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Parte 1 (ELO DIG)
Parte 1 (ELO DIG)
Faculdade de Engenharia
Eletrnica Digital - ECA
Prof. Fabian Vargas
NDICE
03
08
2. REGISTRADORES
18
3. CONTADORES
25
n
30
38
Elementos de Memria:
Neste captulo estudaremos dispositivos lgicos com dois estados estveis,
o estado SET e o estado RESET. Por isto, tais dispositivos so denominados
dispositivos biestveis.
Uma vez que estes dispositivos so capazes de reter indefinidamente o seu
estado (SET ou RESET), eles so usados como elementos de armazenamento de
informao. Informalmente, dispositivos biestveis memorizam o seu estado.
Estudaremos dois tipos de dispositivos biestveis: o latch e o flip-flop. A
diferena entre um latch e um flip-flop a maneira como ocorre a troca de estado:
LATCH RS - NAND
1.2.
0
1
0
1
1 1
1 0
0 1
Q /Q
INVLIDA
SET
RESET
MEMRIA
LATCH RS NOR
1.3.
0
1
0
1
Q /Q
0 1
1 0
0 0
MEMRIA
RESET
SET
INVLIDA
1.4.
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
Q
Q
Q
Q
Q
0
1
1
/Q
/Q
/Q
/Q
/Q
1
0
1
MEMRIA
MEMRIA
MEMRIA
MEMRIA
MEMRIA
RESET
SET
INVLIDA
Flip-Flop D:
CLOCK D Q /Q CONDIO
0
0
1
1
0
1
0
1
Q /Q
Q /Q
0 1
1 0
MANTM
MANTM
RESET
SET
1.5.
(/QS)
0
0
1
1
0
1
QS /QS
QM /QM 0
1
1
0
QS /QS
QM /QM 1
0
10
1.6.
ENTRADAS ASSNCRONAS
11
1.7.
FLIP-FLOP JK
equivalente a
uma NAND
12
CLOCK J K
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
/Q
Q
/Q
Q
/Q
Q
/Q
Q
/Q
Q
/Q
0
1
1
0
INVERTE INVERTE
13
1.8.
14
1.8.2 EXEMPLO 2
15
16
1.9.
CIS DE FLIP-FLOPS
1.10.
17
tHL
18
19
2. REGISTRADORES
2.1.
Obs: S e C o
mesmo que SET
e RESET
2.2.
20
2.3.
Transferncia Serial de Dados: Registradores de
Deslocamento
21
2.5.
Converso Paralelo-Paralelo
2.6.
Converso Srie-Paralelo
22
No contador em anel, uma das sadas dos flip-flops est em 1 e as outras est em 0. Por ser
um registrador de deslocamento, esse 1 transferido para o prximo flip-flop e assim
sucessivamente. A tabela abaixo mostra a seqncia da contagem.
Para o perfeito funcionamento deste tipo de contador, um dos flip-flops deve ter inicialmente
o valor 1 e os outros 0. Isso pode ser feito atravs das entradas assncronas PRESET e CLEAR.
23
24
Exerccios:
Questo 1: Dados os Flip-Flops D das Sesses 1.5 e 1.6 vistos anteriomente,
apresente as sadas Q e /Q em funo das entradas D e Ck. Suponha que a
condio inicial de Q 0.
D
Ck
FF-D,
Sesso
1.5
Q
/Q
Tempo:
D
FF-D,
Sesso
1.6
Ck
Q
/Q
Tempo:
25
Questo 3: Suponha que uma verso de 8 bits do Circuito Conversor ParaleloSrie (Sesso 2.7) esteja conectada ao Circuito Roteador ou Contador em Anel
visto na Sesso 2.8. Admitindo-se que:
a) a porta A de 8 bits de um microcontrolador esteja conectada ao
Circuito Conversor Paralelo-Srie,
b) que a sada serial do circuito conversor acima controle a entrada Clock
do Contador em Anel, e
c) que as 4 sadas do Contador em Anel estejam conectadas a 4 rels que
comandam motores na linha de produo de uma dada fbrica,
responda: qual a sequencia de endereos que o microprocessador deve colocar
na porta A para que ele envie ative cada um dos motores pelo menos uma vez
(assuma que ativar os motores implica em enviar um nvel lgico alto para o rel
que controla o referido motor.
3. CONTADORES
3.1.
Contador de Mdulo 2n
26
3.2.
27
Explique o porqu
destes pulsos
3.3.
28
3.4.
29
Exerccio:
Apresente o
Diagrama de Tempo
deste circuito
3.5.
30
onde:
Note que o estado futuro ( Qi+1 ) depende do valor atual das entradas
e do estado em que o circuito se encontra. O valor das sadas (S), por outro
lado, depende apenas do estado atual.
31
A diferena desta mquina para a de Moore que o valor das sadas (S)
funo no somente do estado atual, mas tambm do valor instantneo das
entradas. A mquina de Mealy til nas aplicaes em que a manifestao das
entradas sobre as sadas no pode ser postergada at o prximo estado Qi+1
32
33
Se E>Qi
ento Qi+1 = E
seno Qi+1 = Qi
{ Qi = S}
{prximo valor de S ser E}
{prximo valor de S ser o atual}
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CM = Comparador de Magnitude
MUX = Multiplexador 2:1
Comparador : Se E >= Qi
Ento MAIOR = 1
Seno MAIOR = 0
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Multiplexador : Se SELECT = 1
Ento Qi+1=E
Seno Qi+1=Qi
36
37
38
39
- Sada de Dados (Data Output): Correspondem aos terminais do circuito integrado onde sero
colocados os dados armazenados numa dada posio da memria, em uma operao de leitura.
- Byte: Termo usado para uma informao binria que contm 8 bits.
- Kilobyte: Termo usado para um conjunto de 1.024 bytes.
- Memria voltil: aquela que perde seu contedo na ausncia de alimentao.
- Memria fixa: aquela que no perde seu contedo na ausncia de alimentao.
- Habilitao do CI (Chip Enable): Um terminal do circuito integrado, quando polarizado
convenientemente habilita ou desabilita a operao do chip provocando uma reduo na potncia dissipada e
impedindo a operao de escrita e leitura. Normalmente tais entradas so designadas por CE (Chip Enable)
quando a habilitao com NL1 ou CE barrado quando a habilitao com NL0. Alguns chips so
designados por CS (Chip Select) em vez de CE, porm ambos tm a mesma finalidade.
As memrias podem ser divididas em dois tipos: Memrias apenas de Leitura (ROM) e Memrias de
Acesso Aleatrio (RAM).
As memrias ROM so do tipo no voltil e permitem o acesso aleatrio a qualquer um dos
endereos. Permite apenas a leitura do contedo e destinada a guardar uma informao de forma
permanente. As memrias RAM so do tipo voltil e permitem o acesso aleatrio a qualquer um dos
endereos tanto para a escrita quanto para a leitura. So usadas para armazenar temporariamente as
informaes, tais como os programas dos usurios (principalmente de computador).
40
41
(a)
Bit node
(Capacitor Drain-Bulk)
Gnd
(b)
(c)
Fig. 6.4. Memria RAM: (a) Estrutura interna bidimensional de uma memria; (b) Clula de memria
SRAM; (c) Clula de memria DRAM
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A figura seguinte mostra que a RAM dinmica apresenta um terminal a mais em relao RAM esttica,
responsvel pelo Refresh (revivamento) a fim de no perder o contedoarmazenado dentro das clulas.
A tabela abaixo mostra os valores que devem ser inseridos nos terminais CE e WE para que se
possa acessar a memria para leitura e escrita.
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A0
A1
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A barra em cima do nome do sinal indica que o sinal ativo baixo, isto , o sinal deve ser considerado
ativado ou verdadeiro quando o seu nvel eltrico baixo e desativado ou falso quando o seu nvel eltrico
alto.
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ENDEREOS
Palavras
Endereveis
(23 bits)
31
0
0000 0000
001F FFFF
0020 0000
003F FFFF
0040 0000
005F FFFF
0060 0000
007F FFFF
15
Mem0
Mem1
2M
Mem2
Mem3
2M
Mem4
Mem5
2M
Mem6
Mem7
2M
Bancos de
Memria
Linhas de Endereo
22
21
20
19
Mem0/Mem1
0
0
0
0
0
1
0
1
1
1
0
1
0
1
A22
Mem2/Mem3
0
0
Mem4/Mem5
1
1
0
0
0
1
0
1
A21
Mem6/Mem7
1
1
1
1
0
1
0
1
Chip Select's:
Mem0/Mem1
Mem2/Mem3
Mem4/Mem5
Mem6/Mem7
46
Fig. 6.9. Organizao do Sistema de Memria com capacidade para 16MBytes e palavras de 16 bits.
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Exerccio:
Dada uma clula de memria RAM, pergunta-se.
a) esssa clula de uma RAM esttica ou dinmica? Justifique.
b) Preencher a tabela abaixo indicando se os transistores MOS esto cortados (0 =) ou conduzindo
(= 1), de acordo com a ordem dos fatos.
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ROM (Read Only Memory): Essa foi o primeiro tipo de memria da famlia ROM que surgiu e a
informao gravada pelo fabricante atravs da queima de componentes (diodos, fusveis ou transistores
bipolares) em uma matriz conforme a solicitao do projetista.
O funcionamento por queima de componentes muito simples. Sempre que houver a necessidade de
se gravar 1 mantm-se a integridade do componente, caso contrrio queima-se o mesmo. Para uma memria
constituda de fusveis, quando se coloca Vcc no terminal de entrada de um fusvel, obtm-se na sada o
nvel lgico 1. No entanto, quando se coloca Vcc no terminal de entrada de um fusvel queimado, obtmse na sada o nvel lgico 0, formando assim a lgica de gravao de uma memria do tipo ROM.
A utilizao da memria ROM tem duas grandes desvantagens:
1- Como a gravao depende do fabricante, o projetista fica sujeito a morosidade da entrega da
memria gravada.
2- O custo alto, viabilizando o uso da memria apenas para produtos produzidos em larga escala,
pois a aquisio de memrias em grandes volumes reduz o custo por unidade.
PROM (Programmable Read Only Memory): Esse tipo de memria soluciona os problemas
levantados pelas desvantagens do uso da memria ROM, pois nesse caso a gravao feita pelo prprio
projetista. Essa gravao funciona da mesma maneira que na ROM, ou seja, por queima de componentes
(normalmente diodos ou fusveis).
O procedimento para a queima dos componentes fornecido pelos fabricantes e especfico para cada
circuito. A gravao executada atravs de um aparelho chamado Gravador de PROM, que tem como
funo a queima dos componentes conforme a tabela de gravao do projeto.
A memria PROM apresenta ainda uma grande desvantagem, pois uma vez programada (gravada)
no pode ser apagada para correes ou nova utilizao. Isto ocorre porque uma vez que houve a queima dos
componentes impossvel a sua substituio.
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): Essas memrias podem ser
programadas e reprogramadas pelo usurio, ou seja, em caso de erros de programao o chip no precisa ser
descartado, como no caso das memrias ROM e PROM. A programao (gravao) feita pela aplicao de
sinais eltricos convenientes em pinos do chip e indicados pelos fabricantes.
A EPROM um dispositivo com arquitetura similar s PROMs, mas do tipo MOS (Metal Oxide
Semicondutor), onde o conjunto inteiro das informaes armazenadas pode ser apagado atravs da aplicao
de raios ultravioleta em uma janela de quartz localizada numa das faces do chip. Este raio deve possuir
comprimento de onda em torno de 2.537 , uma potncia prpria indicada pelo fabricante e ser aplicado
durante um intervalo de tempo situado entre 10 e 30 minutos. A gravao feita atravs de circuitos
eletrnicos especiais, ou seja, um aparelho chamado de Gravador de EPROM.
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Transistor nMOS
Transistor pMOS
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Dimensionamento de Memrias:
O dimensionamento de memrias igual para qualquer tipo de memria, seja da famlia ROM ou da
famlia RAM. Para melhor compreender o dimensionamento ou tamanho de memria, vamos exemplificar
atravs das figuras seguintes:
Nesse exemplo ento, a memria tem tamanho de 2.048 x 10, ou seja, 2.048 endereos sendo que em
cada endereo tem 10 bits. Nesse exemplo, como existem 2.048 endereos ento existem 2.048 pinos no chip
para poder acessar cada um desses endereos?
Claro que no, pois se voc reparar na figura B (pinagem do circuito integrado) vai observar que
existem 11 pinos para o endereamento dos 2.048 endereos, que vai do pino A0 at o pino A10. Isso
possvel devido a seguinte frmula:
2.048 x 10 ou 2K x 10 ou 211 x 10
Quando for comprar uma memria, nunca se deve solicitar ao vendedor pelo tamanho (dimenso) da
mesma e sim pelo cdigo obtido atravs dos databooks dos fabricantes de memrias. Caso no tenha o
tamanho necessrio para o projeto, deve-se ento partir para a Associao de Memrias.
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Verificando-se o exemplo da configurao interna da figura, nota-se que o cruzamento dos endereos com as
sadas d-se atravs de diodos (no caso ainda virgens). Sendo uma ROM ou PROM tanto pode ter nos
cruzamentos diodos como fusveis ou transistores que funcionaro pela queima dos mesmos.
Se a memria for constituda internamente por transistores bipolares, o tempo de acesso de
aproximadamente 50 ns. Tempo de acesso significa o perodo decorrido desde o momento em que a memria
foi endereada at que a palavra esteja disponvel na sada da memria.
As memrias EPROM ou E2PROM so constitudas com o mesmo tipo de arquitetura interna, ou seja
matricial (endereos por sadas), s que o cruzamento feito atravs de transistores da famlia MOS.
O tempo de acesso atravs de dispositivos MOS de aproximadamente 400 ns. A vantagem do transistor
MOS por ser mais econmico, mas em compensao mais lento que o bipolar.
Exemplo: Determine como ser a gravao de uma memria ROM 8 x 4, conforme a tabela abaixo:
Resposta: O desenho abaixo representa uma memria ROM virgem de tamanho 8 x 4, ou seja, 8
endereos (3 pinos de entrada) por 4 bits por endereo (4 pinos de sada). Observe que o DEMUX tem a
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funo de decodificar os 3 pinos de entrada (A2, A1 e A0) em 8 endereos, onde cada endereo corresponde a
uma coluna e cada sada corresponde a uma linha. O cruzamento das colunas com as linhas feito atravs dos
diodos (ainda no queimados).
A prxima figura representa o circuito interno da memria ROM com os componentes j queimados
segundo a tabela de gravao necessria para a realizao do suposto projeto. Os diodos queimados esto
ausentes no desenho e em seu lugar aparece uma pequena mancha que representa a queima do componente.
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