Semicondutores

Adaptado dos slides do

livro:
Electronic
PRINCIPLES
MALVINO & BATES

Prof. Cludio Delgado

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Condutor
Um material que permite a passagem de
corrente eltrica (fluxo de cargas)
Exemplos: cobre, prata, ouro
A condutividade de um material est
relacionada com a sua estrutura atmica

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Estrutura atmica do cobre
rbita de valncia
Core (rbitas (rbita mais externa)
mais internas e com um eltron, carga
ncleo) com -1.
carga lquida
igual a +1

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
Core e eltron de valncia do cobre

O ncleo e as rbitas interiores formam o core,

a carga lquida do core determina a atrao
que este exerce sobre os eltrons de valncia
A rbita externa, chamada bita de valncia,
controla as propriedades qumicas e eltricas.
Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Eltron Livre
O core do tomo de cobre tem carga
lquida igual a + 1 atraindo fracamente o
eltron de valncia
Uma fora externa facilmente desaloja o
eltron de valncia do tomo tornando-o
eltron livre

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Eltrons livres dentro do metal

Os eltrons livres no esto presos a nenhum tomo em particular,

deslocam-se aleatoriamente no interior do metal, orbitando
momentaneamente em torno de diversos tomos

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Conduo no metal

A aplicao de um campo eltrico no interior do metal faz

com que os eltrons livres se desloquem no sentido
contrrio ao campo, originando uma corrente eltrica.

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Semicondutor
Um elemento com propriedades eltricas intermedirias
entre as de um condutor e as de um isolante.

Semicondutores tm tipicamente 4 eltrons de valncia

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Exemplos de semicondutores

Germnio
Silcio (mais usado)

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Silcio
O Si um
elemento
tetravalente

abundante na
natureza em forma
de xido
Quartzo (SiO2) Si com 99% de pureza

No cristal de
Si os tomos
formam
ligaes
covalentes
entre si Clula do cristal de Si

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 O core do Si

+4

O core do silcio
+1 tem carga lquida igual a +4, atraindo os
eltrons de valncia mais fortemente que no caso do metal
A zero kelvin, o silcio isolante pois no h eltrons livres no
cristal

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Gerao de eltrons livres e lacunas
calor

Quando a temperatura aumenta, a energia trmica gera um

eltron livre e uma lacuna - uma vaga na rbita de valncia.

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Recombinao

Eltrons livres e lacunas podem se recombinar

O tempo entre a criao e recombinao de um eltron livre
e uma lacuna, chamado de tempo de vida, varia de poucos
nanosegundos at vrios microsegundos.
Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Semiconductor Intrnseco
Um semicondutor puro
Um cristal de silcio intrnseco se cada
tomo do cristal um tomo de silcio
Dois tipos do fluxo de corrente no
semicondutor: eltrons e lacunas

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Dopagem
Adicionando-se tomos de impureza a um
cristal intrnseco altera-se sua condutividade
eltrica
Um semicondutor dopado chamado de
semicondutor extrnseco

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Semicondutor tipo n e tipo p
Si Si
tipo N tipo P

eltron livre lacuna

dopante dopante
pentavalente trivalente

A dopagem permite obteno de portador de carga,

eltron livre ou lacuna, independentemente da gerao
trmica
Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Conduo no Semicondutor Tipo N

Os eltrons livres so os portadores de carga majoritrios do

semicondutor tipo N
As lacunas, portadoras minoritrias no foram representadas
Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Conduo no Semicondutor do Tipo P

As lacunas so os portadores de carga majoritrios do

semicondutor tipo P
Os eltrons livres, portadores minoritrios, no foram
representados)
Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Resumo
O material semicondutor mais usado o silcio
Cristais puros so semicondutores intrnsecos
Cristais dopados so semicondutores extrnsecos
Cristais dopados podem ser do tipo p ou tipo n
Os portadores majoritrios de um cristal tipo n so
os eltrons livres
Os portadores majoritrios de um cristal tipo p so
as lacunas

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 A Juno PN
N Juno P

Juntando-se um cristal tipo p a um tipo n obtem-se uma juno pn

Alguns eltrons vo atravessar a juno e preencher as lacunas - um
par de ons criado cada vez que isso acontece.

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 A Juno PN

on + 0,7 V - on
Positivo Negativo
A carga de ons acumulados cria campo eltrico atravs da juno
O campo impede que novos portadores atravessem a juno
O campo criado corresponde a uma ddp de 0,7 V

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 A barreira de potencial
A difuso de eltrons cria pares de ons
chamados dipolos eltricos.
Cada dipolo tem um associado um campo
eltrico.
A juno entra equilbrio quando o
potencial de barreira impede a
continuao da difuso.
A 25 graus C, o potencial de barreira
para uma juno pn de silcio de cerca
de 0,7 volts.
Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Camada de Depleo
P N

Camada de depleo
Quando um eltron livre migra atravs da juno e preenche
uma lacuna, so eliminados o prprio eltron e a lacuna
Isto resulta numa regio adjacente juno que no possui
portadores, denominada camada de depleo

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Diodo Semicondutor
P N

ANODO CATODO

Uma juno PN com terminais de contato externos forma um

diodo semicondutor
Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
No possvel medir externamente a ddp de
barreira

+ 0,35 - - 0,7+ + 0,35 -

Os potenciais de contato compensam o potencial de barreira

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Polarizao Direta

Polarizao direta: maior potencial aplicado

ao anodo, menor potencial ao catodo do diodo

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Diodo Si com Polarizao Direta 0,7V
I = 9,3 / 100 = 93mA
100
9,3V + + 10V

+ 0,35 V +0 V +0,35V
+0,7 V

A barreira de potencial eliminada

O diodo conduz apresentando uma queda de 0,7V entre seus
terminais (devida aos potenciais de contato)
O restante da tenso da fonte aparece sobre a resistncia
limitadora externa
Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Diodo Si com Polarizao Direta 0,7V

+ 10V

I = 9,3 / 1 = 9,3A
+ 0,35 V +0,35V
rB = 1
+9,3 V

Se no houver resistncia limitadora externa, a queda de tenso

que excede a 0,7V aparece sobre a resistncia de corpo rB do diodo,
de baixo valor
A alta corrente resultante poder danificar o diodo

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Polarizao reversa

- 10V +

- 10V +
A camada de depleo aumenta rapidamente at que
a ddp atravs da juno equilibra a tenso da fonte
O DIODO NO CONDUZ
Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Corrente de saturao reversa

- V +

P - V + N

A corrente de saturao reversa depende da temperatura e

independe da tenso reversa.
Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Resumo
Diodos de silcio conduzem com uma
polarizao direta de cerca de 0,7 volts.
Com polarizao reversa, a camada de
depleo cresce mais ainda e o diodo no
conduz.
Existe uma pequena corrente com
polarizao inversa.
O fluxo reverso, chamado de corrente de
saturao, devido aos portadores
minoritrios gerados termicamente.
Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
 Rutura do Diodo
Diodos no podem suportar valores
extremos de polarizao reversa.
Elevada polarizao reversa resultar
numa avalanche de portadores devido ao
movimento rpido dos portadores
minoritrios.
Valores tpicos de tenso de rutura
variam de 50 volts a 1000 volts.
Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
Segunda aproximao do diodo

Leva em conta a queda

de tenso na conduo
direta, geralmente
considerada igual a
0,7V

Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.