Memrias

Circuitos Lgicos
DCC-IM/UFRJ
Prof. Gabriel P. Silva

Memrias
As memrias so componentes utilizados para
armazenar dados e instrues em um sistema
computacional.
As memrias podem apresentar propriedades
distintas, de acordo com a tecnologia com que
so fabricadas.
So utilizadas em aplicaes diferentes, de
acordo com a velocidade de leitura e escrita
dos dados, capacidade de armazenamento,
volatilidade da informao, consumo, etc.
Iremos ver a seguir algumas classificaes
possveis para as memrias de estado slido.

Classificao das
Memrias
Memrias Volteis
As memrias volteis so aquelas que mantm o seu
contedo apenas enquanto h alimentao eltrica.
Uma vez que a alimentao desligada, o contedo
se perde.

Memrias No Volteis
So aquelas em que a informao preservada
mesmo aps a perda da alimentao eltrica.
Quando a alimentao restabelecida, os dados
podem ser novamente lidos sem nenhuma alterao
no seu contedo.

Classificao das
Memrias
As memrias volteis se dividem em
duas grandes categorias:
Memrias de Acesso Aleatrio:
Os dados podem ser lidos ou escritos sem
uma ordem pr-estabelecida. Pertencem a
esta categoria as memrias estticas e
dinmicas.

Memrias de Acesso Seqencial:

Os dados podem ser lidos e escritos apenas
em uma determinada seqncia. As
memrias FIFO e os registradores de
deslocamento so alguns exemplos.

Memrias Estticas e
Dinmicas
As memrias volteis de acesso
aleatrio (RAM) podem ser estticas ou
dinmicas dependendo da tecnologia
com que so fabricadas.
As memrias dinmicas recebem este nome
porque necessitam ter a sua informao
periodicamente atualizada, isto , lidas e
novamente escritas sob o risco dos dados
serem perdidos.
As memrias estticas no precisam deste
tipo de operao, preservando a informao
enquanto houver alimentao.

Classificao das
Memrias
As memria no volteis podem ser de
leitura/escrita ou apenas de leitura.
Esta classificao se deve ao fato de
que originalmente as memrias no
volteis eram apenas de leitura.
At hoje h uma certa confuso entre
memrias apenas de leitura ROM e
memrias no volteis, aparecendo
uma como equivalente da outra,
embora isto no seja correto.

Memrias No Volteis
As memrias no volteis mais recentes
podem ser lidas e escritas, e podem
preservar o contedo armazenado
mesmo quando no perdem a
alimentao eltrica.
Com exemplo de memrias no volteis
de leitura/escrita temos as memrias
FLASH que so utilizadas em
dispositivos com pendrives e cartes
de memria.

Classificao das
Memrias
Memrias Volteis
Acesso Aleatrio
Memrias Estticas e Dinmicas

Acesso Seqencial
LIFO, FIFO, Registrador de Deslocamento, CAM

Memrias No Volteis
Leitura/Escrita
EPROM, E2PROM, FLASH

Apenas Leitura
Programvel por Mscara
Programvel (PROM)

Classificao das
Memrias
RWM

Random
Access

Non-Random
Access

SRAM

FIFO

DRAM

LIFO
Shift Register
CAM

NVRWM

ROM

EPROM

Mask-Programmed

E2PROM

Programmable (PROM)

FLASH

Mercado de Memrias

Memrias Estticas
(SRAM)
Vantagens:
Os dados permanecem armazenados enquanto
houver alimentao;
So mais rpidas;

Desvantagens:
As clulas de memria so maiores, com cerca de 6
transistores;
O consumo de energia maior;
A capacidade de armazenamento menor.

So utilizadas na memrias caches dos

processadores.

Memrias Dinmicas
(DRAM)
Vantagens:
As clulas de memria so menores, com apenas um
transistor e um capacitor;
O consumo de energia menor;
A capacidade de armazenamento maior.

Desvantagens:
A atualizao peridica dos dados necessria;
O ciclo de leitura maior que o de escrita;
So mais lentas que as estticas.

So utilizadas na memria principal dos

computadores.

Clula de Memria
Esttica
WL
V DD
M2

M4
Q
M6

Q
M5
M1
BL

M3
BL

Layout de Clula de
Memria Esttica

Clula DRAM com 3

transistores
WWL
WWL

RWL

write
Vdd

M3
M1

BL1

M2

Cs

Vdd-Vt

RWL

read

BL2
BL1

BL2

As leituras no so destrutivas

Vdd-Vt

Layout Clula
DRAM com 3T
BL2

BL1

GND

RWL
M3
M2

WWL
M1

Comparao de Layout

Clula D-RAM com 1

transistor
WL

WL
M1
Cs

CBL

BL

write
1

read
1

X
X

BL
Vdd/2

Vdd-Vt
Vdd
sensing

Escrita: Cs carregado (ou descarregado) ativando WL e BL

Leitura: redistribuio de cargas ocorre entre CBL e Cs
A leitura destrutiva, deve haver atualizao aps a leitura

Clula DRAM 1T
Capacitor

Metal word line

SiO2

poly
n+

Field Oxide

n+
poly

M1 word
line

Inversion layer
induced by
plate bias

Diffused
bit line
Polysilicon
Polysilicon
plate
gate

(a) Corte Transversal

(b) Layout

Capacitncia com Polisilicio-Difuso

Caro em rea

Foto da Clula DRAM 1T

Matriz de Memria
WL

WL

WL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

BL

Matriz de Memria
Problema: FATOR DE FORMA ou ALTURA >> LARGURA

AK
A K+1
A L-1

Linha Bit (BL)

Decodificador de
Linha

2 L-K

Clula de Memria
Linha Word (WL)

M.2 K
Amplificador Sensor / Drivers
A0
A K-1

Decodificadores de Coluna

Entrada - Sada
(M bits)

Amplifica a amplitude
do sinal da clula
Seleciona a palavra apropriada

Matriz de Memria

Acesso Memria

Acesso Memria

Intel Pentium 4

Processador
((Cache Inclusa)
Controlador de Memria
((North Bridge)

Barramento de Sistema
((Front Side Bus, FSB)

Memria
2 canais com DDR-2
com 64 bits de dados
Placa Grfica (PCI Express)
Discos (Serial ATA)
UDIO
USB
PCI-Express

Slots PCI (6)

Wi-Fi

Controlador de E/S
((South Bridge)

Subsistema de E/S

Memrias Sncronas

As memrias sncronas so um tipo de DRAM,

onde a leitura ou escrita dos dados sincronizada
por um relgio de sistema ou de barramento.
As memrias sncronas so projetadas para
permitir a leitura ou escrita, depois da latncia
inicial, em modo rajada (burst mode) em uma
taxa de um ciclo de relgio por acesso.
Elas se aproveitam do fato de que os modernos
processadores possuem memrias caches internas
e, a cada cache falha, linhas inteiras de bytes com
endereos seqenciais so lidas ou escritas da
memria de uma nica vez.
Com isso, o seu desempenho significativamente
superior ao das memrias assncronas.

Memrias Sncronas

Memrias SDRAM
Originalmente conhecidas como apenas
"SDRAM", as Single Data Rate DRAMs podem
aceitar um comando e transferir uma palavra de
dados por ciclo de relgio.
Velocidades tpicas de relgio dessas memrias
so 100 ou 133 MHz, cujos mdulos so
conhecidos como PC-100 e PC-133.
Essas pastilhas de memria so feitas com
largura varivel do barramento de dados (os
valores mais comuns so 4, 8 ou 16 bits)
So agrupadas geralmente em pentes DIMMS
com 168 pinos que lem ou escrevem 64 bits
(sem correo de erros ECC) ou 72 bits (com
ECC) de dados ao mesmo tempo.

Memrias SDRAM e
DDR

Memrias DDR
As memrias DDR SDRAM ou double-datarate synchronous dynamic random access
memory so uma classe de memria que
alcana maior largura de banda atravs da
transferncia de dados na subida e na descida
do sinal de relgio.
Efetivamente, isto praticamente dobra a taxa
de transferncia sem aumentar a freqncia
da interface de barramento do processador
(front side bus).
Assim, uma clula de memria DDR-200 opera
na realidade com uma freqncia de relgio de
apenas 100 MHz e possui uma largura de
banda de cerca de 1600 MB/s.

Memrias DDR2
Como as memrias DDR, as memrias DDR2
transferem os dados tanto na subida como na
descida do relgio.
A diferena principal entre elas que a
freqncia interna dos buffers da DDR2 o
dobro da velocidade das clulas de memria, e
a taxa de transferncia externa o dobro
daquela dos buffers, permitindo que quatro
palavras de dados sejam transferidos por ciclo
de memria.
Ento, sem acelerar as clulas de memria
propriamente ditas, a DDR2 pode operar
efetivamente com o dobro da velocidade de
uma memria DDR.

Memrias DDR2

Memrias DDR2

Memrias DDR2
Um custo para essas otimizaes o aumento
da latncia, j que as clulas levam duas
vezes mais tempo (em termos de ciclos de
barramento) para produzir um resultado e os
buffers utilizados adicionam ainda mais atraso.
Enquanto a memria DDR tem latncias de
leitura (tempo de acesso) tipicamente entre 2
e 3 ciclos, as memrias DDR2 podem ter
latncias entre 3 e 9 ciclos.
Por causa das latncias, considera-se que as
memrias DDR, rodando na mesma
freqncia, tem um desempenho superior s
memrias DDR2. Essas ltimas, contudo,
alcanam velocidades de relgio superiores.

Memria DDR2

Nome

Clock da
Memria

Tempo do
Ciclo

Clock do I/O
Bus

Transferncias
por segundo

Nome do
Mdulo

Taxa de
Transferncia
de Pico

DDR2-400

100 MHz

10 ns

200 MHz

400 Milhes

PC2-3200 3200 MB/s

DDR2-533

133 Mhz

7.5 ns

266 Mhz

533 Milhes

PC2-4200 4266 MB/s

DDR2-667

166 MHz

6 ns

333 MHz

667 Milhes

PC2-5300 5333 MB/s

DDR2-800

200 MHz

5 ns

400 MHz

800 Milhes

PC2-6400 6400 MB/s

DDR2-1066

266 Mhz

3.75 ns

533 MHz

1066 Milhes

PC2-8500 8533 MB/s

DDR2-1300

325 Mhz

3.1 ns

650 MHz

1300 Milhes

PC2-1040 10400 MB/s

Memrias DDR x DDR2

As memrias DDR so comumente encontradas
nos padres DDR-266, DDR-333 e DDR-400.
As memrias DDR2 podem ser obtidas nos padres
DDR-400, DDR-533, DDR-667 e DDR-800.
Na verdade, tanto no caso da memria DDR
quanto no caso da memria DDR2, esses valores
correspondem metade. Por exemplo, a memria
DDR2-667 na realidade trabalha a 333 MHz.
Uma memria DDR-400 tem desempenho superior
uma memria DDR2-400, embora ambas
trabalhem com uma freqncia de barramento de
200 MHz e tenham a mesma taxa de transferncia
nominal de 3.200 MB/s (200 x 2 x 8 bytes)

Memrias DDR x DDR2

Os pentes de memria DIMM DDR2 no so
compatveis com as memrias DIMM DDR.
O dente est colocado em uma posio
diferente e a densidade de pinos ligeiramente
maior, 240 pinos no mdulo da DDR2 contra 184
pinos no mdulo da DDR.
Nas memrias DDR a terminao resistiva
necessria para a memria funcionar est
localizada placa-me. J na DDR2 este circuito
est localizado dentro do chip de memria.
Enquanto o tipo DDR trabalha com 2,5 V, a
tecnologia DDR2 requer 1,8 V, implicando em um
menor consumo de energia.

Memrias DDR e DDR2

Memrias DRAM
Memria

SDRAM PC-100
SDRAM PC-133
DDR-200 ou PC-1600
DDR-266 ou PC-2100
DDR-333 ou PC-2700
DDR-400 ou PC-3200
DDR2-400 ou PC2-3200
DDR2-533 ou PC2-4200
DDR2-667 ou PC2-5300
DDR2-800 ou PC2-6400

Velocidade
800 MB/s
1.064 MB/s
1.600 MB/s
2.128 MB/s
2.656 MB/s
3.200 MB/s
3.200 MB/s
4.256 MB/s
5.328 MB/s
6.400 MB/s

Desempenho das
Memrias

Memrias Flash

Uma memria de leitura e escrita que mantm o

seu contedo mesmo sem alimentao;
A memria Flash evoluiu das memrias EEPROM
(Electrical Erasable PROM) e seu nome foi criado
pela empresa Toshiba para expressar o quo
rpido ela poderia ser apagada;
A memria FLASH amplamente utilizada para
armazenamento em mdulos como pendrives e
cartes de memria.
H alguns anos as memrias FLASH substituram
as memrias ROMs como memrias BIOS dos
PCs, assim elas podem ser atualizadas
diretamente nas placas ao invs de serem
removidas e substitudas.

Memrias Flash

Uma grande limitao das memrias flash que

embora elas possam ser lidas ou escritas byte a
byte, como em uma memria comum, elas
devem ser apagadas em bloco.
Usualmente todos os bits so levados para '1'.
Assim, em um bloco de memria flash
totalmente apagada, qualquer posio dentro
desse bloco pode ser programado.
Contudo, uma vez que um bit tenha sido
colocado em '0, apenas apagando todo o bloco
eel pode ser colocado novamente em '1'.
E outras palavras, as memrias flashs pode ser
lidas e escritas aleatoriamente, mas no
oferecem este tipo de facilidade para operaes
de re-escrita ou apagamento.

Memrias Flash

Memrias Flash

Memrias Flash
(NOR x NAND)

As memrias Flash so construdas de portas

NOR ou NAND. As memrias NOR funcionam
como a memria de um computador, enquanto
que as memrias NAND funcionam como se
fossem um disco rgido.
As memrias Flash do tipo NOR so utilizadas em
cmeras digitais, aparelhos celulares e PDAs
armazenando o sistema operacional e outros
dados que mudam com pouca freqncia.
As memrias Flash do tipo NAND so utilizadas
para armazenar dados em pendrives para USB,
tocadores de MP3 e fotos em cmeras digitais.

Memrias Flash
(NOR x NAND)

Menor rea
Roteamento + Simples

Memrias Flash
(NOR x NAND)

Memrias Flash (NOR)

Desenvolvidas pela Intel em 1998, as

memrias Flash do tipo NOR permitem um
acesso aleatrio de alguns bytes, o que
ideal para a execuo de instrues de um
programa.
As memria Flash do tipo NOR permitem
cerca de 100.000 ciclos de escrita antes de
se esgotarem.
As clulas devem ser apagadas em blocos de
64, 128 ou 256 KB antes de serem escritas.
Isto pode levar alguns segundos.
Contudo, a leitura e escrita de um byte por
vez muito rpida.

Memrias Flash (NOR)

Memrias Flash (NAND)

Desenvolvidas pela Toshiba um ano depois das

memrias NOR da Intel, a memria Flash do tipo
NAND parece como um disco rgido para o sistema
operacional.
Leituras e escritas so feitas em blocos de 512
bytes (igual ao setor de um disco) de um modo
mais rpido que nas memrias NOR.
Contudo, tipicamente, pginas com 2 KB (quatro
blocos) so lidas e escritas de uma vez.
Antes da escrita, as clulas so apagadas em
blocos de 16 a 512 KB.
Menos cara que a Flash do tipo NOR, a Flash
NAND pode ser reescrita at 1.000.000 de vezes.

Memrias Flash (NAND)

1Gbit NAND Flash

Memrias Flash
(NOR x NAND)

Memrias Flash
(NOR x NAND)

http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory