1 DESENVOLVIMENTO DE UMA CLULA SOLAR BASEADA EM SEMICONDUTORES ORGNICOS

Roberto Shigueru Nobuyasu Junior1, Eralci M. Therzio1, Raigna Augusta da Silva1, Alexandre Maletta1

Resumo: Neste trabalho estudamos o crescimento e a caracterizao ptica e eltrica de clulas fotovoltaicas orgnicas multicamadas (ML-PV). Os dispositivos foram processados utilizando a tcnica de deposio Layer-by-Layer (LbL) alternando os polieletrlitos PSS (poliestireno sulfonato cido), PTHT (poli(p-xileno

tetrahidrotiofeno)) e PAH (poli-alilamina hidrocloreto) sobre um substrato de xido de estanho dopado com flor (FTO). A camada de PPV (poli-p-fenileno vinileno) foi obtida atravs da converso trmica do precursor PTHT a 110C sob vcuo de 10-2atm por 2 horas. Finalmente, uma camada de alumnio (Al) foi evaporada como anodo. A estrutura FTO/PSS/PPV/PAH/PSS/PPV/PAH/.../Al da ML-PV foi processada com 100 camadas de PSS/PTHT/PAH. O processo de adsoro PSS/PTHT/PAH dos filmes mostraram um comportamento no autolimitado em funo do nmero de camadas. As caractersticas eltricas da ML-PV, apesar de apresentarem uma eficincia baixa (~105

%) para clula solar, mostraram que o conceito da criao de camadas polimricas

carregadas, camadas de PSS (negativa) e PAH (positiva), usando a tcnica LbL possvel com a presena de um campo eltrico intrnseco ao longo da direo de crescimento das multicamadas. Este resultado abre caminho para a utilizao deste procedimento como facilitador da dissociao do par eltron-buraco em fotoclulas polimricas.

Palavras Chave: Clula solar polimrica, poli-alilamina hidrocloreto, poliestireno sulfonato cido, poli-p-fenileno vinileno

Instituto de Fsica, Universidade Federal de Uberlndia, Av. Joo Naves de vila 2160, Uberlndia, 38400-902, marletta@ufu.br

Abstract: In present work we studied the growth and electrical and optical characteristics of multilayers photovoltaic cells (MLPV). The devices were processed using the technique Layer-by-Layer (LbL) dipping the FTO (Fluor Tin Oxide) substrate in PSS (polystyrene sulfonate acid), PTHT (poly(tetrahydrothiophenium p-xylene)), and PAH (poly-allylamine hydrochloride) polyelectrolytes. The PPV (Poly(p-phenylene vinylene)) layer was obtained thermal converting the PTHT precursor polymer at 110oC under vacuum 10-2atm during 2h. Finally, one aluminum (Al) layer was evaporated as cathode. The ML-PV structure FTO/PSS/PPV/PAH/PSS/PPV/PAH/.../Al was processed with 100 PSS/PTHT/PAH layers. The adsorption of the PSS/PTHT/PAH layers wasnt self-limited in function of the number of the layers. The electrical characteristics of the ML-PV presented low energy conversion efficiency (~10-5 %). However, we observed the presence of special charges in polyelectrolyte layers, PSS (negative) and PAH (positive), due to the LbL procedure introducing an intrinsic electric field along the multilayers film growth. The behavior result opens the possibility to use the LbL technique and polyelectrolyte polymers to facility the electron-hole dissociation in polymeric photocells.

Key Words: Polymeric solar cell, poly-allylamine hydrochloride, polystyrene sulfonate acid, poly(p-phenylene vinylene).

3 1) Introduo

O desenvolvimento de dispositivos optoeletrnicos que sejam capazes de converter luz em eletricidade de grande interesse, no apenas cientfico e tecnolgico, mas econmico e social. Como o sol a principal fonte de luz natural de energia limpa e inesgotvel para a humanidade, onde a regio espectral de emisso solar dividida em aproximadamente 5% na faixa do ultravioleta, 43% do visvel e 52% no infravermelho do espectro eletromagntico torna-se vivel a produo desses dispositivos (TURNER et al., 2008). Alm disso, a energia solar incidente excede em milhes de vezes o consumo de toda energia na terra. Nas ltimas dcadas, outro tipo de semicondutor, os polmeros conjugados e emissores de luz, tm sido estudados como um material promissor na fabricao destes dispositivos opto-eletrnico (MARLETTA, 2001). Apesar de sua baixa eficincia na produo de energia (~1-5%) o custo de produo, de ordens de grandeza menor que os similares semicondutores inorgnicos. O maior custo baseado nos reagentes necessrios para a sntese do polmero que , aproximadamente, da ordem de centenas de dlares (~US$100,00). Alm disso, seu processamento bastante simples podendo recobrir reas da ordem centmetros quadrado (cm2) e a purificao do material depende apenas da sua rota de sntese (MARLETTA, 2001). Com baixo custo somado a descoberta da foto-induo nos semicondutores orgnicos surgiu grande interesse no estudo de um dispositivo opto-eletrnico orgnico, a foto-clula orgnica. Na fotoinduo h a criao de um par eltron-buraco, fazendo com que ocorra a transferncia de carga, e.g., entre um semicondutor e um polieletrlito (BIANCHI, 2002). Isso permite a criao de interfaces, chamadas de doador-aceitador (YOSHINO et al., 1997). Recentemente os dispositivos fotovoltaicos foram fabricados com interpenetrao em toda a estrutura do dispositivo que permitem uma maior eficincia na dissociao do par eltron-buraco (REINEKER et al., 1983). Neste trabalho, foi estudado um dispositivo opto-eletrnico orgnico que converte energia luminosa em energia eltrica. Este dispositivo uma foto-clula fabricada atravs da tcnica de deposio Layer-by-Layer (LbL), ou camada-por-camada. A fotoclula foi fabricado com xido de estanho dopado com flor (FTO), PSS (poliestireno sulfonato cido), PPV (poli-p-fenileno vinileno), PAH (poli(alilamina hidrocloreto)) e alumnio (Al). A natureza das interaes dos filmes LbL permite um importante controle

4 molecular (BARLETTA et. al., 2008). Por exemplo, o contato entre poli(alilamina) e o poliestireno tornou possvel aumentar o armazenamento de carga em relao capacidade dos materiais isolados. Estes acmulos de cargas intrnsecas podem proporcionar uma baixa da resistncia interna e criar campos eltricos para promover o par eltron-buraco a se dissociar.

2) O Efeito Fotovoltaico

O efeito fotovoltaico foi observado por Edmond Becquerel em 1839, o qual descobriu que certos materiais produzem uma corrente eltrica quando expostos luz (TURNER ET al., 2008). Em 1876 foi produzido o primeiro dispositivo fotovoltaico, porm somente em 1956, com a corrida espacial, foi iniciada a produo industrial. Esse efeito ocorre quando a absoro de um fton pelo dispositivo causa a transferncia de um eltron para o estado excitado, gerando um par eltron-buraco, em muitos casos um xciton. Quando esses xcitons se dissociam tornam-se efetivos para serem transportados. Isso ocorre em campos eltricos fortes (~1eV). Por outro lado, a recombinao destes portadores de carga gera radiao luminosa ou trmica no efetiva diretamente no processo fotovoltaico.

3) Materiais e mtodos

3.1) Eletrodo de FTO

O material utilizado como eletrodo transparente, foi lamina de vidro contendo um filme fino de 400 nm de FTO. Inicialmente o padro do eletrodo (layout) desenhado em escala atravs de um editor de desenho vetorial. Em seguida, o mesmo desenho impresso em alta resoluo em um papel transfer, comercialmente encontrado em lojas especializadas de eletrnica. Posteriormente, o papel transfer+layout colocado sobre o substrato de FTO previamente lavado. A transferncia processada com o auxilio de

5 uma prensa, HT3020 Ferragini Design.

3.2) Processo de lavagem dos substratos

A lavagem do substrato foi realizada atravs de um procedimento padro que utiliza hidrxido de amnia, perxido de hidrognio 30% e gua deionizada. Os substratos so imersos em um banho trmico a 80C em soluo de gua deionizada, perxido de Hidrognio e hidrxido de amnia (H2O:H2O2:NH3) na proporo 5:1:1,

respectivamente, durante 1 hora. Esse procedimento ocorre para que haja a hidrofilizao do substrato.

3.3) Preparao dos filmes Layer-by-Layer

Para a obteno dos filmes foram utilizados as solues de PAH (poli(alilamina hidrocloreto)) (Fig. 1b), PTHT poli (p-xileno tetrahidrotiofeno), PSS (poliestireno sulfonato cido) (fig. 1a) 0,6 g/L, 1,0 g/L e 0,6 g/L, respectivamente. Esses filmes foram feitos com 20 e 100 tri-camadas. Para comparao, foi construdo um dispositivo apenas com PTHT/DBS com 20 bi-camadas, utilizando uma soluo de poli (p-xileno tetrahidrotiofeno) (PTHT) 1,0 g/L e uma soluo de dodecilbenzenosulfnico 3,0 g/L.

(a)

(b)

Figura 1. Estrutura qumica do (a) polialilamina hidrocloreto (PAH) e (b) do poliestireno sulfonato cido (PSSH).

A figura 2 apresenta o esquema de processamento dos filmes de PSS/PTHT/PAH de 100 tri-camadas obtidas pela tcnica de produo LbL. Similarmente, o filme de

6 PTHT/DBS tambm apresenta esta estrutura.

Figura 2. Esquema do filme ML PSS/PTHT/PAH de 100 tri-camadas obtido pela tcnica de deposio LbL.

3.4) Sntese do PPV

As facilidades de processamento dos materiais polimricos passam inicialmente pela rota de sntese qumica e, de preferncia, que sejam solveis em solventes orgnicos. Como o PPV no solvel em solventes polares ou apolares, utiliza-se uma rota qumica, denominada rota do precursor solvel. Neste caso, obtm-se primeiramente o polmero precursor poli (p-xileno tetrahidrotiofeno), que solvel at mesmo em gua (MARLETTA, 2001). A sntese do PTHT inicia-se a partir do monmero pxileno-bis (tetrahidrotiofeno) diludo em metanol a 0 oC. A polimerizao ocorre ento pela adio da base (NaOH) e o processo finalizado com a adio do cido (HCl), eliminando os resduos qumicos pelo processo de dilise. A obteno do polmero conjugado PPV realizada atravs de uma converso trmica, na qual o filme de PTHT submetido a uma etapa de eliminao do grupo lateral tetrahidrotiofeno, como mostra a figura 2 (MARLETTA, 2001). Entretanto, quando este grupo estabilizado com o contra-on Cl, as temperaturas de eliminao trmica so superiores a 200C, como se verifica na reao (i) esquematizada na figura 3.

Figura 3. Esquema do processo de converso do PPV baixa temperatura: (i) esquema da rota convencional de tratamento trmico para obter PPV; (ii) adio do DBS ao PTHT; (iii) processo de eliminao do grupo de sada tetrahidrotitiofeno complexado com o contra-on DBS a baixas temperaturas (110 C) em tempos rpidos (30 min).

Uma rota alternativa para obter-se PPV a mais baixa temperatura a troca em soluo do contra-on Cl do polmero precursor PTHT pelo sal de sdio do cido dodecilbenzenosulfnico (DBS); a temperatura de converso do PPV reduzida consideravelmente para 110 C, como mostra a reao (iii) na figura 3. A vantagem deste procedimento a produo de filmes polimricos com menos defeitos estruturais. A figura 4 apresenta o filme multicamadas (ML) com 20 camadas de FTO/PSS/PTHT/PAH aps ser submetido ao tratamento trmico de 110 oC, i.e., o PTHT foi convertido em PPV.

Figura 4. Filme da heteroestrutura sobre FTO j convertido a 110C.

3.5) Caracterizao por absoro ptica

As medidas de absoro ptica foram realizadas em um equipamento que tem como fonte de luz uma lmpada de Deutrio-Tungstnio da Ocean Optics (modelo Dtmini), operando numa faixa de comprimento de onda de 200 a 800 nm, e um espectrofotmetro CCD da Ocean Optics (USB 4000). A montagem experimental do tipo caseiro e usa dois espelhos cncavos focando o feixe de luz na amostra a ser analisada, como mostra a figura 5. A Luz sai da fonte (1) e direcionada a um dos espelhos cncavos (3), o qual foca a luz na amostra (4). A luz transmitida direcionada a outro espelho cncavo, o qual a focaliza na CCD (2).

Figura 5. Montagem experimental para medidas de absoro ptica.

9 3.6) Caracterizao por fotoluminescncia

A figura 6 apresenta o esquema de montagem para as medidas de fotoluminescncia das amostras, onde: 1- Laser de on de Ar+ em 457,9 nm utilizado para a excitao da amostra, 2- espelhos para alinhar e direcionar o feixe do laser, 3criostato usado para acondicionar as amostras e 4- fotodetector Ocean Optics USB2000.

Figura 6. Montagem experimental para fotoluminescncia.

3.7) Caracterizao eltrica

A figura 7 apresenta o layout da mscara para a metalizao do filme metlico de Alumnio sobre o filme polimrico. O desenho tem como finalidade estudar a relao da rea do dispositivo h ser iluminada com a corrente gerada pelo efeito fotovoltaico. O circulo menor tem 0,1cm de dimetro e o circulo maior tem 0,4cm de dimetro.

Figura 7. Layout para a metalizao de Al sobre a multicamada polimrica.

10 As medidas de tenso versus corrente das amostras foram obtidas utilizando a metalizao de Al sobre o filme polimrico 4. A figura 8 mostra o dispositivo pronto para ser submetido s caracterizaes eltricas. As medidas de corrente vs. tenso foram realizadas utilizando-se uma fonte de corrente-tenso (KEITHLEY 2410-c), no qual possvel regular a tenso e obter a corrente. Estas medidas tambm foram realizadas com o auxlio de um simulador solar da Oriel Instrumenta USA (Spectra Physics 95005).

Figura 8. Filme multicamada de FTO/PSS/PPV/PAH/.../Al e os contatos eltricos colados.

4) Resultados e discusses

4.1) Adsoro

A adsoro de cada bicamada de PTHT/DBS foi acompanhada atravs de espectros UV-vis, apresentado na figura 9. No detalhe da figura apresentado o grfico da intensidade da absoro em 205 nm, transio localizada do grupo benzeno do PTHT e do DBS, em funo do nmero de bicamadas. Neste grfico pode-se observar a linearidade da adsoro do PTHT/DBS a partir da sexta bicamada, demonstrando a possibilidade do controle da espessura e homogeneidade dos filmes. Os tempos de imerso foram de 1,0 min em cada soluo.

11

0.25

0.24

Intensidade em 205nm

0.20 0.15 0.10 0.05 0.00 0 2 4 6 8 10 12 14 16

0.20

0.16

Absorbncia

N de Bicamadas

0.12

0.08
Nm ero de bicam adas

0.04

0.00 200 300 400 500 600

Com primento de onda (nm )

Figura 9. Espectro de absoro na regio UV-vis em funo do nmero de bicamadas para um filme de PTHT-DBS. No detalhe o acompanhamento da adsoro (absoro em 205 nm) de cada bicamada.

A adsoro dos polieletrlitos PSS/PHA foi tambm acompanhada atravs dos espectros UV-vis e so apresentados na figura 10. Os tempos de imerso foram de 1,0 min em cada soluo. A banda em 240 nm se refere s transies localizadas dos anis de benzeno presente no material. Observa-se, de modo geral, um crescimento do filme, ou seja, da espessura com o aumento do nmero de camadas. Isto por ser observado no grfico em detalhe no canto superior direito da figura 10. No detalhe, observa-se que o grfico da intensidade da absoro em 240 nm, transio localizada do grupo benzeno do PSS e PAH, em funo do nmero de bicamadas. Onde observada a linearidade da adsoro do filme PSS/PAH demonstrando a possibilidade do controle da espessura e

12 homogeneidade dos filmes.

0.3
Intensidade em 240 nm

1.5

0.2

0.1

Absorbncia

1.0

0.0 0 5 10
N de bi-camadas

15

20

0.5

Quartzo 2 Bicamadas 18 Bicamadas

0.0 200 250 300 350 400

Comprimento de onda (nm)

Figura 10. Espectro de absoro de um filme camada-por-camada de PAH/PSS.

4.2) Absoro ptica

As figuras 11a e 11b apresentam os espectros de absoro dos filmes ML-PV de 20 camadas. Em preto a absoro do substrato de quartzo, em azul o espectro de absoro da ML-PV antes do tratamento trmico e em vermelho o espectro de absoro da ML-PV aps o tratamento trmico 200C (Fig. 11a) e 110C (Fig. 11b). Os espectros de absoro da figura 11 mostram as transies eletrnicas do PTHT na regio do ultravioleta ao visvel (~ 200-550 nm). Os espectros do PSS/PTHT/PAH apresentam 3 bandas com mximo em 190, 240 e 350 nm (MARLETTA, 2001). As de menor comprimento de onda esto associadas s transies localizadas dos anis de benzeno e a segunda banda est associada a estados no localizados do PPV de diferentes graus de conjugao.

13

0,9 0,8 0,7 0,6

20BC 20BC convertido 200 C Quartzo

A bs orb nc ia

0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0,0 200 250 300 350 400 450 500 550 600

Comprimento de Onda (nm)

(a)
0,9 0,8 0,7 0,6

20BC 20BC convertido 110 C Quartzo

Absorbncia

0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0,0 200

250

300

350

400

450

500

550

600

Comprimento de Onda (nm)

(b) Figura 11. Espectro de absoro da ML-PV PTHT/PSS/PTHT/PAH convertido a 200C (a) e 110C (b).

Analisando esses espectros observa-se que o tratamento trmico efetuado a mais alta temperatura produz as camadas de PPV mais convertidas, i.e., o espectro de absoro do PPV na regio de 350 a 500nm mais deslocado para o vermelho no caso

14 da converso trmica a 200C. Neste caso, pode-se afirmar que a rota descrita na figura 3(iii), para o filme de mltiplas camadas, atingida quando o tratamento trmico mais elevado do que o obtido quando usado o DBS como contra-on do PTHT. Entretanto, espera-se um aumento da termo-oxidao, neste caso, com a presena de grupos carbonila (C=O) ao longo do PPV (LOURENO et. al., 2007). Estes defeitos diminuem consideravelmente a eficincia de emisso do PPV, o que um fator importante para o funcionamento dispositivo fotovoltaico (MARLETTA, 2001).

4.3) Fotoluminescncia

Na figura 12a so mostrados os espectros de fotoluminescncia normalizados das amostras estudadas neste trabalho: filmes de PTHT/DBS e PSS/PTHT/PAH convertidos a 110 e 200 oC. Basicamente, os espectros apresentam quatros picos caractersticos do PPV. O primeiro a altas energias (~510nm) se refere s transies puramente eletrnicas e os outros trs (~540, ~600 e ~650 nm) as replicas de fnon. Observa-se que os filmes tratados termicamente a mais alta temperatura apresentam um alargamento na forma de linha, caracterstico de incorporao de defeitos estruturais. A ttulo de comparao de eficincia de emisso, os espectros de fotoluminescncia foram corrigidos pela potencia absorvida:

Pot = 1 10 Abs

(1)

onde Abs a absoro do filme (Figura 12) no comprimento de excitao da amostra, neste trabalho, 457 nm. A intensidade da fotoluminescncia dos filmes polimricos corrigida pela eq. 1 apresentada na figura 12b. A maior intensidade obtida para os filmes convertidos a 110 C. Mais uma vez comprovando o efeito da converso trmica no PPV em sua eficincia de emisso. Abaixo de 150 C esperado que os defeitos por termo-oxidao diminuam e que a camada ativa do dispositivo seja mais eficiente na emisso de luz (MARLETTA, 2001).

15

Intensidade de PL (un. arb.)

1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0

(a)

Heteroestrutua 110 C o Heteroestrutura 200 C o Ptht/Dbs 110 C o Ptht/Dbs 200 C

500

550

600

650

700

750

800

Comprimento de Onda (nm)

Intensidade de PL (un. arb.)

15000

(b)

10000

Heteroestrutura 110 C o Heteroestrutura 200 C o PTHT/DBS 110 C o PTHT/DBS 200 C

5000

0 500 550 600 650 700 750 800

Comprimento de Onde (nm)

Figura 12. (a) Espectros de fotoluminescncia normalizados das amostras de filmes PPV/DBS e PSS/PTPV/PAH de 100 camadas. (b) Intensidade de fotoluminescncia pela potncia absorvida para os filmes PPV/DBS e PSS/PPV/PAH de 100 camadas. Os filmes foram convertidos termicamente 110C e 200C.

16 4.4) Caracterizao eltrica

Para avaliar se os dispositivos apresentam o efeito fotovoltaico, a figura 13 apresenta as curvas de corrente (I) vs. tenso (V), sem e com iluminao. A curva da figura 13a se refere ao dispositivo ML-PV de FTO/PSS/PTHT/PAH..../Al e as curvas das figuras 13b e 13c so do dispositivo convencional FTO/PPV/DBS/Al convertidos a 110 C e 200 C, respectivamente. No caso da ML-PV a converso trmica utilizada foi de 110 C.

8,0x10 6,0x10 4,0x10 2,0x10

-6

-6

Claro Escuro

-6

-6

A/cm

0,0 -2,0x10 -4,0x10 -6,0x10 -8,0x10

-6

-6

-6

-6

-1,5

-1,0

-0,5

0,0

0,5

1,0

1,5

Tensao (V)

(a)

1,6x10

-5

Claro Escuro
-5

1,2x10

8,0x10

-6

A/cm

4,0x10

-6

0,0

-4,0x10

-6

-1,5

-1,0

-0,5

0,0

0,5

1,0

1,5

Tensao (V)

(b)

17

6.0x10

-7

5.0x10

-7

Claro Escuro

4.0x10

-7

A/cm

3.0x10

-7

2.0x10

-7

1.0x10

-7

0.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0 1.5

Tenso (V)

(c)

Figura 13. Curva caracterstica de corrente por tenso para: (a) a ML-PV de FTO/PSS/PTHT/PAH..../Al tratado 110C, (b) o dispositivo FTO/PPV/DBS/Al tratado 110C, (C) o dispositivo FTO/PPV/DBS/Al tratado 200C. Curvas em preto obtidas no escuro e em vermelho sob iluminao.

Para a ML-PV, figura 13a, a tenso de operao do dispositivo diminui quando submetido luz, curva em vermelho, o que significa que as cargas intrnsecas dos polieletrlitos so anuladas pelas cargas fotos geradas pelo polmero. O dispositivo FTO/PPV/DBS/Al (Fig. 13b) apresenta um grfico caracterstico de uma clula solar. No caso do dispositivo PPV/DBS convertido a 200oC o efeito fotovoltaico no observado, figura 13c. Este resultado pode ser relacionado ao aumento considervel de defeitos estruturais do PPV, como observado indiretamente no alargamento de linha da fotoluminescncia na figura 12a. Os pares de valores de corrente - tenso podem ser utilizados para determinar onde a potencia mxima (Pmp), relacionada tenso de mximo (Vmp) e corrente de mxima (Imp). Para esses valores esta tambm associada uma resistncia - Rmp. Essa potncia mxima da clula considerada uma caracterstica do dispositivo. Entretanto, esta depende do acoplamento eltrico perfeito entre as clulas e a carga. A figura 14 mostra estes parmetros em uma curva hipottica de um dispositivo que apresenta o

18 efeito fotovoltaico. Na qual, pode-se determinar tambm a tenso de circuito aberto (Voc). A corrente eltrica de curto circuito, Isc, definida como a mxima corrente produzida pela clula quando seus terminais estiverem fechados. As curvas acima (Fig. 13) e a determinao dos pontos Isc, Voc, Imp, Vmp e Pmp so utilizadas para caracterizar eletricamente uma clula solar. Deste modo, podemos ento determinar o Fator de Forma (FF), ou preenchimento da clula solar, pela equao 2.

FF =

Vmp I mp Voc I sc

(2)

Figura 14. Curvas caractersticas de corrente vs. tenso (I x V) e potencia vs. tenso (Pot x V) de uma fotoclula. Os parmetros Pmp, Vmp e Voc esto indicados.

O Fator de Forma (eq. 2) uma grandeza que expressa quanto o polgono limitado pela curva I vs. V e pelos eixos cartesianos se aproxima de um retngulo. Quanto melhor esta aproximao, melhor ser a qualidade e o rendimento da fotoclula, ou ainda, como se ela tendesse a trabalhar nos pontos onde a tenso e a corrente so mximas. A seguir, na figura 15, foram calculadas as curvas de potncia a partir das curvas da figura 13. So apresentados juntamente os grficos de corrente por tenso, assim como a figura 14.

19

1,00E-007

Potencia IxV

5,00E-008

Corrente (A)

0,00E+000

-5,00E-008

-1,00E-007 -1,5 -1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0 1,5

Tenso (V)

(a)

1,00E-007

Potencia IxV

5,00E-008

0,00E+000

Corrente (A)

-5,00E-008

-1,00E-007

-1,50E-007 -1,5 -1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0 1,5

Tenso (V)

(b)

Potencia (W)

Potencia (W)

20

1,0x10

-7

0,0
-7

-1,0x10

Corrente (A)

-2,0x10 -3,0x10 -4,0x10 -5,0x10 -6,0x10

-7

-7

-7

-7

Potencia IxV

-7

-1,5

-1,0

-0,5

0,0

0,5

1,0

1,5

Tenso (V)

(c) Figura 15. (a) Curva caracterstica de corrente por tenso (vermelho) e de potncia (preto) para a ML-PV de FTO/PSS/PTHT/PAH.../Al tratado 110C. (b) Curva caracterstica de corrente por tenso (vermelho) e de potncia (preto) para o dispositivo FTO/PPV/DBS/Al tratado 110 C. (c) Curva caracterstica de corrente por tenso (vermelho) e de potncia (preto) para o dispositivo FTO/PPV/DBS/Al tratado 200 C.

Considerando a potncia da luz incidente Pin, que neste trabalho de aproximadamente de 60 mW, o rendimento da fotoclula pode ser obtido pela relao abaixo.

I SCVoc Pin

(3)

Na tabela 1 so mostrado os resultados para os trs dipositivos. A Tabela apresenta os valores encontrados e calculados dos parmetros Voc, Isc, FF e , para os dispositivos ML-PV de FTO/PSS/PTHT/PAH..../Al tratado 110C no e FTO/PPV/DBS/Al tratado 110 C e 200 C.

Potencia (W)

21 Tabela 1. Clculo do fator FF para os dispositivos estudados: Amostra ML-PV (110C) PTHT/DBS (110C) PTHT/DBS (200C) Voc (V) 0,71 0,89 0,45 Isc (A) 0,03 0,07 0,05 FF 0,27 0,75 0,00 (%) 1,3 x10-5 3,3 x10-5 0,0

Observa-se que para a ML-PV tem uma eficincia aproximadamente de 3 vezes menor que o dispositivo FTO/PPV/DBS/Al tratado 110C. Uma dificuldade encontrada em comum com as clulas solares orgnicas de monocamada ou bicamadas ativas a produo de filmes polimricos com baixa rugosidade, observado na literatura como uma forte influncia para a melhora do Fator de Forma [BERNDE et al., 2005]. Como todos os experimentos foram realizados sob atmosfera e temperatura ambiente e, o tempo de exposio da clula na fonte de luz, no se pode comprovar uma degradao muito efetiva dos dispositivos. Mas como os polmeros fotoluminescentes estudados foto-degradam em atmosfera com O2, de se esperar uma oxidao no dispositivo e, conseqentemente, a reduo da eficincia da camada ativa (GEVORGYAN et al., 2008). Os melhores rendimentos (~2-3%) para fotoclulas na literatura so para filmes finos da ordem de 20nm (BERNDE et al., 2005; OGAWA et. al., 2007 e GEVORGYAN et al., 2008), na tentativa de diminuir os defeitos estruturais quando so adsorvidos camadas por camada. Porm h um limite, pois no se pode variar muito a forma estrutural, somente o material utilizado.

5) Consideraes finais

A utilizao da tcnica Layer-by-Layer, demonstram a possibilidade da fabricao de dispositivos fotovoltaicos multicamadas em um processo que no auto-limitado. Isto de fundamental importncia quando se pretende produzir filmes com espessura da ordem de 100 nm, espessura tpica de um dispositivo opto-eletrnico

22 orgnico. A caracterizao ptica e eltrica dos dispositivos demonstra um efetivo progresso sobre o desenvolvimento da clula fotovoltaica. De acordo com as medidas eltricas obtidas, figura 13, h uma eficincia 105 vezes menor que as medidas obtidas p BERNDE et al. Eficincia baixa, mas que deve ser analisada com alguns critrios, pois o projeto da clula no apresenta a complexidade da estrutura da clula solar da referncia mencionada. Isto pode estar no somente relacionado com a configurao da clula, mas tambm pelo material orgnico utilizado. importante considerar que a difuso do xciton apenas da ordem de 5-50 nm, para a maioria dos semicondutores orgnicos, durante seu tempo de vida (SUN, 2007). A gerao s pode ocorrer se o espao entre as camadas do polieletrlito e a camada ativa dentro desta distncia. Isto significa, no caso de bicamadas, s um pequeno volume junto interface est ativo, pois a carga gerada pequena. A clula de PPV analisada composta somente pelo polmero fotoluminescente e um surfactante o DBS. Sem conter nenhum polieletrlito ou injetor de cargas no dispositivo. J heteroestrutura apresentou uma diminuio na tenso de operao quando h incidncia de luz em curto circuito. E mesmo nas condies de aplicao de ddp o dispositivo apresenta uma corrente que pode ser relacionada s cargas intrnsecas dos polieletrlitos. Com essas caractersticas pode-se desenvolver um foto-detector. Finalmente, pode-se destacar a estabilidade da camada ativa polimrica (PPV), mesmo em condies ambientes. Esta estabilidade poder ser utilizada no aumentando da escala de tempo til do dispositivo at poder cumprir com normas industriais, que so requisitos essenciais para um maior progresso e comercializao de dispositivos de clulas solares orgnicas.

6) Agradecimentos

Os autores gostariam de agradecer as agncias de fomentos que financiaram este projeto: FAPEMIG, CAPES e CNPq. Tambm estendem seus agradecimentos a Profa. Dra. Ana Flavia Nogueira e ao aluno de doutorado Msc. Luiz Carlos Pimentel Almeida do Laboratrio de Energia Solar e Nanotecnologia do Instituto de Qumica da Universidade Estadual de Campinas UNICAMP pela disponibilidade do simulador

23 solar e caracterizao inicial dos dispositivos desenvolvidos neste trabalho.

7) Referncias bibliogrficas :

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