Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
Tiristor SCR1
Tiristor SCR1
Tiristor SCR
NOTA DO AUTOR
Esta apostila um material de apoio didtico utilizado pelo autor nas suas aulas de Eletrnica de Potncia
do curso Tcnico em Eletrnica do Centro Federal de Educao Tecnolgica de Santa Catarina
(CEFET/SC).
Este material no tem a pretenso de esgotar, tampouco inovar o tratamento do contedo por ele abordado
mas, simplesmente, facilitar a dinmica de aula, com expressivos ganhos de tempo e de compreenso do
assunto por parte dos alunos.
Este trabalho foi construdo com base nas referncias, devidamente citadas ao longo do texto, nas notas de
aula e na experincia do autor na abordagem do assunto com os alunos.
Em se tratando de um material didtico elaborado em uma Instituio Pblica de Ensino, permitida a
reproduo do texto, desde que devidamente citada a fonte.
Quaisquer contribuies e crticas construtivas a este trabalho sero bem-vindas pelo autor.
CEFET/SC
ndice:
Nota do Autor ................................................................................................................................ 2
1. CARACTERSTICAS BSICAS DO SCR ................................................................................. 4
2. SCR IDEAL:............................................................................................................................... 6
3. POLARIZAO DIRETA:.......................................................................................................... 7
4. POLARIZAO REVERSA: ...................................................................................................... 8
5. MODOS DE DISPARO DE UM SCR:........................................................................................ 9
5.1. Corrente de Gatilho IGK: ...................................................................................................... 9
5.2. Sobretemperatura: ............................................................................................................ 11
5.3. Sobretenso:..................................................................................................................... 11
5.4. Degrau de Tenso dv/dt (V/t): ...................................................................................... 12
5.5. Luz ou Radiao: .............................................................................................................. 12
6. ANALOGIA COM 2 TRANSISTORES: .................................................................................... 13
7. BLOQUEIO OU COMUTAO DO SCR ................................................................................ 13
7.1. Comutao Natural: .......................................................................................................... 14
7.2. Comutao Forada: ........................................................................................................ 14
8. CARACTERSTICAS ESTTICAS DO SCR: .......................................................................... 15
9. CARACTERSTICAS DINMICAS DO SCR ........................................................................... 17
9.1. Caractersticas Dinmicas no Disparo: ............................................................................. 17
9.2. Caractersticas Dinmicas no Bloqueio: ........................................................................... 18
10. PERDAS TRMICAS EM CONDUO: ............................................................................... 19
11. TESTANDO UM SCR COM MULTMETRO:......................................................................... 20
12. PROTEES DO SCR: ........................................................................................................ 22
12.1. Proteo contra Degrau de Corrente di/dt (I/t): .......................................................... 22
12.2. Proteo contra Degrau de Tenso dv/dt (V/t): .......................................................... 22
12.3. Proteo contra Sobretenso ......................................................................................... 23
12.4. Proteo contra Sobrecorrente ....................................................................................... 24
12.5. Proteo do Circuito de Disparo do Gatilho.................................................................... 24
13. ASSOCIAES DE SCR: ..................................................................................................... 24
14. REQUISITOS BSICOS PARA OS CIRCUITOS DE DISPARO:.......................................... 24
15. CIRCUITOS DE DISPARO COM SINAIS CC ....................................................................... 25
16. CIRCUITOS DE DISPARO COM SINAIS CA CONTROLE DE FASE: .............................. 26
16.1. Circuito de Disparo CA com Rede Resistiva................................................................... 26
16.2. Circuito de Disparo CA com Rede Defasadora RC: ....................................................... 28
16.3. Circuito de Disparo CA com Diodo Schokley ou Diac:.................................................... 29
17. CIRCUITOS DE DISPARO COM SINAIS PULSADOS: ........................................................ 31
17.1. Oscilador de Relaxao com Transistor Unijuno ........................................................ 31
17.2. Oscilador com Diodo Schokley e com Diac .................................................................... 34
17.3. Outros Circuitos Pulsados .............................................................................................. 35
18. ISOLAMENTO E ACOPLAMENTO ....................................................................................... 35
18.1. Acoplamento Magntico ................................................................................................. 36
18.2. Acoplamento ptico........................................................................................................ 36
18.3. Proteo do Gatilho ........................................................................................................ 37
19. PROBLEMAS PROPOSTOS ................................................................................................ 39
20. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ...................................................................................... 41
ANEXOS:..................................................................................................................................... 42
A.1. VALOR NOMINAL MXIMO EFICAZ DA CORRENTE DE NODO REPETITIVA ......... 42
CEFET/SC
Tiristor SCR
(Silicon Controlled Rectifier)
Retificador Controlado de Silcio
CEFET/SC
nodo A
nodo A
P
N
Gatilho
G
Gatilho
G
Ctodo
P
N
Ctodo
J1
J2
J3
nodo
A
Ctodo
K
Gatilho G
Figura 1.2 Um tipo de estrutura interna das camadas de um SCR
CEFET/SC
Figura 1.4 SCR com encapsulamentos tipo rosca e tipo disco para altas potncias [ref. 3]
2. SCR IDEAL:
Um SCR ideal se comportaria com uma chave ideal, ou seja, enquanto no recebesse um
sinal de corrente no gatilho, seria capaz de bloquear tenses de valor infinito, tanto com
polarizao direta como reversa. Bloqueado, o SCR ideal no conduziria qualquer valor de
corrente. Tal caracterstica representada pelas retas 1 e 2 na Figura 2.1.
Quando disparado, ou seja, quando comandado por uma corrente de gatilho IGK, o SCR
ideal se comportaria como um diodo ideal, como podemos observar nas retas 1 e 3. Nesta
condio, o SCR ideal seria capaz de bloquear tenses reversas infinitas e conduzir, quando
diretamente polarizado, correntes infinitas sem queda de tenso e perdas de energia por Efeito
Joule.
Assim como para os diodos, tais caractersticas seriam ideais e no se obtm na prtica.
Os SCR reais tm, portanto, limitaes de bloqueio de tenso direta e reversa e apresentam
fuga de corrente quando bloqueados. Quando habilitados tm limitaes de conduo de
corrente, pois apresentam uma pequena resistncia circulao de corrente e queda de tenso
na barreira de potencial das junes que provocam perdas de energia por Efeito Joule e
conseqente aquecimento do componente.
CEFET/SC
(a)
IA
A
K
+ VAK IA
(b)
3
1
2
VAK
Figura 2.1 - (a) polarizao direta (b) caractersticas estticas de um SCR ideal. [ref. 1]
3. POLARIZAO DIRETA:
A figura 3.1 apresenta um circuito de polarizao direta de um SCR onde podemos verificar:
Tenso do nodo positiva em relao ao Ctodo
J1 e J3 polarizadas diretamente
J2 polarizada reversamente: apresenta maior barreira de potencial
Flui pequena Corrente de Fuga Direta de nodo para Ctodo, IF (Forward Current).
Bloqueio Direto DESLIGADO
CEFET/SC
b)
a)
+A
A
G
K
-K
A
(+)
nodo
c)
+++++++++++
J1
+++++++++++
+++++++++++
J2
+++++++++++
J3
Gatilho
Ctodo
K
()
4. POLARIZAO REVERSA:
A figura 4.1 apresenta um circuito de polarizao direta de um SCR onde podemos verificar:
Tenso de Ctodo positiva em relao ao nodo
J2 diretamente polarizada
J1 e J3 reversamente polarizadas: apresentam maiores barreiras de potencial
Flui pequena Corrente de Fuga Reversa de Ctodo para nodo, IR (Reverse Current).
Bloqueio Reverso DESLIGADO
CEFET/SC
-A
b)
a)
A
+K
A
()
nodo
c)
+++++++++++
+++++++++++
J1
+++++++++++
J2
+++++++++++
+++++++++++
J3
Gatilho
Ctodo
K
(+)
CEFET/SC
10
A
(+)
nodo
+++++++++++
J1
+++++++++++
+++++++++++
J2
+++++++++++
J3
IGK
(+)
Ctodo
K
()
VDISPARO
IG
V DISPARO = I G RG + 0,7
Um SCR pode disparar por rudo de corrente no gatilho. Para evitar estes disparos
indesejveis devemos utilizar um resistor RGK entre o gatilho e o ctodo que desviar parte do
rudo, como indica a figura 5.3. Em alguns tipos de SCR, a resistncia RGK j vem internamente no
componente para diminuir sua sensibilidade.
CEFET/SC
11
5.2. Sobretemperatura:
O aumento brusco da temperatura aumenta o nmero de pares eltrons-lacunas no
semicondutor provocando maior corrente de fuga, o que pode levar o SCR ao estado de
conduo. O disparo por aumento de temperatura deve ser evitado.
5.3. Sobretenso:
Se a tenso direta nodo-ctodo VAK for maior que o valor da tenso de ruptura direta
mxima VDRM (VBO), fluir uma corrente de fuga suficiente para levar o SCR ao estado de
conduo.
Isto acontece porque o aumento da tenso VAK em polarizao direta acelera os portadores
de carga na juno J2 que est reversamente polarizada, podendo atingir energia suficiente para
provocar a avalanche e disparar o SCR. Este fenmeno faz com que muitos eltrons choquem-se
e saiam das rbitas dos tomos do semicondutor ficando disponveis para conduo e permitindo
o aumento da corrente de fuga no SCR e levando-o ao estado de conduo.
O disparo por sobretenso direta diminui a vida til do componente e, portanto, deve ser
evitado.
A aplicao de uma sobretenso reversa, ou seja, uma tenso nodo-ctodo maior que o
valor da tenso de ruptura reversa mxima (VRRM ou VBR) danificar o componente.
CEFET/SC
12
V/
t):
5.4. Degrau de Tenso dv/dt (
Se a taxa de crescimento da tenso nodo-ctodo VAK no tempo for alta (subida muito
rpida da tenso VAK) pode levar o SCR ao estado de conduo. Em polarizao direta a Juno
J2 est reversamente polarizada e se comporta como um capacitor carregado, como podemos
observar na figura 5.1.
A
(+)
nodo
+++++++++++
J1
+++++++++++
+++++++++++
J2
+++++++++++
J3
iC
Ctodo
K
()
iC = C
dv
dt
Assim, quando for aplicada uma tenso VAK a capacitncia da Juno J2 far circular uma
corrente no gatilho tanto maior quanto maior for a variao da tenso no tempo (v/t). Esta
corrente no gatilho pode ser suficiente para disparar o SCR.
O valor mximo de dv/dt dado pelo fabricante em catlogos. O disparo por degrau de
tenso deve ser evitado pois pode provocar queima do componente ou disparo intempestivo. O
circuito de proteo chamado de Snubber e ser estudado adiante.
CEFET/SC
13
nodo IA=IT
IA
Q1
J1
N
Gatilho
IGK
J2
N
P
Q2
IB1=IC2
J2
IC1
J3
IB2
IGK
Ctodo IK
Figura 6.1 Modelo de um SCR com dois transistores complementares
Requisite ao professor material sobre Prtica da Analogia do SCR com Transistores,
ou consulte:
http://www.cefetsc.edu.br/mussoi
CEFET/SC
14
CEFET/SC
15
esteja totalmente carregado e que a chave pode ser um outro semicondutor (um outro SCR ou um
transistor, por exemplo).
IA (A)
3
1/r0
IAmx
IL
VRRM
VBR
1
IH
IR
E0
VTO
IF
VBO
VDRM
VAK (V)
CEFET/SC
16
CEFET/SC
17
200V/s
150A/s
100mA
200mA
10mA
CEFET/SC
18
VG
IG
VAK
90%
10%
to
t
td
tr
t on
CEFET/SC
19
Podemos observar o processo dinmico de bloqueio do SCR pela Figura 9.4. Aps o tempo
de recuperao do SCR trr, para que o SCR possa bloquear efetivamente necessrio manter a
tenso reversa por um tempo igual ou maior do que tq. Isto necessrio para que o SCR possa
alcanar o equilbrio trmico e permanecer bloqueado at ser aplicada corrente em seu gatilho. A
corrente reversa mxima (IRM) tem valor limitado e que depende das caractersticas do SCR e do
circuito.
O tempo tq varia desde 5 s para os SCR rpidos (SCR Inversores) at 50 a 400 s para os
SCR lentos (SCR Controladores de Fase).
Portanto, a freqncia de operao, ou velocidade de chaveamento requerida num circuito
definir o tipo de SCR a ser utilizado. Os fabricantes fornecem os valores nominais associados
velocidade atravs da freqncia mxima fmax bem como os tempos de ligao ton e de
desligamento tq ou toff.
iA
IL
IF
I RM
vAK
IR
E1
EO
t1
to
E2
ts
tf
t rr
tq
t inv
Figura 9.4 - Caracterstica dinmica de bloqueio do SCR, mostrando o tempo mnimo de aplicao
de tenso inversa tq. [ref. 1]
CEFET/SC
20
IA
K
A
EO
rO
PSCR = E0 I med + r0 I ef
onde:
PSCR perda de potncia no SCR durante a conduo (W)
E0 tenso nodo-ctodo durante a conduo (V)
r0 resistncia em conduo (m)
Imed valor mdio da corrente de nodo (A)
Ief valor eficaz da corrente de nodo (A)
A determinao das Perdas em Conduo do SCR tem importncia fundamental no
chamado Clculo Trmico para o dimensionamento dos Dissipadores de Calor e Sistemas de
Refrigerao. O seu correto dimensionamento permite que o componente controle o mximo de
potncia sem sobreaquecimento, o que poderia danific-lo.
CEFET/SC
Conexo
21
Resistncia
Condio
ALTA
BOM
BAIXA
CURTO
BAIXA
BOM
ALTA
ABERTO
BAIXA
BOM
ALTA
DUVIDOSO
ALTA
BOM
BAIXA
CURTO
ALTA
BOM
BAIXA
CURTO
CEFET/SC
22
Em polarizao reversa a leitura do ohmmetro deve ser sempre muito alta, mesmo com a
conexo do gatilho.
Observao Importante:
Este mtodo deve ser usado com cautela pois a tenso do ohmmetro aplicada ao gatilho
pode ser alta o suficiente para danificar o componente. O teste mais adequado deve ser feito com
um instrumento traador de curvas.
VP
(di / dt )max
Onde:
L indutncia (H0
(di/dt)max degrau de corrente mximo admissvel (A/s)
VP tenso de pico (V)
V/
t):
12.2. Proteo contra Degrau de Tenso dv/dt (
O Degrau de Tenso, rpido crescimento da tenso VAK, pode disparar indesejavelmente o
SCR. Para proteger contra o disparo intempestivo utiliza-se uma rede RC (resistor em srie com
capacitor) conectada aos terminais de nodo e ctodo do SCR. Este circuito de proteo,
apresentado na Figura 12.1, chamado de Snubber.
A capacitncia uma oposio variao de tenso e, portanto, o capacitor CS conectado
aos terminais do SCR reduz a taxa na qual a tenso no dispositivo varia.
Quando o SCR estiver bloqueado, o capacitor CS se carregar at o instante em que o
dispositivo entrar em conduo.
CEFET/SC
23
Quando o SCR for acionado, o capacitor descarregar e sua corrente se somar ao di/dt
apresentado pelo circuito original. Portanto, uma resistncia RS deve ser colocada em srie com o
capacitor para amortecer a descarga e limitar a corrente transitria no disparo.
Para um determinado degrau de tenso, os componentes do circuito Snubber podem ser
calculados pela equao:
CS
V DRM
dv
Rc arg a
( dt )
max
RS =
VDRM
di
dt max
( )
Para aumentar a eficincia do Snubber, um diodo DS pode ser ligado em paralelo com RS.
Quando o dv/dt for grande, o diodo curto-circuitar RS, mas quando o di/dt for grande, o diodo
estar desligado.
CEFET/SC
24
CEFET/SC
25
VG RG I G VGK
RG =
(VG VGK )
IG
CEFET/SC
26
Exemplo 15.1:
O SCR da Figura 15.1(a) apresenta uma corrente mxima de gatilho de 100mA e mxima tenso
VGK de 2V. Sendo a tenso VG de 15V, determine a resistncia RG que fornecer corrente
suficiente para o disparo.
VG I G RG VGK = 0
I G RG = VG VGK
RG =
(VG VGK )
IG
(15 2)
100 10 3
= 130
CEFET/SC
27
v( t ) = 2 127 sen (t ) V
f = 60Hz
Rcarga = 100
RGK = 1k
SCR TIC106
IGK=200A
VGTK=0,6V
Soluo:
O objetivo determinar as resistncias que fazem com que a tenso em RGK seja suficiente
para provocar a corrente mnima para disparo do SCR, IGK.
Usando a tcnica do Equivalente Thvenin para os ramos do circuito de controle, temos o
circuito equivalente da figura 16.2.
R GK v(t )
R GK + R x
R Rx
= GK
R GK + R x
Vth =
R th
Como queremos determinar o valor de Rx que suprem a corrente necessria IGK para o
disparo do SCR, analisando a malha do Equivalente Thvenin, determinamos a corrente que ele
fornece ao gatilho:
IG =
Vth VGK
R th
Substituindo nesta equao as equaes para o clculo de Vth e de Rth e isolando Rx,
encontramos:
Rx =
R GK v(t ) VGK R GK
VGK + R GK I GK
Rx =
Concluimos, ento, que a resistncia necessria funo da tenso instantnea v(t). Como
queremos disparar o SCR em diversos ngulos, basta determinarmos qual o valor da tenso
instantnea nestes ngulos e finalmente a resistncia Rx que proporciona a corrente de disparo
nestes mesmos ngulos:
CEFET/SC
v(t) (V)
6,3
46,5
89,8
155,5
179,6
28
)
Rx (
7,13
57,38
111,5
193,62
223,75
Desta tabela, podemos deduzir os valores mnimos e mximos para a resistncia Rx:
Rx mnimo = 7,13
Rx mximo = 223,75
O valor mnimo dado pelo resistor R1 e o valor mximo pela soma das resistncias R1+R2,
ou seja, R2 ser o valor de Rx R1:
Dentre os valores comerciais disponveis, podemos determinar finalmente o valor dos
componentes:
R1 = 6,8k
R2 = 220k
CEFET/SC
29
CEFET/SC
30
A figura 16.6 apresenta um circuito de disparo com sinal CA usando um diodo Schokley.
Enquanto a tenso no capacitor for menor que a tenso Schokley, o diodo estar cortado e o SCR
no entrar em conduo.
MT2
CEFET/SC
31
B2
B2
E
N
B1
B1
B1
Figura 17.1 Simbologia, diagrama equivalente e estrutura interna do TUJ
O transistor unijuno atua como uma chave controlada por tenso. Quando a tenso de
emissor atingir a tenso de pico do transistor unijuno, este dispara conduzindo entre emissor e
base 1, na regio de resistncia negativa. Quando a tenso de emissor decair ao ponto de vale, o
transistor unijuno corta. Entre B1 e B2 o transistor unijuno apresenta uma resistncia na faixa
de 4,7 a 9,1k. A figura 17.2 apresenta a curva caracterstica para um transistor unijuno..
CEFET/SC
32
B2
E
RB2
Aberto ()
CEFET/SC
+VCC
33
Rf
R2
P1
Q1
UJT
TP
G
+
C1
-VCC
Vv
VB2 = Vsada
Vp
CEFET/SC
+VCC
34
TP
Rf
G
D1
R2
P1
Q1
UJT
Q2
NPN
C1
R1
-VCC
Ao oscilador
CEFET/SC
35
Quando carregado com a tenso de disparo do Schokley (ou do Diac), se descarrega atravs
deste injetando uma corrente de disparo no SCR. Rapidamente o capacitor se descarrega e faz o
Schokley (ou o Diac) cortar, repetindo o processo. As formas de onda so semelhantes s da
figura 17.4.
Este circuito requer baixa potncia da fonte Vcc para carregar o capacitor e fornece uma
potncia alta em um curto intervalo de tempo, garantindo assim, o disparo do SCR.
A
R
DIAC
SCR
+
Vcc
K
Figura 17.8 Disparo de SCR usando um Diac
CEFET/SC
36
CEFET/SC
37
Optoacoplador
Optoacoplador
CEFET/SC
38
DGK
CGK
R1
D1
CEFET/SC
39
P.3. Uma fonte de tenso de 220Vef aciona uma resistncia de carga de 10 atravs de um
SCR. Determine o valor de uma indutncia L a ser includa no circuito para limitar o degrau
de corrente em 20A/s. Resp.: 15,6H
P.4. Determine a corrente eficaz em um circuito com um SCR quando um ampermetro CC
indica 100A com um ngulo de conduo de 60o. Resp.: 270A.
P.5. Um SCR tem VDRM de 600V, degrau de tenso mximo de 25V/s, degrau de corrente
mximo de 30A/s e usado para acionar uma carga resistiva de 100. Dimensione os
valores mnimos para o circuito snubber para que no ocorra acionamento intempestivo.
Sendo a tenso aplicada de 311V, qual a resistncia mnima para limitar a descarga em
5A? Explique. Resp.: 0,24F; 4,5m; 62,2.
P.6. Obtenha os parmetros da tabela 8.1 para os seguintes SCR: TIC-106D, TIC-116E, Aegis
A1N60.10.H, Aegis A5F1000.20HY, Semikron SKT16/04C e BT151-500R.
P.7. Compare um SCR a um Diodo de Potncia;
P.8. Cite as condies necessrias para disparo e para o bloqueio de um SCR;
P.9. Como deve ser o sinal adequado de disparo de um SCR? Porque?
P.10. Qual a relao entre a tenso de disparo e a corrente de gatilho?
P.11. Como pode haver disparos intempestivos? Como evitar?
P.12. Qual a relao entre a corrente de reteno e manuteno?
P.13. O que e como se evitam os degraus de tenso e de corrente?
P.14. Qual o valor mnimo da indutncia L para proteger um SCR contra dv/dt sendo seu valor de
10A/s e a tenso de 220V? Como deve ser conectado?
P.15. Determine os valores dos componentes de um circuito snubber para as condies:
VRRM = 200V
(dv/dt)max = 200V/s
(di/dt)max = 100A/s
CEFET/SC
40
Rcarga = 10
a) Explique sua conexo e funcionamento.
b) Desenhe os esquemas para conectar quatro SCR em srie e em paralelo. Quais as
vantagens?
P.16. Descreva os circuitos de disparo;
P.17. Descreva os circuitos de comutao;
P.18. O que tempo de desligamento de um SCR?
P.19. Em um teste com multmetro, quais as condies que um SCR pode estar defeituoso?
Porque?
P.20. Quais os tipos de proteo adequados para um SCR?
P.21. Considerando o circuito de fase com SCR da figura 16.1, onde RGK=1,5k, a carga uma
lmpada de 220V/100W e o SCR o TIC116D:
a) calcule R1 e R2 para os seguintes ngulos de disparo do SCR: 5; 20; 45; 60; 90 e 150
graus;
b) simule em computador para obter as formas de onda das tenses na lmpada para cada
ngulo de disparo do SCR;
c) calcule a tenso mdia e eficaz, bem como a potncia mdia na lmpada, para cada ngulo
de disparo do SCR (considere que a lmpada mantm a sua resistncia nominal)
Dados:
TIC 116 D
IGK = 5mA (min) e 20mA (mx)
VGK = 1,5V
P.22. Em que condies de teste um transistor unijuno apresenta defeito?
P.23. Explique como e porque se pode controlar a freqncia de um oscilador de relaxao com
transistor unijuno.
P.24. Como se pode sincronizar os circuitos de disparo com sinais pulsados para se fazer o
controle de fase adequado?
Para obter mais problemas sobre este assunto ou esclarecer alguma dvida, fale com o
professor ou consulte:
http://www.cefetsc.edu.br/mussoi
CEFET/SC
41
CEFET/SC
42
ANEXOS:
I eficaz =
I pico
2
Determinar o valor eficaz de uma forma de onda no senoidal no tarefa fcil. Podemos
simplificar os clculos fazendo uma aproximao da forma de onda no senoidal a uma forma de
onda retangular cuja altura seja igual ao valor de pico e cuja largura seja igual durao do pico,
como mostra a figura 18.1. O valor eficaz resultante ser maior, mas proporcionar um bom fator
de segurana.
Imx
Imx
180o
t0
ngulo ( )
t0
180
ngulo ( )
T
Figura 18.1 Aproximao da forma de onda real
Assim:
I eficaz =
I mdio =
2
I pico
t0
T
I pico t 0
T
Podemos ento definir Fator de Forma (FF) como sendo a relao do valor eficaz pelo valor
mdio:
CEFET/SC
FF =
43
I eficaz
I mdio
I eficaz = FF I mdio
O ngulo de Conduo corresponde ao tempo em que o SCR fica ligado, como mostra a
figura 18.1. A tabela 18.1 apresenta o Fator de Forma em funo do ngulo de Conduo.
Tabela 18.1 Fator de Forma em funo do ngulo de Conduo
NGULO DE CONDUO () FATOR DE FORMA (FF)
20o
5,0
40o
3,5
60o
2,7
o
80
2,3
100o
2,0
o
120
1,8
140o
1,6
160o
1,4
o
180
1,3
Fonte: referncia [5]
CEFET/SC