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MEMRIAS

Sistemas Digitais II Prof. Marcelo Wendling Set/10


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Definio
So blocos que armazenam informaes codificadas digitalmente nmeros, letras, caracteres quaisquer, comandos de operaes, endereos ou qualquer tipo de dado. Dividem-se basicamente em dois grupos: Memrias de escrita e leitura e Memrias apenas de

leitura (IDOETA).

Bits, Nibbles e Bytes


As memrias armazenam dados em unidades chamadas de bits, que a menor unidade de dados binrios.
Um conjunto de 4 bits forma 1 nibble e o conjunto de 8 bits forma 1 byte.

Endereo de Memria
A localizao de uma unidade de dado num arranjo de memria denominada endereo. (FLOYD)
Ou seja, um conjunto de bits chamados de bits de endereo indexam uma posio nica de memria que contm um determinado dado armazenado.
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Classificao
So classificadas basicamente por:

1) Acesso 2) Volatilidade

3) Troca de dados 4) Tipo de Armazenamento


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1) Acesso
Os locais onde as informaes esto armazenadas so denominadas localidade de memria, onde cada localidade possui um endereo que permite o seu acesso. (Conjunto de bits) Podemos ter acesso a uma dada localidade de duas maneiras: 1.1) Acesso Seqencial 1.2) Acesso Aleatrio
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1.1) Acesso Seqencial


Para acessar o endereo desejado passa por todos os outros endereos (localidades) intermedirias.
O tempo de acesso depende do lugar onde a informao est armazenada.

1.2) Acesso Aleatrio


Acessam o endereo desejado diretamente sem passar pelas localidades intermedirias.
Principais memrias: RAM (Random-Access-Memory). Possuem tempo de acesso pequeno e igual para qualquer localidade da memria.
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2) Volatilidade
Podem ser Volteis ou No-Volteis: 2.1) Volteis Perdem os dados armazenados quando cortada a alimentao. Ex: RAM
Feitas geralmente a partir de elementos semicondutores, como FlipFlops por exemplo.

2.2) No-volteis No perdem os dados mesmo sem alimentao. Ex: ROM, PROM, EPROM.

3) Troca de dados
Podem ser de Escrita / Leitura ou somente Leitura. 3.1) Escrita / Leitura Permitem acesso a uma localidade qualquer para armazenar a informao desejada ou para a leitura do dado na localidade. Ex: RAM
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3) Troca de dados
3.2) Leitura Como o prprio nome diz, so aquelas em que a informao fixa, s podendo efetuar-se a leitura.
So conhecidas tambm como ROM (ReadOnly Memory).
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4) Tipo de Armazenamento
Classificam-se em Estticas ou Dinmicas. 4.1) Armazenamento Esttico So aquelas em que uma vez inserido o dado, este l permanece. 4.2) Armazenamento Dinmico So aquelas em que necessitamos inserir a informao de tempos em tempos. 12

Classificao - Resumo
MEMRIAS
(CLASSIFICAO)

1) ACESSO

2) VOLATILIDADE

3) TROCA DE DADOS

4) TIPO DE ARMAZENAMENTO

- Seqencial - Aleatrio

- Voltil - No-voltil

- Escrita / Leitura - Leitura

- Esttico - Dinmico
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Estrutura Geral
ADDRESS BUS

MEMRIA
CONTROL BUS

DATA BUS

ALIMENTAO

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Organizao
No que se refere quantidade de dados armazenados, utiliza-se a notao

Nxm
Onde N a quantidade de localidades da memria e m o nmero de bits que armazenado por localidade.
Ex: 32x8 128x8 64kx8
O nmero de localidades sempre mltiplo de 2n, fato derivado da possibilidade total de endereamento por um determinado nmero de fios, que tambm mltiplo de 2. 15

Algumas consideraes
1) A designao k (quilo) significa 210 (1024 bits). A designao M (mega) significa 220 (1048576 bits).
Portanto quando utilizamos a denominao 64kx8, dizemos que a memria possui 64 x 1024, portanto 65536, localidades com 1byte (8 bits) cada.

2) Capacidade de Memria, que significa o nmero total de bits que podem ser armazenados em uma memria. determinada 16 pelo produto N x m.

Algumas consideraes
3) Palavra de endereo o conjunto de nveis lgicos ou bits necessrios para o endereamento de uma determinada localidade de memria.

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Mapeamento de memria
Consideremos uma memria genrica 256x8, que possui: - 256 localidades - 8 bits para endereamento ( 28 = 256 ) identificados de A7 at A0, sendo o endereo da localidade inicial 00h e da localidade final FFh - 1byte de dados por localidade, de D7 at D0

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Mapeamento de memria
A0
A1 A2 A3 A4 A5 A6

A7

CONTROL BUS

M E M R I A 256x8

D0 D1

D2
D3 D4 D5 D6 D7

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Mapeamento de memria
Address Bus (binrio)
A7 A6 A5 A4 A3 A 2 A1 A0

Address Bus Localidade Contedo (hexa)

00000000 00000001 00000010 00000011 00000100 ...

0 0h 0 1h 0 2h 0 3h 0 4h ...

L0 L1 L2 L3 L4 ...

I0 I1 I2 I3 I4 ...

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Mapeamento de memria
Address Bus (binrio)
Address Bus Localidade Contedo (hexa)

... 10100111 10101000 ... 11111101 11111110 11111111

... A 7h A 8h ... F Dh F Eh F Fh

... L167 L168 ... L253 L254 L255

... I167 I168 ... I253 I254 I255

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Determinando o Address Bus


O nmero de bits que compe o barramento de endereos determinado a partir do nmero de localidades que a memria possui:
Ex: Uma memria 256x8 possui 256 localidades de memria, portanto o barramento de dados deve seguir a expresso abaixo:
2n = 256 2n = 28
PORTANTO

n = 8. O Address Bus possui 8 bits.

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Memria ROM
Caractersticas: Permitem somente a Leitura dos dados gravados nela. Possuem acesso aleatrio e memorizao no-voltil. Podem ser consideradas como circuitos combinacionais, pois apresentam as sadas de dados em funo das combinaes entre as variveis de entrada (endereamento).
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Bloco representativo - ROM


ADDRESS BUS

ROM
CS
CS Chip Select Habilita as sadas da ROM (com nvel 0).

DATA BUS

ALIMENTAO

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Arquitetura interna - ROM


MATRIZ DE DADOS
...

ADDRESS BUS

DECODIFICADOR DE ENDEREOS ... ...

CS

CHAVES DE SADA

DATA BUS
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Exemplo
Utilizamos como exemplo uma memria ROM 4x8 com os seguintes dados gravados:

ADDRESS HEX

DATA
BIN

00 01 10 11

1E 8A 0D 76

0001 1110 1000 1010 0000 1101


0111 0110
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A1

A0

Circuito equivalente

CS D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
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Consideraes finais - ROM


So programadas atravs de gabaritos fotogrficos e fabricadas sob encomendas de grande quantidade para aplicaes especficas.

Podem ser programadas apenas uma vez.


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Memria PROM
(Programmable Read-Only Memory)
Permitem o armazenamento dos dados pelo prprio usurio, porm feito de modo definitivo. Aps a programao, a memria se torna uma ROM.
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Memria PROM
O princpio de programao o rompimento das pequenas ligaes dos semicondutores internas, onde se quer armazenar os dados.
Memria do tipo no-voltil, acesso aleatrio e de apenas de leitura.

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Memria EPROM
(Erasable Programmable Read-Only Mem.)
Podem ser apagadas mediante a exposio luz ultravioleta, por uma janela existente em seu encapsulamento e, ainda, ser reprogramadas. So conhecidas tambm como UVPROM (Ultraviolet PROM)

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Memria EPROM
Aps a programao se tornam memrias PROM.

Os dados so apagados de maneira universal, portanto, aps o reset, toda a memria deve ser reprogramada.

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Memria EPROM
Diagrama de blocos bsico:
ADDRESS: barramento de endereo

DATA: barramento de dados


CE: chip enable OE: output enable

PGM: habilitao da programao


Vpp: tenso de programao
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Memria EEPROM
EEPROM ou E2PROM (Electrically Erasable Programmable ReadOnly Memory).
So um avano das memrias EPROM, pois podem so apagadas eletricamente e ainda isoladamente por palavra de dados, sem a necessidade de programao total.
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Memria EEPROM
Diagrama de blocos bsico:
ADDRESS: barramento de endereo DATA: barramento de dados CE: chip enable

OE: output enable


WE: write enable

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Memria RAM
Memrias de escrita e leitura. Volteis. Acesso aleatrio.
Possuem tempo de acesso bastante reduzido.

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Memria RAM
So encontradas de dois tipos:
SRAM (Static RAM): arquitetura bsica flipflops.

DRAM (Dynamic RAM): arquitetura interna microprocessada.


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Memria RAM
Diagrama de blocos bsico:

ADDRESS: barramento de endereo DATA: barramento de dados CE: chip enable R / W: Read 1; Write 0;

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RAM Clula Bsica


R / W' SEL

RAM

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RAM Funcionamento (R/W=0)


R / W' 0 1 SEL 1 0 1 X' 0 X 1 X D

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RAM Funcionamento (R/W=1)


R / W' 1 1 SEL 0 1 0 X' 1 X 0 X D

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RAM Clula Genrica

SEL
0
1

R / W
X
0 1

D
Z
ESCRITA LEITURA
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Arquitetura Interna

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Memria Flash
Diferentemente da memria RAM e tambm das SRAM, a memria Flash permite armazenar dados por longos perodos, sem precisar de alimentao eltrica. Graas a isso, a memria Flash se tornou rapidamente a tecnologia dominante em cartes de memria, pendrives, memria de armazenamento em cmeras, celulares e palmtops e assim por diante.
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Memria Flash
Constituem um tipo especfico de memria E2PROM, em que os dados so gravados ou apagados em blocos de muitos bytes. Essa caracterstica confere s flash mais rapidez que as E2PROM tradicionais. Existem basicamente dois tipos de memria flash NAND e NOR -, que diferem no mtodo de leitura e gravao de dados. A primeira permite apenas acesso seqencial aos dados. Nela, o endereamento mais simples e a entrada, mais rpida. A NOR, geralmente empregada nos chips de BIOS dos microcomputadores e nos telefones celulares, possibilita acesso aleatrio porm gravao mais 45 lenta.

Memria Flash
Num dispositivo flash, h milhares de clulas distribudas numa matriz de linhas e colunas acessveis isoladamente ou em blocos. Cada uma consiste em dois transistores (porta de controle e porta flutuante) separados por uma camada fina de xido. A porta de controle ligada linha de bytes da matriz. A porta flutuante se conecta linha de bits (por meio de um terminal chamado dreno) e fonte de eltrons (terminal fonte ou terra).
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Memria Flash

Mesmo que o dispositivo flash esteja completamente desligado, os eltrons permanecem "presos" na porta flutuante em cada clula. Para acessar a informao (bit) presente na clula, preciso aplicar uma tenso especfica na porta de controle. A corrente resultante vai depender da quantidade e do arranjo dos eltrons na porta flutuante, caracterizando o dado armazenado. 47

Expanso de memria
a necessidade de se expandir pelo menos uma das caractersticas de uma memria, isso quando a memria utilizada no atende s necessidade de uso.
Para isso faz-se associao especficas de suas caractersticas.

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Expanso de memria
Quando falamos de capacidade, utilizamos expanso: expanso dois tipos de de

- Expanso da capacidade da palavra de dados. - Expanso da capacidade de memria (ou localidades de memria). 49

Palavra de dados
Este tipo de expanso utilizado quando o nmero de bits de sada necessitado por um circuito maior que o fornecido pela memria.
Como soluo associa-se a sada de duas ou mais memrias, fazendo com que a quantidade de bits de sada seja maior.
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Expanso de palavras de dados

Os terminais CS e R / W so interligados, pois essas operaes so comuns aos dois blocos.

A palavra de dados composta pela associao dos dois blocos, fazendo com que duas memrias com 4 bits de sada se associem formando uma memria com 8 bits de sada, como exemplifica a figura ao lado.

No caso ao lado, duas memrias RAM 256x4, se associaram em uma RAM 256x8.
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Capacidade de memria
Este tipo de expanso utilizado quando o nmero de localidade de memria necessrios maior que o fornecido pela memria.
Como soluo associa-se os terminais de endereo de duas ou mais memrias, fazendo com que a quantidade de bits de sada seja maior.
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Expanso de capacidade de memria

Os terminais de sada de dados so curto-circuitados, pois as sadas de cada bloco so comuns ao mesmo barramento de dados.

O que se implementa nesse tipo de associao o endereamento pelo terminal CS, que passa a ser um dos terminais de endereo, possibilitando o acesso a cada bloco separadamente.
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Expanso de capacidade de memria

A capacidade de endereamento foi expandida, ou seja, pode-se acessar mais localidades de memria No exemplo anterior possumos 4 memrias RAM 32x4 foram associadas em uma RAM 128x4. Abaixo possumos uma tabela com a estrutura de endereamento dessa memria:

MEM.

A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

HEX

RAM 1

RAM 2
RAM 3 RAM 4

0 0 0 0 1 1 1 1

0 0 1 1 0 0 1 1

0 1 0 1 0 1 0 1

0 1 0 1 0 1 0 1

0 1 0 1 0 1 0 1

0 1 0 1 0 1 0 1

0 1 0 1 0 1 0 1

00 1F 20 3F 40 5F 60 7F

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Expanso de memria
Uma outra possibilidade de expanso seria a combinao dos dois mtodos anteriores, ou seja, a ampliao da palavra de dados e o nmero de localidades.
Ex: Utilizando blocos de memria RAM 128x4, forme uma de 256x8.
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Expanso de memria
Esta expanso consiste na ampliao tanto no nmero de localidade quanto tambm da palavra de dados. Para execut-la, vamos determinar inicialmente o nmero de terminais de endereo da nova memria: NLOCALIDADES = 2n 256 = 28
onde n o nmero de terminais de endereo. portanto so 8 bits de endereamento.

Para o novo endereamento, vamos utilizar os 7 terminais de cada bloco (128 = 27) e mais um terminal ligado a um circuito seletivo. Para compor a nova palavra de dados, associa-se um outro sistema semelhante para a duplicao.
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Expanso de memria

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