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Propriedades Elétricas Química Tecnológica
Propriedades Elétricas Química Tecnológica
FACULDADE BRASILEIRA
Carla Ferreira
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Sólidos Cristalinos
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Sólidos Cristalinos
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Modelo clássico de condução
Na presença de um potencial elétrico, aplicado
Os elétrons adquirem uma velocidade média , chamada
de velocidade de deriva é proporcional ao campo
aplicado, mas de sentido oposto.
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Resistência Elétrica
• Lei de Ohm
R= V
I
ρ=RA
L
Onde: I = Corrente elétrica ou taxa temporal de passagem de carga (C/s).
V= Voltagem aplicada(J/C).
R= Resistência do material (V/A).
ρ= Resistividade do material (Ω-m)
L= Distância entre dois pontos de um condutor(m)
A= Área da seção reta perpendicular à direção da corrente (mm2 )
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Lei de Ohm
• Forma Macroscópica:
J= E J= σ.E
ρ Ou
Onde:
J =Densidade de corrente, A/m2
E =Campo Elétrico,V/m
ρ =Resistividade elétrica, (Ω.m)
σ =Condutividade elétrica, (Ω.m)-1
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Condução elétrica
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CONDUTIVIDADE ELÉTRICA ()
= ________
1 (Ω-m)-1
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Classificação dos Materiais
quanto à condutividade elétrica:
– Metais(condutores);
– Semicondutores;
– Isolantes.
Faixa de condutividade:
10-18 -1m-1 (quartzo, poliestireno) a
108 -1m-1 (prata, cobre).
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Classificação dos sólidos do Ponto
de vista Elétrico
• Resistividade ρ
• Coeficiente de Temperatura da resistividade α
• Concentração de Portadores de Carga (n)
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Classificação dos sólidos do Ponto
de vista Elétrico
• ρoºC = Resistividade elétrica a 0ºC
• α T = Coeficiente de temperatura da resistividade, ºC-1
• T = Temperatura do metal, ºC
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Algumas Propriedades Elétricas
dos Dois Materiais
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Bandas de Energia
Nos átomos isolados, os elétrons estão ligados
aos núcleos e só podem ocupar níveis de energia
bem definidos,nomeadamente,os correspondentes
as órbitais 1s,2s,3s...
Elétron de valência.
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Bandas de Energia
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Bandas de Energia
Band: BandaPage
de Energia
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Isolantes
Isolante
Níveis desocupados
Níveis Ocupados
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Metais
Metal
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Semicondutores
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Semicondutores
Estrutura de Banda semelhante as
Dos isolantes, exceto pelo fato de que nos
Semicondutores Eg é menor que nos Isolantes.
Exemplo:
Silício (Eg= 1,1eV);
Diamante (Eg= 5,5eV)
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Semicondutores
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Semicondutores dopados
Representação bidimensional da estrutura cristalina do silício puro.
Cada átomo de Silício está unido a quatro átomos vizinhos por uma
ligação covalente envolvendo dois elétrons.
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Semicondutores dopados
Substituição de um átomo de silício por um átomo de fósforo(valência 5).
O elétron a mais está fracamente preso ao átomo de fósforo,e pode passar
Facilmente para banda de condução,onde esta livre para vagar pela rede cristalina.
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Semicondutores dopados
Substituição de um átomo de silício por um átomo de alumínio(valência 3).
Com a substituição fica faltando um elétron em uma das ligações covalentes,
O que equivale a ser criado um buraco na banda de valência.
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Junção PN
Na zona da junção, os eletrons livres do
semicondutor N recombinam-se com as
lacunas do semicondutor P formando uma
zona sem portadores de carga elétrica que
se designa por zona neutra ou zona de
depleção.
Zona neutra ou
zona de depleção
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Diodo Retificador
Símbolo:
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Diodo Retificador
Símbolo:
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Principio de funcionamento
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Polarização Reversa
Quando polarizado inversamente um díodo
retificador não conduz porque na junção PN a zona
neutra ou zona de depleção (zona sem portadores de
carga eléctrica) alarga a resistência elétrica aumenta
significativamente e a corrente elétrica não passa.
Zona neutra ou
zona de deplecão
alarga
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Polarização Reversa
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Referências bibliográficas:
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