Polarizao de Transistores e

Amplificador de Pequenos Sinais

F. F. Alves, V. B. Dantas, G. Spina
Universidade Federal do ABC, Av. dos Estados, 5001, Bairro Bangu. Santo Andr - SP, Brasil
Resumo Visando abordar o estudo das caractersticas,
polarizao e aplicaes de um transistor bipolar de juno (BJT)
na configurao emissor comum, este documento mostra
resultados experimentais que ressaltam a importncia e
aplicabilidade desse tipo de transistor em diferentes ambientes.
Esses dados so baseados nas montagens em bancada dos
circuitos e clculos tericos feitos com base na literatura. Os
resultados obtidos esto dentro do esperado e de acordo com as
especificaes do fabricante. Tais configuraes de circuitos
possuem uma ampla gama de diversificao, tanto em sua
configurao quanto em suas possibilidades, podendo tambm
ser aplicados para outras finalidades. Nesses circuitos estudou-se
tambm o efeito de amplificao de pequenos sinais. Para que
esse efeito seja vivel, necessrio que o ganho de tenso seja
suficientemente alto. Ao final, os resultados obtidos
experimentalmente foram condizentes com os valores tericos e
especificados pelo fabricante, onde o ganho de tenso diminui
para frequncias muito altas. Pode-se constatar, ento, a
importncia de circuitos como esse na rea da eletrnica, onde
necessrio obter a amplificao de um sinal altamente atenuado.
Palavras-chaves transfer, resistor, npn, filtro, capacitor.
I. INTRODUO
Transistor (do ingls, transfer resistor ou resistncia de
transferncia) todo dispositivo eletrnico que possui trs
terminais com diversas funes em que seja necessrio
operaes com corrente e tenso tais como chaveamento e
amplificao. Funciona basicamente controlando o fluxo de
corrente que passa entre dois de seus terminais atravs de seu
terceiro terminal.
O primeiro tipo de transistor inventado foi o transistor de
contato de ponta, seguido pelo transistor BJT (do ingls,
bipolar junction transistor ou bipolar de juno). Este ltimo,
devido suas inmeras vantagens, um dos mais utilizados
atualmente e alvo dos estudos deste artigo.
Um transistor BJT composto de trs regies diferentemente
dopadas que formam duas junes PN, onde P e N representam
uma regio dopada com elementos tetravalentes e
pentavalentes, respectivamente Essa dopagem tem por
finalidade criar regies de depleo de potencial eltrico entre
pares de terminais por difuso dos portadores de carga. Por
essa finalidade, os transistores BJT so fabricados na
configurao PNP ou NPN de seus terminais. A primeira
camada (terminal E, emissor) a mais fortemente dopada. Em
seguida, a camada do meio (terminal B, base) construda de
modo a ter uma largura inferior ao comprimento de difuso dos
portadores e a mais fracamente dopada. Por ltimo, a terceira
camada (terminal C, coletor) tem sua dopagem intermediria
entre as outras duas.
Ao aplicar um transistor BJT em circuitos eltricos, sempre
se polariza a juno emissor-base diretamente, ao mesmo
tempo que, polariza-se inversamente a juno base-coletor.
Dessa forma, os portadores atravessam a primeira juno PN,
que tem sua barreira de potencial estrangulada devido a
polarizao direta. Ao chegarem na base, esses portadores
direcionam-se, por deriva e menor entropia, para a regio
coletora devido ao curto comprimento da regio da base e
devido sua fraca dopagem. Por fim, ao chegarem na regio
coletora, a polarizao reversa far com que esses portadores
atravessem essa regio at o fim, sendo conduzidos ao restante
do circuito pelo terminal. Como os portadores so
direcionados por deriva na base, alguns deles so
recombinados em seu terminal, criando uma relativamente
pequena corrente de fuga. Dessa forma, define-se, por
conservao de carga, que a corrente do emissor (

) igual
corrente da base (

) somada corrente do coletor (

), onde a
corrente do emissor aproximadamente igual corrente do
coletor, ambas comumente na ordem de mA. Enquanto que a
corrente da base comparativamente desprezvel, sendo
comumente na ordem de A [1]. Essas correntes dos terminais
se relacionam atravs de (1) e (2).

(1)

(2)
Pela Lei de Kirchhoff das malhas, diz-se que as tenses entre
os terminais desse tipo de transistor se relacionam atravs de
(3), onde

representam, respectivamente, a
queda de potencial entre os terminais coletor-emissor, coletor-
base e base-emissor.

(3)
II. OBJETIVOS
Verificar a polarizao e as caractersticas padres de um
transistor BJT na configurao emissor comum com divisor de
tenso na base e observar a amplificao de sinais averiguando
o efeito do capacitor entre emissor e referncia, alm de obter
os valores das impedncias de entrada e de sada do circuito.
III. EXPERIMENTO
A. Materiais
Os equipamentos utilizados nos experimentos esto listados
na Tabela I, bem como seus respectivos valores de fundo de
escala, resoluo e incerteza associada. Esses dados so
fundamentais para a caracterizao das medidas.
A Tabela II lista os componentes utilizados com seus
respectivos valores tericos e mensurados, bem como os erros
relativos calculados. Esses erros indicam que a diferena entre
seu valor mensurado e terico so aceitveis para no
influenciarem de maneira significativa nos resultados
esperados, uma vez que em mdulo so inferiores a 1.
TABELA I. MODELOS E ESPECIFICAES TCNICAS DAS FERRAMENTAS E
DOS INSTRUMENTOS DE MEDIO
Instrumento
Fundo de
escala
Resoluo
Fonte de alimentao
Minipa MPL-3303
Tenso CC (V) ................................................................................ 32 0,1 1,0% +2D
Gerador de sinal
Tektronix AFG-3021B
Tenso (V
PP
) ................................................................................ 20 2m 1,0% +1m
Frequncia (Hz) ................................................................................ 25M 1
Osciloscpio
Agilent 6618EN
Horizontal (s) ................................................................................ 500 2,5p 1,6% +65ppm
Vertical (V) ................................................................................ 1,28kV 31,25 3,25% +2m
Protoboard
Icel Manaus MSB-300 -
Multmetro digital
Bancada
Minipa MDM-8045B
Capacitncia (F) ............................................................................. 20n~2 1p~100p 3,5% +20D
................................................................................ 200 10n 5,0% +30D
Corrente C (A) ................................................................................ 20m~20 1~1m 0,35% +10D
Porttil
Minipa ET-2075B
Resistncia () ................................................................................ 600~60M 0,1~0,01M 0,8% +5D
Tenso CC (V) ................................................................................ 40m 0,01m 0,5% +6D
................................................................................ 400m~400 0,1m~100m 0,5% +5D
-
Incerteza
0,4%

TABELA II. VALORES MEDIDOS E ERROS NORMALIZADOS DOS
COMPONENTES ELETRNICOS
Component e
Erro
normaliz.
Resist ores
R
1
................................... (5,6 0,3) k (5,78 0,05) k 0,65
R
2
................................... (1,20 0,06) k (1,22 0,01) k 0,37
R
3
................................... (470 24) (477 9) 0,28
R
C
................................... (330 16) (324 3) 0,35
R
E
................................... (100 5) (101 6) 0,13
Capacit ores elet rolt icos
C
1
(50 V)................................... (1,0 0,3) F (0,98 0,05) F 0,06
C
2
(50 V)................................... (1,0 0,3) F (0,95 0,05) F 0,18
C
E
(50 V)................................... (100 30) F (88 7) F 0,39
Transist or
Q
1
................................... - BC547B (BJT) -
Valor mensurado Valor t erico

B. Mtodos
Esta seo aborda os mtodos de aquisio e anlise
utilizados durante os experimentos. Cada experimento
listado e abordado em subsees que definem os circuitos
utilizados com seus respectivos propsitos experimentais.
1) Polarizao de um transistor BJT em configurao emissor
comum: Com base no circuito da Fig. 1, observa-se a
polarizao de um transistor BJT do tipo NPN na configurao
emissor comum. Ele est conectado a quatro cargas resistivas,
com uma tenso de alimentao entre o emissor e o coletor de
12 V em corrente contnua. Atravs dos instrumentos, obtm-
se a corrente da base (

), coletor (

) e emissor (

), bem como
as tenses entre a base e o emissor (

), entre a base e o
coletor (

) entre o coletor e o emissor (

). Aps a
obteno desses dados, utilizando a Lei de Kirchhoff das
malhas, encontra-se os pontos que delimitam a reta de carga
do circuito. Essa reta fornece o ponto quiescente (ponto de
trabalho ou operao) do transistor ao cruzar a curva
caracterstica de

.


Fig. 1. Circuito de polarizao do BJT na configurao emissor comum.
2) Amplificador de Pequenos Sinais: Com base no circuito da Fig. 2,
observa-se o efeito amplificador de um transistor BJT do tipo NPN
em configurao emissor comum, novamente. Entretanto, dessa vez
adicionado dois capacitores de 1F e um de 100 F ao circuito da
Fig. 1, cada um conectado a um terminal do transistor, sendo o de
maior capacitncia conectado ao emissor. O capacitor
1
est
conectado ao gerador de sinais que fornece uma forma de onda
senoidal de 50 ou 100 mV
pp
, variando a frequncia de 1 at
5.000 kHz. Dessa forma, obtm-se, atravs dos instrumentos, a forma
de onda da tenso

de sada para cada valor de entrada.

Fig. 2. Circuito amplificador de pequenos sinais.
IV. RESULTADOS E DISCUSSES
A. Polarizao de um transistor BJT em configurao
emissor comum
O circuito da Fig. 1 que representa a polarizao de um BJT
foi configurado no protoboard, testado e seu comportamento
avaliado por meio da anlise das imagens e dos dados obtidos
pelo osciloscpio e pelo multmetro.
A partir da Fig. 3, observa-se a curva de corrente do coletor
pela tenso entre o emissor e o coletor (

), construda
a partir dos dados da Tabela IV e Tabela V. perceptvel o
destaque do seu padro linear aps a tenso

o valor de
4 V. A interseco da reta de carga, cujas coordenadas esto na
Tabela III, com a curva do transistor se deu na regio linear da
curva. Assim, possvel afirmar que o seu ponto quiescente,
ou de operao, se encontra na regio de saturao da curva,
que tambm denominada regio hmica. Tal regio indica
que o transistor no est trabalhando na regio ativa e, por
consequente, possui uma resistncia dinmica em variaes ao
redor desse ponto quiescente.
TABELA III. DADOS CALCULADOS PARA OS PONTOS QUE INTERCEPTAM OS
EIXOS DA RETA DE CARGA NO CIRCUITO DA FIGURA 1.
0,00 0,01 14,90 0,06
11,75 0,06 0,00 0,01
Tenso coletor-emissor
V
C-E
(V)
Corrente no coletor
I
C
(mA)


TABELA IV. DADOS DE TENSO MENSURADOS DO CIRCUITO DA FIGURA 1
COM
2
= 1,2 k VARIANDO A TENSO NA FONTE

.
CONTINUA NA TABELA V.
0,000 0,005 0,000 0,005 0,000 0,005 0,000 0,005
1,00 0,01 0,000 0,005 0,000 0,005 1,00 0,01
2,00 0,01 0,000 0,005 0,000 0,005 2,00 0,01
3,00 0,02 0,006 0,005 0,002 0,005 2,99 0,02
4,01 0,03 0,242 0,006 0,076 0,005 3,69 0,02
5,00 0,03 0,666 0,008 0,209 0,006 4,13 0,03
6,01 0,04 1,14 0,01 0,356 0,007 4,51 0,03
7,00 0,04 1,62 0,01 0,507 0,008 4,87 0,03
8,00 0,05 2,11 0,02 0,662 0,008 5,22 0,03
9,00 0,05 2,61 0,02 0,818 0,009 5,57 0,03
10,00 0,05 3,11 0,02 0,97 0,01 5,91 0,03
11,00 0,06 3,62 0,02 1,13 0,01 6,24 0,04
12,00 0,07 4,13 0,03 1,29 0,01 6,58 0,04
13,01 0,07 4,64 0,03 1,45 0,01 6,91 0,04
14,00 0,07 5,16 0,03 1,61 0,01 7,22 0,04
15,00 0,08 5,68 0,03 1,78 0,01 7,54 0,04
Fonte
V
S
(V)
Resistor R
C
V
RC
(V)
Resistor R
E
V
RE
(V)
Coletor-emissor
V
C-E
(V)
(continua)
Transistor

TABELA V. DADOS DE CORRENTE E GANHO MENSURADOS DO CIRCUITO DA
FIGURA 1 COM
2
= 1,2 k VARIANDO A TENSO NA FONTE

COM OS
DADOS DA TABELA IV.
0,00 0,01 0,00 0,01 0,0 0,0
0,00 0,01 0,00 0,01 0,0 0,0
0,00 0,01 0,00 0,01 0,0 0,0
0,02 0,01 0,02 0,01 0,0 0,0
0,75 0,01 0,75 0,01 3,0 0,1 (25 1) 10
2,05 0,02 2,07 0,02 16,0 0,1 128 1
3,51 0,02 3,53 0,02 20,0 0,1 175 1
5,00 0,03 5,02 0,03 20,0 0,1 250 2
6,52 0,03 6,56 0,03 34,0 0,1 192 1
8,06 0,04 8,10 0,04 35,0 0,1 230 1
9,61 0,04 9,65 0,04 43,0 0,2 223 1
11,17 0,05 11,22 0,05 49,0 0,2 228 1
12,75 0,05 12,80 0,05 55,0 0,2 232 1
14,32 0,06 14,39 0,06 63,0 0,2 227 1
15,91 0,07 15,98 0,07 67,0 0,2 237 1
17,53 0,07 17,60 0,07 74,0 0,3 237 1
-
Ganho C-B

-
-
-
Colet or
I
C
(mA)
Emissor
I
E
(mA)
Base
I
B
(A)
(concluso)
Transist or



Fig. 3. Curva de tenso entre os terminais coletor-emissor e corrente no
terminal coletor do transistor do circuito da Fig. 1 com
2
= 1,2 k e
regresso linear da regio hmica (em vermelho), e reta de carga para o
mesmo circuito (em azul). O ponto destacado (em preto) representa o ponto
quiescente de operao do transistor.
Utilizando o fator de ganho igual a 232, que o mesmo
obtido na mdia do experimento, para uma tenso aplicada de
12 V, o valor da corrente do emissor (

), do coletor (

) e da
base (

) calculados utilizando as relaes (1) e (2) a partir do

divisor de tenso do lado esquerdo do circuito e sabendo que
cai 0,67 V em

, so, respectivamente dados por (4), (5) e

(6).

= [(

1
+
2
)
12 V

= {[
(1,2 k)
(5,6 k) +(1,2 k)
] (12 V) (0,67 V)} (100 )
14,5 mA
(4)

= (

1 +
)

(
232
1 + 232
) (14,5 mA)
14,4 mA
(5)

=
1

(14,4 mA)
(232)
62,1 A (6)
Modificando o resistor
2
para
3
, sabendo que agora o
ganho se manteve na mdia em 220 e a tenso

em
0,64 V, obtm-se os novos valores de correntes dados por (7),
(8) e (9).

= [(

1
+
3
)
12 V

= {[
(470 )
(5,6 k) +(470 )
] (12 V) (0,64 V)} (100 )
2,89 mA
(7)

= (

1 +
)

(
220
1 + 220
) (2,89 mA)
2,88 mA
(8)

=
1

(2,88 mA)
(220)
13,1 A (9)
Tais valores so relativamente condizentes com os obtidos
experimentalmente (vide Tabela VIII) e pode oferecer, dentro
das incertezas dos componentes e das variveis do ambiente,
um tima estimao dos valores esperados de maneira
calculadamente rpida.
A Fig. 4 mostra a localizao do novo ponto quiescente do
transistor para
2
=
3
. Nela, observa-se o padro linear da
curva de corrente do coletor pela tenso entre o emissor e
coletor (

), construda a partir dos dados da Tabela VI

e Tabela VII aps o valor de

= 7 V, bem como o
cruzamento entre a reta de carga e a curva do transistor na
regio linear da curva. Assim, da mesma maneira, possvel
afirmar seu ponto quiescente tambm se encontra na regio de
saturao da curva, porm mais afastada da regio ativa que
no caso anterior, uma vez que, ao diminuir o valor de
2
, a
corrente que passa por esse mesmo resistor aumenta e,
consequentemente, a corrente da base (

) diminui. Como

diretamente proporcional

, onde quanto menor

, menor a
corrente no coletor (

), implicada a curva da Fig. 4, em que

a regio hmica se aproxima a uma reta com grau de inclinao
menor que a da Fig. 3.
TABELA VI. DADOS DE TENSO MENSURADOS DO CIRCUITO DA FIGURA 1
COM
2
=
3
= 470 VARIANDO A TENSO NA FONTE V
S
. CONTINUA NA
TABELA VII.
0,000 0,005 0,000 0,005 0,000 0,005 0,000 0,005
1,00 0,01 0,000 0,005 0,000 0,005 0,998 0,01
2,00 0,01 0,000 0,005 0,000 0,005 0,998 0,01
3,00 0,02 0,000 0,005 0,000 0,005 1,999 0,01
3,00 0,02 0,000 0,005 0,000 0,005 2,998 0,02
4,00 0,03 0,000 0,005 0,000 0,005 3,002 0,02
5,00 0,03 0,000 0,005 0,000 0,005 4,001 0,03
6,01 0,04 0,000 0,005 0,000 0,005 5,000 0,03
8,00 0,04 0,000 0,005 0,000 0,005 6,005 0,04
9,00 0,05 0,000 0,005 0,000 0,005 7,999 0,04
10,00 0,06 0,000 0,005 0,000 0,005 9,002 0,05
11,00 0,06 0,000 0,005 0,000 0,005 10,004 0,06
12,01 0,07 0,000 0,005 0,000 0,005 12,006 0,07
13,00 0,07 0,00 0,01 0,000 0,005 13,003 0,07
14,00 0,07 0,00 0,01 0,000 0,005 13,999 0,07
15,00 0,08 0,00 0,01 0,000 0,005 15,001 0,08
Coletor-emissor
V
C-E
(V)
Fonte
V
S
(V)
Resistor R
C
V
RC
(V)
Resistor R
E
V
RE
(V)
(continua)
Transistor

TABELA VII. DADOS DE CORRENTE E GANHO MENSURADOS DO CIRCUITO
DA FIGURA 1 COM
2
=
3
= 470 VARIANDO A TENSO NA FONTE V
S
COM
OS DADOS DA TABELA VI.
0,00 0,01 0,00 0,01 0,0 0,0
0,00 0,01 0,00 0,01 0,0 0,0
0,00 0,01 0,00 0,01 0,0 0,0
0,00 0,01 0,00 0,01 0,0 0,0
0,00 0,01 0,00 0,01 0,0 0,0
0,00 0,01 0,00 0,01 0,0 0,0
0,00 0,01 0,00 0,01 0,0 0,0
0,00 0,01 0,00 0,01 0,0 0,0
0,27 0,01 0,27 0,01 0,0 0,0
0,75 0,01 0,75 0,01 1,0 0,1 (75 9) 10
1,31 0,01 1,32 0,01 3,0 0,1 (44 2) 10
1,94 0,02 1,95 0,02 5,0 0,1 (39 1) 10
2,65 0,02 2,66 0,02 12,0 0,1 220 2
3,31 0,02 3,33 0,02 14,5 0,1 228 2
3,98 0,02 4,00 0,02 17,0 0,1 234 2
4,67 0,03 4,69 0,03 19,5 0,1 239 2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Transist or
Colet or
I
C
(mA)
Emissor
I
E
(mA)
Base
I
B
(A)
Ganho B-C

(concluso)



TABELA VIII. VALORES MENSURADOS PARA O PONTO DE OPERAO DO
TRANSISTOR DO CIRCUITO DA FIGURA 1 COM TENSO NA FONTE DE

=
12 V PARA DIFERENTES VALORES DE RESISTNCIA
2
E
3
.
Medida
Corrente no transistor
Base I
B
(A) .......................... 55 0,20 12 0,05
Coletor I
C
(mA) .......................... 12,75 0,05 2,65 0,02
Emissor I
E
(mA) .......................... 12,80 0,05 2,66 0,02
Tenso
Base-emissor V
B-E
(V) .......................... 0,67 0,01 0,64 0,01
Coletor-emissor V
C-E
(V) .......................... 6,58 0,04 12,006 0,07
Fonte V
S
(V) .......................... 12,00 0,07 12,01 0,07
Ganho
Coletor-emissor .................................... 0,996 0,006 0,995 0,010
Coletor-base .................................... 232 1 220 2
R
2
R
3



Fig. 4. Curva de tenso entre os terminais coletor-emissor e corrente no
terminal coletor do transistor do circuito da figura 1 com
2
=
3
= 470 e
regresso linear da regio hmica (em vermelho) e reta de carga para o
mesmo circuito (em azul). O ponto destacado (em preto) representa o ponto
quiescente de operao do transistor.
B. Amplificao de Pequenos Sinais
O circuito de amplificao de pequenos sinais foi
configurado no protoboard, testado e seu comportamento
avaliado por meio da anlise das imagens e dos dados obtidos
pelo osciloscpio e pelo multmetro. Com base nesses dados,
avaliou-se o ganho de tenso (

) entre a amplitude de tenso

da sada (

) com a da entrada (

), onde o circuito opera

como um amplificador de sinais.
O ganho de tenso um parmetro fundamental na aplicao
de circuitos amplificadores, e deve ter um alto valor para que
a amplificao seja vivel, ainda que para sinais de baixa
amplitude, como, por exemplo, para sensores.
Pelas Tabelas IX e X, possvel observar que

bem como
a tenso de sada (

) obedeceram a variao descrita pelos

fabricantes, em que diminui com o aumento da frequncia ()
do sinal de tenso de entrada. Esse fenmeno pode ser
subdividido ao considerarmos as faixas de frequncia utilizada
durante a variao da mesma. Constatou-se ento uma
variao baixa no ganho de tenso

, nas 4 primeiras
medidas, que so correspondentes banda de mdias
frequncias. Em seguida, para as outras medidas, possvel
observar uma queda abrupta do ganho de tenso nas medidas
correspondentes a banda de altas frequncias.
TABELA IX. VALORES MENSURADOS DE TENSO E GANHO NA SADA
VARIANDO A FREQUNCIA DO CIRCUITO DA FIGURA 2 PARA UM SINAL DE
ENTRADA DE AMPLITUDE

= 50 mV.
1,000 0,004 1,06 0,01 21,1 0,2
10,00 0,04 1,13 0,01 22,5 0,3
50,0 0,2 1,12 0,01 22,4 0,3
100,0 0,4 1,09 0,01 21,9 0,3
500 2 0,749 0,008 15,0 0,2
1000 4 0,469 0,006 9,4 0,1
2000 8 0,245 0,003 4,90 0,07
3000 12 0,161 0,003 3,22 0,05
4000 16 0,134 0,002 2,68 0,05
5000 20 0,104 0,002 2,08 0,04
Tenso de sada
V
SPP
(V)
Ganho de tenso
A
V
Frequncia
f (kHz)


TABELA X. VALORES MENSURADOS DE TENSO E GANHO NA SADA
VARIANDO A FREQUNCIA DO CIRCUITO DA FIGURA 2 PARA UM SINAL DE
ENTRADA DE AMPLITUDE

= 100 mV.
1,000 0,004 2,15 0,02 21,53 0,2
10,00 0,04 2,25 0,02 22,5 0,3
50,0 0,2 2,24 0,02 22,4 0,3
100,0 0,4 2,19 0,02 21,88 0,2
500 2 1,494 0,016 14,94 0,2
1000 4 0,936 0,010 9,36 0,1
2000 8 0,493 0,006 4,93 0,06
3000 12 0,319 0,004 3,19 0,04
4000 16 0,226 0,003 2,26 0,03
5000 20 0,158 0,003 1,58 0,03
Tenso de sada
V
SPP
(V)
Ganho de tenso
A
V
Frequncia
f (kHz)

Pela Tabela XI, possvel observar que, sem o capacitor

,
as tenses de sada mensuradas (

), tanto para uma entrada

com amplitude de 50 mV quanto para uma entrada de 100 mV,
diminuiram significativamente, bem como os valores de ganho
de tenso. Isso evidencia a importncia do capacitor no
circuito amplificador, onde o objetivo obter um ganho
relativamente maior.
TABELA XI. VALORES MENSURADOS DE TENSO E GANHO NA SADA
VARIANDO A AMPLITUDE DO SINAL DE ENTRADA DO CIRCUITO DA FIGURA 2
SEM O CAPACITOR

.
50,0 0,5 10,00 0,04 0,165 0,003 3,3 0,1
100 1 10,00 0,04 0,276 0,004 2,76 0,04
Frequncia
f (kHz)
Tenso de sada
V
SPP
(V)
Ganho de tenso
A
V
Fonte
V
S
(mV)

Como a impedncia de entrada (

) de um
amplificador a resistncia que o sinal de corrente alternada
encontra na entrada do circuito, definimo-la como as
resistncias 1, 2 e a impedncia do emissor multiplicada
pelo fator , em paralelo, como em (10).

= 1 2

= 5.600 1200 (232) (
25 mV
14,2 mA
)
= 2,45 m
(10)
A impedncia do emissor (

) definida como a resistncia

imposta pelo transistor quando influenciado pelo sinal de
corrente alternada, dada por (11), vlida para uma temperatura
ambiente de 25C, a qual se manteve durante todos os
experimentos.

= 25mV /

(11)
A impedncia de sada (

) de um amplificador a
resistncia encontrada pelo sinal de corrente alternada na sada
do circuito, podendo ser definida numericamente igual
resistncia

, como em (12).

= 330 (12)
Determinar os valores das impedncias de entrada e sada
de relativa importncia, uma vez que se saiba que, quanto
maior a impedncia de entrada do amplificador, maior ser o
porcentual de tenso do gerador em sua entrada, e, quanto
menor a impedncia de sada, melhor se obtm o sinal de sada
sobre a carga.
Com base nessas informaes, obteve-se os grficos das Fig.
5 e 6 que representam as curvas de resposta a frequncia do
circuito amplificador para um entrada de 50 mV e 100 mV de
amplitude, respectivamente.


Fig. 5. Curva de resposta a frequncia do circuito amplificador da figura 2
com

= 50 mV. A reta indicada representam uma aproximao para a

regio de queda de ganho com banda alta.

Fig. 6. Curva de resposta a frequncia do circuito amplificador da figura 2
com

= 100 mV. A reta indicada representam uma aproximao para a

regio de queda de ganho com banda alta.
V. CONCLUSO
A partir dos dados obtidos do circuito base, identificou-se
com xito o ponto de operao do transistor, onde pode-se
inferir que o circuito proposto no possui caractersticas
favorveis sua aplicao como amplificador, uma vez que
seu ponto quiescente encontrou-se na zona de saturao.
Concomitantemente, observou-se tambm a relao com que
os ganhos de tenso do circuito amplificador variam em funo
de alguns parmetros, entre eles, a insero do capacitor e a
variao da frequncia do sinal de entrada a ser amplificado.
VI. REFERNCIAS
[1] R. L. Boylestad, Dispositivos Eletrnicos e teoria de circuitos, 8 ed.,
Pearson, 2005, p. 6-24.