Estruturas

Estrutura e Propriedades dos Materiais
3
3.1
Estrutura Cristalina
ESTRUTURA CRISTALINA
Introduo
A estrutura fsica dos materiais slidos depende fundamentalmente dos tomos, ons
ou molculas que o formam. Para todos os tipos de slidos (metlicos, inicos, covalentes
ou moleculares) a energia de ligao mnima para uma distncia de equilbrio ao (ou ro)
conforme demonstrado no captulo anterior.
Um sistema de tomos, ons ou molculas, interagindo para formar um slido,
tender a minimizar a sua energia de ligao, adotando uma distncia de equilbrio ao (ro).
Isto s poder ocorrer se for assumida uma estrutura altamente ordenada, caracterizada por
uma distribuio regular peridica dos tomos, ons ou molculas.
A maioria dos materiais comumente utilizados em engenharia, particularmente os
metlicos, exibe um arranjo geomtrico de seus tomos bem definido, constituindo uma
estrutura cristalina.
Um material cristalino, independentemente do tipo de ligao encontrada no mesmo,
caracteriza-se por apresentar um agrupamento de seus tomos, ons ou molculas, que se
repete tridimensionalmente. A repetio tridimensional nos cristais devida coordenao
atmica no interior do material, a qual, como j mencionado anteriormente, decorre de
condies geomtricas que so impostas por ligaes direcionais e compacidade.
Quando os tomos no tm direes especficas de ligao, como os metais ou os
compostos inicos, eles se comportam como esferas rgidas de raio definido e tendem a
maximizar os contatos com outros tomos (esferas), ou seja, tendem a preencher o volume
disponvel, maximizando a densidade.
A Figura 3.1 ilustra trs padres diferentes de se arrumar o mesmo volume de esferas
rgidas em um recipiente (A, B e C). Pode-se verificar visualmente, que o padro B
aquele que apresenta maior densidade, pois ocupa menos espao no recipiente; esta a
forma mais comum de arranjo entre os elementos metlicos.
Figura 3.1 Arranjos possveis de esferas de mesmos tamanhos em um recipiente.

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30
Prof. Jorge Tefilo de Barros Lopes
Em um slido cristalino, os arranjos atmicos podem ser descritos usando, como

referncia, os pontos de interseo de uma rede de linhas nas trs dimenses, denominada
rede cristalina.
Uma rede cristalina pode ser definida como um arranjo infinito e tridimensional de
pontos, em que cada ponto tem idnticas vizinhanas, ou seja, o arranjo desses pontos em
torno de um ponto particular deve ser igual ao arranjo em torno de qualquer outro ponto da
rede cristalina. Cada ponto com idnticas vizinhanas chamado n da rede ou
simplesmente n.
A estrutura cristalina resulta da associao de um motivo (ou base) a cada n da rede
cristalina. Cada motivo (um tomo ou conjunto de tomos ou ons) pode ser obtido por
translao ao longo da reta que une os ns da rede.
A estrutura tem matria, enquanto que a rede um conceito geomtrico, ou seja:
ESTRUTURA CRISTALINA = REDE CRISTALINA + MOTIVO
Como a estrutura cristalina perfeita um agrupamento regular de tomos
distribudos em uma rede cristalina, os arranjos atmicos podem ser descritos
completamente pela especificao das posies dos tomos em um modelo unitrio
repetitivo da rede, denominado clula unitria.
A clula unitria definida como a menor poro do cristal que ainda conserva as
caractersticas do mesmo.
Por meio da adoo de valores especficos, como parmetros axiais e ngulos
interaxiais, podem ser obtidas clulas unitrias de diversas naturezas.
Existem somente sete arranjos que podem representar as estruturas de todas as
substncias cristalinas conhecidas, denominados sistemas cristalinos. Esses sistemas so:
cbico, tetragonal, ortorrmbico, monoclnico, triclnico, hexagonal e rombodrico. As
caractersticas dos sete sistemas cristalinos so dadas no quadro mostrado na Figura 3.2.
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31
Sistemas
Eixos
ngulos entre eixos
Volume da clula unitria
Cbico
a=b=c
Todos os ngulos = 90
a3
Tetragonal
a=bc
a2.c
Ortorrmbico
abc
a.b.c
Hexagonal
a=bc
2 ngulos = 90 e
1 ngulo 90
0,866.a2.c
Rombodrico
a=b=c
Todos os ngulos diferentes

e nenhum igual a 90
a.b.c. sin
Monoclnico
abc
3 ngulos = 90 e
1 ngulo = 120
a 3 1 3 cos 2 + 2 cos 3
Triclnico
abc
Todos os ngulos iguais,

mas diferentes de 90
V = a b c 1 cos 2 cos 2 cos 2 + 2 cos cos cos
Figura 3.2 Caractersticas dos sistemas cristalinos.

Dentro desses sete sistemas cristalinos, h um total de quatorze arranjos distintos nos
quais os pontos da rede podem se arrumar, conhecidos como redes de Bravais (Figura 3.3).
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32
CBICO
TETRAGONAL
SISTEMAS
ORTORRMBICO
Tetragonal
simples
Ortorrmbico
simples
Cbico
simples
Monoclnico
simples
Tetragonal de
corpo centrado
Cbico de
corpo centrado
MONOCLNICO
Ortorrmbico de
base centrada
ROMBODRICO
Monoclnico de
base centrada
Ortorrmbico de
corpo centrado
TRICLNICO
Rombodrico
HEXAGONAL
Cbico de
face centrada
Ortorrmbico de
face centrada
Triclnico
Hexagonal
Figura 3.3 Clulas unitrias convencionais das 14 redes de Bravais

agrupadas por sistemas cristalogrficos.
Os eixos da clula unitria definem um sistema de coordenadas com origem em um
dos seus vrtices. Isso fornece um conjunto de coordenadas que permitem definir a posio
dos tomos na clula. Na Figura 3.4 so dados alguns exemplos de posies atmicas:
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33
Origem: 0,0,0
Centro da clula: ,,
Centro das faces: 0,,; ,0,; ...
z
x
0,0,0
x
,0,
,,
y
1,1,1
Figura 3.4 Exemplos de posies atmicas em clulas cbicas.

- Observao: Os tomos podem ter qualquer posio na clula, no correspondendo
necessariamente aos ns da rede.
Nmero de tomos por clula unitria

Um nmero especfico de ns da rede define cada uma das clulas unitrias. Por
exemplo, os vrtices das clulas cbicas so facilmente identificados, assim como as
posies corpo centrado (centro da clula) e face centrada (centro dos seis lados).
Quando se conta os nmeros de ns da rede pertencente a cada clula unitria, fica
fcil reconhecer quais deles podem ser repartidos por mais de uma clula. Por exemplo, no
sistema cbico, um n da rede localizado em um dos vrtices de uma clula unitria
dividido por 7 clulas adjacentes (o n pertence, portanto, a 8 clulas); logo, somente 1/8
de cada uma das posies dos vrtices pertence a uma clula em particular (o nmero de
frao de ns localizados em todas as posies do vrtice em uma clula unitria cbica
equivalente a um n da rede); assim:
do ponto da rede / vrtice (8 vrtices / clula ) = 1 ponto da rede / clula

8
3.2
Principais Estruturas Cristalinas

A maioria dos elementos metlicos solidifica assumindo as estruturas a seguir, por
elas serem altamente densas (compactas): cbica de corpo centrado (CCC), cbica de face
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34
centrada (CFC) ou hexagonal compacta (HC). A Figura 3.5 mostra os modelos didticos
dessas estruturas.
CCC
CFC
HC
Figura 3.5 Modelos didticos das estruturas cristalinas mais comuns.

Estes arranjos compactos ocorrem, porque energia liberada com a aproximao dos
tomos at a distncia de equilbrio. Assim, uma estrutura compacta apresenta um nvel de
energia mais baixo e, portanto, mais estvel.
A estrutura hexagonal compacta, mostrada na Figura 3.5, uma modificao da
estrutura hexagonal simples, ilustrada na Figura 3.6.
Figura 3.6 Modelo da estrutura hexagonal simples.

a) Cristais Cbicos
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35
A estrutura cbica a de maior ocorrncia nas substncias cristalinas. Entre os

exemplos de materiais que cristalizam segundo essa estrutura, incluem-se a maior parte dos
metais comuns e alguns dos compostos mais simples, tais como o MgO, o NaCl e o TiC.
Dependendo da posio que os tomos ocupam na estrutura cbica, esta pode ser
classificada em um dos trs tipos: cbica simples (CS), cbica de corpo centrado (CCC)
ou cbica de face centrada (CFC).
a.1) Estrutura cbica simples (CS)
A clula unitria deste arranjo atmico, mostrada na Figura 3.7, possui um tomo
posicionado em cada vrtice de um cubo.
a
(a)
(b)
(c)
Figura 3.7 Estrutura cbica simples (CS) ): Modelo didtico (a);

clula unitria (b); esquema das distncias interatmicas (c).
Nesta estrutura, cada tomo apresenta seis vizinhos mais prximos; logo, o seu
nmero de coordenao (NC) igual a 6.
O parmetro da rede (a) dado pelo tamanho da aresta do cubo, neste caso:
a = 2r
A forma de classificar o nvel de ocupao efetiva de uma clula unitria por tomos
o fator de empacotamento atmico (FE), o qual dado por:
FE =
N VA
,
VC
onde N = nmero de tomos que ocupam efetivamente a clula, VA = volume do tomo

(esfera rgida de raio definido) = 4..r3/3, r = raio do tomo, e VC = volume da clula
unitria.
Para a clula cbica simples, o fator de empacotamento :
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36
1
tomo / vrtice 8 vrtices = 1
8
4
VA = r 3
3
VC = a 3 = ( 2r )3 = 8 r 3
N=
4
1 r3
FE = 3 3 = 0 ,52
8r
Ou seja, apenas 52% da clula cbica simples so efetivamente preenchidos por
tomos. Como este ndice de ocupao muito baixo, a clula cbica simples no estvel
e, portanto, os metais puros no apresentam esse tipo de arranjo, o que ocorre somente para
compostos, em virtude da diferena entre os raios dos elementos que os formam.
a.2) Estrutura cbica de corpo centrado (CCC)
A clula unitria deste arranjo estrutural apresenta um tomo posicionado em cada
vrtice de um cubo e um tomo no centro do mesmo, conforme mostrado na Figura 3.8.
4r
(a)
a
(c)
(b)
Figura 3.8 Estrutura cbica de corpo centrado (CCC): Modelo didtico (a);
Nessa estrutura, cada tomo possui oito vizinhos mais prximos e, desta forma, o seu
O parmetro da rede (a), nesse caso, calculado a partir do valor da diagonal
principal do cubo (valor conhecido) e da diagonal de uma de suas faces. Assim tem-se:
a 2 + ( a 2 )2 = ( 4 r ) 2 a =
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37
4r
3
O fator de empacotamento atmico (FE) desta clula dado por:
1
tomo / vrtice 8 vrtices + 1 tomo = 2
8
4
VA = r 3
3
N=
64 r 3
4r
VC = a =
=
3 3
3
4
2 r3
FE = 3 3 = 0 ,68
64 r
3
3
Ou seja, 68% desta clula unitria so efetivamente preenchidos por tomos. Com a
elevao do ndice de ocupao da clula, vrios metais j cristalizam na estrutura CCC,
entre eles o ltio (Li), o vandio (V), o cromo (Cr), o molibdnio (Mo) e o tungstnio (W).
a.3) Estrutura cbica de face centrada (CFC)
A clula unitria deste arranjo estrutural apresenta um tomo posicionado em cada
vrtice do cubo e um no centro de cada face, conforme mostrado na Figura 3.9.
(a)
(b)
4r
a
(c)
Figura 3.9 Estrutura cbica de face centrada (CFC): modelo didtico (a);
Cada tomo apresenta doze vizinhos mais prximos; portanto, o nmero de
coordenao (NC) dessa estrutura igual a 12.
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38
O parmetro da rede (a), neste caso, calculado a partir do valor da diagonal de uma
de suas faces, que o valor conhecido:
a 2 + a 2 = ( 4 r )2 a =
4r
2
O fator de empacotamento atmico (FE) dado por:
1
1
N = ( tomo / vrtice ) 8 vrtices + ( tomo / face ) 6 = 4
8
2
4
VA = r 3
3
3
32r 3
4r
VC = a =
=
2
2
4
4 r3
FE = 3 3 = 0 ,74
32r
Ou seja, 74% desta clula unitria so efetivamente preenchidos por tomos, que o
valor mximo do ndice de ocupao que pode ser conseguido quando se considera o
tomo como uma esfera rgida de raio definido. Desta forma, o empacotamento da clula
unitria CFC o mais eficiente possvel.
O nquel (Ni), o cobre (Cu), o alumnio (Al), o ouro (Au), a prata (Ag), a platina (Pt)
e o chumbo (Pb), so exemplos de metais que apresentam a estrutura CFC.
b) Cristais Hexagonais
Existem dois tipos de arranjo hexagonal: o hexagonal simples (HS) e o hexagonal
compacto (HC).
b.1) Estrutura hexagonal simples (HS)
A clula unitria deste arranjo estrutural formada por dois hexgonos sobrepostos,
os quais apresentam um tomo em cada vrtice e um tomo nos seus centros, conforme
mostrado na Figura 3.10.
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39
120
60
c
a
Figura 3.10 Estrutura hexagonal simples (HS).

A estrutura cristalina HS apresenta ngulos basais de 120 e verticais de 90, e
tambm pode ser representada pelo arranjo mostrado direita da figura.
Nesta estrutura, cada tomo apresenta oito vizinhos mais prximos; portanto, o seu
Os parmetros da rede (a, c) so dados por:
a = c = 2r
1
1
N = ( tomo / vrtice ) 12 vrtices + ( tomo / face ) 2 = 3
6
2
4
VA = r 3
3
3
VC = 3a 2 c cos 30 = 3( 2r )2 ( 2r )
= 12 r 3 3
2
4 3
3 r
FE = 3 3
= 0 ,60
12r 3
Ou seja, 60% desta clula unitria so efetivamente preenchidos por tomos. Este
valor tambm um muito baixo, o que justifica os metais no cristalizarem na estrutura
HS.
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40
b.2) Estrutura hexagonal compacta (HC)

A clula unitria do arranjo estrutural HC formada por dois hexgonos sobrepostos
que apresentam um tomo em cada vrtice e um tomo nos seus centros, e tambm por um
plano intermedirio de trs tomos, conforme mostrado na Figura 3.11.
Figura 3.11 Estrutura hexagonal compacta (HC).

Esta estrutura caracterizada pelo fato de que cada tomo de uma dada camada est
diretamente abaixo ou acima dos interstcios formados entre trs tomos das camadas
adjacentes.
Cada tomo apresenta doze vizinhos mais prximos; logo, o seu nmero de
coordenao (NC) igual a 12.
Os parmetros da rede (a, c) so dados por:
a = 2r
c 1,633a
1
1
N = ( tomo / vrtice ) 12 vrtices + ( tomo / face ) 2 + 3 tomos = 6
6
2
4 3
VA = r
3
3
VC = 3a 2 c cos 30 = 3( 2r )2 ( 1,633 2r )
= 19 ,596 r 3 3
2
4 3
6 r
3
FE =
= 0 ,74
19 ,596 r 3 3
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41
Ou seja, 74% desta clula unitria so efetivamente preenchidos por tomos. Como
essa estrutura compacta, diversos metais solidificam segundo a mesma, como por
exemplo: magnsio (Mg), zinco (Zn), cdmio (Cd), cobalto (Co), titnio (Ti) e berlio (Be).
Clculo do parmetro c
O parmetro c da clula hexagonal compacta pode ser calculado a partir dos
esquemas mostrados na Figura 3.12.
Vista de topo
d
a/2
c/2
d
a
a
c
a = d + ;
2
2
d=
30o
a
a
=
o
2 cos 30
3
a2 c2
a2 c2 2 2 c2
a c
a =
+ a2
= a =
+ a2 =
3
4
3
4 3
4
3 2
2
c2 =
8 2
a c =
3
8
a c 1,633a
3
Figura 3.12 Posicionamento de tomos na clula da estrutura HC.

3.3
Seqncia de Empilhamento
A estrutura cbica de face centrada e a estrutura hexagonal compacta tm o mesmo
fator de empacotamento atmico (FE = 0,74), o que esperado, pois ambas possuem o
mesmo nmero de coordenao (NC = 12).
Os arranjos atmicos de planos cristalinos na direo da diagonal do cubo da
estrutura CFC, e na direo perpendicular base no caso da HC, so de mesma natureza; o
que muda entre as duas estruturas o posicionamento dos tomos destes planos em relao
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a um ponto de referncia. Os planos do cristal HC apresentam apenas duas variaes de

posicionamento e, desta forma, obedecem a uma seqncia do tipo ABABAB..., j os
cristais CFC apresentam trs variaes no posicionamento de planos, exibindo assim, a
seqncia
ABCABCABC....
Figura
3.13
representa
essas
seqncias
de
empilhamento.
HC
CFC
Figura 3.13 Seqncias de empilhamento de planos para as estruturas HC e CFC.

3.4
Alotropia
Alotropia (ou polimorfismo) o fenmeno que ocorre quando dois cristais tm
estruturas cristalinas diferentes, mas apresentam a mesma composio.

Dependendo de condies como presso e temperatura, diversos elementos e
compostos qumicos podem apresentar mais de uma forma cristalina. O Quadro 3.1 fornece
alguns casos de alotropia.
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43
Quadro 3.1 - Exemplos de alotropia para alguns elementos.

TEMPERATURA
OUTRAS
METAL
AMBIENTE
TEMPERATURAS
Ca
CFC
CCC (> 447C)
Co
HC
CFC (> 427C)
Hf
HC
CFC(> 1742C)
Fe
CCC
CFC (912C a 1394C)

CCC(> 1394C)
Li
CCC
HC (< - 193C)
Na
CCC
HC (- 233C)
Ti
HC
CCC (> 883C)
HC
CCC (> 1481C)
Zr
HC
CCC(> 872)
Um dos exemplos mais conhecidos e importantes de polimorfismo nos metais o

que ocorre com o ferro, visto que esta variao alotrpica possibilita a realizao de
tratamentos trmicos no ao e, assim, permite modificar as propriedades desse material.
O ferro apresenta mudanas alotrpicas desde a temperatura ambiente at a
temperatura de fuso (1539C). Na temperatura ambiente esse elemento possui estrutura
cristalina CCC e recebe a denominao de ferro ; ao atingir a temperatura de 912C, o
ferro modifica a sua estrutura tornando-se CFC, e passa a ser denominado de ferro ; se
continuar sendo aquecido, ao atingir 1394C esse metal volta a ter a estrutura CCC, porm
com um parmetro de rede maior do que a primeira, e chamado de ferro , permanecendo
com esta estrutura at a fuso. Essas mudanas na estrutura do ferro podem ser
visualizadas por meio da curva de resfriamento do elemento mostrada na Figura 3.14.
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44
Figura 3.14 Curva de resfriamento aproximada do ferro.

Outro exemplo de polimorfismo a variao alotrpica do carbono. Este elemento
constitui o diamante, que o material mais duro na natureza, mas tambm forma a grafita,
que um material de dureza bastante reduzida, o que possibilita o seu uso como
lubrificante slido. A alta dureza do diamante devido ao fato de todas as suas ligaes
serem covalentes, apresentando uma estrutura cristalina tridimensional; por outro lado, a
grafita possui ligaes covalentes apenas nos planos lamelares, e esses planos so
agregados a outros por meio das foras secundrias (estrutura lamelar), que por serem
fracas proporcionam a facilidade de deslizamento dessas lamelas.
3.5
Posies, Direes e Planos em Cristais

Freqentemente, necessrio identificar posies, direes e/ou planos em um
cristal. Isto particularmente importante no caso dos metais e ligas metlicas que
apresentam propriedades que variam com a orientao cristalogrfica, chamados de
materiais anisotrpicos.
A existncia de determinados conjuntos de planos e direes definidos como

compactos, por exemplo, de suma importncia durante o processo de deformao plstica
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45
de materiais metlicos, o que leva necessidade de identific-los para melhor compreender

esses processos.
a) Posies em cristais cbicos
Certos pontos tais como as posies atmicas na rede ou em uma clula unitria,
podem ser localizados pela construo de um sistema de eixos cartesiano.
Em cristalografia, o eixo x a direo perpendicular ao plano do papel, o eixo y a
direo direita do papel e o eixo z a direo para cima; as direes negativas destes
eixos so as opostas s direes mencionadas.
A distncia medida em termos do nmero de parmetros de rede contados em cada
direo, a partir da origem at o ponto em questo.
As coordenadas das posies so os trs nmeros correspondentes s distncias
medidas, separados por vrgulas.
A Figura 3.15 mostra alguns exemplos de identificao de posies em cristais
cbicos.
z
-1,-1,1
0,0,1
1,1,1
0,-1,1
0,0,0
-1,1,0
-,-1,0
,1,0
x
1,0,0
-y
1,1,0
-x
-1,0,0
0,-1,0
Figura 3.15 Identificao de posies na estrutura cbica.

b) Direes em cristais cbicos
As direes cristalogrficas so usadas para indicar uma orientao especfica em um
cristal simples ou em um material policristalino. O conhecimento de como descrever as
direes cristalogrficas de grande utilizao em muitas aplicaes; os metais, por
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46
exemplo, deformam mais facilmente nas direes ao longo das quais os tomos esto em
contato mais prximo (direes mais compactas).
Isso mostra que certas direes na clula unitria so de particular importncia, e a
notao usada para descrever essas direes denominada ndices de Miller.
No sistema cbico, as direes cristalogrficas so obtidas a partir de seus
componentes relativos aos trs eixos cartesianos.
Uma direo na clula unitria representada por um vetor que parte da origem e
atinge a posio definida pelas coordenadas consideradas; portanto, para se referenciar
uma determinada direo em um cristal, devem ser observadas as seguintes orientaes:
Os eixos cristalinos so utilizados como direes bsicas;
As coordenadas de um ponto so medidas em relao ao parmetro de cada eixo, assim
no representam valores reais de distncia;
As direes com ndices negativos so indicadas com um trao sobre os mesmos;
Uma direo representada por ndices entre colchetes.
Desta forma, para se encontrar os ndices de Miller de direes cristalogrficas, o
seguinte procedimento deve ser seguido:
1. Determinar as coordenadas das duas posies que orientam a direo (origem e
extremidade), utilizando um sistema de coordenadas cartesiano;
2. Subtrair as coordenadas das posies finais e iniciais da direo, para obter o nmero de
parmetros da rede correspondente extenso da referida direo relativa a cada eixo do
sistema de coordenadas (ndices da direo);
3. Eliminar os ndices fracionrios ou reduzir os ndices obtidos para o menor inteiro;
4. Colocar os ndices entre colchetes, observando que, se algum deles for negativo, deve
ser representado com uma barra sobre ele.
A Figura 3.16 mostra alguns exemplos de identificao de direes em cristais cbicos.
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47
z
0,0,1
1,0,1
0,1,1
1,1,1
B
A
0,0,0
D
1,0,0
x
0,1,0
,1,0
1,1,0
Direo A
1. Os dois pontos so 0,1,0 e 0,0,0
2. 0,1,0 0,0,0 = 0,1,0
3. No existem ndices fracionrios
ou inteiros para reduzir
4. A notao da direo [010]
Direo B
2. 1,1,1 0,0,0 = 1,1,1
Direo C
1. Os dois pontos so 0,0,1 e ,1,0
2. 0,0,1 ,1,0 = ,1,1
3. 2(,1,1) = 1,2,2
Direo D
2. 1,1,0 1,0,1 = 0,1, 1
Direo E
2. 1,0,1 0,1,1 = 1,1,0
Figura 3.16 - Exemplos de direes cristalogrficas em cristais cbicos.
Alguns aspectos sobre o uso dos ndices de Miller para direes

1. Como as direes so vetores, uma direo e sua negativa no so idnticas; elas
representam a mesma linha, mas possuem sentidos opostos.
- Exemplo: [ 100 ] [ 100 ]
2. Direes proporcionais so idnticas; por este motivo que se devem reduzir os ndices
para menores inteiros.
- Exemplo: [100] = [200] = [300] = ...
3. Direes de certos conjuntos so equivalentes; elas possuem ndices especficos em
virtude da maneira como o sistema de coordenadas foi construdo.
- Exemplo: No sistema cbico, [100] se torna [010] se o sistema de coordenadas for
redefinido (rotacionado 90 para a esquerda, por exemplo); portanto, diz-se que estas
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48
direes so equivalentes ([100] [010] ). Isto importante, pois eventualmente

necessrio expressar um conjunto de direes com as mesmas caractersticas na
estrutura cristalina, como a diagonal da face do cubo; neste caso, existem 12 direes,
e uma representao geral de todas elas dada por <100>, que chamada famlia de
direes das diagonais das faces do cubo.
Exemplos:
[ 110 ] [ 101 ] [ 011 ] [ 110 ] [ 101 ]
< 110 > =
[ 110 ] [ 101 ] [ 011 ] [ 110 ] [ 101 ]
= famlia das diagonais das faces do cubo
[ 100 ]
< 100 > =
[ 100 ]
[ 111 ]
< 111 > =
[ 111 ]
[ 011 ]
=
[ 011 ]
[ 010 ]
[ 001 ]
= famlia das arestas do cubo
[ 001 ]
[ 111 ]
[ 111 ]
[ 111 ]
[ 111 ]
[ 010 ]
[ 111 ]
= famlia das diagonais do cubo
[ 111 ]
c) Planos em cristais cbicos
O conhecimento de determinados planos de tomos em um cristal, tambm de

suma importncia; os metais deformam-se ao longo de planos de tomos que apresentam
compacidade mais alta (planos mais densos).
Para identificar planos cristalinos em cristais cbicos, a notao dos ndices de Miller
deve ser usada. Nesse caso, os ndices de Miller so definidos como sendo os inversos das
coordenadas de interceptao do plano de interesse com os eixos x, y e z.
O procedimento bsico para determinar os ndices de Miller de planos em um cristal
cbico deve seguir a seguinte orientao:
1. Identificar os pontos nos quais o plano intercepta os eixos x, y e z em termos do nmero
de parmetros de rede; deve ser observado que se o plano passa na origem, essa deve ser
movida (ou utiliza-se um plano paralelo que no passe pela origem);
2. Obter os inversos das intersees;
3. Eliminar os ndices fracionrios, mas no reduzi-los ao menor inteiro;
4. Colocar os ndices entre parnteses, observando que, se algum deles for negativo, deve
ser representado com uma barra sobre ele.
Genericamente, as letras h, k e l entre parntese so usadas para indicar os ndices de
Miller de um plano, ou seja, (hkl).
UFPA ITEC FEM
49
A Figura 3.17 mostra a identificao de alguns planos em cristais cbicos.
z
C
y =2
x
Plano B
1. x = 1, y = 2, z =
2. 1/x = 1, 1/y = 1/2, 1/z = 0
3. Elimina fraes: 1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0
4. A notao do plano (210)
Plano A
1. x = 1, y = 1, z = 1
2. 1/x = 1, 1/y = 1, 1/z = 1
3. No existem fraes
Plano C
1. O plano passa na origem, logo,
temos que mov-lo um parmetro
de rede na direo y; ento:
x = , y = 1, z =
2. 1/x = 0, 1/y = 1, 1/z = 0
Figura 3.16 Exemplos de identificao de planos em cristais cbicos.
Alguns aspectos com relao ao uso dos ndices de Miller para planos
1. Um plano e seus negativo so idnticos;
- Exemplo: (020) = (020)
2. Planos e seus mltiplos no so idnticos;
3. Em cada clula unitria, uma famlia de planos representa o conjunto de planos
equivalentes, que tm seus ndices especficos por causa da orientao das coordenadas;
os conjuntos de planos equivalentes so apresentados com a notao entre chaves ({}).
- Exemplo: No sistema cbico, os planos da famlia {110} so mostrados abaixo:
{ 110 } = ( 110 ) ( 101 ) ( 011 ) ( 110 ) ( 101 ) ( 011 )

4. No sistema cbico, uma direo que tem os mesmos ndices de um plano
perpendicular ao plano (Figura 3.17).
- Exemplo: [100] (100) .
UFPA ITEC FEM
50
(100)
[100]
Figura 3.17 Perpendicularidade entre a Direo [100] e o plano (100).

c) Direes em cristais hexagonais
Por causa da simetria nica do sistema hexagonal, algumas direes cristalogrficas

equivalentes no tm os mesmos ndices de Miller. Para resolver este problema foi criado
um sistema de coordenadas que usa quatro eixos (a1, a2, a3 e c), denominado sistema de
Miller-Bravais, mostrado na Figura 3.18.
Neste sistema, trs eixos (a1, a2 e a3) esto contidos no plano basal e fazem ngulos
de 120 entre si. O quarto eixo (z ou c) perpendicular ao plano basal. Como no espao se
necessita apenas de trs eixos, o eixo a3 redundante.
Figura 3.18 Sistema de coordenadas para a clula hexagonal.

As direes so indicadas, ento, pelos ndices u, v, t e w, apresentados entre
colchetes; os ndices u, v e t so relativos aos eixos a1, a2 e a3, respectivamente, e o ndice
w relativo ao eixo c.
Por causa da redundncia do eixo a3 e da geometria especial do sistema hexagonal,

os trs primeiros ndices na designao, u, v e t, satisfazem a relao u + v = t.
UFPA ITEC FEM
51
Basicamente, o procedimento a ser seguido para encontrar esses ndices consiste na

obteno dos menores inteiros que representem a direo e que satisfaam a relao acima,
conforme apresentado a seguir na Figura 3.19.
Direo A
1. a1 = , a2 = 1, a3 = , c = 0
2. Elimina fraes (reduz ao
menor inteiro)
Figura 3.19 Esquema de eixos e representao da direo A na estrutura hexagonal.

Uma determinada direo cristalogrfica representada pelos ndices de Miller [u v
w] pode ser convertida para o sistema de Miller-Bravais com ndices [u v t w] com auxlio
das seguintes equaes:
u=
1
(2u' v' ) n;
3
v=
1
(2v' u' ) n;
3
t = (u + v );
w = w' n
onde n um nmero inteiro. Por exemplo, os ndices de Miller [010] so convertidos em

ndices de Miller-Bravais [1210] .
A Figura 3.20 apresenta alguns exemplos desta converso.
UFPA ITEC FEM
52
Figura 3.20 - Alguns exemplos de converso de ndices de Miller em ndices de MillerBravais (Padilha, 2000).
d) Planos em cristais hexagonais
Os planos em cristais hexagonais so identificados tambm pelo uso de quatro eixos;
neste caso, os ndices empregados so representados pelas letras h, k, i e l entre parnteses,
ou seja, (h k i l).
Estes ndices devem satisfazer a relao h + k = i, por causa da redundncia do eixo
a3 e da geometria especial do sistema hexagonal.
O procedimento para encontrar os ndices dos planos o mesmo que o utilizado no

caso dos cristais cbicos; entretanto, desde que o sistema formado por quatro eixos, sero
necessrias quatro intersees para gerar os ndices h, k, i e l.
Na estrutura hexagonal, o plano basal considerado muito importante, por ser um
plano compacto; como o plano basal superior paralelo aos eixos a1, a2 e a3, a interseo
deste plano com tais eixos se dar no infinito, e a com o eixo c em 1; logo, a representao
dos planos basais dada por (0001).
As Figuras 3.21 a 3.24 mostram a notao para os planos especiais da estrutura
hexagonal: basal, prismticos e piramidais.
UFPA ITEC FEM
53
Plano A (Basal)
1. a1 = a2 = a3 = , c = 1
2. 1/a1 = 1/a2 = 1/a3 = 0, 1/c = 1
3. No existem fraes
4. (0001)
a3
-a1
-a2
a2
B
a1
-a3
Plano B (Prismtico tipo I)

1. a1 = 1, a2 = , a3 = -1, c =
2. 1/a1 = 1, 1/a2 = 0, 1/a3 = -1, 1/c = 0
3. No existem fraes
4. (1010)
Figura 3.21 Plano basal e plano prismtico tipo I, e a determinao de suas notaes.
c
C
a3
-a1
-a2
a2
a1
Plano C (Plano prismtico tipo II)

1. a1 =1, a2 = 1, a3 = -, c =
2. 1/a1 = 1, 1/a2 = 1, 1/a3 = -2, 1/c = 0
3. No existem fraes a eliminar
4. (1120)
-a3
Figura 3.22 Plano prismtico tipo II e a determinao de sua notao.
UFPA ITEC FEM
54
a3
-a1
-a2
a2
D
a1
Plano D (Piramidal tipo I)

5. a1 =1, a2 = , a3 = -1, c = 1
6. 1/a1 = 1, 1/a2 = 0, 1/a3 = -1, 1/c = 1
8. (1011)
-a3
Figura 3.23 Plano piramidal tipo I e a determinao de sua notao.
a3
-a1
-a2
a2
E
a1
Plano E (Piramidal tipo II)

1. a1 =1, a2 = 1, a3 = -, c = 1
2. 1/a1 = 1, 1/a2 = 1, 1/a3 = -2, 1/c = 1
4. (1021)
-a3
Figura 3.24 Plano piramidal tipo II e a determinao de sua notao.

3.6
Planos e Direes Compactos

No estudo da relao entre raios atmicos e parmetros de rede, uma direo
compacta e um plano compacto so aqueles onde os tomos que os formam esto em

contato contnuo. O Quadro 3.2 mostra os ndices de Miller das direes e dos planos
compactos nas estruturas cristalinas mais comuns (modificada de ASKELAND & PHUL,
2003).
UFPA ITEC FEM
55
Quadro 3.2 Direes e planos compactos das principais estruturas

DIREES E PLANOS COMPACTOS
Estrutura
Direes
Planos
CS
CCC
CFC
HC
<100>
<111>
<110>
< 1120 >
Nenhum
Nenhum
{111}
(0001), (0002)
As clulas unitrias CFC e HC so as mais compactas, e cada uma apresenta planos

compactos.
A clula unitria HC apresenta dois planos compactos, (0001) e (0002), os quais so
paralelos entre si, mas com orientaes diferentes, e recebem o nome especial de planos
basais.
A estrutura HC pode ser formada a partir do empilhamento dos planos compactos em

uma seqncia ... ABABAB .... Conforme ilustrado na Figura 3.25, os tomos do plano B,
(0002), ajustam-se nos vales entre os tomos do plano A, (0001); se um outro plano com a
mesma orientao do plano A ajustado nos vales do plano B, uma estrutura HC
formada.
Figura 3.25 Empilhamento dos planos compactos na estrutura HC.

Na estrutura CFC, os planos compactos so da famlia {111}; esses planos so
paralelos, mas orientados diferentemente um em relao aos outros.
A estrutura CFC pode ser formada a partir do empilhamento desses planos
compactos, obedecendo a seqncia ... ABCABCABC .... Conforme mostrado na Figura
3.26, os planos compactos so empilhados de tal forma que os tomos do plano B ajustamUFPA ITEC FEM
56
se nos vales do plano A, e os do plano C ajustam-se nos vales do plano B e sobre os vales
no ocupados de A.
Figura 3.26 Empilhamento dos planos compactos na estrutura CFC.

3.7 Sistemas de Deslizamento
O deslizamento ocorrer mais facilmente em certos planos e direes do que em
outros. Em geral, o deslizamento ocorrer paralelo a planos compactos, que preservam sua
integridade. O deslizamento mais provvel em planos e direes compactas, porque
nestes casos a distncia que a rede precisa se deslocar mnima (Figura 3.27).
Distncia
Direo
compacta
Distncia
Direo no
compacta
Figura 3.27 - Distncias de deslocamentos de planos compactos em direes
compactas e no compactas.
UFPA ITEC FEM
57
Dentro de um plano de deslizamento existiro direes preferenciais para o

deslizamento. A combinao entre os planos e as direes forma os sistemas de
deslizamento (slip systems), caractersticos das diferentes estruturas cristalinas.
Dependendo da simetria da estrutura, outros sistemas de deslizamento podem estar
presentes
A Figura 3.28 mostra os sistemas de deslizamento das trs redes bsicas.
Figura 3.28 Sistemas de deslizamento das redes bsicas (Paciornik, 2007).

3.8 Comportamentos Isotrpico e Anisotrpico
As diferenas no arranjo atmico dos planos e direes no cristal proporcionam
variaes nas propriedades do material com a direo em que so medidas.
Um material cristalograficamente anisotrpico se suas propriedades dependem da
direo cristalogrfica em que so medidas. Por outro lado, se suas propriedades so
idnticas em todas as direes, o material dito ser cristalograficamente isotrpico.
A Figura 3.29 destaca as direes mais importantes da estrutura CCC, que
obviamente so diferentes; logo, as propriedades medidas nestas direes tambm sero
diferentes.
UFPA ITEC FEM
58
a=a
c
b=a 2
c=
a 3
2
Figura 3.29 Direes mais importantes da estrutura CCC.

Os cristais so basicamente anisotrpicos; entretanto, uma amostra policristalina
poder ser considerada, idealmente, como isotrpica, se os seus cristais estiverem
orientados ao acaso, pois sob o ponto de vista macroscpico, a anisotropia dos cristais ser
compensada mutuamente.
Materiais monocristalinos ou nos quais os gros so orientados ao longo de certas
direes, natural ou deliberadamente, normalmente apresentam anisotropia mecnica,
tica, magntica e propriedades dieltricas.
3.9 Espaamento e ngulos Interplanares
No sistema cbico, a distncia entre dois planos de tomos, paralelos e adjacentes,
com os mesmos ndices de Miller, denominada espaamento interplanar (dhkl), e sua
equao geral dada por:
d hkl =
a
h2 + k 2 + l 2
onde a o parmetro da rede e h, k e l representam os ndices de Miller dos planos

considerados. Por exemplo, as distncias interplanares (111) da clula unitria do chumbo
(Pb), que CFC, dada por:
o
rPb = 0 ,175 nm , aCFC
UFPA ITEC FEM
4r
4 ,95 A
=
= 0 ,495 nm d 111 =
= 0 ,286 nm
2
12 + 12 + 12
59
O clculo das distncias interplanares para materiais no cbicos envolve equaes

mais complexas, as quais no sero estudadas neste curso.
O Quadro 3.3 apresenta as relaes entre o espaamento interplanar (dhkl), os
parmetros de reticulado (a, b, c), os ngulos entre planos (, , ) e os planos (h k l).
Quadro 3.3 Espaamentos interplanares para os diversos reticulados.
Reticulado
Relaes
1
h2 + k 2 + l 2
=
Cbico
2
d hkl
a2
1
h2 + k 2 l 2
=
+ 2
2
d hkl
a2
c
Tetragonal
Hexagonal
Rombodrico
1
4 h 2 + hk + k 2 l 2
+ 2
=
2
d hkl
3
a2
c
2
2
2
2
1
(h + k + l )sen + 2(hk + kl + hl )(cos 2 cos 2 )
=
2
d hkl
a 2 (1 3 cos 2 + 2 cos 3 )
1
h2 l 2 l 2
= 2+ 2+ 2
2
d hkl
a
b
c
Ortorrmbico
Monoclnico
1
1
=
2
d hkl sen 2
h 2 k 2 sen 2 l 2 2hl cos

2 +
+ 2
b2
c
ac
a
1
1
= 2 (S 11 h 2 + S 22 k 2 + S 33 l 2 + 2 S 12 hk + 2 S 23 kl + 2 S 13 hl )
2
d hkl V
S11 = b 2 c 2 sen 2 ;
Triclnico
S 22 = a 2 c 2 sen 2 ;
S 33 = a 2 b 2 sen 2 ;
S12 = abc 2 (cos cos cos );
S 23 = a 2 bc(cos cos cos );
S13 = ab 2 c(cos cos cos )

Fonte: Padilha, 2000.
O ngulo entre dois planos pode ser determinado com o auxlio das equaes
contidas no Quadro 3.4.
UFPA ITEC FEM
60
Quadro 3.4 ngulos interplanares para os diversos reticulados.

Reticulado
Relaes
h1 h2 + k 1 k 2 + l1l2
cos =
Cbico
2
(h1 + k12 + l12 ) (h22 + k 22 + l22 )
h1 h2 + k1 k 2 l 2
+ 2
2
a
c
cos =
2
2
2
2
h1 + k 1 l1 h2 + k 22 l 22
+ 2
+ 2
2
c a2
c
a
2
(l l )
h1 h2 + k 1 k 2 + 1 (h1 k 2 + h2 k 1 ) + 3a
2
4c 2 1 2
cos =
2
3a 2
3a 2
h1 + k12 + h1 k1 + 2 l12 h22 + k 22 + h2 k 2 + 2 l 22
4c
4c
Tetragonal
Hexagonal
Rombodrico
cos =
a 4 d1d 2
V2
Ortorrmbico
Monoclnico
Triclnico
sen 2 (h1 h2 + k1 k 2 + l1l 2 ) +
2
+ cos cos (k 1l 2 + k 2 l1 + l1 h2 + l 2 h1 + h1 k 2 + h2 k 1 )
h1 h2 k1 k 2 l1l 2
+ 2 + 2
2
a
b
c
cos =
2
2
2
2
h1 k 1 l1 h2 k 22 l 22
2 + 2 + 2 2 + 2 + 2
b
c a
b
c
a
d 1 d 2 h1 h2 k1 k 2 sen 2 l1l2 (l1 h2 + l 2 h1 )cos

+
+ 2
sen 2 a 2
b2
c
ac
d d S 11 h1 h2 + S 22 k1 k 2 + S 33 l1l 2 + S 23 (k 1l 2 + k 2 l1 ) +
cos = 1 2 2
V S 13 (l1 h2 + l 2 h1 ) + S 12 (h1 k 2 + h2 k1 )
cos =
Fonte: Padilha, 2000.

3.10 Stios Intersticiais
Nas estruturas cristalinas existem pequenos espaos vazios entre os tomos da rede,
nos quais tomos menores podem se alojar. Essas regies da estrutura so denominadas de
stios intersticiais.
Um tomo quando se posiciona em um interstcio toca dois ou mais tomos da rede.

O nmero de coordenao do interstcio ser, portanto, igual ao nmero de tomos que ele
toca.
De acordo com a localizao, os stios nas clulas unitrias cbicas podem ser
definidos como (Figura 3.30):
Stio cbico- apresenta nmero de coordenao igual a oito e fica localizado no centro
do cubo da estrutura CS;
UFPA ITEC FEM
61
Stios octadricos - possuem um nmero de coordenao igual a seis (os tomos que
contatam o tomo intersticial formam um octaedro, com os tomos maiores ocupando as

posies regulares da rede) e ocorrem nas estruturas CCC (no centro das faces do cubo)
e CFC (no centro do cubo e no centro de suas arestas);
Stios tetradricos - possuem nmero de coordenao igual a quatro, e ocorrem nas
estruturas CCC e CFC.
Cbico
,,
Octadrico
,1,
Tetradrico
1,,
Octadricos
,, ; 0,,1
CS
CCC
Tetradrico
,,
CFC
(a)
(b)
(c)
Figura 3.30 Stios nas clulas unitrias cbicas: (a) Representao em todas as clulas;
(b) Stios na clula CCC; (c) Stios da clula CFC. Nas figuras (b) e (c) os stios so
representados pelas esferas maiores.
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62
Algumas consideraes sobre tomos (ou ons) e interstcios da rede:

tomos (ou ons) cujos raios sejam um pouco maiores que o raio do stio intersticial,
podero se alojar neste stio, deslocando levemente os tomos vizinhos;

tomos (ou ons) com raios muito menores que a cavidade do interstcio, no podero
ocupar o stio intersticial, pois iro chocalhar em torno do stio;

Se o tomo intersticial for muito grande, ele prefere se alojar em um stio com um alto
nmero de coordenao;
Um tomo que apresente uma relao de raios entre 0,225 e 0,414, tender a se alojar
em um stio tetradrico (Quadro 3.4);

Se essa relao for maior que 0,414, o tomo ocupar um stio octadrico;
No caso de metais puros (tomos com o mesmo tamanho), a relao de raios igual a 1
e o NC mximo igual a 12; o arranjo, neste caso corresponder s estruturas CFC e

HC.
Quadro 3.4 Caractersticas dos interstcios na estrutura cbica.
NC
Localizao do interstcio
Relao de raios
Linear
0 0,155
Centro do tringulo
0,155 0,225
Centro do tetraedro
0,225 0,414
Centro do octaedro
0,414 0,732
Centro do cubo
0,732 1
UFPA ITEC FEM
63
Representao
3.11 Espaamento de Repetio (Vetor de Burgers)

Outra forma de caracterizao de direes o espaamento de repetio, tambm
denominado vetor de Burgers, que a distncia entre tomos ao longo da direo. Por
exemplo, na direo [110] de uma clula unitria CFC (Figura 3.31), partindo-se da
posio 0,0,0, o prximo tomo o do centro da face, ou a posio ,,0; a distncia entre
esses dois pontos , portanto, a metade da diagonal da face, ou
r
vetor de Burgers da direo [ 110 ] da estrutura CFC ( b ) =
2
a
2
z
y
0,0,0
,,0
Vetor de
Burgers
[110]
x
Figura 3.31 Vetor de Burgers da direo [110].

3.12 Densidades Atmicas no Cristal
Nas estruturas cristalinas estudadas, verificou-se a existncia de planos e direes
mais compactas que outros, isto , planos e direes que possuem mais tomos por unidade
de rea ou de comprimento, respectivamente.
Os planos e direes compactos so de grande importncia por desempenharem um
papel significativo no processo de deformao plstica dos metais, pois os tomos de um
cristal solicitado mecanicamente escorregam (deslizam) ao longo de planos compactos,
seguindo direes compactas.
A definio de uma direo compacta envolve a definio de densidade linear de
tomos; assim, densidade linear de tomos o nmero de tomos por unidade de
UFPA ITEC FEM
64
comprimento na direo. Na estrutura CS, por exemplo, a densidade linear de tomos da

famlia de direes <100> calculada como (Figura 3.32):
nmero de tomos na direo [ 100 ]

=
comprimento da direo
0 ,5 + 0 ,5 1
=
=
a
2r
Dlinear =
Figura 3.32 Densidade linear de tomos na direo [100] da estrutura CS.

Da mesma forma, um plano compacto determinado calculando-se a sua densidade
planar, que definida como o nmero de tomos por unidade de rea no plano. Na
estrutura CS, por exemplo, a densidade planar de tomos da famlia de planos {100}
calculada como (Figura 3.33):
D planar =
=
nmero de tomos no plano ( 100 )

=
rea do plano
0 ,25 + 0 ,25 + 0 ,25 + 0 ,25
1
= 2
2
a
4r
Figura 3.33 Densidade planar de tomos no plano (100) da estrutura CS.

Tambm interessante definir a densidade volumtrica ou simplesmente densidade
da clula unitria. Considerando o material com uma estrutura perfeita, a densidade da
clula unitria (densidade terica ou calculada) representa a densidade volumtrica do
material; portanto, densidade definida como a massa por unidade de volume do material,
ou seja:
( nmero de tomos na clula unitria ) x massa do tomo

volume da clula unitria
[g/cm3]
O cobre, por exemplo, possui estrutura CFC, massa atmica igual a 63,54g/mol e
raio atmico igual 1,278, sua densidade ser igual a 8,93 g/cm3, conforme calculada na
UFPA ITEC FEM
65
Figura 3.34. Este valor menor que a densidade obtida experimentalmente (densidade
verdadeira), a qual vale a 8,96 g/cm3 (SMITH, 1998).
Estrutura CFC : 4 tomos por clula unitria

4r
a=
2
63,54
6 ,02x1023
=
= 8 ,93 g / cm3
3
1,278x108
4
Figura 3.34 Densidade volumtrica da estrutura CFC.

3.12 Referncias Bibliogrficas
ASKELAND, Donald R.; PHUL, Pradeep P. The science and engineering of materials.
4.ed. California: Brooks/Cole-Thomson Learning, 2003.
CALLISTER JR., William D. Cincia e engenharia de materiais: uma introduo. 5.ed.
Rio de Janeiro: LTC, 2002.
PACIORNIK, Sidnei. Cincia e engenharia de materiais. Apostilha de aula. Rio de
Janeiro: Pontifcia Universidade Catlica (PUC), 2007.
SMITH, William F. Princpios de cincia e engenharia de materiais. 3.d. New York:
McGraw-Hill, 1998.
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66

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Em um slido cristalino, os arranjos atmicos podem ser descritos usando, como

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ngulos entre eixos

Volume da clula unitria

Todos os ngulos diferentes

Todos os ngulos iguais,

V = a b c 1 cos 2 cos 2 cos 2 + 2 cos cos cos

Figura 3.2 Caractersticas dos sistemas cristalinos.

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Nmero de tomos por clula unitria

do ponto da rede / vrtice (8 vrtices / clula ) = 1 ponto da rede / clula

Principais Estruturas Cristalinas

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Figura 3.5 Modelos didticos das estruturas cristalinas mais comuns.

Figura 3.6 Modelo da estrutura hexagonal simples.

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A estrutura cbica a de maior ocorrncia nas substncias cristalinas. Entre os

Figura 3.7 Estrutura cbica simples (CS) ): Modelo didtico (a);

onde N = nmero de tomos que ocupam efetivamente a clula, VA = volume do tomo

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O fator de empacotamento atmico (FE) desta clula dado por:

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O fator de empacotamento atmico (FE) dado por:

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Figura 3.10 Estrutura hexagonal simples (HS).

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b.2) Estrutura hexagonal compacta (HC)

Figura 3.11 Estrutura hexagonal compacta (HC).

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Estrutura e Propriedades dos Materiais

Figura 3.12 Posicionamento de tomos na clula da estrutura HC.

UFPA ITEC FEM

Prof. Jorge Tefilo de Barros Lopes

Estrutura e Propriedades dos Materiais

a um ponto de referncia. Os planos do cristal HC apresentam apenas duas variaes de

Figura 3.13 Seqncias de empilhamento de planos para as estruturas HC e CFC.