Fundamentos de Electrnica Teoria

Cap.5 - Tiristores

Jorge Manuel Torres Pereira

IST-2010

NDICE CAP. 5 TIRISTORES

Pg. 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 Introduo ....................................................................................................................... 5.1 O dodo de quatro camadas ........................................................................................... 5.2 O rectificador controlado de silcio - SCR .................................................................... 5.8 O TRIAC ....................................................................................................................... 5.11 O DIAC .......................................................................................................................... 5.12 Transistores com passagem da conduo ao corte comandado pela porta GTO . 5.14 Aspectos dinmicos ....................................................................................................... 5.16 5.7.1 5.7.2 5.7.3 5.8 5.9 Tempo para passagem conduo devido a impulso na porta ................ 5.16 Tempo para passagem da conduo ao corte ............................................ 5.17 dUA/dt mximo ............................................................................................. 5.18

Influncia da temperatura ........................................................................................... 5.19 Circuito de aplicao .................................................................................................... 5.19

TIRISTORES

5.1. Introduo
Tiristores o nome genrico dos dispositivos que apresentam no primeiro quadrante do plano I (U), com os sentidos de referncia adoptados para o dodo de juno, a caracterstica estacionria da Fig. 5.1.

E II C I D Ub U

IL IH 0

Fig. 5.1 Caracterstica estacionria de um tiristor.

A caracterstica tem essencialmente duas zonas. Na zona I, as correntes so baixas podendo as tenses ser elevadas. Diz-se que o tiristor est bloqueado. Na zona II as tenses so baixas podendo as correntes ser elevadas. Diz-se que o tiristor est em conduo. A transio I II instvel, isto , no existe um ponto de funcionamento estacionrio nesta zona. Para evidenciar este facto a transio B C representada a trao interrompido. A tenso U b para a qual se d a transio I II chama-se tenso de limiar (ingls break over) ou de bscula. A corrente I L , que inicia o estado de conduo, a corrente de limiar (ingls latch-current). Uma vez na zona II, com o tiristor em conduo, se subirmos a tenso U, caminha-se no sentido C E da caracterstica. As correntes so cada vez mais elevadas e no possvel, por esta via, regressar ao troo I da caracterstica. Quando se caminha no sentido E C a transio da zona II para a zona I s possvel se se diminuir I at corrente I H , a corrente de manuteno (em ingls Holding current), menor que a corrente I L .

5.2 TIRISTORES Vimos assim que as transies de I para II e de II para I se do segundo percursos diferentes, havendo portanto histerese.

5.2. O dodo de quatro camadas

Na Fig. 5.2 est representada a estrutura do dispositivo mais elementar da famlia dos tiristores, designado por dodo de quatro camadas. A estrutura constituida por quatro camadas semicondutoras, na maior parte dos casos de Si, alternadamente p e n, formando as trs junes J1 , J 2 e J 3 . Quando a tenso U positiva e U < U b , as junes J1 e J 3 esto polarizadas directamente e J 2 inversamente. Deste modo a juno J 2 no s suporta a quase totalidade da tenso U aplicada mas tambm responsvel pela limitao da corrente I sua corrente inversa. Quando cresce o valor de U, a largura da regio de transio de J 2 , polarizada inversamente, tambm cresce. Para que a largura da regio de transio de J 2 no se estenda at J1 e J 3 , isto , para evitar o atravessamento das regies n e p adjacentes, os comprimentos destas regies, l1 e l2 na figura, devero ser maiores do que os das bases dos transstor comuns.

A
p(1)

J1
n(2)

l1
U

J2
p(3)

l2

J3
n(4)

K
Fig. 5.2 Representao esquemtica dum dodo de quatro camadas.

Quando a tenso U negativa, as junes J1 e J 3 esto polarizadas inversamente e a juno J 2 directamente. At disrupo de uma das junes, J1 ou J 3 , a corrente limitada pela juno que tem menor corrente inversa. Se a tenso U for suficientemente negativa d-se a disrupo logo que for atingida a maior das tenses de disrupo de J1 ou J 3 . A

TIRISTORES 5.3

caracterstica do dispositivo no terceiro quadrante est representada na Fig. 5.3. Um perfil tpico de impurezas para o dodo de quatro camadas est esquematizado na Fig. 5.4. Na prtica, na zona (2), N d 2 decresce com x.

I
U disr

Fig. 5.3 Caracterstica I(U) dum dodo de quatro camadas no 3 quadrante.

N d , N a ( m 3 )

N a1

1024 1022

1024

Nd 2

1020 (1) (2) (3) (4) x

0 50 m

l1

l2

150 m

30 m 50 m

Fig. 5.4 Perfil tpico de impurezas para um dodo de quatro camadas.

Em equilbrio termodinmico, o valor mximo do campo numa juno abrupta , na aproximao de empobrecimento total (ver juno p-n),
E0 = 2qVC 0 N d N a Nd + Na

(5.1)

Para J1 , sendo N a1

Nd 2

5.4 TIRISTORES
2qVC 01 Nd 2

E01

(5.2)

Para J 3 , onde N d 4

N a3
E03 2qVC 03 N a3

(5.3)

VC 01 da ordem de VC 03 mas N a 3 > N d 2 pelo que E03 > E01 . A entrada em disrupo
d-se para um campo E crtico, o mesmo para as duas junes, que resulta do acrscimo do campo de equilbrio termodinmico, E0 , devido tenso de polarizao inversa. As expresses anteriores so ainda vlidas desde que se substitua VC 0 por VC 0 U (U < 0 ) . Dado que E03 > E01 a juno J 3 entra em disrupo primeiro. Isto , a juno J1 que estabelece o valor da tenso de disrupo. O aspecto mais delicado do comportamento dos tiristores a transio da zona I para a zona II, Fig. 5.1. Para um tratamento qualitativo iremos substituir o tiristor por um modelo de dois transstores, Fig. 5.5.

A A IA p (1) J1 n (2) J2 p (3) p (3) J3 n (4) UC3 K (a) (b) K IE2 n (2) UC1 IC2 U IE1 UE1 IB1

J2

IC1 UC2 IB2

Fig. 5.5 Modelo dos dois transstores para o dodo de quatro camadas..

O modelo dos dois transstores, embora facilite a anlise , no de facto equivalente ao dodo de quatro camadas ou a outros tiristores. Assim, se ligssemos dois transstores como

TIRISTORES 5.5

na Fig. 5.5 (b), ficariam ambos na zona de saturao, semelhante zona II da Fig. 5.1, no se detectando a passagem I II . Sem entrar em pormenores isto deve-se a que quer o transstor npn quer tm F 2 e F 1

pnp

muito maiores do que as estruturas

correspondentes do tiristor. Apesar das zonas (1) e (4) terem caractersticas semelhantes a emissores, de buracos e electres respectivamente, no s as larguras l1 e l2 das bases so maiores do que nos transstores usuais, e portanto com factores de transporte menores, como as prprias eficincias como emissores so mais baixas. Da Fig. 5.5 (b), considerando que ambos os transstores se encontram na zona activa directa quando o tiristor est no estado bloqueado directo, zona I, com U C
uT , pode escrever-se

I C 2 = F 2 I E 2 I CB 02 I C1 = F 1I E1 I CB 01
Por sua vez

(5.4) (5.5) (5.6)

I E1 = I C1 I B1 = F 1I E1 + I CB 01 I B1

Como I B1 = I C 2 , quando se substitui (5.4) em (5.6) obtm-se

I E1 = F 1I E1 + I CB 01 + F 2 I E 2 + I CB 02
Sendo

(5.7)

I E1 = I E 2 = I
tira-se de (5.7)
I= I CB 01 + I CB 02 1 ( F1 + F 2 )

(5.8)

(5.9)

Recordemos que, em especial para o Silcio, os crescem com a corrente para correntes da ordem dos nA , i.e., da ordem das correntes inversas das junes. Assim, para correntes baixas, F 1 + F 2 menor que 1. Quando cresce a corrente I, e portanto
F 1 + F 2 , o denominador de (5.9) tende para zero. Isto no significa que a corrente tende

para infinito mas simplesmente que a hiptese U C

uT que esteve na base de (5.9), deixa

de se verificar. No modelo de dois transstores, estes ficariam saturados, portanto com ambas as junes polarizadas no sentido directo, correspondendo a U pequeno. So aspectos complementares, que no foram tidos em conta na reduo de (5.9), a

5.6 TIRISTORES corrente de gerao na juno J 2 , polarizada inversamente, eventualmente acompanhada de multiplicao por avalanche. Uma estrutura com propriedades mais prximas das do tiristor real a que inclui uma resistncia R em paralelo com a juno emissora do transstor T2 , de acordo com a Fig. 5.6. Esta resistncia simplesmente obtida estendendo a metalizao do ctodo para a regio da base do transstor T2.

IC 1 IB2 IR R

UC

IC

T2 UE

IE2

I K

Fig. 5.6 Modelo dos dois transitores para um dodo de quatro camadas com resistncia entre base e emissor do transstor n-p-n.

O efeito de R pode ser mais facilmente compreendido se se analisar o circuito da Fig. 5.7 que envolve a resistncia R em paralelo com o dodo.

I IR R ID UD

Fig. 5.7 Circuito que permite estudar a influncia de R no modelo de dois transstores.

Do circuito tira-se:

I = I D + I R = I is e

U D / uT

1 + U D / R

(5.10)

TIRISTORES 5.7

A relao I (U D ) expressa por (5.10) est representada na Fig. 5.8, onde vemos que medida que U D , e portanto I, crescem, o peso de I R cada vez menor.

ID

IR UD

Fig. 5.8 Caracterstica I (U D ) para o circuito da Fig. 5.7.

Tambm para o caso da Fig. 5.6 se passa o mesmo. Quando I cresce, I R tem um papel cada vez menor quando comparado com I E 2 . Sendo I C 2 = F 2 I E 2 a relao I C 2 / I cresce mais rapidamente do que F 2 . Tudo se passa como se I C 2 = F I , F crescendo com I. Analiticamente, com U C
uT
IC = F 2 I E 2 = F 2 ( I U E / R )

(5.11)

Da segunda equao de Ebers-Moll desprezando I CS

IC
que com U E

+ F 2 I ES e

U E / uT

uT conduz a
U E uT ln ( I C / ( F 2 I ES ) ) (5.12)

Substituindo (5.12) em (5.11) I C = F 2 I uT / R) ln ( I C / ( F 2 I ES ) ) donde

(5.13)

5.8 TIRISTORES I = 1/ F 2 I C + ( F 2uT / R ) ln ( I C / ( F 2 I ES ) ) que est representada na Fig. 5.9

(5.14)

I ( IC ) IC F 2 U T ln F 2 I ES R IC
F 2

IC
Fig. 5.9 Anlise grfica do efeito de R na corrente I.

Confirma-se que I cresce com I C de forma sobre-linear. Para uma dada corrente I no circuito a corrente que percorre o transstor T2 menor quando existe a resistncia R. Deste modo os valores de F2 no sobem to rapidamente com a corrente I o que permite a obteno de tenses de bsculas maiores. A maioria dos tiristores possuem esta resistncia R para acentuar o referido efeito bem como para control-lo.

5.3. O Rectificador Controlado de Silcio - SCR

O rectificador controlado de Silcio, tambm designado por SCR, em ingls Silicon
Controlled Rectifier, difere da estrutura da Fig 5.1 pela presena de um elctrodo de porta,

G, Fig. 5.10.
O elctrodo de porta tem como funo comandar unicamente a tenso de limiar U b , que determina a passagem do estado bloqueado ao de conduo, Fig.5.11. No pode comandar a passagem do estado de conduo ao bloqueado, transio II I na Fig.5.11.

TIRISTORES 5.9
A IA
p
A A

J1
n

IA
IG
G

IA UA
IK IG
G

UA

J2 J3

UA
IK UG K

IG

n
(a)
K IK

(b)

Fig. 5.10 Representao esquemtica do rectificador controlado de Silcio (a) e do seu smbolo elctrico (b)

Na Fig. 5.11 representam-se as caractersticas estacionrias do SCR para vrios valores de I G . Uma corrente de porta positiva diminui a tenso de bscula e uma corrente de porta negativa aumenta a tenso de bscula. Nestes dispositivos o mecanismo subjante transio bloqueado para conduo permite a utilizao de impulsos de corrente de porta de durao bastante curta porque, depois de se ter completado a transio, o dispositivo se mantm na regio de conduo mesmo que se remova a corrente de porta. Na prtica tambm se verifica que, qualquer que seja o valor da tenso aplicada ao dispositivo, o impulso de corrente de porta positivo garante sempre a passagem do estado bloqueado ao de conduo.
IA II IG>0 IG=0 IG<0 I Ub1 Ub2 Ub3 UA

Fig. 5.11 Caracterstica estacionria do rectificador controlado de Silcio.

5.10 TIRISTORES A corrente de porta I G soma-se corrente de base I B 2 da Fig. 5.12 ( I B 2 < 0 ) .

I E1 = I A

IC 2 I C1
G

IG

IB2 IE2 = IK
K

Fig. 5.12 Modelo de dois transstores para o SCR.

A equao (5.8) agora substituda por

I E 2 = I E1 + I G
pelo que
I E1 =
F 2 I G + I CB 01 + I CB 02 1 ( F1 + F 2 )

(5.15)

(5.16)

Graas a I G , a condio de anulamento dos denominadores pode verificar-se para I E1 menor, visto que segundo (5.15), com I G > 0 , o mesmo valor de I E 2 atingido com menor

I E1 . Por sua vez h toda a vantagem em que F 2 seja elevado para que seja grande a
influncia de I G . Nesse sentido o SCR fabricado de modo a ter-se F 2 > F 1 . A corrente de porta I G assim muito eficiente enquanto U C

uT , visto que aumenta

I B 2 e I C 2 F I B 2 . O mesmo no acontece durante a conduo franca (zona II) visto que

I C = F I B + I CE 0 eU C / uT 1 dominando a segunda parcela porque U C > 0 . Isto justifica

porque no se pode utilizar o elctrodo de porta para passar da conduo ao corte nos SCR.

TIRISTORES 5.11

5.4. O TRIAC
A estrutura do TRIAC est representada, de forma esquemtica na Fig. 5.13. Uma compreenso total do funcionamento do dispositivo obrigaria ao estudo de uma estrutura tridimensional. Note-se que os trs elctrodos A, B e G tm todos, acesso simultneo a zonas p e n. Assim, entre os terminais A e B existe sempre o transstor pnp formado pelas zonas (2), (3) e (4). Em paralelo com este existem os dodos de quatro camadas de A para B formado por (2), (3), (4), (6) e de B para A por (4), (3), (2) e (1). A existncia deste paralelo torna importantes os aspectos transversais.

n(1)

p (2)

A
G

n(3)

U AB

n(5)

p (4)

n(6)

U GB
(a) (b)
Fig. 5.13 Representao esquemtica dum TRIAC (a) e respectivo smbolo elctrico.

A caracterstica aos terminais est representada na Fig. 5.14 e semelhante que se obtem para dois SCR colocados em antiparalelo. A tenso de bscula U b1 relativa ao 1 quadrante pode ser reduzida com um impulso na porta G e U GB > 0 . A tenso de bscula U b 2 relativa ao 3 quadrante pode ser reduzida com

U GB < 0 .

5.12 TIRISTORES

1 Quadrante

Ub2
Ub1 UAB

3 Quadrante
Fig. 5.14 Caracterstica estacionrio dum TRIAC.

S a situao em que U AB > 0 e U GB > 0 que semelhante ao funcionamento do SCR, visto que a porta G tem acesso zona (4) vizinha do ctodo (6). Para U AB < 0 , o ter U GB negativo e portanto a juno p ( 4 ) n ( 5 ) directamente polarizada facilita o encaminhamento das linhas de corrente para a juno p ( 4 ) n ( 3) . Trata-se de um efeito transversal que afecta o comportamento longitudinal. Saliente-se que estender a metalizao do elctrodo B zona p (4) cria um caminho atravs desta zona, entre G e B. O efeito semelhante ao de ter uma resistncia em paralelo com a juno p(4) n(6) . J vimos qual a influncia desta resistncia no modelo de dois transstores.

5.5. O DIAC
A estrutura de princpio do DIAC a da Fig. 5.15, semelhante a um TBJ sem terminal de base. H contudo outras diferenas importantes entre o DIAC e o TBJ comum nomeadamente: regio n mais larga e com maior resistividade que no TBJ e zonas p com concentraes de aceitadores iguais, o que permite um comportamento simtrico do dispositivo.

TIRISTORES 5.13

I p

(a)

(b)

Fig. 5.15 Representao esquemtica do DIAC (a) e respectivo smbolo (b).

A caracterstica a da Fig. 5.16. Note-se que no h descontinuidade entre as zonas I e II e a zona II apresenta resistncia diferencial negativa, isto , dU / dI < 0 . Contrariamente aos TBJ usuais a regio da base n possui uma resistncia bastante elevada. Deste modo, na zona I, uma parte aprecivel da tenso U deve-se queda de tenso

RI nesta regio. Ao atingir a tenso U L , a juno polarizada inversamente entra em disrupo

por multiplicao em avalanche. A injeco de portadores na base faz baixar a resistncia desta, e d origem mobilidade diferencial negativa caracterstica da zona II. O DIAC utiliza-se frequentemente nos circuitos de disparo da porta de outros tiristores.

I II

UL

I UL U

Fig. 5.16 Caracterstica estacionria do DIAC.

5.14 TIRISTORES

5.6. Transstores com passagem da conduo ao corte comandada pela porta - GTO
Estes dispositivos, designados por GTO, Gate Turn-Off em ingls, podem efectuar as transies bloqueio para conduo e tambm de conduo para bloqueio atravs do comando da porta. O seu princpio de funcionamento est ligado com efeitos transversais que, no contexto destes apontamentos, iro ser analisados de forma qualitativa. Nos SCR convencionais no possvel utilizar uma corrente negativa no terminal da porta, para levar o dispositivo da conduo ao corte, porque o terminal da porta s vai afectar a regio dos dispositivo na vizinhana imediata do seu contacto. Uma corrente com origem nas regies longe do contacto iria dar origem a quedas de tenso transversais que iriam impedir essas regies de ser perturbadas. Deste modo, longe do contacto, o dispositivo vai-se manter em conduo. Consideremos que IGR a corrente de porta com o sentido contrrio ao da corrente IG, isto , IGR=-IG. De acordo com os sentidos convencionados na Fig. 5.12, a corrente de base do transstor n-p-n pode ser expressa como

I B 2 = I GR F 1I A

(5.17)

Se a corrente IB2 for menor do que a que necessria para manter a corrente de colector

IC2=-F2IK, ento o transstor n-p-n corta e o tiristor sai do estado de conduo. O corte ocorre
ento quando
I GR F 1I A ( F 2 1) I K

(5.18)

Atendendo a que

I K = I A I GR
ter-se-
I GR F 2 + F1 1 IA F 2

(5.19)

(5.20)

conveniente referir que a relao (5.20) no permite o clculo simples do valor da corrente IGR, necessria para levar o tiristor do estado de conduo a bloqueado, em virtude dos parmetros F dos transstores dependerem da corrente no tiristor. Define-se o ganho de corrente no corte, off, como

TIRISTORES 5.15

off =

IA F 2 = I GR F 2 + F 1 1

(5.21)

desejvel que off seja o maior possvel. Nesse sentido o dispositivo fabricado de modo a que F2 tome valores prximos da unidade e F1 seja o menor possvel para que, no s a tenso de bscula seja elevada como tambm a tenso aos terminais do tiristor, quando em conduo, seja baixa. Na Fig. 5.17 mostra-se a estrutura bsica dum GTO em que se ilustra a distribuio nouniforme da corrente entre o nodo e o ctodo, quando a corrente de porta negativa. Junto ao ctodo vo aparecer regies que deixam de estar em conduo no entanto o dispositivo mantm-se no estado de conduo at que a corrente se reduz a um filamento, altura em que o processo de corte do dispositivo se inicia. A elevada densidade de corrente associada ao filamento pode conduzir destruio do dispositivo. Por sua vez uma corrente de porta negativa pode fazer com que a juno porta-ctodo entre em disrupo em virtude da tenso transversal que se estabelece na regio p adjacente porta, Fig. 5.17. Logo que a juno referida entra em disrupo um aumento da corrente de porta no vai ter qualquer efeito no processo de corte do dispositivo pelo que a entrada em disrupo fixa o limite mximo da corrente de porta a utilizar, ou seja da corrente andica que pode ser desligada. Modificaes da estrutura do tiristor permitem ultrapassar esta limitao mas iro impor restries doutra natureza.
K G IGR

+ n2

VL

VL p2

n1

+ p1

IA A

Fig. 5.17 Estrutura bsica dum GTO evidenciando a distribuio no-uniforme da corrente assim como a queda de tenso transversal devida a uma corrente de porta negativa.

5.16 TIRISTORES

5.7. Aspectos Dinmicos

Sob o ponto de vista das variaes o comportamento dos tiristores est associado ao armazenamento e remoo de portadores. Com efeito a passagem do estado bloqueado ao estado de conduo paradigmtico pois passa-se duma juno polarizada inversamente, empobrecida de portadores de carga, para uma juno polarizada directamente, enriquecida de portadores. Nesta transio h portanto uma variao muito grande do nmero de portadores. O enriquecimento de portadores est ligado a um forte enriquecimento das bases anexas a J 2 , visto que muitos dos portadores tm origem nos emissores p e n, junto ao nodo e ctodo respectivamente. Tomaremos como exemplo o SCR.
5.7.1. Tempo para passagem conduo devido a impulso na porta

Aplicar uma tenso porta, para que o dispositivo passe do estado bloqueado ao de condutor, no tem um efeito instantneo. No SCR h que enriquecer a juno J 2 . Na Fig. 5.18 representa-se a variao no tempo da tenso U G e de I A .

IA 100 % 90%

t a > tc
10 % ta UG 100 % tL tc t

10 %

Fig. 5.18 Evoluo no tempo de U G e I A na passagem do estado bloqueado a condutor.

Chama-se tempo de ligao t L , o tempo durante o qual a tenso de porta tem que se manter para que a transio se complete. Este tempo tem 2 componentes: O tempo de atraso, ta que corresponde ao tempo necessrio para que a juno J 2 , que estava empobrecida por estar polarizada inversamente, se enriquea em

TIRISTORES 5.17

portadores at valores prximos dos de equilbrio termodinmico, de modo a que a corrente possa comear a crescer. O tempo de crescimento, tc que corresponde ao crescimento da corrente que obriga as junes J1 e J 3 a enriquecerem-se em portadores. Uma vez que a carga tambm limita o crescimento da corrente, o tempo tc depende desta. O caso mais desfavorvel o de carga indutiva.

Para que a comutao seja consumada a durao do impulso de porta deve ser maior do que t L .
5.7.2. Tempo para passagem da conduo ao corte

Antes desta transio, as junes J1 , J 2 e J 3 esto polarizadas directamente, as bases n e p e a juno J 2 esto enriquecidas e o tiristor comporta-se como um dodo p-i-n. Se invertermos a tenso no circuito exterior, a tenso aos terminais do tiristor no pode inverter instantneamente. Mantm-se aproximadamente no mesmo valor, visto que se suporta na distribuio de portadores, que no podem variar bruscamente. A corrente, essa sim, pode inverter, sendo a sua transio dependente da carga exterior, e especialmente lenta para carga indutiva, visto que a energia magntica no pode variar de forma descontnua. A evoluo temporal da tenso exterior, tenso andica e corrente est representada na Fig. 5.19. Chama-se tempo de recuperao de corte tr corte , o tempo necessrio para que se complete a passagem do estado de conduo ao estado de corte. Isto , o tempo que necessrio esperar para que o tiristor fique em condies de bloquear uma tenso positiva que aparea, inferior de limiar. S ento est recuperada a caracterstica estacionria relativa ao 1 quadrante. O tr corte tem duas componentes: Tempo de recuperao da corrente trc . As junes J1 e J 3 estavam polarizadas directamente. Demora um certo tempo at que uma destas junes esteja em condies de bloquear a corrente, limitando-a corrente inversa. um comportamento semelhante ao dodo em regime de comutao, j estudado. Tempo de recuperao da porta trp . Mesmo quando a corrente est bloqueada,

5.18 TIRISTORES ainda h que remover muitos portadores, em especial na juno J 2 e nas bases n e p . Este tempo muito maior do que o anterior. Se antes de estar completado aparecer um sinal positivo na porta ou em U ext , o disparo para regressar ao estado de conduo fica muito facilitado, visto que a juno J 2 e bases vizinhas ainda esto enriquecidas.

Uext

UA
trp trc

t IA trc trcorte t trp

Fig. 5.19 Evoluo de U ext , U A e I A no tempo quando se d a passagem de conduo ao corte.

5.7.3. dU A / dt mximo

A tenso de limiar U b foi definida na situao estacionria. Para U A < U b a juno J 2 est polarizada inversamente e, variao da tenso U A , corresponde uma corrente de deslocamento, associada capacidade diferencial de transio da juno J 2 . Para um crescimento dU A / dt elevado, devido corrente de deslocamento, o disparo d-se para tenses U A menores do que o valor de limiar U b da caracterstica estacionria. Os fabricantes especificam por isso ( dU A / dt ) Mx ( Ex :1000 V / s ) . A existncia da j referida resistncia em paralelo com J 3 , permite atingir

TIRISTORES 5.19

( dU A / dt )Mx

mais elevado, pois limita o crescimento da corrente.

5.8. Influncia da Temperatura

Os aspectos ligados com a temperatura so especialmente delicados nos tiristores, influenciando quer o disparo quer a segurana dos prprios dispositivos. Note-se que se tivermos em linha de conta o troo instvel correspondente transio corte conduo, os tiristores tm resistncia dinmica negativa. Isto , sobe a corrente e baixa a tenso. Todos os dispositivos em que a relao tenso corrente tem resistncia dinmica negativa e so comandados por corrente ( a uma tenso correspondem duas correntes) tm tendncia para que a densidade de corrente no seja uniforme. Neste caso podem-se formar pontos quentes onde a densidade de corrente maior o que, mesmo que os valores mdios mximos da potncia no tenham sido ultrapassados, dispositivo. Do ponto de vista do disparo, o aumento de temperatura, conduzindo ao aumento do nmero de portadores de minoria, baixa a corrente de porta e a tenso de limiar para comutao corte conduo. podem levar destruio do

5.9. Circuito de Aplicao

Considere-se a montagem da Fig. 5.20(a), que inclui um S.C.R. em srie com uma resistncia R. A tenso de entrada U, alternada sinusoidal

(f

= 50 Hz ) , e est representada

na Fig. 5.20(b). Na Fig. 5.20(c) mostra-se a variao no tempo de U GK . A caracterstica do tiristor para U GK = 1 V , est representada na Fig. 5.20(d). Pretende-se: (a) Na aproximao quase estacionria representar I(t). (b) Determinar a frequncia mxima para U GK que ainda faz com que o dispositivo passe do estado bloqueado ao estado de conduo com U b = 300 V , supondo que o tempo de ligao associado ao sinal U GK de 2 s . (c) Representar I (t ) e comparar com o resultado da alnea a) no caso em que o tiristor substitudo por um triac com a caracterstica de comutao idntica representada no 1 quadrante da Fig. 5.20(d).

5.20 TIRISTORES (d) Investigar o andamento de I (t ) em a) quando a resistncia R substituda por uma bobina.
I

U(V)

R = 1 k
A

1000
U

T/2 1000 (b)

UA U Gk

K (a) UGK (V) 1 T T/2 1 (c) t -500

I (mA) 1 2
U a (V ) U b = 300 V

(d)

Fig. 5.20 (a) Circuito de aplicao dum tiristor; (b) Tenso de entrada; (c) Tenso UGK; (d) Caracterstica do tiristor

(a) A caracterstica I (U a ) representada na Fig. 5.20(d) permite tirar algumas concluses: (i) Quando o tiristor se encontra no estado bloqueado, para U a > 0 ou U a < 0 , pode ser substitudo por uma resistncia equivalente RT, Fig.5.21(a), sendo:
RT =
300 = 300 k 1 103
I (t )

(5.22)

R
Ua

RT

Uc U

A RT

(a)

(b)

Fig. 5. 21 (a) Modelo para o tiristor bloqueado; (b) Circuito a analisar.

TIRISTORES 5.21

O circuito a analisar o da Fig.5.21(b) com

I (t ) =

U (t ) ( R + RT )

(5.23)

isto , a forma de I (t ) a de U (t ) para o intervalo de tempo em que o tiristor se encontra bloqueado. (ii) O tiristor no estado de conduo, U a > 0 , mantm aos seus terminais uma tenso constante U a = 2 V e pode ser substituda por uma fonte de tenso constante, Fig.5.22(a), a que corresponde o circuito da Fig.5.22(b).

I (t )

R Ua = 2 V U A Ua = 2 V

( a)

(b)

Fig.5. 22 - (a) Modelo para o tiristor em conduo; (b) Circuito a analisar.

Deste modo

I (t ) =

[U (t ) 2] .
R

(5.24)

(iii) O tiristor na disrupo (U a = 500 V ) , pode ser substitudo tambm por uma fonte de tenso constante, Fig.5.23(a), sendo o circuito a analisar o da Fig.5.23(b).

5.22 TIRISTORES
I (t)
A + K
Fig.5. 23 - (a) Modelo para o tiristor em disrupo; (b) Circuito a analisar.

R
U a = 500 V

U a = 500 V

A corrente dada por I (t ) =

[U (t ) + 500]
R

(5.25)

Falta agora determinar os intervalos de tempo durante os quais as situaes anteriores se verificam.

A partir da caracterstica do tiristor verifica-se que a passagem do estado bloqueado conduo se d para U a = U b = 300 V , a que corresponde uma corrente I (t1 ) = 1 mA . Sendo assim, a tenso U dever ter o valor U = R I (t1 ) + U a = 301 V para que o tiristor comute da situao (i) para (ii). Sendo U = U M sen t U M = 1000 V (5.27) (5.26)

O instante t1 em que se d a comutao dada por

301 = 1000 sen ( t1 ) = 2f ( f = 50 H z )

(5.28)

e tira-se
t1 9, 73 104 0,97 ms 0, 05 T = T 20

(5.29)

+ O valor de I t1 obtido a partir de (5.24) e ser

( )

+ I t1 =

( )

301 2 = 299 mA 103

(5.30)

TIRISTORES 5.23

O tiristor manter-se- em conduo at que o valor de U baixe de modo a que

I ( t ) = 1 mA de novo. Este valor de U ser atingido num instante t2 e valer U ( t2 ) = RI (t2 ) + 2 = 3 V

(5.31)

Na conduo a corrente I (t ) atinge o valor mximo para U = U M e ter-se- I M = 998 mA . O instante t2 obtm-se de forma idntica que foi utilizada para t1 com o cuidado de ter em linha de conta que o argumento agora dever ser ( t2 ) . Atendendo aos valores da tenso U em jogo, t2 10 ms = T 2 .

Para 0 < U < 3 V o tiristor est bloqueado e a anlise dever ser a da situao (i). Pode no entanto considerar-se que este intervalo de valores no d origem a correntes significativas e, graficamente, pode desprezar-se. Para 500V U a 0 a situao a de (i) e por isso ter-se-

I (t ) =

U (t ) R + Rt

(5.32)

A tenso U a = 500 V atinge-se no instante t = t3 , para U = 501, 67 V

I (t3 ) = e

500 mA 1, 67 mA 300

(5.33)

t3 = 11, 67 ms

0, 6 T

(5.34)

O tiristor estar na disrupo desde t3 at t4 , altura em que a tenso U = 501, 67 V de novo. O valor de t4 20 1, 67 = 18,33 ms I (t ) = Com I M = +500 mA . De t = t4 at t = T o andamento de I (t ) o mesmo que o obtido para t2 t t3 . N Fig. 5.24 mostra-se o grfico de I (t ) obtido com base nas consideraes anteriores.

[U (t ) + 500]
R

t3 t t4

(5.35)

5.24 TIRISTORES

U (t ) (V)
1000

301 3

t1

t2

T / 2 t3

t4

T = 20 ms

-501,67 -1000

I (t ) (mA)

998

299 1 -1,67 -500

Fig. 5. 24 Evoluo de I(t) para o circuito da Fig. 5.19.

(b) Se t = 2 s ento a durao do sinal U GK deve ser de pelo menos 2 s durante a alternncia positiva, Fig.5.25, a que corresponder um perodo de T = 4 s , ou seja, uma frequncia mxima f = 250 kH Z . Estando este sinal sincronizado com a tenso
U e sabendo-se que t1 1 ms (instante para o qual o tiristor comuta), a comutao d-

se aps 250 ciclos da tenso U GK .

TIRISTORES 5.25
U GK 2 S 1V 0 -1 V t 2 S

Fig. 25 UGK(t).

(c) Se o tiristor for substitudo por um triac, com a caracterstica do 1 quadrante idntica, Fig.5.26, sob a aco de U GK ele comutar para U a = 300 V quando U a > 0 e para

U a = 300 V quando U a < 0 .

I (mA)

-300

1 2 300

U a (V )

Fig. 26 Caracterstica do TRIAC.

Os andamentos de I (t ) para U > 0 e para U < 0 so idnticos, pois o dispositivo sempre disparado quando a tenso aos seus terminais vale 300V , Fig.5.27.

(d)

Para uma carga puramente indutiva o circuito a analisar o da Fig.5.28. Considere-se que a caracterstica do tiristor uma caracterstica ideal, o que, sob o ponto de vista de anlise do problema, no vai alterar substancialmente as consideraes a fazer, mas permite simplificar a resoluo. Admitir-se- tambm que o tiristor no entra em disrupo.

5.26 TIRISTORES
U (t ) (V)

1000

301
T /2

-301

-1000

I (t ) (mA)

998

299 1 -1 -299

-998

Fig. 5. 27 Andamento de I (t ) na situao em que o tiristor substitudo por um triac.

A situao presente difere da analisada anteriormente porque, neste caso, a corrente no circuito no pode variar bruscamente. Sendo assim, e sendo I = 0 quando o tiristor est bloqueado, ao passar conduo, a corrente manter nesse instante o valor zero, e dever garantir a igualdade
U =L dI , dt
I

(5.36)
L A

j que U a = 0 aps comutao. Sendo U = U M sen t , pode-se pois obter o andamento I (t ) atravs da equao anterior. O tiristor deixar de estar em conduo quando a corrente I (t ) vier a zero. Supondo que o disparo do tiristor feito num dado instante t = t1 ento

Fig. 5. 28 Carga puramente indutiva

TIRISTORES 5.27

U =L Por sua vez

di dt

para

t t1

(5.37)

i (t=t ) i (t =t1 )

di =

1 Udt L t= t
1

t=t

(5.38)

ou seja i (t ) = UM [cos (t1 ) cos (t ) ] L t1 t (T t1 ) (5.39)

O instante em que o tiristor, deixa de conduzir ser em t2 = T t1 , j que para este instante que i(t) vem o zero. A anlise da expresso permite concluir que i (t ) toma o valor mximo quando cos(t ) = 1 e que obtido quando t = T 2 . O valor mximo da corrente dado por iM = UM [cos( t1 ) + 1] L (5.40) UM definido pela diferena L

O andamento de i (t ) , sem ter em linha de conta o factor

cos ( t1 ) cos ( t ) .

O valor do termo constante depende do instante de disparo. Assim se o disparo for feito em t1 = 0
cos ( t1 ) = 1

t1 = T / 4 cos ( t1 ) = 0 t1 = T / 2 cos ( t1 ) = 1 A corrente I (t ) , para vrios ngulos de conduo, est esquematizada na Fig.5.29.

(5.41)

As situaes mais realistas contudo envolvem o estudo da corrente num circuito em que a carga consiste numa bobina em srie com uma resistncia, como se mostra na Fig.5.30. Admitindo para o tiristor que: em conduo U a = 0 ; no estado bloqueado pode ser substitudo por uma resistncia elevada RT ; e no entra em disrupo, podem ento analisar-se as situaes correspondentes conduo e no-conduo do tiristor de forma idntica que foi feita anteriormente.

5.28 TIRISTORES
U

T /2

t1 = 0 t = T / 4 1

t1 = 3T / 8

I(t) 2U M L UM L
2 UM 1 2 L t1 = 0 t1 = T / 4 t1 = 3T / 8 t

Fig. 5.29 Evoluo de I(t) para um circuito puramente indutivo.

Na passagem do estado bloqueado ao estado de conduo do tiristor, como U a = 0 , pode escrever-se U (t ) = RL I (t ) + L com U (t ) = U M sen t . A soluo da equao diferencial constituda pela soma da soluo da equao homognea (traduz o regime livre) e a soluo relativa ao regime forado. dI (t ) dt (5.42)

I (t ) RL U (t ) Ua K
Fig.5.30 Carga R em srie com L

L A
G

I (t ) = I (t ) + I f (t ) Com
I (t ) =
R L t Ce L

I f (t ) =

UM
2 RL

+ ( L )

sen (t )

(5.43)

L C = constante a determinar e tan() = . RL

TIRISTORES 5.29

Assim I (t ) = C e
R L t L +

UM
2 + (L) 2 RL

sen ( t )

(5.44)

Se supuser que o tiristor passa do estado bloqueado ao estado de conduo num dado instante t = td , a tenso de entrada U dever tomar um valor U d = U M sen (td ) , (5.45)

a que corresponde uma dada corrente I d , igual para o estado bloqueado em t = td e para o + estado de conduo em t = td . A continuidade da corrente que passa atravs da bobina

imposta pela necessidade da energia magntica no poder variar bruscamente. Se o tiristor fosse um interruptor ideal I d = 0 contudo, como foi referido que no estado bloqueado o tiristor tinha um comportamento resistivo e resistncia com valor elevado, pode-se, sem perda de generalidade supor que Id Ud RT (5.46)

Pode-se agora obter o valor da constante C e escrever a expresso final para I (t )

UM sen ( td ) e C = Id 2 + ( L ) 2 RL

RL td L

(5.47)

RL ( t td ) L U M sen ( td ) e I (t ) = I d 2 2 ( ) + R L L UM + sen ( t- ) ( t td ) 2 + ( L ) 2 RL

(5.48)

Como se v esta expresso tem como soluo particular a obtida anteriormente para a situao de carga indutiva e I d = 0 . O termo que inclui a exponencial responsvel pela subida relativamente lenta da corrente no acto de comutao dando origem a curvas da corrente assimtricas em relao ao mximo. O peso relativo do valor de RL e de L determinam a desfazagem observada e influenciam significativamente o valor mximo da corrente.

5.30 TIRISTORES Nas Fig.5.31 e 5.32 apresentam-se os resultados para I (t ) , para vrios valores de RL . Considerou-se: U M = 1000 V ; f = 50 Hz; L = 50 mH ; RT = 300 k ; td = 1 ms ; I d = 1 mA

Fig.5.31 Evoluo I(t) para um circuito envolvendo uma bobina e uma resistncia.

Fig.5.32 Evoluo I(t) para um circuito envolvendo uma bobina e uma resistncia.