Exemplo de circuito

 Memória 4x3 (4
palavras de 3 bits)
 CS: seleciona o chip
(chip select);
 RD: leitura (read)
 OE: habilita saída
(output enable)
 I0 a I2: entradas
 O0 a O2: saídas
 A0 e A1: endereços
Chip de memória de 4 Mbit
 A0 a A18: bits de endereço (512K
endereços).
 D0 a D7: bits de dados
 CS: chip select
 WE: write enable (escrita)
 OE: output enable (leitura)
 Problema: endereçamento linear,
numero grande de linhas de
endereço.
Chip de memória matricial de 4 Mbit
 A0 a A10: bits de endereço
(2048 endereços).
 D: bit armazenado
 CS: chip select
 WE: write enable (escrita)
 OE: output enable (leitura)
 RAS: habilita endereço de
linha
 CAS: habilita endereço de
coluna
 Bits são armazenados em
matriz quadrada (menos
linhas de endereço).
Empacotamento de memórias
 Monta-se um grupo de chips de memória em uma placa
de circuito com contatos nas duas faces.
 Dual Inline Memory Module (DIMM)
 São 168 a 184 contatos, e normalmente se transfere 64 bits.
 Em módulos domésticos, deteção e correção de erros são
omitidas.
 Taxa média de 1 erro a cada 10 anos.
(Memórias não voláteis)
Memórias ROM
 ROM (Read Only Memory):
 Dados inseridos durante a fabricação do chip (máscara com padrão de bits
necessário).
 Em caso de erro, deve-se produzir outro chip.
 São baratas quando fabricadas em volume suficiente.
 Utilizadas em produtos com grande volume de fabricação.
Memórias PROM
 PROM (Programable Read Only Memory)
 Chip é produzido “virgem”, sendo programado
(pelo usuário) uma única vez.
 Consta de uma série de fusíveis que serão
queimados ou não, caso se deseje um 0 ou 1 no bit.
 Caso haja algum dado errado, deve-se programar
outro chip
 Utilizadas em equipamentos com pequeno
volume de produção.
Memórias EPROM
 EPROM (Erasable Programable Read Only Memory)
 Chip possui uma janela de quartzo transparente.
 Ao ser exposta a 15 minutos de luz ultravioleta forte,
todos os bits mudam para 1.
 Pode ser apagada várias vezes.
 Não permite apagar posições individuais.
 Gravação por pulsos elétricos nas entradas.
 Devem ser inseridas em um dispositivo próprio para serem
programadas.
 Utilizada em prototipagem de dispositivos.
Memórias EEPROM
 EEPROM (Electric Erasable Programable Read Only
Memory)
 Pode ser apagada por pulsos elétricos.
 Podem ser apagados bytes individuais.

 É possível ser reprogramada no próprio circuito onde ela

estiver inserida
 Desvantagens: Capacidade bem menor que uma EPROM e
mais lentas
 10 vezes mais lentas que uma DRAM
 Utilizada em prototipagem de dispositivos, e também nos
chips BIOS ou UEFI dos equipamentos.
Memórias Flash
 Memórias flash
 Variação da EEPROM, onde apaga-se blocos da memória ao invés de bytes
individuais.
 Velocidade em torno de 50 nanosegundos.
 Lenta comparando com as memórias DRAM
 Bem mais rápidas que uma unidade de disco
 Utilizada em pen-drives, cartões de memória, drives SSD.
 Problema: Se desgastam após serem apagadas cerca de 100.000 vezes.