Eletrônica Básica I

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 TRANSISTORES DE EFEITO DE
CAMPO

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 Transistores de efeito de campo (1)
 Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor
 MOSFET
 Amplamente utilizado na fabricação de circuitos
amplificadores
 Principalmente integrados
 Podem ser fabricados em dimensões menores que os
transistores bipolares de junção
 São capazes de substituir resistores em circuitos eletrônicos
 Analógicos: amplificadores e filtros
 Digitais: memórias e processadores VLSI

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 Transistores de efeito de campo (2)
 Possibilitaram a construção de circuitos de modo misto
 Microcontroladores: processamento analógico e digital em um
mesmo dispositivo integrado
 Maior parte do projetos utilizando transistores MOSFET são
integrados
 Circuitos discretos são um caso particular do uso de transistores
MOSFET
 Os efeitos elétricos são os mesmos, há apenas diferenças nos
aspectos contrutivos

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 ESTRUTURA FÍSICA E OPERAÇÃO DO
DISPOSITIVO

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 Estrutura Física do Dispositivo
 Transistor do tipo
enriquecimento nMOS
 Canal formado é do tipo ‘n’
 Fabricado sobre um
substrado do tipo ‘p’
 Duas regiões fortemente
dopadas ‘n+’
 Fonte e Dreno
 Camada de óxido SiO2
com espessura tox (2-
50nm)

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 Estrutura Física do Dispositivo
 Metal depositado sobre o
óxido
 Eletrodo da porta (gate)
 Contatos metálicos na
fonte, dreno e corpo
(substrato)
 Quatro terminais
 Porta (Gate)
 Dreno
 Fonte
 Corpo

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 Estrutura Física do Dispositivo
Qual o impacto da variação das dimensões de
W e L no funcionamento do transistor?

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 Operação SEM tensão na porta
 Dois diodos face a face em
série entre o dreno e a
fonte
 Resistência infinita
 1012 Ohms

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 Operação COM tensão na porta
 Dreno e fonte aterradas
 Tensão positiva aplicada na
porta - vGS
 Repele as lacunas livres
 Atrai elétrons livres
 Cria eletricamente uma
região com portadores do
tipo ‘n’
 Formado um ‘canal’ que liga o
terminal da fonte com o dreno
 MOSFET de canal n
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 Operação COM tensão na porta
 MOSFET de canal n
 Canal induzido é chamado de
camada de inversão (inverteu
de p para n)
 Tensão threshold
 Tensão de limiar - Vt
 Valor de vGS suficiente para
acumular portares e formar
um canal para condução de
corrente

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 Operação COM tensão na porta
 Eletrodo do gate – óxido – canal
 Formam um capacitor de placas
paralelas
 Campo elétrico formado na
vertical
 Controla a quantidade de
cargas no canal, logo
determina a condutividade
do canal

O que acontece quando se aumenta a tensão

vGS?
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 Operação com tensão dreno-fonte vDS
pequena
 Faz surgir uma pequena corrente iD pelo canal ‘n’
 Movimento dos elétrons livres para o dreno
 Valor de iD depende da quantidade de elétrons no canal
 Depende de vGS
 Quanto mais vGS excede Vt
maior é a corrente iD
 iD depende de
 Vt
 vGS
 e vDS

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 Operação com tensão dreno-fonte vDS
pequena

Esse comportamento de iD em função de vGS

lembra qual componente?
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 Operação com aumento da tensão dreno-
fonte vDS
 Considere vGS constante e
acima de Vt
 Com vDS
 Quando se caminha da fonte
em direção ao dreno a tensão
ao longo do canal diminui
 Profundidade do canal
é alterada o longo do
comprimento

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 Operação com aumento da tensão dreno-
fonte vDS

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 Operação com aumento da tensão dreno-
fonte vDS

Canal estrangulado
(pinch-off)
vDS = vGS - Vt

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EELi10 - Eletrônica Básica I Aula 15 - Transistores de efeito de campo 18
Determinação de iD em função de vGS e vDS
 Triodo

 Saturação

 onde

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 Determinação da resistência/condutânci
dreno-fonte
 Triodo

 Saturação

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 Determinação da resistência/condutânci
dreno-fonte
 Triodo

 Saturação ?
? ?
?
? ?
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Transistor MOS de canal ‘p’
 Transistor MOS de canal ‘p’

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 MOS Complementar ou CMOS

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