Os Nanotubos de Carbono

Prof. Dr. Luis Alberto Terrazos Javier

Centro de Educação e Saúde da
UFCG
 O elemento Carbono

 O sexto elemento mais abundante no Universo

 tem três estados de hibridização

possibilita a formação de estruturas complexas: DNA ou

Proteínas
 Alótropos do Carbono
Diamante Grafite

• O grafite é o material mais rígido e o diamante é o mais duro

• O diamante e o grafite apresentam o mais alto ponto de fusão
• O diamante e o grafite tem a maior condutividade térmica
• O diamante é isolante e o grafite é condutor da eletricidade
• O diamante é transparente e o grafite é opaco
 Descoberta dos fullerenos, 1985
Em 1985, os químicos Harold Kroto, da Universidade
de Sussex (Reino Unido), James Heath, Sean O’Brien,
Robert Curl e Richard Smalley – estes da Universidade
de Rice (Estados Unidos)

Em 1996, Smalley, Kroto e Curl ganharam o prêmio Nobel

de química por essa descoberta

C60
 Descoberta dos Nanotubos de Carbono, 1991
Em 1991, Sumio Iijima observou com um Microscópio de
Transmissão Eletrônica, nanotubos de carbono de
multicamada na amostra de fullerenos produzidos via
descarga de arco.

Em 1993, foi demonstrada a existência de nanotubos de

única camada
 Dimensão do Nanotubo de Carbono

O diâmetro de um
nanotubo é de 1 nm

largura média do
cabelo humano
80.000 nm O DNA possui uma
largura de 2,5 nm
 Estrutura do Nanotubo
Vetor Quiral (Ch)
  
Ch  na1  ma2  (n, m)
Ângulo Quiral ()
   
Ch .a1  Ch a1 cos 
 m 
 n 
  cos 
1 2 
Diâmetro do Tubo  n 2  m 2  nm 
 
L  
dt 

  1
L  ch .ch  ac c (n  m  nm) 2
2 2
 Arm-chair

(5,5)
(4,4)
(3,3)
(2,2)
Zig-Zag (1,1)
(8,0) (7,0) (6,0) (5,0) (4,0) (3,0) (2,0) (1,0) (0,0)
Propriedades Eletrônicas
Nanotubo Arm-chair, (n,n)
Nomenclatura : m=n então (n,n)

Ângulo Quiral :  = 30o

3ac c
Diâmetro : dt  n

Propriedade Eletrônica: metal

Exemplo:
(2,2) dt = 0,3 nm
(6,6) dt = 0,8 nm
(9,9) dt = 1,2 nm
 Nanotubo ZigZag, (n,0)

Nomenclatura : m=0 então (n,0)

3ac c
Ângulo Quiral :  = 0 o Diâmetro : d t  n

Propriedade Eletrônica:
semimetal n-m=3p
semicondutor n-m3p (p é um inteiro)
Exemplo:
Semimetal: (3,0) dt = 0,23 nm
(6,0) dt = 0,5 nm
Semicondutor: (4,0) dt = 0,3 nm
(8,0) dt = 0,4 nm
(10,0) dt = 0,8 nm
 Nanotubo Quiral, (m,n)

Nomenclatura : mn então (m,n)

Ângulo Quiral : 0o <  < 30o

Propriedade Eletrônica:
semimetal n-m=3p
semicondutor n-m3p (p é um inteiro)
Exemplo:
Semimetal: (4,1) dt = 0,36 nm  = 110
(5,2) dt = 0,5 nm  = 160
Semicondutor: (3,2) dt = 0,31 nm  = 00
(4,3) dt = 0,48 nm  = 0,440
 Propriedades Mecânicas
Modulo de Young (Y)
Nos mostra o grado de elasticidade do material.

Nanotubo Y ~ 4 x1012 N/m2

Diamante Y = 1,25 x 1012 N/m2

Ferro Y = 0,21 x 1012 N/m2

Aço Y = 0,2 x 1012 N/m2

Aplicações: Compósitos altamente

resistentes, fibras de carbono.
 Tensile Strenght
Resistência a ruptura quando se aplica tensão.

Nanotubo 22 x109 N/m2

100 vezes maior!!!!!!!!
Aço 44 x 107 N/m2

O tubo se comporta mais como um canudo elástico, pois quando

a força externa é removida, os defeitos induzidos pela força se
reorganizam e o tubo volta a sua estrutura original.
 Propriedades Térmicas
Alta Condutividade Térmica
É um bom condutor de elétrons e do calor

Condutividade do calor:

Diamante 3320 W/m.K

Nanotubo 6600 W/m.K

Estudo Teórico dos Nanotubos de Carbono
Calculo da Estrutura Eletrônica
Equação de Khon-Sham (tipo Equação de Schrödinger

 2 2 
   V (r ) lm (r )  Elm lm (r )
 2m 
Potencial Eletrostático

V (r )  Vee  VNe  VNN  Vxc

 Métodos de Primeiros Princípios
Full-Potential Linear Augmented Plane Wave ( FP-LAPW)
• Teoria funcional da Densidade
• Potencial total
• Orbitais atômicos e Ondas Planas como funções de base
• Espaço recíproco
• Sistemas periódicos
Spanish Initiative for Electronic Simulations with Thousands of
Atoms (SIESTA)
• Teoria funcional da Densidade
• Pseudo Potencial
• Orbitais atômicos
• Sistemas não periódicos, sistemas com muitos átomos
Estrutura de Bandas do Grafite
(10,0)semicondutor

(9,0)metal
Nanotubos de Carbono - Aplicações

Carbon nanotube field effect transistor(Dekker)

Nanotubos de Carbono - Aplicações
Biocompatíveis
São citotóxicos – contato com eles mata as células

Uma micrografia de fluorescência mostra células de ovário de

hamster ligadas a nanotubos de carbono recobertas com um
polímero parecido
com mucina.
Nanotubos de Carbono - Aplicações
Músculos Artificiais
Alkali Metal Doping of Carbon Nanotubes in the Low-Concentration Regime: Non-
Homogeneous Deformations and Defect States
• L. A. Terrazos1 and R. B. Capaz2

• Centro de Educação e Saúde, Universidade Federal de Campina Grande

1

• Instituto de Física, Universidade Federal do Rio de Janeiro e Divisão de Metrologia de Materiais, Inmetro
2

Experimental Motivation Theoretical Simulation

Estrutura de Bandas do nanotubo semicondutor (10,0)

EF
EF

a) Nanotubo Puro b) Impureza K

 Charge Distribution Parallel Strain Deformation
3
0 2
1
-20 0
q (10 ) (e/atom)

-1

(Å)
-40 -2
-3

L// (10 )
-4

-3
-3

-60 -5
-6
 = 0,0 -7
-80  =0
-8
-100 -9
-20 -10 0 10 20 -10
-20 -10 0 10 20
Z (Å)
z (Å)

Perpendicular Strain Deformation Strain Deformation Average

4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
LI (10 ) (Å)

1.5
1.0
-3

0.5
0.0
-0.5
-1.0 =0.16
-1.5
-2.0
-20 -10 0 10 20
z (Å)
Estrutura do Grafeno
Grafite

Folhas de
Grafeno
Elétrons “relativísticos” (Dirac ) em sistemas da matéria condensada
em 2D
Grafeno
Abstract
Supercélula de 448 átomos, espaço entre os
planos é de 20 Å
 Ponto de Dirac

Estrutura de Bandas do Grafeno

 Revisitando o defeito Stone-Wales em Grafeno
L. A. Terrazos1 and R. B. Capaz2

1
Centro de Educação e Saúde, Universidade Federal de Campina Grande
2
Instituto de Física, Universidade Federal do Rio de Janeiro e Divisão de Metrologia de Materiais, Inmetro

O defeito Stone-Wales é um defeito topológico que ocorre em grafeno e

nanotubos de carbono.

Este defeito é importante tanto no crescimento de fullerenos como no

mecanismo de deformação plástica de nanotubos sob tensão.

A pesar de extensivamente estudado sob o ponto de vista teórico, ainda há

uma considerável variação nas energias e barreiras de formação reportadas.
Resultados mais recentes sugerem energias de formação de cerca de 5 eV e
barreiras em torno de 9 eV, que tornariam estes defeitos bastante improváveis
em grafeno não tensionado.
 Defeito Stone-Wales

C-CAB = 1.42 Å (grafeno puro)

C-Cab = 1.32 Å, C-Cbc = 1,45 Å (defeito Stone-Wales)
Densidade de Estados
 Energia de formação do defeito Stone-Wales ( E SW
f )

E SW
f E SW
total E grafeno
total
SW
Etotal  Energia total do defeito em grafeno
grafeno
Etotal  Energia total do grafeno puro

5.61 eV 4.8 eV [6]

EfSW (GGA)
5.14 eV
(LDA)

[6] L. Li, S. Reich e J. Robertson, Phys. Rev. B 72, 184109 (2005).