CAPACITOR M.O.S.(METAL-OXIDO-SEMICONDUTOR).

1. INTRODUO.
A estrutura de um capacitor MOS apresenta trs interfaces: metal-xido, xidosemicondutor e semicondutor-metal, como ilustra a Figura. 1(a). A Figura.1(b) apresenta o
diagrama de faixas (ou bandas) de energia de um capacitor MOS ideal em equilbrio
termodinmico. Um capacitor considerado ideal quando: no h presena de cargas no xido
ou na interface Si/SiO2 , as funes trabalho do semicondutor e do metal so idnticas, e a
distribuio de dopantes no substrato (semicondutor) uniforme.
_____I____
eletrodo superior - metal
\\\\\\\\\\\\\\\\
isolante (xido) SiO2

SiO 2
substrato de Si (tipo p)
Si - p
base - metal \\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\
__I__
-Figura.1(a)Estrutura de um capacitor MOS, com substrato de Si tipo-p.

Figura.1(b)Diagrama de bandas de energia de um capacitor MOS ideal, com substrato

tipo-p [9].

89

Um capacitor MOS fabricado da seguinte forma: sobre uma lmina (substrato)

semicondutora depositada ou crescida (oxidao trmica) uma camada fina de material
isolante (xido). Utilizando-se material condutor (metal), so formados dois eletrodos: o
primeiro sobre a camada de xido (denominado eletrodo superior) e o segundo sob a lmina
(denominado eletrodo do substrato), como ilustra a Figura.1(a).
Basicamente, os dispositivos com estrutura metal-xido-semicondutor (MOS), quando
polarizados por um sinal de tenso eltrica aplicado entre seus eletrodos, operam sob o efeito
do campo eltrico resultante na superfcie do semicondutor. Em 1926,
Lilienfeld [1]
apresentou o primeiro estudo sobre estes dispositivos. Em 1935, Heil [2] sugeriu que
dispositivos amplificadores de estado slido poderiam ser obtidos, utilizando-se este efeito de
campo. Shockley [3] demonstrou experimentalmente o efeito da modulao da condutncia em
semicondutores atravs da aplicao de campos eltricos em filmes finos de semicondutores.
A partir de 1957, a tecnologia planar revolucionou a fabricao dos dispositivos
semicondutores. Esta tecnologia foi desenvolvida pela primeira vez por Frosch e Derrick [4],
que utilizaram filmes de dixido de silcio (SiO2) como camada de proteo e tambm como
mscara para etapas de processo de difuso. Mas esta tecnologia s foi concretizada em 1960
por Hoerni [5], que obteve diodos e transistores planares de silcio.
A partir de 1960, com o processo de oxidao trmica, Khang e Atalla [6] obtiveram
uma camada de dixido de silcio de boa qualidade crescida termicamente e produziram o
primeiro transistor MOS. Baseando-se neste trabalho, o transistor MOS foi aperfeioado por
Hofstein e Heiman [7] em 1963 e a sua fabricao foi iniciada imediatamente. No entanto, estes
transistores apresentaram variaes nas caractersticas eltricas devido ao deslocamento de
cargas no xido de porta sob condies de elevado campo eltrico e alta temperatura,
obrigando a paralisao da produo pouco depois.
A partir de 1965, compreendeu-se a causa da instabilidade dos dispositivos M.O.S., com
a publicao do primeiro trabalho sobre contaminao do xido por ons sdio (Na+) [8].
Demonstrou-se que as cargas contaminantes do dixido de silcio eram ons mveis,
principalmente ons de sdio de carga positiva. Algumas solues para a reduo da
contaminao foram propostas [11,12]:
i) a utilizao de xido de silcio de porta dopado com fsforo - esta tcnica permite
diminuir bastante a mobilidade dos ons mveis, mas causa polarizao do xido, que no
diminui as variaes na caracterstica eltrica;
ii) a incorporao de cloro ao xido de silcio de porta - esta tcnica permite a fixao
dos ons mveis, sendo bastante utilizada em processos de oxidao trmica em temperaturas >
10000C;
iii) a utilizao do nitreto de silcio (Si3N4) ou xido de silcio nitretado como dieltrico
de porta - os filmes de Si3N4 permitem que a mobilidade dos ons mveis seja extremamente
reduzida, mas as etapas de obteno dos filmes por CVD, RTP ou nitretao trmica do xido
de silcio convencional envolvem tecnologia complexa e problemas com a integridade do filme
pela eventual incorporao de hidrognio.
Atualmente, a tecnologia MOS. proporciona a fabricao de dispositivos de alta
qualidade com dimenses submicromtricas e baixo consumo de potncia. Isto devido ao
melhor controle da contaminao e da gerao de partculas nos ambientes de processo, e s
etapas de limpeza mais eficientes, que proporcionam uma melhor estabilidade das propriedades
da interface SiO2/Si. Alm disso, o grupo de dispositivos com estrutura MOS vem aumentando
consideravelmente com o uso de outros materiais semicondutores como o germnio e os
semicondutores do grupo III-V (arseneto de glio (GaAs) e fosfeto de ndio (InP), por
exemplo) e de outros filmes dieltricos como o nitreto de silcio (Si3N4), a alumina (Al2O3), o
oxinitreto de silcio (SiOxNy) ou a intercalao de camadas dieltrica (Si3N4/SiO2 ou
SiO2/Si3N4/SiO2).

90

2 - CAPACITOR MOS [9]: CARACTERSTICA C-V.

Na Figura.2 apresenta-se um esboo das curvas C-V de um capacitor MOS ideal, com
substrato tipo p (a) e n (b), obtidas pela aplicao de uma tenso positiva e negativa entre os
eletrodos [9].

Figura.2 (a)Esboo de uma curva C-V de um capacitor MOS ideal, com substrato tipo-p;
(b)Esboo de uma curva C-V de um capacitor MOS ideal, com substrato do tipo-n.
Para uma anlise qualitativa das caractersticas C-V de um capacitor MOS ideal
necessrio definir seis diferentes situaes de polarizao em funo de f e s, sendo VG a
tenso no eletrodo superior em relao ao eletrodo do substrato (aterrado). O potencial de
superfcie do semicondutor s funo de VG e est relacionado com o encurvamento das
bandas de energia. Considera-se nesta descrio que o substrato do tipo-p. Para o substrato
do tipo-n a descrio semelhante. Na superfcie do semicondutor podem ocorrer seis
situaes:
1)VG<<0 - s<<0 - acumulao de portadores majoritrios (lacunas);
2)VG=0 - s=0 - condio de banda plana (no h encurvamento das bandas de
energia);
3)VG>0 - f>s>0 - formao da camada de depleo de lacunas (portadores
majoritrios);
4)VG>>0 - s=f - condio de superfcie intrnseca, ou seja, superfcie do
semicondutor com concentrao de portadores majoritrios (lacunas) igual a de minoritrios
(eltrons);
5)VG>>>0 - 2f>s>f - condio de inverso fraca - concentrao de portadores
minoritrios (eltrons) maior que a de majoritrios (lacunas);
6)VG>>>>0 - s>2f - condio de inverso forte - concentrao de eltrons muito
maior que a de lacunas;
As caractersticas C-V (Figs.2 (a) e (b)) podem ser divididas em trs regies:

91

(i) Regio de acumulao: aplicando-se uma tenso negativa na eletrodo superior (VG
<< 0), as lacunas, que so os portadores majoritrios (substrato tipo-p), so atradas
superfcie do substrato (interface xido/semicondutor). A concentrao de lacunas aumenta
na superfcie do silcio, formando-se uma regio de acumulao de portadores majoritrios. O
nvel de energia de Fermi (EFS) aproxima-se da banda de valncia. Como este nvel
mantm-se constante em equilbrio trmico, h um encurvamento das bandas de energia de
valncia (Ev) e conduo (Ec) (Figura.3(b)). A camada de acumulao, para uma concentrao
alta de portadores majoritrios, pode ser considerada como o segundo eletrodo de um
capacitor de placas paralelas, pois o primeiro o eletrodo superior, resultando em um campo
eltrico Ep = -VG/tox no xido, como ilustra a Figura.3(a). Em condio de acumulao forte,
desde que ocorra um contato hmico direto entre o substrato tipo-p e a regio de
acumulao das lacunas, a capacitncia da estrutura MOS mxima e aproximadamente igual
a capacitncia no xido, que :
C max = Cox = (o.ox.A)/tox

(1),

onde:
Cox - capacitncia no xido; o - permitividade no vcuo;
ox - permitividade do xido; tox - espessura do xido;
A - rea do eletrodo superior.
VG << 0

----------------SiO2
Ep=-VG/tox

++++++++++++
Si-p

regio/acumulao

-metal

SiO

(a)

Si-p

(b)

Figura.3(a) Esquematizao da regio de acumulao no capacitor; (b) Diagrama de

bandas de energia na estrutura MOS, com o encurvamento nos nveis de energia
Ec, Ev e Ei.
Diminuindo-se a tenso negativa no eletrodo superior (VG<0), a camada de acumulao
de portadores majoritrios reduzida, pois o campo eltrico no xido fica menos intenso.
Diminuindo-se ainda mais a tenso na eletrodo superior para VG=0, a camada de acumulao
extinta, tornando as concentraes de portadores na superfcie semelhante as do corpo do
substrato. Nesta condio no h encurvamento das bandas de energia (condio de banda
plana - "flat band"- Figs.4(a) e (b)) e a tenso aplicada no eletrodo superior denominada
tenso de banda plana (Vfb), sendo Cfb a capacitncia de banda plana correspondente. Para o
capacitor MOS ideal, a tenso Vfb nula.

92

VG = 0

- -- SiO2
+ + + +
Si-p

-metal

SiO 2

Si-p

_ (a)
(b)
Figura.4(a)- Esquematizao da condio de banda plana no capacitor; (b) Diagrama de
bandas de energia na estrutura MOS - no h encurvamento das bandas de energia.
(ii) Regio de depleo: para uma tenso no eletrodo superior maior que a tenso de
banda plana (VG > Vfb), ocorre um deslocamento dos portadores majoritrios (lacunas) da
superfcie do substrato, expondo os ons das impurezas aceitadoras (cargas negativas). Assim,
forma-se uma regio de depleo de portadores na superfcie, com largura Wd, constituda
pelos ons aceitadores, que compensa o campo eltrico aplicado (Figura.5(a)). Na condio de
depleo, ocorre a aproximao do nvel de Fermi em direo ao meio da banda proibida do
semicondutor e o encurvamento de bandas, como esquematizado na Figura.5(b).
Ressalta-se que a largura Wd proporcional ao potencial de superfcie s (VG), que
est relacionado com o encurvamento das bandas, ou seja, funo da tenso V G aplicada na
eletrodo superior. Wd dado por [10]:
W d = [(2.si.s)/(q.NA,D)]1/2
(2),
onde:
si - coeficiente de permissividade eltrica do silcio; q - carga do eltron;
NA,D- concentrao de dopantes aceitadores ou doadores no silcio.
A esquematizao da regio de depleo e o respectivo diagrama de bandas de energia
da estrutura MOS esto nas Figs.5(a) e (b).
VG > 0

+ + +
SiO2
Ep= VG/tox

- - - - - Wd
+ + +
Si-p

regio/depleo

SiO2
Si-p
(a)
(b)
Figura.5(a) Esquematizao da regio de depleo no capacitor;(b) Diagrama de bandas
do silcio, com o encurvamento dos nveis Ec, Ev e Ei.
--

metal

93

A capacitncia relacionada a regio de depleo (Csd) associada em srie com a

capacitncia do xido do eletrodo superior, resultando em uma capacitncia total da estrutura
do capacitor MOS:
Ct(VG) = [(1/Cox) + (1/Csd(VG))]1/2

(3),

onde:
Ct(VG)- capacitncia total da estrutura MOS;
Cox - capacitncia do xido (Eq.1);
Csd(VG)- capacitncia da regio de depleo, que dada por:
Csd (VG) = si/Wd(VG)

(4),

onde:
si - constante dieltrica do silcio.
(iii) Regio de inverso: aumentando-se ainda mais a tenso V G aplicada na eletrodo
superior da estrutura MOS (VG >> Vfb), consegue-se igualar as concentraes de portadores
(minoritrios e majoritrios) com a concentrao do nvel intrnseco do semicondutor (n=p=ni).
Neste caso, os nveis intrnseco e o de Fermi no diagrama de bandas assumem valores iguais.
Ocorre a atrao de portadores minoritrios (eltrons) em direo a superfcie do substrato.
Forma-se uma camada de inverso do tipo-n na interface Si/SiO2 . Com um valor maior de
VG (mantendo-se as condies de equilbrio), h um aumento na concentrao de eltrons
na superfcie do substrato, s(VG) torna-se saturado e Wd torna-se constante, alcanando um
valor mximo. Esta a condio de inverso forte (VG>2Vfb s>2f), com Wd = Wmax
(regio de depleo com largura mxima). O nvel de Fermi aproxima-se da banda de
conduo prxima da superfcie, como mostra as Figs.6(a) e (b).
VG >>>0

++++++++++
SiO2
Ep= VG/tox

--------------------- - - - - Wd
Si-p

camada/inverso
regio/depleo

SiO2
Si-p
(a)
(b)
Figura.6(a) Esquematizao da regio de inverso forte no capacitor; (b) Diagrama
de bandas de energia com os encurvamentos dos nveis de energia Ec, Ev e Ei.
--

metal

O valor da capacitncia da estrutura MOS, em condio de inverso, funo da

freqncia do sinal ac de polarizao aplicado na eletrodo superior [10]. Para as medidas C-V
em baixa freqncia, tipicamente entre 5 a 100 Hz, o perodo de um sinal ac muito maior
que o tempo de resposta dos portadores minoritrios. Ento, quando formada a camada de
inverso, ocorre a gerao de pares eltron-lacuna suficiente para compensar o sinal aplicado,
ou seja, os eltrons (portadores minoritrios) em alta concentrao acompanham o sinal ac de
baixa freqncia, mantendo-se um estado de equilbrio. Assim, a capacitncia total para a
condio de inverso torna-se igual a Cox (Eq.1).

94

Para medidas C-V em alta freqncia (> 1 kHz), em condies de acumulao e

depleo, h portadores majoritrios em concentrao suficiente para responder um sinal ac
deste tipo. Mas, na inverso, a capacitncia determinada pelo tempo de resposta dos
portadores minoritrios. Para um sinal de polarizao em alta freqncia, h um atraso dos
portadores minoritrios em relao a este sinal ac, ou seja, estes portadores no so gerados
em taxa alta suficiente para compensar o sinal aplicado na eletrodo superior. Ocorre a
modulao da camada de depleo de largura mxima e constante. Na condio de inverso
forte, portanto, a capacitncia total da estrutura MOS torna-se mnima:
Cmin = [(1/Cox) + (Wdmax/si)]1/2

(5),

onde:
Cmin- capacitncia total mnima para condio de inverso; utilizando-se sinal de
polarizao de alta freqncia;
Wdmax- largura mxima da camada de depleo;
Cox- capacitncia no xido;
si- constante dieltrica do silcio.
Numa estrutura MOS no ideal, h a presena de cargas no xido e na interface
Si/SiO2, e as funes trabalho do metal e do semicondutor so diferentes. Isto provoca um
deslocamento da curva C-V da estrutura MOS real em relao a ideal [4], pois a diferena
de potencial entre os eletrodos do capacitor MOS (VG) depende diretamente da diferena
das funes trabalho (MS), da tenso no xido (Vox), que relacionada com as cargas
efetivas no xido Q o, e do potencial de superfcie s:
V G = V ox + MS + s (6),
(a) Para um capacitor MOS ideal, a Eq.6 torna-se:
V G = s , pois V ox = 0 e MS = 0.
Para V G = Vfb (condio de banda plana); s = 0, portanto, V fb = 0
(b) Para um capacitor MOS real:
Vox = Q o .A/Cox ,
onde:
Cox dado pela Eq.1;
A - rea do dispositivo;
Qo- carga efetiva no xido.
Para condio de banda plana:
s = 0; VG = V fb = MS +Qo .A/Cox

(7).

Da expresso 7, tem-se que:

Qo = [ MS - Vfb ].Cox/A

(8)

Desta maneira, verifica-se um deslocamento no eixo da tenso (de Vfb=0 para Vfb=VG)
da curva C-V experimental (real) em relao a terica (ideal) (Figura 9). A tcnica C-V
permite determinar importantes propriedades eltricas das estruturas MOS, atravs de
comparao das curvas experimentais e tericas [9]. Diferentes procedimentos de medidas e
mtodos (recursivo, grficos e de deslocamentos de curvas C-V) so utilizados para

95

determinar estas propriedades, como: capacitncia de banda plana (Cfb), tenso de bandaplana (Vfb), largura da camada de depleo (Wd), espessura do xido (t ox), concentrao efetiva
de dopantes eletricamente ativos (NA,D, A-para dopantes aceitadores de eltrons e D-para
dopantes doadores de eltrons), densidade de carga efetiva no xido (Q o), densidade de cargas
capturadas na interface (Qit), densidade de cargas mveis (Qm), densidade de cargas fixas (Qf)
e densidade de cargas capturadas (Q ot) no xido [10].
2.1- CARGAS NO XIDO DE SLICIO [10-14].
H quatro tipos de cargas que normalmente so observadas na estrutura do SiO2 e na
interface SiO2/Si como mostrado na Figura 7 [10]: cargas mveis, cargas capturadas no xido,
cargas fixas e cargas capturadas na interface. A carga efetiva Qo no xido compreende estes
quatro tipos de cargas. A presena delas no xido ou na interface xido/semicondutor ajuda a
diminuir a integridade do filme isolante e aumenta a instabilidade do comportamento dos
dispositivos MOS, gera rudos, aumenta as correntes de fuga das junes e da superfcie,
diminui a tenso de ruptura dieltrica, altera o potencial de superfcie s, afeta a tenso de
limiar Vt. Nveis aceitveis de densidade de carga efetiva no xido em circuitos ULSI so da
ordem de 1010 cm-2.

Figura 7 - Cargas no Silcio Termicamente Oxidado [10].

2.1.1 - Qm - CARGAS MVEIS.
As cargas mveis Qm so associadas a contaminao do xido de silcio por ons dos
metais alcalinos Na+, K+ e Li+ e ons H+ e H3O+. Estes ons so mveis no xido sob efeito de
campo eltrico temperaturas T temperatura ambiente. Alteram o potencial de superfcie s
e provocam instabilidade das caractersticas eltricas dos dispositivos MOS.
As cargas mveis Qm, principalmente os ons de sdio Na+, podem incorporar-se ao
xido de silcio nos processos de evaporao, oxidao trmica, recozimento trmico,
aplicao de fotorresiste e em qualquer etapa da fabricao, em que se utiliza o manuseio das
lminas. A contaminao do xido por cargas mveis pode ser reduzida para nveis aceitveis
da ordem de 1010 cm-2 , atravs da utilizao de [10-14]:
* tubos e borbulhadores de quartzo com alta pureza;

96

* oxidao seca ou em ambiente clorado, com recozimento ps-oxidao para obteno de

xido de eletrodo superior;
* oxidao pirognica ao invs da mida (em ambiente com H2O) para obteno de xido de
campo;
* limpeza do tubo de quartzo do forno de processamento trmico em ambiente clorado em altas
temperaturas, antes da oxidao;
* xido de silcio dopado com fsforo (passivao com fosforosilicato);
* reagentes, nas etapas qumicas, com baixos nveis de Na +;
* gua D.I. 18 M para ltimo banho de cada etapa qumica;
* evaporao com alumnio de alta pureza;
* filamentos para evaporao livres de Na +;
* evaporao por canho de eltrons ou por sputtering ao invs de evaporao trmica;
* luvas, mscaras e roupas adequadas para manuseio geral das lminas;
* processo automtico de transporte das lminas.
2.1.2 - Qit - CARGAS CAPTURADAS NA INTERFACE SiO 2/Si.
Por localizar-se na interface entre o SiO2 (material amorfo) e o Si (material cristalino),
as cargas capturadas na interface Q it ocorrem devido aos defeitos de posicionamento atmico
de uma estrutura silcio-oxignio (Si parcialmente oxidado ou Si no saturado) e a presena de
impurezas metlicas. Estados qunticos de energia so introduzidos na banda proibida do silcio
por estas cargas Qit, permitindo uma maior facilidade de comunicao eltrica entre as bandas
de valncia e conduo do silcio. Conforme o potencial de superfcie, esta facilidade de
comunicao eltrica permite variar o estado da carga Qit capturando (carregando) ou emitindo
(descarregando) portadores [10-14]. Portanto, estas cargas so positivas ou negativas.
A presena de Qit na interface SiO2/Si depende de vrios parmetros das etapas de
fabricao dos dispositivos MOS [10-14], tais como: orientao cristalogrfica dos substratos
de silcio), que determina a densidade relativa de ligaes na interface, sendo
Qit(111)>Qit(110)>Qit(100); temperatura de oxidao; ambiente de oxidao (Qit de ambiente
de H2O > Qit de ambiente de O2); recozimento ps-oxidao em N2 em alta temperatura por
tempo prolongado; contaminao por impurezas interfaciais (em ambientes de difuso,
oxidao e implantao); recozimento a baixa temperatura em ambientes sem a presena de
hidrognio; e processos radioativos (litografia por feixe de eltrons, raio-X e UV, evaporao
por feixe de eltrons, implantao inica, plasma e sputtering) que quebram ligaes
atmicas.
A neutralizao efetiva das cargas Q it executada por processos de recozimento psmetalizao (sinterizao) em baixa temperatura (aproximadamente 4500C) em ambientes com
a presena de hidrognio [10-14]. O hidrognio reduz a presena de Qit pois satura as ligaes
dos tomos de oxignio e de silcio e remove os defeitos estruturais na interface SiO2/Si. A
unidade de densidade de cargas capturadas na interface Dit normalmente representada por
nmero de cargas/cm2-eV e valores da ordem de 1010/cm2-eV so aceitveis para tecnologia
ULSI.
2.1.3- Qf - CARGAS FIXAS.
As cargas fixas Qf localizam-se na camada do xido a menos de 2.5 nm da interface
SiO2/Si, que a regio de xido tensionado (xido no-estequiomtrico, com composio do
tipo SiOx). As cargas fixas Qf no se comunicam eletricamente entre as bandas de valncia e
conduo do silcio (no h troca de portadores com o semicondutor) e mantm seu estado de
carga (so cargas positivas).
A presena de Qf no xido depende de vrios parmetros, que so: a orientao cristalina dos
substratos de silcio (Qf(111)>Qf(110)>Qf(100)), o ambiente de oxidao (seco ou mido), a

97

temperatura de oxidao, as condies de resfriamento dos substratos de silcio aps a

oxidao e a presso de O2 no ambiente de oxidao [10-14].
2.1.4- Qot - CARGAS CAPTURADAS NO XIDO.
As cargas capturadas no xido Qot localizam-se por todo o volume do filme de SiO2 e
so lacunas ou eltrons em armadilhas (traps) no corpo do xido. Estas armadilhas so
impurezas e ligaes atmicas quebradas (provocadas por tenses e defeitos no xido).
Normalmente so neutras, mas tornam-se carregadas quando eltrons ou lacunas so
introduzidos no xido por: tunelamento de portadores do substrato de silcio ou da eletrodo
superior (pode ocorrer para dispositivos MOS com xidos de eletrodo superior ultra-finos);
injeo de portadores por avalanche (pode ocorrer quando h grande diferena de potencial
entre as vrias regies de um dispositivo em operao, provocando a acelerao de portadores
por avalanche para dentro do xido); e exposio a radiao ionizante (com energia > 8.8
eV(energia da banda proibida (gap) do SiO2 )) [10-14]. Alm disso, as cargas capturadas no
xido Qot no variam com a polarizao de eletrodo superior, como ocorre com as cargas
capturadas na interface.
Recozimentos em ambiente com hidrognio em aproximadamente 4500C so eficazes na
minimizao das cargas Qot.
3- VARIAES DA CARACTERSTICA C-V.
As Figuras 8 (a), (b), (c) e (d) apresentam as variaes bsicas da caracterstica C-V de
um capacitor, medida em alta freqncia e provocadas pela presena das cargas Qm, Qf, Qit e
Qot, respectivamente. Os deslocamentos no eixo da tenso das curvas C-V so as variaes
produzidas pela presena de Qm, Qf e Qot no xido. Como estas variaes so similares,
necessita-se de uma identificao completa da origem de cada carga [14]:

Figura 8- Variaes bsicas na caractersticas C-V de alta freqncia provocadas pela

presena das cargas (a) Q f, (b) Qm, (c) Qit e (d) Qot [14].

98

 A presena da carga fixa Qf no xido, que geralmente positiva, provoca um

deslocamento negativo no eixo da tenso e no exibe histerese (deslocamento para sinais de
rampa crescentes e decrescentes) na curva C-V (Figura 8 (a)).
A presena da carga mvel Qm, que geralmente devida ons positivos que
respondem a aplicao de campos locais no xido mesmo em temperatura ambiente, provoca
histerese na curva C-V devido `a sua movimentao desses ons no xido, causada pela tenso
em rampa aplicada durante a medida (Figura 8 (b)).
A presena da carga capturada Qot no xido provoca principalmente um deslocamento
positivo (causado por eltrons capturados) ou negativo (causado por lacunas capturadas) no
eixo da tenso, resultante em perturbaes como a passagem de uma corrente eletrnica no
xido ou a gerao de pares de eltrons-lacunas mveis dentro do xido (Figura 8(d)). As
cargas Qot no xido tambm podem provocar histerese na curva C-V.
A carga capturada na interface Qit provoca uma distoro na curva C-V de alta
freqncia (Figura 8(c)). Ela est associada densidade Dit(E) de estados qunticos de energia
introduzidos por defeitos na banda proibida do silcio (onde as cargas podem ser capturadas), o
que causa uma maior comunicao eltrica entre as bandas de valncia e conduo do silcio,
resultando em um deslocamento Vfb da tenso de banda-plana na medida [14].
4- DETERMINAO DA DENSIDADE DE CARGAS EFETIVAS NA ESTRUTURA
SiO2/Si.
Na estrutura MOS real ocorre a presena de cargas no xido e na interface SiO2/Si, o
que causa um deslocamento no eixo da tenso (de Vfb=0 para Vfb=VG) da curva C-V
experimental (real) em relao a terica (ideal) (Figura 9). A neutralidade global de cargas na
estrutura MOS alcanada pela presena de uma carga imagem no semicondutor ou no metal
correspondente s cargas no xido e na interface SiO2/Si. Define-se como densidade de cargas
efetivas no xido Q o/q, a densidade da carga imagem induzida no semicondutor [12]. Portanto,
pode-se assumir que a carga efetiva Qo no xido compreende os quatro tipos de cargas
apresentados.

Figura 9- Deslocamento no eixo da tenso (de V fb=0 para Vfb=VG) da curva C-V
experimental (real) em relao a terica (ideal) [12].

99

4.1- PROCEDIMENTO - DETERMINAO DE Q o/q.

O sistema C-V de alta freqncia (1 MHz), com um capacmetro BOONTON 72-B,
esquematizado na Figura 10, permite obter a capacitncia diferencial em funo da polarizao
no capacitor MOS. Neste sistema aplica-se uma tenso em rampa com velocidade baixa entre
os eletrodos do capacitor. Determina-se Qo/q atravs da comparao entre as curvas C-V
experimental e terica na condio de banda-plana (potencial de superfcie nulo). Utilizando-se
o valor de Cfb (capacitncia de banda-plana) ideal obtm-se na curva C-V experimental o valor
de Vfb (tenso de banda-plana) (Figura 9). Com o valor de Vfb, tem-se pela expresso (8) o
valor de Qo. O mtodo mais usado para determinar Cfb e conseqentemente Vfb e Qo emprega o
clculo recursivo da concentrao de dopantes NA,D.

Figura 10- Sistema C-V de alta freqncia.

4.1.1- MTODO RECURSIVO DE OBTENO DE Q o/q [12].
Considerando-se a curva C-V experimental da Figura 10, determina-se Qo/q pelo
mtodo recursivo utilizando-se a seguinte seqncia de expresses:
Da expresso 1, obtm-se o valor da espessura t ox do xido:
tox = (o.ox.A)/Cox

(9)

onde:
Cox - capacitncia no xido = C max - capacitncia mxima para condio de
acumulao;
o - permitividade no vcuo - o = 8.854x10-14 F/cm;
ox - permitividade do xido;
tox - espessura do xido;
A - rea do eletrodo superior do capacitor MOS.

100

 Da expresso 5, obtm-se a largura da camada de depleo Wd:

Wd = [(Cmin/Cox) -1].(Si .0.A)/Cox

(10)

onde:
Cmin- capacitncia total mnima para condio de inverso; utilizando-se sinal de
polarizao de alta freqncia;
Cox- capacitncia no xido; o - permitividade no vcuo;
si- constante dieltrica do silcio - si = 11.9.
Da equao 2 obtm-se a concentrao de dopantes aceitadores ou doadores no
silcio NA,D:
NA,D = (4. si. F)/q.Wd2

(11)

onde:
si - coeficiente de permissividade eltrica do silcio;
q - carga do eltron - q = 1.602x10 -19 C;
Wd - largura da camada de depleo;
F - potencial de Fermi, dado por [14]:
F = (kT/q). ln[NA,D/ni]

(12)

onde:
(kT/q) - energia trmica (300 K) = 0.0258 V;
NA,D - concentrao de dopantes aceitadores ou doadores no silcio;
ni - concentrao de portadores intrnseco no silcio - ni = 1.45x1010/cm3.
e F > 0, para substrato tipo-p;
F < 0, para substrato tipo-n.
Substituindo-se a expresso 12 em 11, tem-se a expresso para determinao de
NA,D* recursivamente:
NA,D = {[(4.si .kT)/q]. ln[NA,D*/ni]}/q.Wd2

(11)

onde:
si - coeficiente de permissividade eltrica do silcio;
q - carga do eltron - q = 1.602x10 -19 C;
Wd - largura da camada de depleo;
(kT/q) - energia trmica (300 K) = 0.0258 V;
NA,D* - concentrao de dopantes obtida recursivamente;
ni - concentrao de portadores intrnseco no silcio - ni = 1.45x1010/cm3.
O valor de N A,D* substitudo na expresso da capacitncia de banda-plana C fb, dada
por [14]:

101

Cfb = (o.ox.A)/{tox + (ox/si).[(kT/q). si/(q.NA,D)]1/2}

(12)

onde:
si - coeficiente de permissividade eltrica do silcio;
tox - espessura do xido; ox - permitividade do xido;
A - rea do eletrodo superior do capacitor MOS
q - carga do eltron - q = 1.602x10 -19 C;
(kT/q) - energia trmica (300 K) = 0.0258 V;
NA,D* - concentrao de dopantes obtida recursivamente;
ni - concentrao de portadores intrnseco no silcio - ni = 1.45x1010/cm3.
Substituindo-se este valor de C fb na curva C-V (Figura 9), obtm-se o valor
correspondente da tenso de banda-plana V fb, que substitudo na expresso:
Qo/q = [ MS - Vfb ].Cox/q.A

(13),

que similar a expresso A8,

onde:
Vfb - tenso de banda-plana;
Cox - capacitncia no xido = C max - capacitncia mxima para condio de
acumulao;
q - carga do eltron - q = 1.602x10 -19 C;
A - rea do eletrodo superior do capacitor MOS;
e MS = M - S - diferena entre as funes trabalho do metal e do semicondutor;
com S = - F e para eletrodo de Al M = - 0.6 V; portanto, neste caso:
MS = -0.6 - (- F)

(14).

5- RUPTURA NOS XIDOS E CARACTERSTICA I-V.

Um campo eltrico muito intenso (> 1MV/cm), maior que um determinado valor
crtico, aplicado estrutura MOS provoca a ruptura do xido, que perde as propriedades
isolantes. Este campo eltrico denominado campo de ruptura dieltrica E br dado por [15]:
Ebr = Vbr/tox

(15)

onde:
Vbr - tenso correspondente ruptura dieltrica (unidade expressa em [MV]);
t ox - espessura do xido (unidade expressa em [cm]).
A ruptura dieltrica um fenmeno que pode ocorrer atravs da multiplicao por
avalanche de eltrons [15]:
Um campo eltrico suficientemente intenso, aplicado ao capacitor MOS, fornece a
alguns eltrons energia suficiente para serem injetados na banda proibida do xido. Os eltrons
injetados, que esto com alta energia cintica, colidem com outros eltrons ligados na rede

102

cristalina, retirando-os de suas rbitas e gerando eltrons e lacunas livres, que contribuem para
o aumento da corrente e de defeitos (traps) no corpo do xido. Os pares eltron-lacuna
gerados podem ento criar eltrons e lacunas livres adicionais ao longo de suas trajetrias
dentro da rede cristalina. Este processo causa uma multiplicao de portadores livres por
avalanche na estrutura dieltrica.
O processo de avalanche provoca o surgimento de uma grande quantidade de
defeitos (traps) na estrutura dieltrica. Alm disso, o xido torna-se aquecido pela interao
dos pares eltron-lacuna gerados. Em algumas posies da rede cristalina, o material aquecido
pela alta densidade de energia cintica local alcana a sua temperatura de fuso. Neste locais,
onde o material se funde, forma-se um micro plasma, que rompe totalmente a estrutura do
dieltrico.
As lacunas ou eltrons gerados podem tambm ocupar algumas armadilhas (traps),
que so impurezas e ligaes atmicas quebradas (provocadas por tenses e defeitos) j
anteriormente presentes no corpo do xido. Estas armadilhas, normalmente neutras, quando se
tornam carregadas pela introduo de eltrons ou lacunas, so denominadas de cargas
capturadas no xido Qot e localizam-se por todo o volume do filme de SiO2 (item 2.1.4). A
presena destas cargas no xido tambm contribui para o aumento da corrente no corpo do
dieltrico. Com isso, a ruptura do xido pode ocorrer pela aplicao de campos menos intensos
(< 6 MV/cm).

5.1- CARACTERSTICA I-V.

O campo de ruptura dieltrica pode ser determinado atravs da caracterstica I-V do
capacitor MOS, obtida pela aplicao de uma tenso dc (> 3 V). A Figura 11 mostra em (a) o
arranjo experimental para a obteno da medida corrente x tenso e em (b) mostra uma
caracterstica I-V de um capacitor MOS. Um analisador de parmetros HP-4145B, que permite
aplicar uma tenso dc de at 100 V, foi o equipamento utilizado para a obteno da medida
I-V.

(a)

(b)

Figura 11. (a) Arranjo experimental para a obteno da medida I-V;

(b) Caracterstica I-V de um capacitor MOS [14].

103

Da caracterstica I-V (Figura 11) se obtm o valor correspondente de tenso aplicada

ao capacitor MOS que permite o aumento da corrente eltrica. Este valor de tenso dividido
pela espessura do isolante (expresso 15) resulta no valor do campo de ruptura dieltrica.
6- REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS.
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[3]- W. Shockley and G.L. Pearson, Phys. Review, 74, 547 (1945).
[4]- G.J. Frosch and L. Derrick, J. Electrochem. Soc., 104, 547 (1957).
[5]- J.A. Hoerni, Planar Silicon Transistors and Diodes, IRE Electron Devices Meeting Washington D.C. (1960).
[6] D. Khang and M.M. Atalla, Silicon-Silicon Dioxide Field-Induced Surface Devices, IREAIEE Solid-State Device Research Conference, Carnegie Institute of Technology, Pittsburgh,
Pa. (1960).
[7]- S.R. Hofstein and F.P. Heiman, Proc. IEEE,51, 1190 (1963).
[8]- E.H. Snow, J. Appl. Phys., 36(5), 1664 (1965).
[9]- J.A. Diniz, Tese de Mestrado-FEEC/UNICAMP (1992).
[10]- D.F. Takeuti, Tese de Mestrado-FEEC/UNICAMP (1992).
[11]- F. Damiani, Tese de Doutorado-FEEC/UNICAMP (1982).
[12]- N.G. Fontela, Tese de Mestrado- LME/USP (1978).
[13]- E.H. Nicollian and J.R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor) Technology, John
Wiley & Sons, New York (1982).
[14]- F.J.Feigl, VLSI Electronics - Microelectronic Science, Ed. N.G. Einspruch e G.B.
Larrabee, Academic Press, 6, 147 (1983).
[15]- N.P. Bogoroditsky, V.V. Pasynkov and B.M. Tareev, Electrical Engineering Materials,
MIR Publishers Moscow, 79 (1979).

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