamento e as implicncias desse processo como uma tcnica
fundamental no fabrico desses circuitos.
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- Litografia por raios x: a litografia por raios x vista actualmente como a sucessora
da litografia ptica para a produo de C.I. em altos volumes de produo.
A sua concepo uma extenso da litografia ptica, apenas reduzindo o
comprimento de onda bruscamente (entre 0,5nm e 1,0nm) de tal forma a permitir
a utilizao de impresso por proximidade.
Vantagens:
- Alto volume de produo
- Maior resoluo (por resoluo entende-se as menores dimenses que se pode
obter no resiste que estejam livres de falhas indesejveis e que tenham um perfil
adequado).
Desvantagens:
- Equipamentos muito caros (Ex.: A fonte de synchrotron custa em torno de US$ 30
milhes e pode suportar dez equipamentos litogrficos que custam US$ 3 milhes
cada e que por sua vez empregam mscaras com custo em torno de US$ 10 mil a
unidade)
- Litografia com luz ultra violeta extrema: Abreviado em Ingls como EUVL
(Extreme Ultra-Violet Lithography). Utiliza sistemas reflectivos para a transferncia
de padres a partir da mscara para o substrato (wafer) usando espelhos
reflectores.
Nesse tipo de litografia usam-se raios ultravioleta de muito alta energia
que esto mais prximos dos raios-X do que da luz visvel com c.d.o em
torno dos 13 nm.
Vantagens:
- Boa resoluo
- Mscaras acessveis
Desvantagens:
- Equipamentos caros
- Retculos difceis de fabricar
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1) Sala limpa.
2) Fabricao de mscara.
3) Preparao de Superfcie (HMDS vapor prime )
4) Depsito da Camada de barreira. SiO2.
5) Deposio do fotoresiste.
6) Cozimento suave (ou Softbake")
7) Alinhamento
8) Exposio (transferncia de padres).
9) Remoo do foto resiste solvel.
10) Ps Cozimento (Cozimento duro Hardbake).
11) Remoo do fotoresiste .
12) Inspeco final.
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MSCARA AMPLIADA
Mscara vista a olho nu
Caracterstica do dispositivo
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APLICAO DO FOTORESISTE
Descrio das etapas e factores que
influenciam a aplicao do fotoresiste
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7 ETAPA: ALINHAMENTO
A Mscara para cada camada deve ser alinhada a padres de camadas prvias.
Para um tamanho mnimo caracterstico de ~ 1 mm => Tolerncia de alinhamento
deve ser + / - 0.2 mm
Para alinhar, a bolacha segurada em uma ferramenta com vcuo e se move
usando um suporte com os eixos xyz.
Marcas de alinhamento: Padres especiais em mscara facilitam alinhamento
preciso.
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RESOLUO
A resoluo dada (na exposio por sombreamento) pela expresso:
Onde:
bmin : a metade do perodo da grade do mnimo tamanho caracterstico
transfervel.
S: o gap (ou espao) entre a mscara e a superfcie do fotoresiste;
A alta intensidade da
radiao ideal quando
direccionada num ngulo
de 90 com a superfcie da
lmina.
ndice de refraco
Apertura numrica dada por NA = n sen
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Vantagens:
Abertura pequena (10-50 m) entre a bolacha e a mscara.
Minimiza dano de mscara.
Desvantagens:
Abertura resulta em difraco ptica nas extremidades caractersticas que
degradam a resoluo a 25 m.
Largura de linha mnima ou dimenso crtica (CD):A largura absoluta da menor
estrutura que se deseja produzir (linha, espao ou janela de contacto)
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Esquema dos passos da projeco repetida
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9 ETAPA: REVELAO
O fotoresiste revelado por um processo muito similar ao usado no
desenvolvimento de um filme fotogrfico. Cada tipo de fotoresiste possui o seu
revelador especfico. A rea do resiste que foi exposta luz ultravioleta
removida e lavada, deixando o substrato desprotegido nas reas expostas para
ser posteriormente processado (corroso, dopagem, deposio de filmes).
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Inspeco do cozimento
Questes de qualidade:
-Partculas
-Defeitos
-Dimenses crticas
-Preciso de sobreposio
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Mecanismo
Plasma oxignio
Oxidao em vcuo
Descarga de Oznio
Acetona
Liquido em dissoluo
gua Deionizada
Orgnicos Aminos
H2O2
Oxidao em liquido
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Questes de qualidade:
- Defeitos
- Partculas
- Etapas bem sucessidas.
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exposta.
tricloroetileno.
Sulfrico H2SO4.
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Quanto maior for , maior ser a solubilidade do resiste e imagens mais claras
ET e E1 trocam-se para resistes negativos.
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Vs
Maior resoluo
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ESQUEMA DO STEPPER
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3. CONCLUSO
fotolitografia que um conjunto de tcnicas litogrficas usadas para transferncia de
padres geomtricos em lminas de silcio (Si) com o uso de mscaras.
Existem trs tipos de litografia: litografia ptica, litografia por feixe de electres,
litografia por raios x e litografia por raios ultravioleta extrema.
A escolha do processo litogrfico correcto depende factores tcnicos e econmicos.
O tipo de litografia mais utilizado a litografia ptica por se adequar melhor a esses
factores.
As etapas foto litogrficas no devem jamais serem executadas ou seguidas como
uma receita pronta, mas reter as experincias adquiridas em um processo. Os parmetros
de qualidade pertinentes a cada etapa devem sempre serem inspeccionados com os
devidos critrios de medida, pois no campo de micro electrnica qualquer falha em uma
destas etapas podem comprometer seriamente o processo de fabricao.
O processo fotolitogrfico descrito pelas seguintes etapas:
1) Sala limpa
2) Fabricao de mscara.
3) Preparao de Superfcie
4) Depsito da Camada de barreira. SiO2.
5) Deposio do fotoresiste.
6) Macio cozer (ou "pr-bake")
7) Alinhamento
8) Exposio (transferncia de padres).
9) Remoo do fotoresiste solvel.
10) Ps cozimento (ou Hardbake).
11) Remoo do fotoresiste .
12) Inspeco final.
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4. BIBLIOGRAFIA
- Monografia de Benjamim Rodrigues de Souza. 2008. Etapas dos Processo
Fotolitogrfico .
- Aulas do Instituto de Tecnologia da Georgia. Janeiro, 22 de 2004.
Photolithography. Gary S. May
- 2 Aula de Processos em microelectrnica de uma Universidade Brasileira.
- Litografia para Microelectrnica. Prof. Antonio C. Seabra. Escola Politcnica da
USP (Universidade de So Paulo).
- Alguns outros materiais cedidos pelo Dr. Serghei Psar sobre litografia.
- Fontes electrnica: www.google.com e www.wikipedia.com
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