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Transistores de Efeito de Campo (npn)

dreno FET porta fonte emissor BJE base coletor

dispositivo de 3 terminais corrente e- de canal da fonte para dreno controlada pelo campo eltrico gerado pelo porta impedncia de entrada extremamente alta para base
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corrente e de emissor para coletor controlada pela corrente injetada na base

H muitos tipos de transistores alm do transistor de juno bipolar (BJT) que discutimos at agora. Uma importante classe de transistores de 3 terminais so os dispositivos de efeito de campo. Para estes, o parmetro de controle o campo eltrico atravs da juno, em oposio corrente do BJT. J que um campo eltrico est associado a uma tenso, a vantagem importante dos dispositivos de efeito de campo que no precisa haver uma corrente no elemento de controle (a porta). Isso resulta em uma impedncia de entrada bastante elevada, e uma corrente de fuga bastante baixa. Os mais fceis de entender so os transistores de efeito de campo de juno (JFETs), que iremos discutir primeiro e com um certo detalhe. Os FETs semicondutores de xido de metal (MOSFETs) so muito importantes para implementaes de lgica digital.

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Tipos de FETs
Alm do tipo portador (canal N ou P), existem diferenas em como o elemento de controle construdo (Juno vs Isolado), e esses dispositivos devem ser usados de formas diferentes npn FETs de juno de modo de depleo (JFET) pnp npn FET de semicondutor de xido de metal (MOSFET) pnp - modo de depleo/ crescimento - modo de crescimento (FETs e IGFETs de porta isolado so a mesma coisa que MOSFETs)
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Assim como ocorre com os BJTs, h sempre dois tipos de transistores, npn e pnp. A diferena est no portador majoritrio (eltrons ou lacunas). J que os FETs so controlados por variaes no campo eltrico atravs da juno, possvel construir um capacitor no elemento de controle a, dessa forma, reduzir ainda mais a corrente de fuga. O xido de metal de um MOSFET forma o capacitor na entrada do elemento de controle (a porta).

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Operao FET bsica N 1

O exemplo mais simples de um JFET comea com Si dopado por N. fonte dreno

fonte terminal no qual a corrente de portador injetada (tipo n portadores e-) Nesse nvel, o dispositivo simplesmente um resistor. Portanto, a corrente flui atravs do canal em proporo tenso do dreno/fonte.
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Comearemos descrevendo a operao e controle de um JFET. A ao bsica de um JFET pode ser compreendida considerando-se um canal de conduo. Comece com silcio dopado por n e adicione dois terminais em cada extremidade. O dispositivo agora um resistor, cuja resistncia fornecida pelo nvel de dopagem. Os trs terminais do JFET so denominados fonte, dreno e porta. A fonte anloga ao emissor do BJT. A fonte a fonte dos portadores majoritrios. Portanto, em um material de tipo n, os portadores so eltrons, e a fonte , assim, a fonte de eltrons. O dreno anlogo ao coletor do BJT e, portanto, a corrente dos portadores majoritrios flui a partir da fonte para o dreno. Mais uma vez, em materiais do tipo n, os portadores so eltrons e a corrente convencional flui na direo oposta.

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Operao FET bsica N 2

Adicione uma estrutura de porta para formar um canal.
porta

fonte

dreno

porta

As duas regies da porta so, na verdade, conectadas para definir um canal para a corrente do portador. O controle da corrente do FET (resistncia) atingido mudando-se o tamanho das zonas de depleo que circundam as portas.
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As portas so duas regies de um material do tipo p que so dispostas para criar um canal para conduo da fonte para o dreno. As duas regies de porta so, quase sempre, conectadas para que o usurio veja apenas a conexo da porta. Observe que o dispositivo acima um JFET npn, j que a fonte do tipo n, a porta do tipo p e o dreno do tipo n. No olhe para baixo a partir da porta, canal e porta e chame-o de juno pnp.

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Operao FET bsica N 3

Ao redor de cada porta h uma zona de depleo, como em qualquer juno PN.
porta zona de depleo fonte zona de depleo porta dreno

A zona de depleo reduz o tamanho efetivo do canal dopado por N e, dessa forma aumenta a resistncia aparente do canal. Modulando-se o dreno para potencial de porta, o campo eltrico na zona de depleo entre a porta e o dreno varia e, conseqentemente, o tamanho da zona de depleo varia.
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Assim como ocorre com todas as junes PN, h uma zona de depleo ao redor da porta. Essa zona de depleo obviamente reduz a rea transversal do canal do tipo n que est disponvel para conduo eltrica. A ao do JFET regida varia ndo-se a porta para potencial de dreno e, dessa forma, modificando-se o tamanho da zona de depleo.

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Operao FET bsica N 4

zona de depleo

Aqui, a tenso de dreno para fonte, VDS, igual tenso dreno para porta. medida que VDS aumenta, as zonas de depleo se movem juntas; e a resistncia de fonte aumenta.

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Um exemplo simples conectar terra a tenso do porta para a fonte, de forma que a tenso do dreno para a porta seja igual tenso do dreno para a fonte. medida que a tenso do dreno para a porta aumenta, a zona de depleo aumenta e, dessa forma, a conduo do canal diminui. Para pequenas tenses, a resistncia aumenta com a tenso, e isso descrito como a regio hmica. Acima da tenso obstruda o canal saturado, e a resistncia se torna constante. A tenso obstruda pode ser descrita como a tenso na qual as zonas de depleo das duas portas se encontram.

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Operao FET bsica N 5

Defina uma resistncia aparente atravs do FET, a resistncia de canal RC.

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Iremos caracterizar o dispositivo pela resistncia efetiva da juno. Agora, obviamente, a medida tpica para caracterizar um transistor medir a corrente de dreno como uma funo da tenso dreno-fonte para um conjunto de correntes (ou tenses) aplicadas porta. Lembre-se de que exatamente assim que executamos os testes com o BJT. Depois que medirmos a corrente de dreno como uma funo da tenso dreno-fonte, temos as informaes para calcular uma resistncia CC efetiva para esse ponto de operao.

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Resistncia de Canal de FET

medida que VDS aumenta, a zona de depleo cresce, e a resistncia efetiva diminui lentamente. medida que VDS = VP (a tenso obstruda), as duas zonas de depleo se encontram, nenhuma corrente adicional pode fluir, e a resistncia aumenta rapidamente com VDS. Em VBR, h uma avalanche dreno-para-porta, que iremos descrever mais adiante.
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esquerda encontra-se a corrente de dreno vs a tenso de dreno para fonte para um porta ligado terra. A regio de tenso zero para a tenso obstruda a regio hmica, a regio plana a rea de saturao e, em tenses mais altas, h uma regio de ruptura, onde a conduo do canal aumenta rapidamente. Muitos dispositivos sero destrudos se operados nessa regio de ruptura, embora (assim como com os diodos zeners) existam dispositivos que so projetados para funcionar nessa regio de avalanche. O grfico direita mostra a resistncia correspondente. Na regio hmica, a resistncia aumenta apenas lentamente e, em seguida, na regio de saturao, a resistncia aumenta mais rapidamente. importante observar que a corrente de dreno do JFET independente da tenso dreno-fonte na regio de saturao. Como iremos ver brevemente, nessa regio a corrente de dreno permanece muito sensvel ao potencial dreno-porta. Portanto, se quisermos obter controle via porta, normalmente iremos projetar o dispositivo para operar na regio de saturao. Se, contudo, estivermos buscando controle baseado na tenso do dreno, ento o dispositivo ser posicionado na regio hmica.

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Controle de Porta do FET

O tamanho da zona de deple o pode ser aumentado por polarizao reversa da juno PN na porta, portanto a polarizao da porta controla ID , e, j que a porta tem polarizao reversa, essencialmente no h corrente da porta.

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Aqui, mostramos a variao da curva IV como uma funo da tenso da porta. Lembre-se de que, na obstruo, as zonas de depleo das duas portas se encontraram, e, portanto, medida que a tenso da porta muda, esse de operao, se move. mais comum polarizar a porta de forma reversa (como mostrado no circuito), aumentando assim o campo ao longo da funo PN e, de forma correspondente, aumentando o tamanho da zona de depleo para uma tenso constante de dreno-fonte. Observe que, medida que a porta sofre polarizao reversa, [FALTA TEXTO!]

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Especificao JFET
regio hmica JFET atua como um resistor varivel. regio de saturao JFET independente da tenso de fonte-dreno, mas fortemente dependente da tenso da porta. VOFF,GS = tenso de corte, tenso portafonte, onde JFET atua como um circuito aberto. BVDS = tenso dreno-fonte, que leva a uma ruptura de corrente do canal JFET. IDS = corrente de dreno para polarizao de porta zero.
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regio hmica

regio de saturao

ruptura

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Desempenho do JFET
regio hmica regio de saturao Alguns valores tpicos:

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O projeto de circuitos JFET normalmente realizado com equaes relativamente simples para a corrente de dreno em termos de parmetros de dispositivos e condies operacionais. Estes, claro, dependem se o ponto de operao est na regio hmica ou de saturao. J que o desempenho do dispositivo no deve depender criticamente dos parmetros de circuito, alguns atalhos simplificadores normalmente so adotados e, no final, o circuito avaliado com um pacote de simulao. Ajuda muito ser capaz de romper um projeto em suas partes funcionais e, ento ver como cada uma deve operar. Isso, claro, exige prtica, e ir conduzir voc atravs do processo.

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Transcondutncia
taxa de mudana da corrente de dreno com uma mudana da polarizao da porta A transcondutncia til para o modo de um JFET como um resistor controlado por tenso, e tem unidades de (1/resistncia), mhos.

transcondutncia de uma porta com curto-circuito.

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Uma caracterstica importante, mas que no fcil de entender, de um dispositivo de trs parmetros a transcondutncia, gm. Lembre-se de que estamos modelando o FET como um resistor controlado por tenso e, portanto, a corrente de dreno uma funo da tenso da porta para a fonte. Isso, claro, observado nos grficos IV do FET para a regio de saturao. A transcondutncia a razo da corrente de dreno com uma mudana na tenso a uma tenso dreno-fonte constante. As unidades de transcondutncia so ohms inversos (mhos). Geralmente, as folhas de dados reportam as duas transcondutncias para uma porta com curto-circuito. Normalmente, na anlise de circuitos FET, as propriedades de circuito podem ser reduzidas para uma funo da transcondutncia.

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Exemplo de JFET
Encontre ID IDSS = 8mA, VGS,OFF = -4V J que VDS parece ser maior que alguns volts e menos que a tenso de ruptura, assumiremos que o JFET a regio de saturao.

Observe que a tenso da porta zero e, portanto, a tenso porta-fonte menos a tenso da fonte.

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Aqui, exploramos um exemplo simples de uma fonte de corrente derivada JFET. A porta sofre curtocircuito para ser ligado terra (observe que no sofre curto-circuito para a fonte). O resistor de fonte introduz uma tenso de fonte e, dessa forma, h uma tenso porta-fonte negativa. Encontremos a corrente de dreno como uma funo de resistor de fonte. A tenso de dreno grande o suficiente para que possamos assumir que o dispositivo est funcionando na regio de saturao. Portanto, podemos anotar imediatamente a corrente de dreno como uma funo da tenso porta-fonte. A tenso porta-fonte simplesmente subtrada da tenso de fonte, e a tenso de fonte a queda de tenso da corrente de dreno atravs do resistor de fonte.

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Exemplo de JFET (cont.)

Ento, substituindo na equao acima:

Essa equao tem solues de VGS = -2V e 8V. Observe que VGS,OFF = -4V a nica gama vlida de VGS 0 -4V Se VGS = -2V, ento ID = 2 mA VS = 2V, RJFET = 16V/2mA = 8k VDS = 16V
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Configuramos as duas equaes de forma igual e terminamos com uma equao quadrtica para a corrente de dreno. J que o JFET desliga a 4V, a soluo de 8V no fsica, e escolhemos a soluo de 2V, fornecendo uma corrente de dreno de 2mA. A partir disso, podemos calcular tambm a resistncia dreno-fonte do dispositivo e a queda de tenso atravs do FET.

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Circuito controlador da intensidade de luz(dimmer)

lmpada desligada reostato lmpada ligada

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Um segundo exemplo de uma aplicao JFET um resistor controlado por tenso. Aqui, vemos a variao da queda de tenso atravs do FET para controlar o brilho da lmpada (o brilho uma funo no-linear da corrente atravs da lmpada). Quando a porta sofre curto-circuito para a fonte, a corrente de dreno alta, e a lmpada se acende. medida que a porta negativamente polarizada, ento a corrente de dreno reduzida, e a lmpada fica mais fraca. Isso continua at que ela esteja essencialmente desligada. Voc deve combinar esse circuito com o circuito anterior para fazer um reostato de lmpada que funcione via um resistor varivel, mas, em geral, conveniente ter um dispositivo que seja controlado por tenso.

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Seguidor de Fonte
Anlogo ao amplificador de seguidor de emissor bipolar. No fornece nenhum ganho de tenso, mas fornece uma mudana de impedncia, fornecendo portanto um ganho de corrente. Onde RS<RCARGA, ento VS RSID

Observe que VSADA = VS, o ganho

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O seguidor de fonte JFET , do ponto de vista funcional, semelhante ao emissor de seguidor de BJT. Ele tambm no oferece ganho de tenso, mas fornece uma mudana de impedncia e, dessa forma, um ganho de corrente (e potncia). Ainda usamos boas prticas de projeto, ento, considerando o seguidor de fonte como uma fonte de tenso, vemos que o resistor de fonte muito menor que o resistor de carga e, dessa forma, podemos ignorar a carga em nossa anlise. A queda de tenso atravs do resistor de fonte e, assim, a resistncia de fonte vezes a corrente de dreno. Podemos relacionar a corrente de dreno para a tenso porta-fonte via transcondutncia. E vemos que a tenso de fonte tambm a tenso de sada. Observe que, normalmente, a transcondutncia corresponde a um resistor menor (de cerca de 200 ohms) que o resistor de fonte e, assim, o ganho cerca de 1.

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Amplificador Seguidor de Fonte

ganho

RB configura a polarizao do JFET

Os capacitores so usados para filtragem.

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Uma configurao comum de amplificador seguidor de fonte. Se nos ativermos ao essencial, os capacitores servem para remover CC, o resistor da porta serve para polarizao, e o resistor de carga pode ser ignorado em funo da resistncia de fonte. Portanto, observamos o mesmo ganho.

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Amplificador Fonte Comum

Ganho

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Um amplificador com ganho a configurao de fonte comum; aqui, a tenso dividida ao longo de um resistor de dreno, do FET e de um resistor de fonte. O resistor de fonte configura apenas o ponto de operao CC, observe que ele desviado por um capacitor e, portanto, para altas freqncias, o resistor de fonte no est no circuito.

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Quando Usar JFETs

O JFET possui impedncias de entrada muito mais altas e correntes de entrada muito mais baixas que o BJT. Os BJTs so mais lineares que os JFETs. O ganho de um BJT muito mais alto que o de um JFET.

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Em geral, os JFETs so usados apenas nos casos em que um BJT no iria funcionar de forma conveniente, como quando a corrente de fuga para a base de um BJT muito alta. Para aplicaes de lgica digital, o uso de FETs tem sido importante, j que eles podem ser muito mais rpidos e dissipar menos potncia. A maioria dessas aplicaes, contudo, usa MOSFETs, que possuem impedncias de entrada ainda maiores que os JFETs.

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JFET, Resistor Controlado por Tenso

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Ocasionalmente, mais conveniente operar na regio hmica que na regio de saturao. A anlise no muda de forma alguma, mas as equaes ficam um pouco mais complicadas. Aqui, calculamos o comportamento de um JFET usado como um resistor controlado por tenso. Conforme o esperado, terminamos com uma funo quadrtica novamente.

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JFET, Resistor Controlado por Tenso (cont.)

Para

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Grfico produzido com MathematicaTM A curva foi desenhada com Mathematica para mostrar a variao na corrente de dreno com a tenso de entrada. Isso pode ser um meio til de fornecer uma configurao precisa e controlvel.

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A Resistncia Efetiva do JFET

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Grfico produzido com MathematicaTM Dada a variao de corrente, um processo simples o suficiente para ser relatado como uma resistncia, novamente via Mathematica. Observe que, na regio hmica, podemos permitir que a tenso porta-fonte seja positiva. Normalmente aconselhvel, em qualquer aplicao, calcular tambm a potncia dissipada no FET, que, claro, ser uma funo da tenso de controle. Aqui, obviamente, a potncia mxima dissipada quando a resistncia do FET igual ao resistor de dreno.

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Controle Eletrnico de ganho

ganho

Podemos atingir um controle eletrnico substituindo o resistor de controle por um JFET:

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Veremos, na prxima apresentao, que amplificadores operacionais fornecem amplificadores diferenciais convenientes, e que seu ganho controlado pelos resistores de realimentao. Um JFET oferece um resistor controlado por tenso bastante conveniente e, dessa forma, um ganho controlado por tenso.

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Dependncia de Freqncia de Yfs

desvio

lembre-se

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Aqui est um circuito de teste para medir a dependncia de freqncia da transcondutncia (aqui, yfs normalmente relatado para altas freqncias). O resistor de porta com alto valor serve apenas para estabilidade.

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Smbolos do JFET

dreno

dreno

porta fonte

porta fonte

Normalmente, as reas de porta so dopadas em graus diferentes, levando s especificaes de dreno/fonte. Para alguns dispositivos, o dreno e a fonte so intercambiveis. Ocasionalmente, as duas portas no so interconectados, levando a um dispositivo de quatro terminais.
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Assim como com os BJTs, existem tanto JFETs do tipo npn quanto pnp; os NPNs normalmente so chamados de canal n, para evitar qualquer confuso com a configurao do porta. O dreno e a fonte podem ser intercambiveis, ou no-dependentes de seus nveis relativos de aditivo.

17 26-28 Entre no site do fabricante para obter um manual dos produtos. Favor seguir estas etapas: 1. 2. V para o site de Fairchild Semiconductor: http://www.fairchildsemi.com/ Veja as condies de uso do site, visitando o link Site Terms and Conditions da pgina inicial, ou entrando neste link: http://www.fairchildsemi.com/legal/index.html Volte pgina inicial. Na caixa de busca, digite o nmero do produto 2N5457, selecione Product Folders and Datasheets e clique em go. Voc procura o manual para Adaptador Multi-Propsito de Canal N (N-Channel General Purpose Adapter). Vrias opes sero apresentadas a voc (por exemplo, download PDF ou email). Selecione o meio pelo qual voc gostaria de receber o manual.

3. 4.

5.

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MOSFET N1
Transistores de efeito de campo de semicondutores de xido de metal so bem diferentes dos JFETs, e vm em um conjunto potencialmente confuso de variedades. A caracterstica definidora que a porta acoplada capacitivamente.
fonte isolante porta dreno metal

modo de aumento, MOSFET npn ausncia de campo de porta

fonte dreno

corrente de fuga bastante baixa

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Atualmente, os MOSFETs so mais comuns que os JFETs, mas existe tambm uma gama confusa deles, que no d para ser coberta em detalhes. A etapa bsica inteligente foi perceber que, se nos importssemos apenas com o campo eltrico da porta para o dreno, ento no haveria necessidade de uma conexo galvnica, e uma conexo capacitiva tambm funcionaria. Portanto, no MOSFET, h uma camada de isolante (vidro) entre o conector de porta e o semicondutor dopado com p. Observe que, na ausncia de uma tenso de porta, o semicondutor disposto de forma tal que haja uma juno NPN entre o dreno e a fonte, e, portanto, isso se assemelha a dois diodos costas-a-costas (backto-back) e, conseqentemente, h uma corrente dreno para fonte bastante baixa. Compare isso com o BJT (onde a regio de porta pequena), e o JFET (onde o dreno e a fonte formam um canal condutor).

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MOSFET de Modo de Aumento

Uma tenso de substrato de porta positiva induz uma carga negativa entre a fonte e o dreno e cria um canal do tipo n. A corrente agora pode fluir.

conector de substrato
6.071 Transistores de Efeito de Campo 30

Ao explorarmos a ao de um MOSFET, comeamos observando a juno capacitiva da porta e perguntamos qual ser a distribuio de carga no semicondutor para vrios potenciais de porta. Observe que agora estamos interessados em uma diferena potencial entre o eletrodo da porta e o substrato (neste momento, no invocamos a fonte nem o dreno). Se a porta para o substrato recebe carga positiva, ento iremos concentrar eltrons entre os canais de tipo n da fonte e do dreno e a corrente poder fluir. Esses so, obviamente, portadores majoritrios nas regies de fonte e dreno portadores minoritria na regio de porta (mas ns os concentramos). Esse o mecanismo de conduo normal para o chamado MOSFET de modo de aumento.

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Smbolos do MOSFET
dreno porta substrato fonte porta dreno substrato fonte

canal N

canal P Modo de Depleo

dreno dreno porta substrato fonte

porta

substrato fonte

Modo de Crescimento
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Alm dos MOSFETs de modo de crescimento, h tambm dispositivos de modo de depleo. Os vrios smbolos so apresentados acima. Ao usar esses dispositivos, importante ficar atento conexo de substrato, j que ela forma o segundo terminal do capacitor de porta.

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MOSFET de Modo de Depleo

porta fonte isolante dreno

As regies de fonte e dreno so mais fortemente dopadas que o canal, mas a uma polarizao zero de porta, no h corrente.

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Em dispositivos de modo de depleo, o segundo lado do capacitor de porta uma pequena regio de material do tipo n. Agora, sem polarizao de porta, h um canal do tipo n do dreno para a porta, e flui uma corrente. Essa regio de porta levemente dopada, e o campo eltrico no capacitor de porta usado para manipular as concentraes de portador nessa regio e obter controle da corrente dreno-fonte.

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MOSFET de Modo de Depleo N2

Uma tenso negativa entre a porta e o substrato induz um canal do tipo p na regio de porta dopada com n e desliga a corrente fontedreno.

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Uma polarizao negativa atravs do capacitor de substrato de porta puxa lacunas do material do tipo p para o canal de conduo e reduz a corrente dreno-fonte. Nessa operao, o dispositivo se assemelha a um JFET, onde um potencial de porta negativo retarda a corrente de dreno.

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MOSFET de Modo de Depleo, Canal N

Tenso de corte, VGS,OFF tenso porta/fonte, onde ID 0. Tenso de ruptura, BVDS tenso dreno/fonte para ruptura de corrente do canal. Corrente de dreno para polarizao zero, IDSS Transcondutncia, gm taxa de mudana de corrente de dreno com a mudana de tenso porta/fonte a uma tenso porta/fonte em particular.
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CORRENTE DE DRENO (mA)

Dreno-Fonte Comum

TENSO DRENO-FONTE (V)

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Grfico produzido com MathematicaTM O grfico IV para um manual de MOSFET de modo de depleo; os outros parmetros so sempre fornecidos no manual.

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Frmulas: MOSFET de Modo de Depleo

Em hmica

Em ativa Resistncia dreno-fonte

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Assim como ocorre com os JFETs, h uma srie de frmulas relacionando a corrente de dreno ao dispositivo e parmetros de circuito. Estes so usados exatamente com os dos JFETs.

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Frmulas: MOSFET de Modo de crescimento

CORRENTE DE DRENO (mA)

Dreno-Fonte Comum

Tenso limite para incio da conduo. parmetro de construo.

TENSO DRENO-FONTE (V)

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Grfico produzido com MathematicaTM As frmulas para o modo de crescimento so bastante semelhantes, mas incluem o chamado parmetro de construo que descreve a capacidade do canal. Isso normalmente listado de forma explcita no manual, ento no necessrio fazer o clculo.

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Caractersticas de Transferncia de Trs Tipos de FET

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Grfico produzido com MathematicaTM Aqui, mostramos as caractersticas de transferncia de trs tipos de MOSFET, (1) depleo, (2) crescimento e (3) ambos. Os grficos IV direita mostram a corrente de dreno vs tenso de fonte de dreno para vrios potenciais de porta. Isso o que normalmente encontrado nas folhas de dados. As curvas esquerda mostram como a corrente de dreno varia como uma funo do potencial de porta na regio ativa. Isso normalmente no mostrado, mas uma boa forma de visualizar as diferenas entre os trs tipos de dispositivo. Tambm ajuda a ver se os pontos de operao devem ser configurados.

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Exemplo: Amplificados MOSFET de Modo de Depleo, Canal N

Caractersticas do MOSFET: IDSS = 10mA VGS,OFF = -4V VDD = 4V RD = 200

O problema encontrar o ganho. A ao do MOSFET ser um divisor de tenso e compartilhar VDD sobre RD e RDS. Vent ir controlar o valor de RDS. O resistor 1M includo apenas para estabilidade e para corrigir corrente de fuga nas portas; portanto, vamos ignor-lo.
6.071 Transistores de Efeito de Campo 38

Como exemplo, vemos o ponto de operao de um amplificador MOSFET de modo de depleo. O FET e o resistor de dreno compartilham a tenso e, medida que a porta sofre polarizao reversa, o FET temporariamente desativado e a tenso cresce atravs do FET (a tenso de sada aumenta).

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Exemplo (continuao)
Calcule o ganho nos arredores de Vent =0, ento ID = IDSS = 10mA e Vsada = VDD ID RD = 4V -(10mA)(200) = 2V Para ver como isso muda com Vent, calculemos a Transcondutncia a Vent =0.

Lembre-se de que a transcondutncia gm=1/RDS.

e Vsada
6.071 Transistores de Efeito de Campo 39

J que estamos procurando uma mudana de corrente (resistncia) com a tenso de controle, precisamos pensar sobre a transcondutncia, mas primeiro precisamos decidir sobre qual ponto calcular o ganho. Vejamos os arredores da tenso de entrada zero. Agora, a corrente de dreno pode ser retirada do manuale descobre-se que a tenso de sada de 2V (convenientemente no meio). Tambm podemos calcular diretamente a transcondutncia, que de 200 mhos. J que isso nos fornece a resistncia de fonte de dreno, calculamos o ganho.

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Exemplo (continuao)
A partir de nossas frmulas,

Isso fornece a mudana em RDS com uma mudana em Vent. Agora, vamos supor que RDS varie lentamente, de forma que RDS<<RDS RD . Nesse caso,

e a mudana em Vsada com RDS A partir de gm = 1/RDS, encontramos RDS = 200(1+V ent/4)-1
6.071 Transistores de Efeito de Campo 40

Nesse caso, vamos assumir um pequeno sinal e buscar uma soluo linear ao redor de tenso de entrada zero. Vamos fazer algumas suposies e descartar alguns termos para evitarmos um problema quadrtico. Qualquer uma das formas funciona e, cla ro, ir fornecer essencialmente a mesma resposta. Lembre-se de que todos os parmetros de circuito variam. Ns reescrevemos a tenso de sada para pequenas mudanas na resistncia de fonte de dreno, e descobrimos que a tenso de sada varia lentamente com isso.

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Exemplo (continuao)

Mais uma vez, olhamos ao redor de Vent0, portanto Vent<<4 e RDS 50W.Vent, Juntando isso, ento,

Portanto o ganho de 1/2.

6.071 Transistores de Efeito de Campo

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Expanda a resistncia dreno-fonte em termos de tenso de sada e ento use o fato de que a tenso de entrada pequena para simplificar isso. O resultado que o dispositivo um atenuador (tem ganho de uma metade), e no um amplificador. Voc deve reconhecer que, se aumentarmos a tenso (ou reduzirmos o resistor de dreno), podemos aumentar o ganho.

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MOSFET

fonte

dreno fonte porta MOSFET de canal n

6.071 Transistores de Efeito de Campo

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Uma das utilizaes mais importantes de MOSFETs construir circuitos lgicos que dissipem a menor potncia. Se construirmos a configurao de MOSFET acima, veremos que, em uma configurao, h uma corrente na carga, mas no na outra. Observe que o substrato ligado por terra fonte.

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MOSFET

fonte

porta

dreno fonte

MOSFET de canal p
6.071 Transistores de Efeito de Campo 43

Em um dispositivo de canal p, a corrente est associada ao estado ligado. Aqui, observamos que o substrato ainda est ligado por terra fonte (que agora est com uma tenso positiva).

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Inversor MOSFET
canal p

MOS complementar Inversor CMOS

canal n

6.071 Transistores de Efeito de Campo

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Na lgica MOSFET complementar (CMOS), a mesma porta construdo a partir de uma combinao de dispositivos de canal p e n de forma tal que no haja fluxo de corrente em nenhum estado lgico. claro que a ausncia de corrente significa que no h dissipao de potncia.