Transistor BJT PDF

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)
Electrnica I I - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores Lus Verssimo, Fevereiro de 2002
n p n
E C
B
Emissor Colector
Base
p n p
E C
B
Emissor Colector
Base
O transistor de juno bipolar (BJT)
Bipolar dois tipos de cargas, electres e
buracos, envolvidos nos fluxos de corrente
Juno duas junes pn. Juno
base/emissor e juno base/colector
Tipos tipos NPN e PNP.
Terminais Base, Emissor e Colector
Smbolos -
Colector
Emissor
Base
Colector
Emissor
Base
NPN
PNP
n
E C
B
p
n
Injeco de buracos
Injeco de electres
VBE
VCB
i
E
i
C
i
B
Fluxos de corrente num
transistor npn operando na ZAD
A juno Emissor/Base directamente
polarizada
A juno Base/Colector inversamente
polarizada
A espessura da regio da base
tipicamente 150 vezes inferior
espessura do dispositivo.
A polarizao directa da juno
base/emissor causa um fluxo de
portadores maioritrios (electres) da
regio n para a regio p.
E de portadores minoritrios
(buracos) da base para o emissor
A soma destes dois fluxos conduz
corrente de emissor I
E
.
n
E C
B
p
n
Injeco de buracos
Injeco de electres
VBE
VCB
i
E
i
C
i
B
transistor npn operando na ZAD
O transistor construdo de tal forma que
praticamente toda a corrente constituda
pelo fluxo de electres do emissor para a
base. A regio do emissor muito mais
fortemente dopada do que a regio da
base.
A regio da base muito fina comparada
com a espessura das regies do emissor e
do colector. Os electres que fluem do
emissor para a base, atravessam esta
regio e so atrados para o colector,
antes de haver tempo para a
recombinao com os buracos
na base. A corrente no colector
da mesma ordem de grandeza
da corrente no emissor.
transistor pnp operando na ZAD
O transistor PNP opera de forma semelhante
ao descrito para o transistor NPN
A tenso V
EB
polariza directamente a juno
EB. A tenso V
BC
polariza inversamente a
juno CB.
No transistor PNP as correntes so sobretudo devidas a correntes de buracos.
As correntes de difuso de electres livres da base para o emissor so muito
pequenas em comparao com as correntes de buracos em sentido contrrio.
A regio do emissor, tal como no transistor NPN, muito mais fortemente
dopada do que a regio da base. A espessura da base muita pequena em
comparao com as dimenses do dispositivo.
p
E C
B
n
p
Injeco de buracos
Injeco de electres
VEB VBC
i
E
i
C
i
B
C
B
E
i
C
i
E
i
B
v
CE
v
BE
v
CB
E
B
C
i
E
i
C
i
B
v
EC
v
BC
v
EB
Transistor de juno bipolar (BJT)
(convenes)
NPN PNP
Os sentidos de referncia adoptados para tenses e correntes aos terminais do
transistor so escolhidos de tal modo que, para o funcionamento na zona activa
directa, as correntes so positivas.
O funcionamento dos dois tipos de transistores muito semelhante; quando se
passa de um para outro, todos os resultados se mantm se se trocarem os
sentidos das tenses e correntes.
Transistor de juno bipolar (BJT)
(modos de operao)
Polarizada
directamente
Polarizada
directamente
Zona de
Saturao
(ZS)
Interruptores
Portas lgicas
Circuitos TTL
Etc..
Polarizada
inversamente
Polarizada
inversamente
Zona de Corte
(ZC)
Amplificadores
Polarizada
inversamente
Polarizada
directamente
Zona Activa
Directa
(ZAD)
Aplicaes Juno CB Juno EB
Modo de
operao
Transistor de juno bipolar (NPN)
(Equaes - resumo)
Zona Activa Directa (ZAD)
sat
on
CE CE
BE BE
E C E C
B E B C
V v
V v v
i
i e i i
i i e i i
>
=
+
= =
+ = =
7 , 0
.
1
.
). 1 ( .
Zona de Saturao (ZS)
Zona de Corte (ZC)
V V v
V v v
i i
sat
on
CE CE
BE BE
B C
2 , 0
7 , 0
.
=
=
<
V v
i i i
BE
E C B
7 , 0
0
<
= = =
Modelos para sinais fortes
C
B
E
i
C
i
B
i
E
v
BE
.i
E
C
B
E
i
C
i
B
i
E
v
BE
I
S
e
v
BE
V
T
B
i
B
i
C
i
E
C
E
v
BE
I
S
e
v
BE
V
T
B
i
B
i
C
i
E
C
E
v
BE
.i
B
a) Fonte de corrente controlada por
tenso
b) Fonte de corrente controlada por
corrente
c) Fonte de corrente controlada por
tenso
d) Fonte de corrente controlada por
corrente
Transistor de juno bipolar (PNP)
Modelos para sinais fortes
a) Fonte de corrente controlada por
tenso
b) Fonte de corrente controlada por
corrente
c) Fonte de corrente controlada por
tenso
d) Fonte de corrente controlada por
corrente
E
B
C
i
E
i
B
i
C
v
EB
I
S
e
v
EB
V
T
E
B
C
i
E
i
B
i
C
v
EB
.i
E
B
i
B
i
C
i
E
C
E
v
EB
I
S
e
v
BE
V
T
B
i
B
i
C
i
E
C
E
v
EB
.i
B
i
B
v
BE
0,5 0,8
i
C
i
B
v
BE
0,5 0,8
T
1
T
2
T
3
T
1
>T
2
>T
3
Curvas caractersticas do BJT (npn)
i
B
=f(v
BE
) para v
CE
constante
Efeito da temperatura na caracterstica
i
B
-v
BE
de um transistor npn.
v
BE
decresce aproximadamente 2mV/C.
) exp( .
) exp( .
T
BE S
B
T
BE
S C
V
v I
i
V
v
I i
=
=
Habitualmente considera-se
V
BE
=V
BEon
0,7V
Curvas caractersticas do BJT (npn)
i
C
=f(v
CE
) para i
B
constante
i
C
v
CE
-V
A
i
B
=...
i
B
=...
i
B
=
...
i
B
=
...
i
B
=
.
.
.
Zona de
saturao
Zona de
corte
Zona activa
directa
i
C
V
CE
V
BE
V
A
tenso de Early
i
C
v
CE
i
B
=...
i
B
=...
i
B
=10
A
i
B
=
...
i
B
=
...
PFR
V
CEQ
(5V)
I
CQ
(1mA)
V
CC
V
CC
R
C
RB
+10V
RC
5k
B
C
E
I
C
I
E
330k
I
B
VBB
4V
VBB
Anlise de circuitos dc com o BJT (npn)
- (Recta de carga esttica)
Da malha de sada tem-se:
C
CC
C
C
C
CE CC
C
CE C C CC
R
V
R
1
I ou
R
V V
I
0 V I R V
+ =
=
= + +
Equao de uma recta, em que:
C
CC
C CE
CC CE C
R
V
I 0 V para
V V 0 I para
= ==> =
= ==> =
PFR - ponto de funcionamento em repouso
) I , V ( PFR
CQ CEQ
RB
+10V
RC
5k
B
C
E
i
C
i
E
330k
i
B
VB
4V
RE
10k
+10V
RC
5k
B
C
-10V
E
i
C
i
E
(Exemplos)
=100
V
BEon
=0,7V
RB
+10V
RC
2,7k
B
C
E
i
C
i
E
100k
i
B
VB
5V
RE
3,3k
a) b) c)
Transistor de juno bipolar (PNP)
(Exemplos)
=100
V
EBon
=0,7V
a) b) c)
RB
+10V
RC
5k
B
C
E
i
C
i
E
330k
i
B
VB
6V
RB
+10V
RE
3,3k
B
C
E
i
E
i
C
100k
i
B
VB
5V
RC
2,7k
RC
5k
+10V
RE
10k
B
C
-10V
E
i
E
i
C
RB
+10V
RC
5k
B
C
E
I
C
I
E
330k
I
B
VBB
4V
VBB
I
B
I
C
A 10
k 330
7 , 0 4
I
R
V V
I
0 V I . R V
B
B
BEon BB
B
BEon B B BB
=
=
= + +
1. Malha de entrada
mA 1 A 10 . 100 I
I . I
C
B C
= =
=
mA 1 I
mA 01 , 1 A 10 . 101 I
I ). 1 ( I I I
E
E
B B C E
= =
+ = + =
2. Equaes do BJT
V 5 V
m 1 . k 5 10 V
I . R V V
0 V I . R V
CE
CE
C C CC CE
CE C C CC
=
=
=
= + +
3. Malha de sada
Anlise de circuitos dc com o transistor
de juno bipolar (npn) - (Exemplo)
Malha Base-Emissor
Malha Colector-Emissor
B
CE CC
B
BE B B CC
R
V V
I
0 V R I V
=
= + +
C C CC CE
CE C C CC
R I V V
0 V R I V
=
= + +
Exemplos de polarizao dc de circuitos com BJTs
I
C
RC
VCC
VCE
C
E
RB
VCC
I
B
VBE
B
E
RB
VCC
B
C
E
i
C
i
E
i
B
RC
B C
I . I =
RB1
VCC
B
C
E
i
C
i
E
i
B
RC
RB2
RTH
VCC
B
C
E I
B
RC
VTH
VBE
CC
2 B 1 B
2 B
TH
2 B 1 B TH
V .
R R
R
V
R // R R
+
=
=
Exemplos de polarizao dc de circuitos com BJTs
(polarizao por divisor de tenso)
Electrnica I - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores Lus Verssimo, Abril de 2002
RB1
VCC
RB2
VTH
RTH
B2
TH CC TH B1 B2
B1 B2
R
V .V R R / / R
R R
= =
+
Polarizao por divisor de tenso
(equivalente de Thvenin da malha Base-Emissor)
RB1
VCC
B
C
E
RC
RB2
RE
RTH
VCC
I
B
RC
VTH
VBE
RE
VBE
I
C
Polarizao por divisor de tenso
e resistncia no Emissor
TH TH B BEon E E
TH TH B BEon E B
TH BEon
B
TH E
V R I V R I 0
V R I V ( 1)R I 0
V V
I
R ( 1)R
+ + + =
+ + + + =
=
+ +
C B
E B
I .I
I ( 1).I
=
= +
CC C C CE E E
CE CC C C E E
CE CC C E C
V R I V R I 0
V V R I R I
V V (R R ).I
+ + + =
=
+
A introduo de uma
resistncia no emissor
traduz-se em circuitos com
boa estabilidade do seu
ponto de funcionamento
em repouso (PFR) e faz
com que a corrente I
C
seja
praticamente independente
do valor de b e a corrente
I
B
praticamente
independente de R
B
.
RB
VCC
RC
RE
RB
VCC
RC
RE
VBE
RB
VCC
RC
RE
VCE
Polarizao com resistncia de rectroaco
colector-base e resistncia no emissor
E C B
BE CC
B
B E BE B B B C CC
E E BE B B B C C CC
R ) 1 ( R ) 1 ( R
V V
I
0 I R ) 1 ( V I R ) I R ) 1 ( V
0 I R V I R ) I I ( R V
+ + + +
=
= + + + + + +
= + + + + +
B C
I . I =
E E C CC CE
E E CE E C CC
E E CE B C C CC
I ) R R ( V V
0 I R V I R V
0 I R V ) I I ( R V
+ =
= + + +
= + + + +
RB
VCC
RC
RE
-VEE
RB
RE
VEE
I
B
VCC
RC
RE
VEE
Polarizao com duas fontes de tenso
E B
BEon EE
B
EE B E BEon B B
R ) 1 ( R
V V
I
0 V I R ) 1 ( V I R
+ +
=
= + + +
B C
I . I =
E E C C EE CC CE
EE E E CE C C CC
I R I R V V V
0 V I R V I R V
+ =
= + + +
RB
VCC
RC
-VEE
I
RB
RC
VCC
VCB
Polarizao com fonte de corrente
1
I
I
I I . I
I I
E
B
E E C
E
+
=
=
=
BE B B C C CC CE
BE CB CE
B B CB C C CC
V I R I R V V
V V V
0 I R V I R V
+ =
+ =
= + + +
I
B
>0
Zona de Corte
I
B
=0; I
C
=0; I
E
=0
V
BE
<0,7V
PFR(V
CE
, 0)
V
CE
>V
CEsat
Zona de Saturao
V
CE
=V
CEsat
=0,2V
PFR(V
CEsat
,I
Csat
)
Zona Activa Directa
PFR(V
CEQ
,I
CQ
)
No
Sim
Calcular I
B
(malha base-
emissor)
Calcular V
CE
(malha colector-
emissor)
No
Sim
Hiptese: ZAD
I
B
>0; I
C
= .I
B
;
V
BE
=V
BEon
=0,7V;
V
CE
>V
CEsat
Verificao da zona de funcionamento
de um circuito com BJTs
Parte-se da hiptese que o BJT est na ZAD;
Calcula-se I
B
a partir da malha de entrada, ou
base-emissor;
Se o valor obtido para I
B
for nulo ou negativo
conclui-se que o BJT est na ZC - Zona de Corte;
I
B
=0; I
C
=0 e I
E
=0; o V
BE
inferior a 0,7V.
Se o valor de I
B
for positivo calculamos I
C
=I
B
e
calculamos V
CE
a partir da malha colector-
emissor.
Se o valor obtido para V
CE
for inferior ou igual a
V
CEsat
, conclumos que o BJT est na ZS- Zona
de saturao. V
CE
=V
CEsat
e h que calcular I
Csat
da malha de sada (I
C
I
B
).
Se o valor de V
CE
for superior a V
CEsat
, ento o
BJT encontra-se mesmo na ZAD e V
CEQ
e I
CQ
so
os obtidos nos clculos anteriores.
Corte
Saturao
Z
ona
act i va
5
Vo(V)
0,2
0,7 1,9
5 Vi(V)
RB =100k
5V
RC
4k
i
C
i
B
Vi
Vo
Funcionamento do BJT no corte e saturao
V 5 V 0
i
< <
0 I 0 I
0 7 , 0 V 0
R
V V
I
V 7 , 0 V : Corte de Zona
C B
i
B
BEon i
B
i
= =
< <
=
<
V 9 , 1 7 , 0 12 . k 100 V
A 12
k 100
7 , 0 V
R
V V
I
A 12
100
mA 2 , 1 I
I I . I
mA 2 , 1
k 4
2 , 0 5
R
V V
I
V 9 , 1 V : Saturao de Zona
i
i
B
BEon i
Bsat
Csat
Bsat Bsat Csat
C
CEsat CC
Csat
i
= + >
>
=
= =
> <
=
=
>
V 9 , 1 V 7 , 0 : Directa Activa Zona
i
< <
+10V
4,7k
3,3k
+6V
Funcionamento do BJT no corte e saturao
mA 64 , 0 m 96 , 0 m 6 , 1 I I I
mA 96 , 0
k 7 , 4
3 , 5 2 , 0 10
R
V V V
I
ZS V 2 , 0 V V 8 , 2 V
m 6 , 1 . 3 , 3 m 6 , 1 . k 7 , 4 10 V
I R I R V V
mA 6 , 1 A 16 . 100 I
A 16
k 3 , 3 x 101
7 , 0 6
R ) 1 (
V V
I
Csat Esat Bsat
C
RE CEsat CC
Csat
CEsat CE
CE
E E C C CC CE
C
E
BEon BB
B
= = =
=

=

=
= < =
=
=
= =
=
=
+
=
RC
i
C
i
E
i
B
VBE
VCC
VCE
v
be
v
BE
RC
I
C
I
E
I
B
VBE
VCC
VCE
O BJT como amplificador
Condies DC; v
be
=0
Condies AC; v
be
0
Condies DC
As condies de polarizao DC obtm-se
considerando v
be
=0
C C CC CE
C E
C B
T BE S C
I R V V
/ I I
/ I I
) V / v exp( I I
=
=
=
=
Sobreposio de um sinal AC tenso DC
Se for aplicada uma tenso AC de valor v
be
, a tenso v
BE
, valor total
instantneo, :
Da mesma forma tem-se para a corrente i
C
:
be BE BE
v V v + =
) V / v exp( I ) V / v exp( ). V / V exp( I
] V / ) v V exp[( I ) V / v exp( I i
T be C T be T BE S
T be BE S T BE S C
=
= + = =
be m C be
T
C
C T be C C
v g I v
V
I
I ) V / v 1 ( I i + = + = + =
be
T
C
c c C C
v .
V
I
i se tem i I i como = + =
T
C
be
c
m
V
I
v
i
g se Define = =
Utilizando a aproximao 1 x se x 1 e
x
<< +
T
be
T
be
T be
V
v
1 )
V
v
exp( se tem V v Se + <<
g
m
designado por transcondutncia
be
m
be
T
C
b
be
T
C C C
B
v
g
v
V
I 1
i
v
V
I 1 I i
i
=
B
T
be
m
be
T
C
b
m b
be
I
V
r ou
v
g
v
V
I 1
i
g i
v
r
=
= =

PFR
t
t
I
C
i
C
v
BE V
BE
v
be
i
C
Operao de um transistor
em sinais fracos: um sinal
fraco v
be
com a forma
sinusoidal sobrepe-se
tenso V
BE
, o que d origem
a uma corrente no colector
em AC, i
c
, tambm de forma
sinusoidal que se sobrepe
corrente DC, I
C
; i
c
=g
m
.v
be
.
B C
E
i
b
i
c
i
e
v
be
g
m
v
be
r
B C
E
i
b
i
c
i
e
v
be
.i
b
r
C be T
c m be m c b b
T B
I v V
i g v com g ou i i e i com r
V r I
.

= = = = =
O BJT como amplificador modelos para sinais pequenos
O modelo -hbrido
As figuras a) e b) representam duas verses ligeiramente diferentes do modelo -hbrido
simplificado do transistor de juno bipolar operando com sinais pequenos:
Em a) o BJT representado por uma fonte de corrente controlada por tenso
[amplificador de transcondutncia]
Em b) o BJT representado por uma fonte de corrente controlada por corrente
[amplificador de corrente]
a)
b)
B
C
E
i
b
i
c
i
e
v
be
g
m
v
be
r
e
B
C
E
i
b
i
c
i
e
v
be
.i
e
r
e
O modelo em T
C
c m be m
T
be
c e e
e
T
e
E
I
i g v com g
V
ou
v
i i e i
r
V
com r
I
.
= =
= =
=
As figuras a) e b) representam duas verses ligeiramente diferentes do modelo em T
simplificado do transistor de juno bipolar operando com sinais pequenos:
Em a) o BJT representado por uma fonte de corrente controlada por tenso
[amplificador de transcondutncia]
Em b) o BJT representado por uma fonte de corrente controlada por corrente
[amplificador de corrente]
Estes modelos explicitam a resistncia de emissor r
e
em vez da resistncia de base r

tal como aparecia nos modelos -hbrido
a) b)
B
C
E
i
b
i
c
i
e
v
be
g
m
v
be
r
r
o
B
C
E
i
b
i
c
i
e
v
be
r
r
o
.i
b
i
C
v
C
E
-
V
A
i
B
=..
.
i
B
=..
.
i
B
=..
.
i
B
=
..
.
i
B
=
..
.
Modelo -hbrido incluindo o efeito de Early
Fazendo incluir o efeito de Early nos modelos
-hbrido, ele traduz-se pela incluso de uma
resistncia r
o
, de valor aproximado V
A
/I
C
, entre
o colector e o emissor.
C
A
o
I
V
r
O BJT como amplificador Parmetros dos modelos para sinais pequenos
Em termos das condies DC
C
A
o
E
T
e
C
T
B
T
T
C
m
I
V
r
I
V
r
I
V
I
V
r
V
I
g = =
= = =

Em termos do parmetro g
m
m m m
e
g
r
g
1
g
r

=
=

Em termos do parmetro r
e

= +
+
=
1
1
1
1 1
Relao entre os parmetros e
e
m e
e e
m
r
1
r
1
g r ) 1 ( r
r
1
r
g = + + =

O BJT como amplificador ganho de tenso
RC
i
C
i
E
i
B
VBE
VCC
VCE
v
be
v
BE
A tenso total instantnea no colector do
transistor, v
CE
, :
C c ce
ce CE
C c C C CC
C c C CC C C CC CE
R i v conclui se Donde
v V
R i ) R I V (
R ) i I ( V R i V v
=
+ =
= =
= + = =
C m v
C m
be
ce
be C m ce
be m c
R g A tenso de Ganho
R g
v
v
ou
v R g v
: se tem v g i Como
=
=
=
=
=

= =
= =
r
R .
A tenso de Ganho
r
R .
v
v
ou
v
r
R .
i R . v
: se tem
r
v
i e i i Como
C
v
C
be
ce
be
C
b C ce
be
b b c
O BJT como amplificador anlise de circuitos em ac
Determinar o ponto de funcionamento em repouso do transistor e, em particular, o valor da
corrente de colector, I
C
. Esta anlise feita considerando apenas as fontes de tenso e
corrente dc e substituindo os condensadores por circuitos em aberto.
Calcular o valor dos parmetros necessrios para os modelos incrementais, para pequenos
sinais:
Representar o esquema incremental equivalente do circuito amplificador, substituindo as
fontes de tenso dc independentes por curto-circuitos e as fontes de corrente dc
independentes por circuitos em aberto.
Substituir cada um dos condensadores de bloqueamento e contorno por um curto-circuito.
Substituir o transistor por um dos modelos equivalentes para pequenos sinais. Utilizar-se-
o modelo que se entenda por mais conveniente para a anlise da configurao em questo.
Analisar o circuito resultante de acordo com as leis e regras da teoria dos circuitos, por
forma a obter o ganho de tenso, o ganho de corrente, a resitncia de entrada, etc..
. etc ,
I
V
r ,
I
V
r ,
V
I
g
E
T
e
B
T
T
C
m
= = =

O BJT como amplificador exemplo
RC=5k
R
B
VBB
VCC=+12V
vo v
i
100k
3V
RC=5k
R
B
VBB
VCC=+12V
100k
3V
0,7V
Pretende-se determinar o ganho de tenso do
amplificador representado na figura; =100.
Determinemos em primeiro lugar o ponto de
funcionamento em repouso, fazendo v
i
=0.
) mA 3 , 2 ; V 5 , 3 ( PFR : ZAD na Transistor
V 5 , 3 m 3 , 2 . k 5 15 I R V V
mA 3 , 2 m 023 , 0 . 100 I . I
mA 023 , 0
k 100
7 , 0 3
R
V V
I
C C CC CE
B C
B
BEon BB
B
= = =
= = =
=
=
V / mA 92
m 25
m 3 , 2
V
I
g
8 , 10
m 32 , 2
m 25
I
V
r
1087
m 023 , 0
m 25
I
V
r
T
C
m
E
T
e
B
T
= = =
= = =
= = =
Calculemos agora os parmetros para os

modelos para sinais pequenos
O BJT como amplificador exemplo (cont.)
RC=5k
R
B
VBB
VCC=+15V
vo v
i
100k
3V
Da anlise do circuito temos:
95 , 4
k 100 k 087 , 1
k 5 x 100
A
R r
R .
v
v
A
R r
v
R . v
R r
v
i
i . R i R v
v
B
C
i
o
v
B
i
C o
B
i
b
b C c C o
=
+
=
+
= =
+
=
+
=
= =

Circuito equivalente incremental
O sinal () no ganho de tenso representa a
inverso de fase do sinal na sada em relao
ao sinal na entrada
Utilizemos o modelo -hbrido do transistor, utilizando o
parmetro , mas sem r
o
, e substituamos o circuito pelo seu
equivalente incremental.
B C
E
i
b
i
c
i
e
v
be
.i
b
r
R
B
v
i
R
C
v
o
O BJT como amplificador configuraes base
Consideram-se trs configuraes base para circuitos amplificadores com o
transistor de juno bipolar:
Configurao em emissor comum
Emissor massa em AC
Sinal de entrada entre a base e o emissor
Sinal de sada entre o colector e o emisor (massa)
Configurao em colector comum
Colecotr massa em AC
Sinal de entrada entre a base e o emissor
Sinal de sada entre o emissor e a massa
Configurao em base comum
Base massa em AC
Sinal de entrada entre o emissor e a base
Sinal de sada entre o colector e a base (massa)
RB1
VCC
RC
RB2
RE
CE
RS
Ci
vs
Co
RL
vo
Amplificador em Emissor-Comum
B C
E
i
b
i
c
i
e
v
be
g
m
v
be
r
R
S
v
s
R
C
v
o
R
B R
L
R
i n R
o
C
i
, C
o
condensadores de acoplamento (bloqueiam
as componentes contnuas na entrada e na sada)
C
E
condensador de contorno (bypass)
A capacidade dos condensadores de acoplamento e
de contorno suficientemente elevada para que a
sua reactncia se possa considerar como um curto-
circuito perante as restantes impedncias do circuito
para as frequncias de interesse.
O circuito equivalente para pequenos
sinais obtm-se substituindo o BJT pelo
seu modelo equivalente -hbrido,
eliminando as fontes de tenso DC e
curtocircuitando os condensadores C
i
,
C
o
e C
E.
a) Configurao tpica do amplificador monoestgio
em Emissor Comum com componentes discretos
b) Circuito equivalente para pequenos sinais do
amplificador em Emissor Comum do circuito a)
Amplificador em Emissor-Comum (cont.)
B C
E
i
b
i
c
i
e
v
be
g
m
v
be
r
R
S
v
s
R
C v
o
R
B R
L
R
i n R
o
a) Circuito equivalente incremental modelo -hbrido
com gm, desprezando ro face a RC e RL
Ganho de tenso (com g
m
)
S B
B
L C m
s
o
v
S
S B
B
be
L C be m o
R R // r
R // r
. R // R g
v
v
A
v
R R // r
R // r
v
R // R v g v
+
= =
+
=
=
Resistncia de sada
C o o C o
R // r R ou R R = =
b) Circuito equivalente incremental modelo -hbrido
com , desprezando ro face a RC e RL
B C
E
i
b
i
c
i
e
v
be
.i
b
r
R
S
v
s
R
C v
o
R
B R
L
R
i n R
o
Resistncia de entrada
2 B 1 B B i
R // R // r R // r R

= =
Ganho de tenso (com )
S B
B L C
s
o
v
S
S B
B
b
L C b o
R R // r
R // r
.
r
R // R .
v
v
A
v
R R // r
R // r
.
r
1
i
R // R i v
+
= =
+
=
=

Amplificador em Emissor-Comum (cont.)
a) Circuito equivalente para pequenos sinais substituindo a malha
constituida por vs, RS e RB pelo seu equivalente de Thvenin
B C
E
i
b
i
c
i
e
v
be
.i
b
r
R
th
v
th
R
C
//R
L
v
o
Ganho de tenso quando se substitui a
malha constituda por vs, RS e RB pelo seu
equivalente de Thvenin
S B
B
th
L C
s
o
v
th
th
b L C b o
s
S B
B
th S B th
R R
R
.
R r
R // R .
v
v
A
R r
v
i R // R i v
v .
R R
R
v R // R R
+ +
= =
+
= =
+
= =
B C
E
i
b
i
c
i
e
v
be
.i
b
r
R
th
v
th
R
C
//R
L
v
o
r
o
Ganho de tenso quando se
considera o efeito de Early (r
o
)
S B
B
th
L C o
s
o
v
th
th
b L C o b o
R R
R
.
R r
) R // R // r .(
v
v
A
R r
v
i ) R // R // r ( i v
+ +
= =
+
= =
a) Circuito equivalente para pequenos sinais quando se

considera o modelo -hbrido com o parmetro ro.
RB1
VCC
RB2
RE
RS Ci
vs
Co
RL
vo
Amplificador em colector comum (ou seguidor de emissor)
a) Configurao tpica do amplificador em ColectorComum
ou Seguidor de Emissor com componentes discretos
b) Circuito equivalente para pequenos sinais do
amplificador em ColectorComum do circuito a)
Ganho de tenso
) R // R )( 1 ( r
) R // R ).( 1 (
v
v
A
) R // R )( 1 ( r
v
i
) R // R ( i ) 1 ( ) R // R ( i v
L E
L E
s
o
v
L E
b
b
L E b L E e o
+ +
+
= =
+ +
=
+ = =
B
C
E
i
b
i
c
i
e
v
be
.i
b
r
R
S
v
s
R
E
v
o
R
B
R
L
v
b
1
v
v
A ento
) R // R )( 1 ( r Se
s
o
v
L E
=
+ <<
E daqui o nome de seguidor de emissor

) R // R )( 1 ( r R
L E i
+ + =

Amplificador em Emissor-Comum degenerado
b) Circuito equivalente para pequenos sinais do amplificador em
EmissorComum degenerado do circuito a)
RB1
VCC
RC
RB2
RE1
CE
RS
Ci
vs
Co
RL
vo
RE2
a) Amplificador em EmissorComum degenerado
B C
E
i
b
i
c
i
e
v
be
.i
b
r
R
th
v
th
R
C
//R
L
v
o
R
E1
S B
B
1 E th
L C
s
o
v
1 E th
th
L C o
1 E th
th
b L C b o
R R
R
.
R ) 1 ( r R
R // R .
v
v
A
R ) 1 ( r R
v
. R // R . v
R ) 1 ( r R
v
i R // R i v
+ + + +
= =
+ + +
=
+ + +
= =
Ganho de tenso
B 1 E i
R // ) R ) 1 ( r ( R + + =

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