Semicondutores

Estrutura cristalina dos semicondutores

Quando os tomos se unem para formarem as molculas de uma substncia, a distribuio e disposio desses tomos pode ser ordenada e organizada e designa-se por estrutura cristalina. O Germnio e o Silcio possuem uma estrutura cristalina cbica como mostrado na seguinte figura.
tomo de silcio

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Ligao covalente
Nessa estrutura cristalina, cada tomo (representado por Si) une-se a outros quatro tomos vizinhos, por meio de ligaes covalentes, e cada um dos quatro electres de valncia de um tomo compartilhado com um electro do tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes compartilham os dois electres.

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Estrutura cristalina dos semicondutores

Na prtica, a estrutura cristalina ilustrada na figura s conseguida quando o cristal de silcio submetido temperatura de zero graus absolutos (ou 273C). Nessa temperatura, todas as ligaes covalentes esto completas os tomos tm oito electres de valncia o que faz com que o tomo tenha estabilidade qumica e molecular, logo no h electres livres e, consequentemente o material comporta-se como um isolante.

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Semicondutor intrnseco
Um semicondutor intrnseco um semicondutor no estado puro. temperatura de zero graus absolutos (-273C) comporta-se como um isolante, mas temperatura ambiente (20C) j se torna um condutor porque o calor fornece a energia trmica necessria para que alguns dos electres de valncia deixem a ligao covalente (deixando no seu lugar uma lacuna) passando a existir alguns electres livres no semicondutor.
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Semicondutor extrnseco
H diversas formas de se provocar o aparecimento de pares electrolacuna livres no interior de um cristal semicondutor. Um deles atravs da energia trmica (ou calor). Outra maneira, consiste em fazer com que um feixe de luz incida sobre o material semicondutor. Na prtica, contudo, necessitamos de um cristal semicondutor em que o nmero de electres livres seja bem superior ao nmero de lacunas, ou de um cristal onde o nmero de lacunas seja bem superior ao nmero de electres livres. Isto conseguido tomando-se um cristal semicondutor puro (intrnseco) e adicionando-se a ele (dopagem), por meio de tcnicas especiais, uma determinada quantidade de outros tipos de tomos, aos quais chamamos de impurezas. Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrnseco) este passa a denominar-se por semicondutor extrnseco.

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Processo de dopagem
Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrnseco), este passa a ser um semicondutor extrnseco.
As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrnseco podem ser de dois tipos: impurezas ou tomos dadores e impurezas ou tomos aceitadores. tomos dadores tm cinco electres de valncia (so pentavalentes): Arsnio (AS), Fsforo (P) ou Antimnio (Sb). tomos aceitadores tm trs electres de valncia (so trivalentes): ndio (In), Glio (Ga), Boro (B) ou Alumnio (Al).

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Semicondutor do tipo N
A introduo de tomos pentavalentes (como o Arsnio) num semicondutor puro (intrnseco) faz com que apaream electres livres no seu interior. Como esses tomos fornecem (doam) electres ao cristal semicondutor eles recebem o nome de impurezas dadoras ou tomos dadores. Todo o cristal de Silcio ou Germnio, dopado com impurezas dadoras designado por semicondutor do tipo N (N de negativo, referindo-se carga do electro).

Electro livre do Arsnio

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Semicondutor do tipo P
A introduo de tomos trivalentes (como o ndio) num semicondutor puro (intrnseco) faz com que apaream lacunas livres no seu interior. Como esses tomos recebem (ou aceitam) electres eles so denominados impurezas aceitadoras ou tomos aceitadores. Todo o cristal puro de Silcio ou Germnio, dopado com impurezas aceitadoras designado por semicondutor do tipo P (P de positivo, referindo-se falta da carga negativa do electro).

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Portadores maioritrios e minoritrios

Num semicondutor extrnseco do tipo N os electres esto em maioria designando-se por portadores maioritrios da corrente elctrica. As lacunas (que so a ausncia de um electro), por sua vez, esto em minoria e designam-se por portadores minoritrios da corrente elctrica. Num semicondutor extrnseco do tipo P as lacunas esto em maioria designando-se por portadores maioritrios da corrente elctrica. Os electres, por sua vez, esto em minoria e designam-se por portadores minoritrios da corrente elctrica.

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Movimento dos electres e das lacunas nos semicondutores do tipo N

Num cristal semicondutor tipo N o fluxo de electres ser muito mais intenso (sete larga) que o fluxo de lacunas (sete estreita) porque o nmero de electres livres (portadores maioritrios) muito maior que o nmero de lacunas (portadores minoritrios).
Electres Electres

A lacuna comporta-se como se fosse uma partcula semelhante ao electro, porm com carga elctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor submetido a uma diferena de potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o electro, mas em sentido contrrio, uma vez que possui carga elctrica contrria. Enquanto os electres livres se deslocam em direco ao plo positivo do gerador, as lacunas deslocam-se em direco ao plo negativo. 11
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Movimento dos electres e das lacunas nos semicondutores do tipo P

Num cristal semicondutor tipo P o fluxo de lacunas ser muito mais intenso (sete larga) que o fluxo de electres (sete estreita) porque o nmero de lacunas livres (portadores maioritrios) muito maior que o nmero de electres livres (portadores minoritrios).
Electres Electres

A lacuna comporta-se como se fosse uma partcula semelhante ao electro, porm com carga elctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor submetido a uma diferena de potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o electro, mas em sentido contrrio, uma vez que possui carga elctrica contrria. Enquanto os electres livres se deslocam em direco ao plo positivo do gerador, as lacunas deslocam-se em direco ao plo negativo. 12
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