Memrias

So blocos que armazenam informaes codificadas digitalmente.

Dividem-se basicamente em dois grupos:
De escrita e leitura;
Apenas de leitura;
Tm grande aplicao em sistemas digitais, principalmente na informtica;
Dispositivos que armazenam informaes codificadas digitalmente
Nmeros;
Letras;
Caracteres quaisquer;
Comandos de operaes;
Endereos;
So utilizadas principalmente computadores e perifricos;

Classificao
As memrias podem ser classificadas em diversos itens diferentes;
Acesso;
Volatilidade;
Troca de dados;
Tipo de armazenamento;
Acesso:
Localidades de memria: Cada localidade da memria acessada por um conjunto de
bits chamados de endereo;
Tempo de acesso: o tempo necessrio desde a entrada de um endereo at o momento
em que a informao aparea na sada.
Para memrias de escrita/leitura tambm o tempo necessrio para a informao ser
gravada;
Formas de acesso:
Sequencial: o endereo de uma dada localidade acessado, passando por
localidades intermedirias at chegar a localidade desejada;
Exemplo: fitas magnticas. Para acessar uma informao armazenada em uma
certa localidade necessrio enrolar a fita at o ponto desta localidade;
*Caracterstica importante: o tempo de acesso depende do lugar onde a
informao est armazenada;
Aleatrio: o acesso a um dado endereo de memria direto, sem necessidade de
passar pelas localidades intermedirias;
As principais memrias com este tipo de acesso so as RAM(Random-Acess
Memory);
Largamente utilizadas em sistemas digitais programaveis;
Vantagem: tempo de acesso pequeno e igual para qualquer uma das localidades
de memria;
Volatilidade:
Volteis: so aquelas que, ao ser cortada a alimentao, perdem as informaes
armazenadas;
Geralmente possuem com elemento de memria o flip-flop;
Exemplo: memria RAM;
No volteis: So aquelas que mesmo sem a alimentao, continuam com as

informaes armazenadas.
Exemplo so as memrias magnticas e as eletrnicas: ROM,PROM e EPROM;
Troca de Dados
Escrita/leitura: so aquelas que permitem acesso a uma localidade qualquer para
armazenar ou ler a informao desejada;
Exemplo: memrias RAM;
Apenas leitura: so aquelas em que a informao fixa, cuja a nica operao
permitida a de leitura.
Conhecidas como ROM (Read-Only Memory);
Tipos de Armazenamento
Esttico: o dado inserido numa certo localidade permanece gravado ao longo do tempo;
Dinmico: a informao precisa ser reinserida constantemente a cada intervalo de
tempo;
Estrutura Geral e Organizao de uma Memria
As informaes so armazenadas em lugares denominados localidades;
Cada localidade associada a um
endereo;
O acesso a informao ocorre via o
barramento de endereo e o barramento de
dados;
Existe tambm o barramento de controle;
Esquema tpico de uma memria:
O barramento de dados bidirecional;
Quantidades de dadas armazenados:
Capacidade da memria Nxm;
N: nmero de localidades da memria;
m: nmero de bits da informao armazenada numa localidade;
*Exemplo: 128x8, 1Kx8, 2Mx16;
O nmero de localidades esta relacionado as variveis de endereamento (E):
N = 2E;
Palavra de endereo: definida como sendo o conjunto de nveis lgicos ou bits
necessrios para o endereamento de uma determinada localidade da memria;
Mapeamento de memria: uma estrutura contendo endereos e os dados armazenados;
A tabela abaixo apresenta um mapeamento de memria genrica de 256 localidades:
Endereo das
Endereo das
Localidade
Contedo
Localidades em
Localidades em
Binrio
Hexadecimal
A7A6A5A4A3A2A1A0
0 0 0 0 0 0 0 0

00

L0

I0

0 0 0 0 0 0 0 1

01

L1

I1

...

...

...

...

1 0 1 0 0 1 1 1

A7

L167

I167

1 0 1 0 1 0 0 0

A8

L168

I168

...

...

...

...

1 1 1 1 1 1 1 0

FE

L254

I254

1 1 1 1 1 1 1 1

FF

L255

I255

Esquema em bloco de uma memria de 8 bits por

localidade com 256 localidades (256x8):

Memrias ROM
Principal caracterstica: permitir somente leitura
dos dados, gravados previamente durante a
fabricao;
uma memria de apenas leitura ROM (ReadOnly Memory);
Permitem acesso aleatrio;
So no volteis;
Interessante: podem ser consideradas como circuitos combinacionais, pois apresentam as
sadas de dados em funo das combinaes entre as variveis de entrada;
Utilizaes em destaque: programas de computadores e outros sistemas digitais;
A figura abaixo apresenta o bloco representativo de uma memria ROM:
Terminal de controle CS (Chip
select), em nvel 0, as sadas
sero habilitadas. Em 1, sero
desabilitadas;
Barramentos de endereo e de
dados;
Arquitetura Interna:
A figura apresenta em blocos,
arquitetura bsica de uma ROM
genria, com terminais e
barramentos de entrada e sada;
O decodificador de endereos:
um gerador de produtos
cannicos, responsvel por ativar (fornecer nvel 1) uma sada por vez;
A matriz de dados: uma arranjo de linhas e colunas que, atravs de um elo de ligao,
possibilita a gravao dos dados pelo fabricante e consequentemente leitura pelo usurio.
Os elos so formados de elementos semicondutores (diodos ou transistores);
As chaves de sada, possibilita a conexo das sadas (nvel 0), ou as deixa em alta
impedncia;

 Exemplo de uma ROM 4x8, com o contedo de dados presentes na tabela abaixo:
*Identificar na figura o decodificador de endereos, a matriz de dados e o conjunto de
chaves de sadas;

*Funcionamento;
Clulas de memria;
Chave (buffer) de sada, fechada em nvel 0;
Enderear o caso 00, e aplicar nvel 0 a entrada CS;

Endereo

Dados

A1

A0

D7

D6

D5

D4

D3

D2

D1

D0

Memria PROM
PROM (Programmable Read-Only Memory);
Permite que o usurio grave os dados, porem uma nica vez;
Aps a programao, a memria PROM transforma-se numa ROM;
O processo de gravao consiste em:
Aplicar o nvel de tenso especificado pelo fabricante;
Enderear cada localidade;
Gravar os dados: destruir pequenas ligaes semicondutoras existentes internamente
na localidade;
Existem sistemas apropriados (kits ou placas) para realizar a gravao de cada tipo de chip;
no voltil;
Acesso aleatrio;
Apenas leitura;
Memrias EPROM
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory);
ROM programvel e apagvel;
Conhecidas tambm por UVPROM (Ultraviolet PROM);
Apagadas normalmente com um banho de luz ultravioleta;

Apaga todos os dados simultaneamente;

Expe luz ultravioleta durante 15 a 20 minutos;
Existem sistemas apagadores de EPROM formados por uma caixa vedada, com lmpada
ultravioleta e um sistema de cronometragem programada;
Existem disponveis, comercialmente, vrios tipos de EPROMs com diversas capacidades de
armazenamento;
Exemplo de uma EPROM de 2Kx8:
Programao:
Aplica a tenso especificada pelo
fabricante em Vpp;
Aplica nvel 0 no terminal PGM
para ativar a programao;
Para cada endereo:
Grava a palavra de dados;
Existem dispositivos apropriados
para realizar o processo de
gravao conforme o tipo de
EPROM;

Memria EEPROM
EEPROM ou E2PROM (Eletrically
Erasable Programmable Read-Only
Memory);
Permitem que os dados sejam
apagados eletricamente;
Pode ser feito por localidade;
Bloco de uma E2PROM de 8Kx8:
Possui 13 variveis de endereamento ( 213 = 8192 = 8K );
Devido a possibilidade de escrita e leitura pelos mesmos
terminais, o barramento de dados rebe a terminologia de I/O
(Input/Output);
Escrita de uma palavra de dados:
Aplica uma palavra uma palavra nos terminais de dados;
Desabilita a sada, OE em nvel 1;
Habilita a escrita, WE em nvel 0;
Classificao:
Apesar de permitir escrita e leitura de dados, faz parte da
famlia de memrias apenas de leitura (ROM);
No voltil;
Acesso aleatrio;
Bibliografia:
IDOETA, Ivan V.; CAPUANO, Francisco G. Elementos de eletrnica digital. 40.ed. So
Paulo: rica, 2008.