ELETRNICA I

Apostila de Laboratrio

Prof. Francisco Rubens M. Ribeiro

L E E UERJ 1996

Prtica 01 - Diodo de Silcio 1 - Objetivo: Levantamento da caracterstica esttica VxI do diodo de Si , com o auxlio do osciloscpio na configurao XY - plotador. Medida de parmetros - tenso de joelho e resistncia dinmica. Aplicaes: retificador e limitador simtrico. 2 - Procedimento: 2.1 - Montar o circuito da figura 1 - alimentao 12 VRMS / 60Hz (medir previamente). 2.2 - Conectar o osciloscpio na configurao XY, conforme indicado no circuito: Canal 1 - eixo X - tenso no diodo. Canal 2 - eixo Y - corrente no diodo (invertido). 2.3 - Selecionar as escalas de modo a medir com preciso a tenso de joelho VD e a resistncia dinmica RD. 2.4 - Desenhe, em papel milimetrado, as curvas obtidas para 3 valores de R (4K7 , lK e 100 ), altere as escalas, se necessrio, e superponha as figuras para facilitar a comparao. 2.5 - No desenho, determine os valores de VD e RD - faa uma tabela. 2.6 - Na configurao normal do osciloscpio, observar e anotar as formas de onda de tenso e corrente no diodo. 2.7 - Com auxlio da chave seletora CC / CA, medir o valor mdio da tenso e da corrente. Comparar com os valores obtidos com o voltmetro digital. 2.8 - Montar o circuito da figura 2. 2.9 - Repita o item 2.2. 2. 10 - Desenhe, em papel milimetrado, a curva obtida para R = 100 . 2. 11 - Repita o item 2.6. 3 - Concluses e Comentrios: 3.1 - Relacione o material utilizado. 3.2 - Compare os resultados obtidos com os previstos na teoria e comente as discrepncias. No use frases vazias, podero ter pontuao negativa. 3.3 - Explique o funcionamento do circuito da figura 2 ou cite pelo menos uma aplicao.

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4 Circuitos:

E = 120V V1 = 12V (nominal) D1,2 = 1N4002 R = 4K7 , lK e 100

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Prtica 02/03 - Circuito Retificador 1 - Objetivo: Avaliao do comportamento de retificadores monofsicos nas 3 verses: meia onda, onda completa ou bifsico e ponte. Tenso de pico inverso. 2 - Procedimento: 2.1 - Monte o circuito da figura 1. Planeje a montagem do circuito mais complexo (fig. 3 ). Assim, haver uma reserva de espao na placa para que os componentes possam ser acrescentados sem alterar o que j foi montado. 2.2 - Mea as seguintes grandezas, arrumando-as em tabela: Tenso de entrada no retificador (eficaz); Tenso de pico inverso no diodo; Tenso e corrente de pico na sada; Tenso e corrente mdias na sada. Obs.: indique o instrumento usado em cada medida. 2.3 - Anote as formas de onda de tenso no diodo e na sada. 2.4 - Monte a seguir, em sequncia, os circuitos das figuras 2 e 3, repetindo para cada um os itens 2.2 e 2.3. 3 - Concluses e Comentrios: 3.1 - Relacione o material utilizado. 3.2 - Apresente os dados em tabela, de modo a se obter uma leitura fcil do conjunto. As formas de onda devem ser desenhadas em escala. 3.3 - Calcule o valor eficaz da tenso de sada e o fator de ondulao de cada circuito. 3.4 - Relacione a tenso de pico inverso com a tenso de entrada.

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4 - Circuitos:

E = 120V V1 = 12V (nominal) D1,2,3,4 = 1N4002 R = 470

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Prtica 04 - Circuito Retificador com Filtro C 1 - Objetivo: Avaliao do comportamento de circuitos retificadores monofsicos com filtro C. Curvas de regulao e de fator de ondulao (fator de ripple). Relaes entre pico de corrente nos diodos, valor do capacitor e fator de ondulao. Resistncia interna equivalente. 2 - Procedimento: 2.1 - Monte o circuito da figura 1, com C = 220F / 25V Obs: o resistor Rs, de valor muito baixo, usado para observar a corrente nos diodos. 2.2 - Varie R na faixa 5K - 50 e anote, em forma de tabela, os valores das grandezas abaixo relacionadas: Vs - tenso CC na sada (voltmetro digital). Vr - tenso de ondulao na sada, tenso de ripple, pico a pico (osciloscpio canal 1). Id - corrente no diodo - pico (osciloscpio - canal 2 - invertido). Tc - durao do pulso de corrente (osciloscpio - canal 2 - invertido). Obs.: anote as escalas usadas para cada parmetro. 2.3 - Anote as formas de onda de tenso (Vs e Vr) e corrente (Id). Lembre-se que elas ocorrem simultaneamente, desenhe-as corretamente. 2.4 Repita os itens 2.2 e 2.3 com C = 1000F /25V 3 - Concluses e Comentrios: 3.1 - Relacione o material utilizado. 3.2 - Valores RMS s podero ser medidos diretamente se a forma de onda for senoidal pura. Para qualquer outra ser necessrio calcul-lo a partir da forma de onda observada no osciloscpio, sendo vlido, para facilitar o clculo, aproximaes com formas de onda simples, tais como tringulo, trecho de senide, retngulo, exponencial, etc. Indique sempre o mtodo ou instrumento usado na medida. 3.3 - Com os dados obtidos, calcule: Valor eficaz da tenso de ripple Vr(rms) Fator de ondulao ou fator de ripple f.r. = Vr(rms) / Vs . Corrente contnua na carga Is = Vs/R 3.4 - Arrume os dados em tabela - Vs, Is, Vr, Vr(rms), f.r., Id e Tc para cada valor de capacitor: 220F e 1000F. 3.5 - Desenhe os grficos - curva de regulao Vs x Is e fator de ripple f.r. x Is. Superponha as curvas para facilitar a interpretao. 3.6 - Desenhe as formas de onda de tenso de ripple e corrente no diodo para 2 valores distantes da corrente de sada Is, respectivamente com C = 220F e C = 1000F . Quais as consequncias de se usar capacitor de filtro com valor excessivamente elevado? UERJ - LEE - Eletrnica I Apostila de Laboratrio. Pag. 5

3.7 - A partir das curvas de regulao, calcule a resistncia interna do circuito. A resistncia interna pode ser calculada pela relao Vs / Is. 3.8 - Teoricamente, o fator de ripple deve variar inversamente com o valor do capacitor. Verifique e justifique os resultados obtidos. 4 Circuito:

E = 120V V1 = 12V (nominal) D1,2 = 1N4002 Rs < 5 R = 3K a 50 C = 220F /25V, 1000F /25V

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Prtica 05 - Circuito Retificador com Filtro LC 1 - Objetivo: Avaliao do comportamento de circuitos retificadores monofsicos com filtro LC. Curvas de regulao e de fator de ondulao (fator de ripple). 2 - Procedimento: 2.1 - Monte o circuito da figura 1. Obs: o resistor Rs, de valor muito baixo, usado para observar a corrente nos diodos e no indutor. 2.2 - Varie R na faixa 5K - 50 e anote, em forma de tabela, os valores das grandezas abaixo relacionadas. Vs - tenso CC na sada (voltmetro digital). Vr - tenso de ondulao na sada, tenso de ripple, pico a pico (osciloscpio - canal 1 ). IL - corrente no indutor - (osciloscpio - canal 2 - invertido). Obs: anote as escalas usadas para cada parmetro. 2.3 - Anote as formas de onda de tenso (Vs e Vr) e corrente (IL). Lembre-se que elas ocorrem simultaneamente. 3 - Concluses e Comentrios: 3.1 - Relacione o material utilizado. 3.2 - Com os dados obtidos, calcule: Valor eficaz da tenso de ripple Vr(rms) Fator de ondulao ou fator de ripple f.r. = Vr(rms) / Vs (expresse em %). Corrente contnua na carga Is = Vs / R ou valor mdio de IL. 3.3 - Arrume os dados em tabela: Vs, Is, Vr, Vr(rms), f.r. 3.4 - Desenhe os grficos: curva de regulao Vs x Is e fator de ripple f.r. x Is. Superponha as curvas para facilitar a interpretao. Compare com o circuito anterior (filtro C). 3.5 - Desenhe as formas de onda de tenso de ripple e corrente no diodo para dois valores distantes da corrente de sada Is. Compare com o circuito anterior (filtro C). 3.6 - A partir das curvas de regulao, calcule a resistncia interna do circuito. 3.7 - Compare e comente os resultados obtidos com os 2 circuitos: filtro C e LC.

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4 Circuito:

E = 120V V1 = 12V (nominal) D1,2 = 1N4002 Rs < 5 R = 5K a 50 C = 220F /25V H = 500mH (aprox.) 250 espiras Obs: o indutor deve ser montado sem entre-ferro.

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Prtica 06 - Curvas Caractersticas de Transistor 1 - Objetivo: Traado da curva caracterstica e determinao de alguns parmetros de transistores de juno (BJT). Observar a variao dos valores dos parmetros entre componentes semelhantes e a influncia da temperatura. 2 Preparatrio: Do manual, obtenha a curva VCE x Ic com IB constante e os valores tpicos e limites de VBE, VCE(sat) e . 3 - Procedimento: 3.1 - Separe os 3 transistores fornecidos, cuidando para que eles sejam facilmente reconhecidos caso tenha que refazer alguma medida. 3.2 - Monte o circuito com o primeiro transistor e ajuste as escalas dos eixos X e Y para que a curva com IB(max) ocupe toda a tela. Ateno: a corrente Ic deve ser calculada a partir da ddp medida no resistor de emissor anote o valor das escalas. 3.3 - Varie a corrente de base - entre 10 e 100 A - e desenhe em papel milimetrado as curvas correspondentes (3 a 5 curvas). 3.4 - Repita o item anterior com os demais transistores. Com apenas um dos transistores: 3.5 - Amplifique a figura no sentido X para observar com mais exatido a regio de saturao e medir VCE(sat) x Ic. 3.6 - Com IB = 0, base aberta: medir ICO (ampliar eixo Y). 3.7 - Aquea o transistor com os dedos e verifique se ocorre alguma variao sensvel em alguns parmetros. Como a variao de temperatura ser inferior a 20 C, escolha o parmetro mais sensvel para observar. 4 - Concluses e Comentrios:

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5 - Circuito:

Rl = caixa de resistores 100K a 1M R2 = 100K R3 = 100 R4 = 470 R5 = 10 R6 = 470 D = 1N4002 T = BC547 V1 = 12Vca - 60Hz V2 = 12 Vcc

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Prtica 07/08 - Polarizao de Transistor 1 - Objetivo: Comparar a estabilidade do ponto de operao de transistores de juno (BJT) utilizando diferentes tipos de circuitos de polarizao de base, com relao a variao de alguns parmetros, tais como VBE e . 2 Preparatrio: Com os valores tpicos obtidos em manual, calcule o ponto de operao de cada circuito. Parmetros importantes: IB, IC e VCE. Inicialmente, faa uma estimativa do ponto de operao e depois consulte o manual. Desta maneira ser possvel determinar os valores de e VBE com erro reduzido. Arrume os valores em tabela de modo a facilitar a comparao com os resultados a serem obtidos no laboratrio. Especifique o valor de usado nos clculos. 3 - Procedimento: 3.1 - Separe os 3 transistores fornecidos, cuidando para que eles sejam usados sempre na mesma sequncia, em cada um dos 3 circuitos a serem montados. 3.2 - Monte o circuito A com o primeiro transistor e mea o ponto de operao. Ateno: as correntes devem ser calculadas a partir da ddp medida em resistores. 3.3 - Repita o item anterior com os demais transistores. 3.4 - Repita os itens 3.2 e 3.3 respectivamente com os circuitos B e C. Preste ateno para usar os transistores sempre na mesma sequncia. 4 - Concluses e Comentrios: Com os dados obtidos, calcule os valores efetivos de VBE e de cada transistor em cada um dos circuitos. Compare-os com os valores usados no clculo terico. Observe a dependncia do ponto de operao com os parmetros do transistor.

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5 Circuitos:

Circuito A - polarizao simples. Circuito B - polarizao com realimentao de emissor. Circuito C - polarizao com realimentao de coletor.

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Prtica 09 - Polarizao de Transistor J-FET

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Prtica 10 - Polarizao de Transistor 1 - Objetivo: Observar a estabilidade do ponto de operao de transistores de juno (BJT), polarizado com resistor de emissor e divisor de tenso na base, com relao a variao de alguns parmetros, tais como VBE e . Comparar com os circuitos estudados na aula anterior. 2 - Preparatrio: Com os valores tpicos obtidos em manual, calcule o ponto de operao: IC - VCE. Inicialmente, faa uma estimativa do ponto de operao e depois consulte o manual. Desta maneira ser possvel determinar os valores de VBE e com erro reduzido. Arrume os valores em tabela de modo a facilitar a comparao com os resultados a serem obtidos no laboratrio. Especifique o valor de usado nos clculos. 3 - Procedimento: 3.1 - Separe os 3 transistores fornecidos, cuidando para que eles sejam facilmente identificados caso tenha que repetir alguma medida. 3.2 - Monte o circuito e mea o ponto de operao com cada um dos 3 transistores. Use R1 = 10K e R2 = 1K2 3.3 - Repita o item anterior com R1 = 470K e R2 = 56K Ateno: As correntes devem ser calculadas a partir da ddp medida em resistores. 4 - Concluses e Comentrios: Com os dados obtidos, calcule os valores efetivos de VBE e de cada transistor em cada um dos circuitos. Obs: considerando que os resistores so de 5% e >> 100, verifique a viabilidade de se calcular o valor de a partir da medida do ponto de operao. Compare com os resultados obtidos na aula anterior. Qual a razo do ponto de operao variar mais com a troca de transistor, quando se usa valores mais elevados de Rl e R2. Ateno: faa comentrios pertinentes.

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5 Circuito:

Rl = 10K, 470K R2 = 1K2 , 56K

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Prtica 11 - Amplificador Emissor Comum 1 - Objetivo: Verificar as interaes entre ponto de operao, reta de carga dinmica e excurso de sinal num amplificador a transistor na configurao emissor comum. Influncia do capacitor de emissor no ganho de tenso e na reta de carga. 2 - Preparatrio: 2.1 - Com os valores tpicos obtidos em manual, calcule o ponto de operao: IC - VCE. 2.2 - Com Ce = 470F, calcule o ganho de tenso V2 / V1 , com um sinal de frequncia lKHz. 2.3 - Calcule a amplitude mxima do sinal no coletor. 2.4 - Qual o efeito da remoo do capacitor de emissor ? 3 - Procedimento: 3.1- Monte o circuito ( com Ce = 470F ), e mea o ponto de operao. 3.2 - Aplique na entrada um sinal senoidal de frequncia 1KHz, com amplitude tal que a tenso no coletor permanea senoidal. Anote as amplitudes dos sinais na entrada e na sada e calcule o ganho de tenso. Observe e mea a defasagem entre os dois sinais. 3.3 - Aumente gradativamente a amplitude da entrada at que o sinal no coletor comece a apresentar distoro. Anote a amplitude do sinal na entrada. 3.3 - Identifique esta distoro (corte ou saturao) e aumente o sinal at que ela ocorra tambm no lado oposto da senoide. Anote as respectivas amplitudes do sinal na entrada. 3.4 - Continue aumentando o sinal at que a distoro fique simtrica. Anote a amplitude do sinal na entrada. 3.5 - Retire o capacitor de emissor e repita os itens 3.2 a 3.4. 4 - Concluses e Comentrios: 4.1 - Compare os dados obtidos com os valores calculados teoricamente. 4.2 - Desenhe as retas de carga, esttica e dinmica, e compare a amplitude mxima do sinal de sada obtida graficamente com a determinada experimentalmente. 4.3 - Que alteraes podem ser feitas na polarizao para que as distores por corte e saturao ocorram simultaneamente ( com Ce = 470F ).

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5 - Circuito:

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