Sensores Bsicos e Princpios de

Funcionamento
Webster, Medical Instrumentation, Cap. 2
Jos A. Soares Augusto
Departamento de Fisica

Transdutor: dispositivo
que converte uma forma
de energia noutra forma de
energia
Sensor: converte um
parmetro fsico num sinal
elctrico
Actuador: converte um
sinal elctrico numa
sada fsica
Medidas de deslocamento:
o mdico e o biomdico
medem o tamanho, a
forma e a posio de
rgos e tecidos no corpo.
Sensores de deslocamento
podem ser usados em
medies directas (e.g.
alterao num dimetro de
um vaso) ou indirectas
(e.g. diafragma do
estetoscpio)
Sensores Bsicos
Sensores Resistivos
Trs tipos de potencimetros para medir deslocamentos
(a) de translao (b) 1 volta (c) Multi-volta.
Materiais: fio condutor enrolado; filme de carbono; filme
metlico; plstico condutor; material cermico
STRAIN GAGES
A
L
R

(1) A resistncia R de um
fio com resistividade
(em .m), comprimento L
e seco A

d
A
L
dA L A
A
dL
dR +
2
(2) Diferencial de R

A
A
L
L
R
R
(3) Variao percentual em R
Coeficiente de Poisson,

L
L
R
R
) 2 1 (
L
L
D
D

(4) Variao percentual em R

Efeito
dimensional
Efeito
piezoresistivo
,
_

D
D
A
A
2
L L L L
R R
G S
/
/
) 2 1 (
/
/

+ +

('Gage Factor') Sensibilidade S = G = (R/R)/(L/L)

A sensibilidade dos semicondutores (p: 100 a 170; n: -100 a -140) 50 a 100 vezes
maior que a dos metais ou ligas metlicas, mas muito dependente da temperatura.
Nos metais, G depende essencialmente de efeitos dimensionais; nos semicondutores
depende do efeito piezo-resistivo. Note que = 0,3 na maioria dos metais
Usadas em pesquisas dentrias (fora de dentadas); medidas
de presso sangunea (podem ser colocadas na ponta de
catteres e inseridas directamente nos vasos sanguneos);
sensores de presso na medida de ritmos cardacos;
As SGs semicondutoras so mais sensveis mas menos
lineares que as metlicas, e mais dependentes de T. O
sensor integrado da figura c) dois slides adiante apresenta
elevada sensibilidade e boa compensao de temperatura se
os 8 sensores forem ligados em ponte da forma indicada.
SGs elstico-resistivas so usadas em biomedicona (cardio,
pulmonar); tubo de borracha silicnica preenchido com
electrlito, pasta condutiva ou mercrio e selado com
elctrodos nas pontas. 0.02-2 W/cm; lineares at 1%, com
10% de extenso (4% com 30%); f - dezenas Hz, a
resposta dinmica.
Strain Gages
'Strain-gages' (aferidores/medidores de esforo) ligados
(depositados/colados sobre o material esforado) (a) Fio resistivo. (b) zigue-
zague. (c) Fio helicoidal. As setas indicam a direco do esforo correspondente
a uma mxima sensibilidade.
Sensores Resistivos
'strain gages'
semicondutores (a)
solto, dopagem
uniforme. (b) Medidor
difundido, tipo p. (c)
Sensor de presso
integrado. (d) Sensor de
fora integrado do tipo
cantilever.
Circuito de condicionamento de sinal para um sensor de presso piezoresistivo de
silcio. Os quatro elementos do sensor esto ligados em ponte e a deformao
altera simetricamente pares de resistncias. Assim, a sensibilidade mxima.
(a) Sensor de presso ('strain-gage') livre. O diafragma est directamente
acoplado SG por uma armadura. Com presso crescente, o esforo no par B
e C aumentado, enquanto que no par A e D diminui. (b) Ponte de
Wheatstone com 4 elementos activos R
1
= A, R
2
= B, R
3
= D, e R
4
= C quando
o dispositivo est ligado para movimento de translaco. A resistncia R
y
e o
potencimetro R
x
so usados para equilibrar a ponte no incio. V
i
a tenso
aplicada e V
0
a tenso lida num voltmetro de resistncia interna R
i
.
Armadura
Fios da 'strain-gage'
A
D
(a)
C
B
Diafragma
(b)
c
b
d
a
R
4

o

i
R
3
R
2
R
y
R
i
R
x
R
1
Pontes de medida (e.g. Wheatstone - PW)
A PW ideal para medir pequenas variaes de resistncia
(V
i
aplicada, V
o
lida). A ponte est equilibrada se
R
1
/R
2
=R
4
/R
3
So calibradas para a condio neutra, ou de equilbrio
(resistncia de calibrao no brao oposto ao do sensor)
Se inicialmente R
1
=R
2
=R
4
=R
3
=R
0
ento V
0
=0. Um
aumento R em todas as resistncias mantm o equilbrio;
Se R
1
e R
3
aumentam de R e R
2
e R
4
decrescem de R,
ento
i
V
R
R
V
0
0


1 2 3 4
1
se 0
pois , supondo a massa em d
2
se ento
1
1
2 2 2
1
2
1 1 na hiptese de 1
2 2 2
4
ab
i
a b
i i i
ab
i
ab i
R R R R R V
V
V V
R R R
V R V V
V
R
R R
R
V R R
R R
R
V V
R

_


,
+
_

+

+
,
1
_
<<

1
,
]

c
b
d
a
R
4

o

i
R
3
R
2
R
i
R
1
+ V
ab
-
Ponte com resistncias iguais em equilbrio e
variao R apenas no sensor (R
1
)
SENSOR
Pletismografia (medio de variaes de volume) com SG de Mercrio-em-
borracha (a) SG de quatro contactos aplicada manga (brao) humana. (b) Tenso
de sada da ponte quando usada em pletismografia de ocluso venosa. (c) Tenso de
sada da ponte quando usada em pletismografia de presso arterial no pulso.
Sensores indutivos
A indutncia dada por L = n
2
G sendo
n = nmero de voltas do enrolamento
G = factor de forma (tem a ver com a geometria do sensor)
= permeabilidade magntica efectiva do meio
Qualquer destes parmetros pode ser alterado por meios
mecnicos.
Os sensores indutivos no so afectados pelas propriedades
dielctricas do meio, mas so-no pela proximidade de materiais
magnticos ou por campos magnticos externos

So aplicados em medio de volumes cardacos, em

monitorizao de respirao de crianas e na verificao de
dimetros de vasos sanguneos.
Sensores de deslocamento indutivos (a) Por auto-indutncia. (b) Por indutncia
mtua. (c) Transformador diferencial (LVDT). O LVDT serve para medir
deslocamentos, presso e fora em aplicaes biomdicas. f=60 a 20 KHz. Tem uma
sensibilidade muito maior do que as Strain Gages (0.5-2 mV por 10m/V no primrio)
c
d
c
c
d
(a) (b) (c)
c
d
a a
a
b
e
d
c
b
b
d
Os sensores indutivos LVDT
tm a desvantagem de
necessitar de circuitos de
processamento complexos (a)
Quando x se move para o zero,
a fase muda 180, enquanto
que a magnitude de v
o

proporcional magnitude de x.
(b) Um rectificador-
desmodulador vulgar no
consegue distinguir entre (a) e
(b), sendo necessrio usar um
desmodulador sensvel fase.
Sensores capacitivos
A capacidade entre dois pratos paralelos de rea A separados
da distncia x dada por C =
o

r
A / x sendo

o
= constante dielctrica do vazio

r
= constante dielctrica relativa do meio (1.0 no ar)
Qualquer dos parmetros de C pode ser alterado por meios
mecnicos, mas o mais vulgar fazer variar a separao entre
os pratos, x.
A sensibilidade K, concluindo-se que, para pequenos
deslocamentos, a variao percentual em C simtrica da
variao percentual em x.
x
dx
C
dC
x
C
dx
dC
x
A
dx
dC
x
C
K
r

2
0

Exemplo:
microfone capacitivo
Sensor capacitivo, e amplificador, para medir
deslocamentos dinmicos
Sensores piezoelcticos
A carga induzida q no sensor piezoelctrico proporcional fora f
aplicada: q = k f
k = constante piezoelctrica em C/N
Usam-se para medir deslocamentos fisiolgicos e gravar sinais do corao.
Geram uma d.d.p. quando esforados mecanicamente, e vice-versa, isto ,
um potencial aplicado causa deformao fsica no material. O princpio fsico
subjacente consiste numa alterao da malha cristalina provocar um
rearranjo de carga. H vrios modos de operao geomtrico-mecnica
A variao em tenso, V, calculada modelando o sensor como um
condensador de pratos paralelos. H uma resistncia de fugas R
S
que vale
tipicamente 100 G
Se A = 1 cm
2
, x = 1 mm, uma fora de 10 g causa V=0,23 mV no quartzo e
V=14 mV no titanato de Brio.
A
x f k
C
f k
V
r

0

k: 2,3 pC/N no quartzo e
140 pC/N no titanato de Brio.
H sensores de filmes polimricos
(e.g. polyvinylidene fluoride - PVDF)
(b)
R = R
a
R
s
/(R
a
+ R
s
) R
a
C = C
s
+ C
c
+ C
a

Gerador
de corrente
i
s
= Kdx/dt
i
s
C
R
i
C
i
R
+
i
a
= 0

o
Amplificador
(a)
Gerador
de carga
q = Kx
R
s
C
s
C
c
C
a
+
i
Amplificador
= 0

o
-
Amplificador
Cabo
e
Cristal
x
(a) Circuito equivalente do sensor
piezoelctrico, onde R
s
= resistncia
de fugas do sensor, C
s
= capacidade
do sensor, C
c
= capacidade do
cabo, C
a
= capacidade de entrada do
amplificador, R
a
= resistncia de
entrada do amplificador, e q o
gerador de carga. (b) Circuito
equivalente simplificado e
modificado com um gerador de
corrente a substituir o gerador de
carga; q = Kx se a defleco x fr
proporcional a f, com K em C/m, e,
ento, se i
S
=Kdx/dt temos
1 ) (
) (
1 1
) . (
) / ( /
+

,
_

j
j K
j X
j V
dt
R
V
dt
dx
K
C
dt i
C
V
tempo de const RC
m V em ade sensibilid C K K
S
O
C O
S
-
R
a
Resposta do sensor piezoelctrico a um deslocamento em
'degrau'
Figure 2.11 (a) Modelo de circuito de um sensor piezoelctrico em altas-
frequncias. R
s
a resistncia de fugas do sensor e C
s
a capacidade. L
m
, C
m
, e
R
m
representam o sistema mecnico. (b) Resposta na frequncia do sensor
piezoelctrico.
Tenso na sada
Fora na entrada
(b)
ressonncia
mecnica
Frequncia
(a)
R
t
C
s
C
m
L
m
R
m
f
c
Gama
utilizvel
A temperatura do corpo humano d indicaes sobre:
choque (acompanhado de baixa presso arterial);
infeces; a anestesia faz diminuir a temperatura; a
hipotermia induzida quando se pretende reduzir o
metabolismo dos pacientes; o seu controlo muito
importante em incubadoras; a temperatura de articulaes
com artrite d informao sobre o seu estado;
necessrio escolher cuidadosamente o local onde se
mede a temperatura pois, e.g. a pele e a mucosa oral tm a
temperatura (bem) diferente da verdadeira temperatura do
corpo.
Termopares + termistores + detectores de radiao e
detectores de fibra ptica sensores de temperatura
Sensores de temperatura
Princpio de funcionamento: Seebeck descobriu em 1821
que uma emf se desenvolve numa juno entre dois metais
diferentes. Ela deve-se a dois efeitos.
Ao efeito de Peltier onde a emf se deve somente ao
contacto de dois metais diferentes, e temperatura da
juno;
e ao efeito de Thomsom (Lord Kelvin) em que a emf se
deve ao gradiente de temperatura ao longo de cada
condutor isolado.
Na prtica para cada tipo de juno verifica-se que (T em
C e a juno de referncia mantida a 0 C)
2
(1/ 2) ... E aT bT + +
Termopares
A sensibilidade termoelctrica (ou coeficiente de Seebeck)
/ ... dE dT a bT + +
A emf do termopar uma funo das propriedades dos metais
e da diferena de temperaturas nas junes. Na prtica, uma
das junes mantida a uma temperatura constante (ou, de
forma equivalente, essa compensao feita por circuitos
electrnicos). Trs Leis:
2. (circuitos homogneos) num circuito composto apenas por um
metal no se pode manter uma corrente apenas pelo efeito de
variao de temperatura
3. (metais intermdios) a emf total num circuito que consiste da
interconexo de vrios metais nula se estes estiverem todos
mesma temperatura.
4. (temperaturas intermdias) Se E1 medida com junes a
temperaturas T1 e T2 e se E2 medida com as mesmas
junes a temperaturas T2 e T3, ento com as junes a
temperaturas T1 e T3 mede-se E1+E2 (usa-se em calibraes).
Ligaes de termopares (a) FEM de Peltier. (b) Lei dos circuitos
homogneos. (c) Lei dos metais intermdios. (d) Lei das temperaturas
intermdias.
1. Exemplo: Calcular a temperatura em
0
C na juno sensora
de um termopar tipo K se a temperatura na juno de
referncia 20
0
C e a tenso medida 23.63 mV.
Tenso a 20
0
C = 0.8 mV
Tenso medida = 23.63 mV
Tenso total = 0.8 mV + 23.63 mV = 24.43 mV
Da tabela:
24.44 mV a 589
0
C (aproximao suficiente)
So semicondutores, feitos de materiais cermicos, que se
comportam como termo-resistncias com elevado
coeficiente negativo de temperatura (oposto ao dos metais)
Em aplicaes biomdicas a resistividade dos termistores
varia entre 0.1 e 100 .m.
Tm pequenas dimenses e grande sensibilidade s
variaes de temperatura (-3% a -5%/C) e tm excelente
estabilidade a longo prazo (0.2% de variao mxima de
resistncia nominal por ano)
( ) ( )
0 0
/
0
T T TT
T
R R e
1
]

Termstores
A resistncia R
T
, a potncia zero, ( a constante material
do termistor, em K, e T
0
a temperatura de referncia, em K)
t
R
( entre 2500 e 5000 K, na maioria dos dispositivos)
(a) Caractersticas tpicas do rcio resistncia relativa-temperatura para vrios
materiais. (b) Caracterstica tenso-corrente para um termstor no ar e na gua.
As linhas diagonais de declive positivo marcam valores lineares de resistncia e
ilustram o grau de linearidade do termstor com correntes baixas. A
interseco das curvas do termstor com as diagonais de declive negativo do a
potncia dissipada no dispositivo. O ponto A indica a corrente mxima sem efeito
de auto-aquecimento aprecivel. O ponto B a tenso de pico. O ponto C indica
a corrente contnua mxima segura no ar.
50 0 50 100 150 200
0.001
0.1
1.0
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000

Temperatura, C
0.10 1.0
gua
Ar
0
.
1

m
W
1

m
W

1
0

m
W
1
0
0

m
W
1

W
1
0
0

1

k

1
0

k

1
0

k

1
0
0

k

1

M

A
C
B
Corrente, mA
(a)
(b)
10.0 100.0
R

c
i
o

d
e

r
e
s
i
s
t

n
c
i
a
,

R
/
R
2
5

C
2
1
(%/ )
T
T
dR
K
R dT T

Coeficiente de
temperatura
(variao no
linear com T)
Sem (auto) aquecimento significativo, os termstores so
bastante lineares. Com aquecimento aprecivel podem
apresentar resistncias incrementais negativas e, mesmo,
atingir a auto-destruio trmica.
As constantes de tempo associadas aos termstores podem
variar de alguns ms at alguns minutos.
H processos de corrigir (ou melhorar) a no linearidade
intrnseca na relao RT-T. Nos instrumentos modernos
existem tabelas de correco armazenadas nos
computadores de controlo dos instrumentos.
Usam-se pontes, amplificadores e tcnicas similares
quelas usadas com os sensores resistivos para processar
os sinais provenientes dos termstores. So de pequenas
dimenses e podem ser ligados a catteres.
Termometria de Radiao
PRINCPIO: h uma
relao conhecida entre a
temperatura de uma
superfcie e a potncia que
radia. Isto permite medir a
temperatura sem entrar em
contacto com o corpo.
A termografia consiste em
fazer um mapa da
tempertura superficial do
corpo. Tem sido usada
(com alguma controvrsia)
para diagnosticar certas
doenas.
CORPO NEGRO: radiador
trmico ideal: absorve toda a
radiao incidente e emite a
radiao trmica mxima
possvel.
A radiao emitida por um
corpo dada pela Lei de
Planck:
2
2
1
/
5
4 4 2
1
4
2
(W/cm . m)
( 1)
3, 74 10 (W. m /cm )
1, 44 10 ( m.K)
T=Temperatura do corpo negro
=emissividade, mede o desvio entre a
superfcie e o corpo negro ( =1)
C T
C
W
e
C
C

(a) Emitncia radiante espectral
versus comprimento de onda
para um corpo negro a 300 K no
eixo esquerdo vertical;
percentagem da energia total no
eixo vertical direito. (b)
Transmisso espectral para
alguns materiais pticos. (c)
Sensibilidade espectral de
detectores trmicos e de fotes.
2898/ ( m)
o comprimento de onda correspondente
a W mximo (Lei de Wien)
m
T

1 2 3
Comprimento de onda, m
1
0
10
50
100
10
5
0.001
0.002
0.003
0.00312
10
(a)
(b)
(c)
Comprimento de onda, m
15 20
T = 300 K

m
= 9.66 m
25
20
40
60
80
100%
Slica fundida
Safira
Trisulfido de Arsnico
Iodeto
Brometo
De Tlio
Indium antimonide (InSb)
(fotovoltaico)
Lead sulfide (PbS)
Todos os detectores trmicos
Comprimento de onda, m
100
0
20
60
100
4 5 6 7 8
%

P
o
t

n
c
i
a

t
o
t
a
l
E
m
i
t

n
c
i
a

r
a
d
i
a
n
t
e

e
s
p
e
c
t
r
a
l
,

W
-
c
m
-
2

m
m
-
1
4
-12 2 4
a potncia radiante total
(Lei de Stefan-Boltzmann)
=
=5,67 10 (W/(cm .K ))
a constante de Stefan-Boltzmann
t
t
W
W T

Figure 2.15 Termmetro de radiao, estacionrio, de feixe modulado
('chopped-beam'). A amplitude dos pulsos proporcional intensidade da
fonte radiante. Usa o mesmo princpio do amplificador lock-in.
Detalhes de uma sistema fibra/sensor numa sonda de temperatura semiconductora
em GaAs.
Os sensores e a fibra neste exemplo so muito pequenos, e compatveis com
implantao biolgica aps a sua superfcie ser tratada. Alguma potncia
ptica absorvida no semicondutor devido promoo de electres de
valncia. O hiato de energia uma funo da temperatura, a potncia
absorvida aumenta com a temperatura.
(a) Diagrama de blocos
genrico de um
instrumento ptico. (b)
Obtm-se a maior
eficincia pelo uso de
uma lmpada de alta
intensidade, lentes para
focar a luz na amostra
na cuvette e um detector
sensvel. (c) Lmpadas
e detectores de estado-
slido podem
simplificar o sistema.
Os sistemas de medida
ptica so muito
usados em medicina. A
figura descreve os
vrios blocos destes
sistemas
Caractersticas espectrais de fontes, filtros,
detectores, e combinaes (a) Light sources,
Tungsten (W) at 3000 K has a broad spectral output.
At 2000 K, output is lower at all wavelengths and
peak output shifts to longer wavelengths. Light-
emitting diodes yield a narrow spectral output with
GaAs in the infrared, GaP in the red, and GaAsP in the
green. Monochromatic outputs from common lasers
are shown by dashed lines: Ar, 515 nm; HeNe, 633
nm; ruby, 693 nm; Nd, 1064 nm; CO
2
(notshown),
10600 nm. (b) Filters. A Corning 5-65 glass filter
passes a blue wavelength band. A Kodak 87 gelatin
filter passes infrared and blocks visible wavelengths.
Germanium lenses pass long wavelengths that cannot
be passed by glass. Hemoglobin Hb and
oxyhemoglobin HbO pass equally at 805 nm and have
maximal difference at 660 nm. (c) Detectors. The S4
response is a typical phototube response. The eye has
a relatively narrow response, with colors indicated by
VBGYOR. CdS plus a filter has a response that
closely matches that of the eye. Si p-n junctions are
widely used. PbS is a sensitive infrared detector. InSb
is useful in far infrared. Note: These are only relative
responses. Peak responses of different detectors differ
by 107. (d) Combination. Indicated curves from (a),
(b), and (c) are multiplied at each wavelength to yield
(d), which shows how well source, filter, and detector
are matched. (e) Photon energy: If it is less than 1 eV,
it is too weak to cause current flow in Si p-n junctions.
Caractersticas elctricas de junes p-n (LEDs). Os dodos de silcio
vulgares tm um 'band gap' (fosso de energia, hiato) de 1.1 eV e so radiadores
ineficientes no infravermelho prximo. O GaAs tem um hiato de 1.44 eV e radia
a 900 nm. O GaP tem um hiato de 2.26 eV e radia a 700 nm.
ptica dentro da fibra. A linha slida mostra a refraco
dos raios que escapam pela parede da fibra. A linha a
tracejado indica reflexo interna total dentro da fibra. Pela
Lei de Snell, n
2
sin
2
= n
1
sin
1
. O ngulo crtico
ic

quando sin
2
= 1, que d
ic
= arcsin(n
2
/n
1
).
Ar
n = 1.0
Revestimento
Fibra
n
1

3

4

ic
n
2
Feixes de fibras no coerentes (transmisso de radiao)
Feixes de fibras coerentes (viso - endoscpio)
Fotomultiplicador Um foto incidente choca com o fotoctodo e liberta um
electro. Este electro acelerado at ao primeiro dnodo, que est 100 V mais
positivo do que o ctodo. O impacto liberta alguns electres por emisso
secundria. So acelerados at ao segundo dnodo, que est 100 V mais
positivo que o primeiro dnodo. Esta multiplicao de electres continua at se
atingir o nodo, onde correntes de cerca de 1 A fluem em R
L
.
Caractersticas I-V de uma juno p-n de silcio iluminada. Para
irradincia 0, ambas as caractersticas directa e inversa so as do dodo
normal. Para uma radiao de 1 mW/cm
2
, a tenso em aberto 500 mV
(Thvenin) e a corrente de curto-circuito (Norton) 0.8 A. Para 10 mW/cm
2

a tenso em aberto 600 mV e a corrente de curto-circuito 8 A.
Outros elementos pticos
Cristais lquidos: reflectividade varia com um campo elctrico
Filtros: controlam a distribuio de energia radiante por
comprimento de onda: luz polarizada; cores; redes de difraco;

Lasers: e.g. He-Ne (633 nm-red), Ar (515 nm), CO

2
(potncia).
Aplicaes oftalmolgicas e cirrgicas.
Sensores trmicos: absorvem radiao e transformam-na em
calor (e.g. sensor piroelctrico, termstor, termopar)
Sensores qunticos: absorvem energia de fotes e libertam
electres (olho, fotododo, emulso fotogrfica, fototubo)
Outros: sensores fotoemissivos (fototubo , fotomultiplicador);
clulas fotocondutivas (fotoresistncias); sensores baseados em
fotojunes; sensores fotovoltaicos.
Combinaes pticas: E
c
=(S

D
)

a irradincia efectiva
total (sada da fonte, transmisso do filtro, eficincia do detector,
todos relativos)