MMD00013 ANLISE INSTRUMENTAL

AFM/STM
Tiago Lemos Menezes
tiagolm@outlook.com
Porto Alegre 23-03-2015

AFM Microscpio de Fora Atmica

Varredura por sonda

STM Microscpio de Tunelamento

AFM/STM
Introduo
Princpio de Funcionamento
Aplicaes

Introduo
1600 - Zacharias
Jansen (Holanda)

1981 - Gerd Binnig e Heinrich Rohrer

Introduo
1981 Inveno do STM na IBM-Zurique por G. Binnig e H.Rohrer.

1982 Demonstrao de resoluo atmica por G.Binnig no Si(7x7)

1984 Inveno do SNOM por D.Pohl.
1985 Desenvolvimento do AFM por G.Binnig, C.Gerber, e C.F.Quate.
1986 Binnig e Rohrer ganham o prmio Nobel em Fsica pela inveno do STM
1987 Resoluo atmica com o AFM por T. Albrecht
Desenvolvimento do modo de No-contato
Inveno do MFM

1991 Microfabricao de pontas de AFM

1993 Desenvolvimento do modo de contato intermitente TappingMode

Introduo

Qual o limite?

Introduo
MICROSCPIO

INTERAO

INFORMAO

Corrente de tunelamento

Topografia 3-D; tamanho e

forma de objetos; rugosidade;
estrutura eletrnica.

AFM

Fora intermolecular

Topografia 3-D; tamanho e

forma de objetos; rugosidade;
propriedades mecnicas.

LFM

Fora de frico

STM

MFM

Foras magnticas

SThM

Transferncia de calor

EFM

Foras eletrostticas

SNOM

Interao de ondas
evanescentes

Dissipao de energia, rea

de contato, adeso
Tamanho e forma de
estruturas magnticas; fora
e polarizao de domnios
magnticos
Condutividade trmica
Gradientes de campo
eltricos e domnios ferro
eltricos
Propriedades ticas de
superfcies

Introduo
A inveno do microscpio de tunelamento (STM)
AFM Microscpio de fora atmica

MFM Microscpio de fora magntica

EFM Microscpio de fora eletrosttica

SNOM Microscpio tico de campo prximo

Introduo

Princpios de Funcionamento
STM
Efeito Tnel ou Tunelamento
equao de Schrdinger

e- e
e- e
e- eee- e

< 1nm

Princpios de Funcionamento

Uma ponta de tungstnio muito fina

posicionada quase tocando a superfcie da
amostra condutora.
Quando a distncia d de separao entre
ponta-amostra se aproxima de 10, os
eltrons da superfcie da mostra comeam
a tunelar para a ponta e vice versa,
dependendo da polaridade de voltagem
aplica entre as mesmas, com isso gerando
uma corrente (corrente de tunelamento).

 O sensor de tunelamento mede

a corrente I que passa entre a
amostra e a sonda metlica,
posicionada quase tocando a
superfcie da amostra

Dependncia exponencial da
corrente com a distncia.

Corrente de tunelamento

 Opera basicamente de dois modos:

Modo Corrente Constante

Modo Altura Constante

AFM
Foi inventado por Binning, Quate e
gerber aps perceberem que a ponta
do STM exerce foras sobre a
superfcie da amostra na mesma
ordem das foras interatmicas.
O AFM usa a interao entre
as foras sonda-amostra para
traar o mapa da superfcie

O microscpio de foa atmica pode ser

operado de diversos modos. Entretanto, seu
princpio fundamental a medida das
deflexes de um suporte em cuja extremidade
livre est montada a sonda. Estas deflexes so
causadas pelas foras que agem entre a sonda
e a amostra.

Os modos de varredura ou de operao,

referem-se
fundamentalmente

distncia mantida entre a sonda

(ponteira) e a amostra e s formas de
movimentar a ponteira sobre a
superfcie a ser estudada.

Opera em dois modos

Modo Contato

Modo No Contato

Cantilever
flexvel, foras entre a ponteira e a amostra causam
deflexes muito pequenas deste suporte (cantilever),
que so detectados e apresentados como imagens.

cantilever retangular

Cantilever com ponteira

cantilever em forma de V

Cantilever

(a) imagem de quatro cantilevers em forma de V acoplados em um bloco. (b) quatro pontas
piramidais no cantilever em formato V. (c) as pontas piramidais so ocas vistas por cima. (d)
viso de uma ponta individual, com aproximadamente 30 nm de raio

Vantagens do AFM
O AFM em comparao a um microscpio eletrnico de varredura(MEV), fornece uma
imagem tridimensional da superfcie diferentemente do microscpio eletrnico que
faz uma projeo bidimensional ou uma imagem bidimensional de uma determinada
amostra.

Vantagens do AFM
Investigaes de no apenas materiais condutores mas tambm isolantes, pois o MFA
no utiliza corrente de tunelamento para a formao das imagens.
Anlise de qualquer tipo de material

Na anlise utilizado um pequeno volume de amostra, possuindo uma

preparao da amostra simples ou desnecessria, no necessrio nenhum
tratamento especial (como metal ou revestimento de carbono) que poderia
alterar ou danificar a amostra.Podendo, por exemplo, analisar amostras
biolgicas vivas sem retir-la de seu meio e sem perder suas propriedades.
Com a habilidade de explorar eventos moleculares no nvel da interao entre
as molculas.

Vantagens do AFM
Possibilidade de analise diversificados ambientes, inclusive na atmosfera (temperatura
ambiente e em presena do ar) ou at mesmo em lquidos, diferentemente de um
microscpio eletrnico que precisa de um ambiente de vcuo caro para o seu bom
funcionamento. O uso do MFA reduz o preo da anlise.

Pode ser utilizado para acompanhar processos

porque possui baixo tempo de anlise

A alta resoluo MFA compatvel a resoluo

do microscpio de tunelamento e o de
microscopia eletrnica de transmisso.

Vantagens do AFM

Medio das foras de interao em funo da distncia entre a ponta e a

superfcie, o resultado desta medida chamado de curva fora-distncia.

RUGOSIDADE

Limitaes
Vibraes podem atrapalhar, ou seja, o som ambiente, vibraes mecnicas (como
pessoas circulando em um recinto) e at mesmo a rede eltrica podem ser
interferentes na anlise. Por isso o equipamento deve ser montado em uma mesa
com um sistema de amortecimento em uma sala fechada.
O AFM requer uma coleo de imagens e com
isso uma limitao na sua velocidade.
A presena de contaminantes na superfcie
podem conduzir a uma imagem irreal
O movimento da ponta do MFA pode
ocasionar alteraes na superfcie.
A imagem a convoluo da forma da ponta
com a superfcie, diferentes pontas podem
ocasionalmente gerar diferentes imagens.

Aplicaes
Estudo da superfcie de
condutores e metais

1- geometria da
estrutura atmica

2- Estrutura eletrnica
Das superfcies

Investigar processos fsicos e qumicos que ocorrem nas superfcies, como adsoro em
superfcie de metais e semicondutores, a adsoro molecular, a observao de
formao de aglomerados sobre superfcies (aglomerados de metais e aglomerados de
semicondutores), nucleao e crescimento de filmes (por exemplo crescimento de
filmes metlicos, crescimento de Si sobre Si (001)), reaes qumicas nas superfcies de
metais e semicondutores (estudo das reaes qumicas que ocorrem nas superfcies,
so importantes, pois algumas aplicaes tecnolgicas utilizam corroses e catlises)

Aplicaes

Pode-se utilizar o STM para criar uma tcnica

de anlise superficial para o estudo das
propriedades das superfcies, podendo assim
modificar ou fazer gravaes em algumas
superfcies em escala nanomtrica

Xennio sobre superfcie de Ni

Aplicaes
Estudo da estrutura superficial de materiais
biolgicos, dentre eles: cidos nucleicos (RNA
e DNA), as protenas e membranas biolgicas
(membranas celulares e clulas)

E. coli exposta ao peptdeo microbicida CM15. A

imagem, obtida por microscopia de fora atmica,
mostra o comeo da destruio da parede
bacteriana

Obrigado pela ateno