Lasers Etc Etc

Jos Figueiredo 1
Lasers e Optoelectrnica Lasers e Optoelectrnica

2001-02
Introduo Electrnica
Universidade do Algarve
Faculdade de Cincias e Tecnologia
Departamento de Fsica
Lasers e Optoelectrnica
Ano lectivo 2001-02
Cursos de Engenharia Fsica e Fsica e Qumica
4 ano, 2 semestre
(http://w3.ualg.pt/~jlongras/lope/lope.html)
Docente: Jos Figueiredo
(gab. C2-3.47-1, jlongras@ualg.pt)
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2001-02
Lasers e Optoelectrnica
Electrnica Quntica
rea da Fsica e Engenharia que tm por objecto de estudo o desenvolvimento, o comportamento e as
aplicaes de circuitos e dispositivos electrnicos e optoelectrnicos baseados em fenmenos qunticos.
Optoelectrnica e Fotnica
A importncia da Fotnica, reconhecido pilar do desenvolvimento cientfico e tecnolgico moderno,
evidenciada pelo impacto das tecnologias pticas e optoelectrnicas num grande nmero de produtos de
consumo (CDs, DVDs, ...), de equipamentos industriais (lasers, microscpios, sensores optoelectrnicos,
fibras pticas, ...), instrumentao mdica (lasers cirrgicos, endoscpios, microscpios, ...),
instrumentao cientfica (lasers, espectrofotmetros, telescpios, ...), telecomunicaes (sistemas de
comunicao, ), processamento de informao (fotocopiadoras laser, holografia, ...), e entretenimento
(lasers, holografia, ...).
Laser
acrnimo de l[ight] a[mplification] (by) s[timulated] e[mission] (of) r[adiation], amplificao de luz
por meio de emisso estimulada de radiao
s. m., (Fs.),
dispositivo gerador de um feixe de radiao electromagntica intensa, quase monocromtica,
possuindo mltiplas aplicaes nos campos da indstria, da investigao e tecnologia, da Medicina e
militar.
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Convenes
A utilizao de caracteres na representao de grandezas, constantes, parmetros, coeficientes e
unidades electromagnticas rege-se pelas seguintes convenes:
caracteres maisculos em itlico para grandezas escalares constantes no tempo, mas tambm para o
valor mdio ou a amplitude das grandezas variveis no tempo. Por exemplo, E, B, H, I
m
sin(t+).
caracteres minsculos em itlico para valores instantneos das grandezas escalares. Por exemplo, i(t),
v(t), etc. No entanto, e com o intuito de simplificar a representao das equaes, por vezes representa-
se apenas i e v em vez de i(t) e v(t).
caracteres maisculos em estilo romano para grandezas vectoriais, como, por exemplo, o vector
campo elctrico , e o vector fora elctrica, ; pode-se, tambm, representar uma grandeza vectorial
em estilo romano a carregado (bold), E e F. As grandezas e as funes complexas, como a
impedncia, os fasores, a funo resposta em frequncia e a funo de transferncia, representam-se
em estilo romano normal (Z, I ). No entanto, o mdulo e a fase das grandezas complexas, como, por
exemplo, da impedncia e da resposta em frequncia, so representados em itlico.
as constantes, parmetros e coeficientes so representados com caracteres gregos ou latinos,
minsculos ou maisculos em itlico, de acordo com as convenes internacionais. Por exemplo, a
ndice de refraco, n, a velocidade da luz no vcuo, c, a mobilidade dos electres, , a permitividade
do vazio,
0
, etc.
E
r
F
r
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Bibliografia
Notas a Fornecer pelo Docente.
Lasers, Anthony E. Siegman, Univ. Science Books, 1986.
Understanding Fiber Optics, Jeff Hecht, Prentice-Hall, 1999.
Optical Electronics in Modern Communications, Amnon Yariv, Oxford, 1997.
The Essence of Optoelectronics, Kathryn M. Booth, and Steven L. Hill, Prentice-Hall, 1998.
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Ondas Electromagnticas (OEM)
.
Uma onda OEM consiste de um campo elctrico e de um campo
magntico no espao variveis no tempo. No caso representado,
uma OEM polarizada linearmente, o campo elctrico (E) oscila na
vertical; o campo magntico (B) oscila na horizontal. No espao, os
dois campos so sempre perpendiculares entre si, e ambos so
perpendiculares direco de propagao.
A luz tem uma natureza dual. Em propagao comporta-se como
uma onda; nos processos de emisso, absoro comporta-se como
partcula. (Como dispositivo, o laser uma medida do conhecimento
Diagrama de onda electromagntica num dado instante. (Uma onda uma perturbao que transmite energia de um
ponto para outro.)
ganho acerca do que a luz e como a controlar.
A amplitude de uma onda corresponde deslocao mxima do ponto de equilbrio. O comprimento de onda,
, definido como a distncia mnima entre dois pontos da onda com as mesmas caractersticas, i.e., a mesma
fase. O perodo, T, corresponde ao mnimo intervalo de tempo ao fim do qual a fase da onda se repete, i.e., a onda
completa um ciclo. A frequncia, , corresponde ao nmero de ciclos de onda num segundo. =1/T. Tendo em
conta que a velocidade se defina como a distncia percorrida no dado intervalo de tempo, define-se velocidade de
fase de uma onda, , como a distncia percorrida num ciclo, ou um comprimento de onda por perodo.
=/T=.
A velocidade da luz no vazio
~300 000 km/s, e representa-se por c.
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Espectro Electromagntico
Caracter Electromagntico da Luz
Regra geral, o termo luz designa a poro do espectro electromagntico
compreendida entre o ultra-violeta profundo (50 nm) e o infra-
vermelho prximo (20 m). A propagao da luz descrita pelas
equaes de Maxwell (ou aproximaes destas) que descrevem os
campos elctrico e magntico da onda electromagntica associada. Do
ponto de vista electromagntico uma regio do espao caracterizada
pelas funes permitividade elctrica, , e permeabilidade magntica,
, que, em geral, so grandezas tensoriais complexas.
Na grande maioria dos meios/materiais com interesse em ptica, o
efeito da componente do campo associado ao campo magntico
muito menor que o efeito do campo elctrico e , em geral ignorado.
ndice de Refraco e Coeficiente de Absoro
Todas as ondas electromagnticas propagam-se no vcuo com velocidade constante e igual a c=310
8
m/s. Num meio material propagam-se com velocidade <c, e, em geral, a sua intensidade vai diminuindo,
segundo a expresso I(x)=I
0
e
-.x
, medida que se propagam. O ndice de refraco de uma substncia, n,
define-se como a razo entre as velocidade de fase das ondas no vcuo e no meio: n=c/; n1.
A alterao de velocidade corresponde a uma variao do comprimento de
onda: n=
0
/, onde
0
e representam o comprimento de onda no vazio e no
meio, respectivamente. A frequncia da onda no se altera, quando esta
muda de meio. O parmetro designa-se coeficiente de absoro, e
caracteriza a taxa espacial de absoro da luz pelo meio material.
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Interaco da Luz com a Matria
Grandezas pticas Macroscpicas
A energia de um sistema pode assumir a forma de energia potencial, de energia cintica, energia
calorifica, de energia electromagntica, etc.. Qualquer forma de energia representa a capacidade de
produzir trabalho.
A potncia corresponde taxa com que a energia transferida. A potncia de um feixe luminoso a
taxa a que a energia ptica fornecida pelo feixe. A radincia a potncia por unidade de rea de um feixe
de luz incidindo numa superfcie. tambm referida como densidade de potncia. Um medidor de
potncia ptica um dispositivo de teste ptico desenhado para medir a potncia mdia de um feixe
luminoso contnuo. A radincia produzida pelo feixe pode ser determinada se a rea iluminada do detector
conhecida. Quando um feixe pouco divergente
Sempre que a luz atinge a interface entre dois meios pticos, figura abaixo, parcialmente reflectida,
parcialmente espalhada (scattered) na interface e no meio, parcialmente absorvida ao longo do seu
percurso no material, sendo a restante transmitida.
Na 1 interface, parte da luz reflectida de acordo com a lei da
reflexo e parte espalhada aleatoriamente devido s imperfeies da
superfcie (reflexo difusa). No material, a luz absorvida pelos tomos
no caminho do feixe e espalhada aleatoriamente pelas impurezas. Na
interface de sada, parte do feixe , de novo, reflectida. Finalmente, e
aps todas estas perdas, o feixe emerge do material.
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Polarizao
A radiao luminosa consiste em ondas que correspondem a variaes dos campos elctrico e magntico.
Muitas aplicaes requerem que os campos elctrico e magntico apresentem uma direco especifica. A
polarizao da luz descreve a orientao da oscilao do campo elctrico no espao:
- a luz no polarizada no apresenta orientao especifica do campo elctrico (a sua direco varia
aleatoriamente a, aproximadamente, frequncia da luz);
- na luz plano-polarizada o campo elctrico oscila no plano;
- luz polarizada verticalmente corresponde a radiao em que o plano de oscilao vertical;
- na luz polarizada horizontalmente, o plano que contm a oscilao do campo elctrico horizontal;
- a luz polarizada circularmente corresponde a luz em que a direco do campo elctrico nem aleatria
nem se confina a um plano nico. A direco do campo elctrico de luz polarizada circularmente descreve
um circulo durante cada perodo da onda.
Um polarizador um dispositivo que determina o estado de polarizao da luz.
Polarizador linear
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Polarizao por Reflexo
Define-se plano de incidncia como o plano formado pela direco de propagao da onda e pela normal
superfcie de reflexo. Qualquer estado de polarizao pode ser descrito como a combinao de dois
estado de polarizao lineares perpendiculares entre si. A componente de polarizao no plano de
incidncia designa-se como componente de polarizao paralela (|| ou ); a componente de polarizao
perpendicular referida como componente de polarizao perpendicular ( ou ).
A figura da esquerda ilustra a polarizao de luz por reflexo. Quando luz no polarizada incide numa
superfcie segundo um dado ngulo de incidncia, uma poro da luz reflectida sendo a restante
transmitida e/ou absorvida. A poro de cada componente que reflectida pela superfcie depende do
ngulo de incidncia A. A figura da direita mostra a reflectividade de uma superfcie de vidro em funo
do ngulo de incidncia para luz polarizada perpendicularmente ao plano de incidncia () e luz polarizada
paralelamente ao plano de incidncia (||). A reflectncia fraco da potncia incidente reflectida
apresentada em percentagem, representa a fraco da luz incidente (no polarizada) reflectida por cada uma
das duas polarizaes.
Note que existe um ngulo particular, A na figura da
esquerda e B na da direita, para o qual a componente
perpendicular reflectida em 15%, enquanto que a
componente paralela no reflectida. Este ngulo
designado de ngulo de Brewster. Este ngulo depende do
ndice de refraco do material reflector (tan B=n): se a luz
incide no vidro (n=1.5), segundo o ngulo de Brewster
(~56.3
0
) os 15% reflectidos esto totalmente polarizados
perpendicularmente.
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Coerncia
Define-se coerncia como a condio que existe quando todas as ondas luminosas esto em fase. Seja a
onda representada na figura abaixo.
A equao Y=A sin descreve a onda representada ao lado.
Qualquer ponto da onda pode ser especificado pelo seu ngulo de
fase. A fase de um ponto de uma onda definida como o
deslocamento angular do ponto ao ponto correspondente ltima
passagem por zero. A fase absoluta de um ponto de uma onda , em
geral, de pouco interesse no caso de radiao luminosa. A diferena
de fase entre duas ondas , geralmente, de grande importncia. A
diferena de fase sempre expressa como um ngulo entre 0
0
e 180
0
(0- radianos).
H dois aspectos da coerncia: coerncia temporal e coerncia
espacial. A coerncia espacial refere-se correlao de fase das
ondas num dado ponto do espao em dois instantes diferentes. A
coerncia espacial, por outro lado, descreve a correlao de fase de
dois pontos diferentes ao longo da frente de onda num dado instante.
A coerncia temporal da luz dependente da largura de banda da fonte. Quanto mais a largura de banda
da fonte tende para zero (fonte monocromtica) mais temporalmente coerente a luz emitida.
A coerncia espacial est relacionada com as dimenses aparentes (tamanho) da fonte de luz. Quanto
mais pontual a fonte mais espacialmente coerente a fonte se torna.
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Coerncia Temporal e Coerncia Espacial.
Define-se coerncia como a condio que existe quando todas as ondas luminosas esto em fase.
Ondas Temporal/ Coerentes Ondas Espacial/ Coerentes Ondas Temporal/ e Espacial/ Coerentes
Ondas com frequncia
constante, mas a relao de
fase ao longo do feixe no
constante.
Os pontos P
1
, P
2
, e P
3
, no plano ao
feixe esto em fase e permanecem
em fase medida que o plano se
move. Contudo, o seu varia.
A luz laser apresenta elevado grau de
coerncia temporal e espacial. A coerncia
temporal resulta do caracter monocromtico;
a coerncia espacial consequncia da
comportamento de fonte pontual
Define-se frente de onda de uma onda como uma superfcie de fase constante.
Frentes de Onda
Quando suficientemente
afastadas da fonte, as
frentes de onda esfricas,
em boa aproximao,
comportam-se como
frentes de ondas
planares. Frentes de onda
podem ser produzidas
por colimao de um
feixe divergente.
A figura da esquerda
representa as frente de
ondas esfricas produzidas
por uma fonte pontual.
Estas frentes de onda
afastam-se da fonte
mantendo uma relao de
fase constante ao longo da
sua superfcie.
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Interferncia
Ocorre interferncia quando um feixe de luz coerente dividido em duas (ou mais) partes e mais tarde
recombinados.
A figura ilustra a recombinao de duas ondas num ecr num
ponto em que esto em oposio de fase (d.d.f. de 180
0
). Os
dois campos elctricos anulam-se num processo designado de
interferncia destrutiva.
Na figura ao lado, as duas ondas chegam ao ecr em fase e os
seus campos elctricos adicionam-se produzindo na regio de
interferncia uma zona de radincia reforada: interferncia
construtiva. Se as duas ondas so de amplitude idntica, a
radincia produzida nessa zona quatro vezes superior de um
feixe sozinho. A interferncia no destri energia, unicamente redistribui a energia total.
Filme Anti-Reflector Filme de elevada Reflectividade Interferncia produzida por reflexo
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Atenuao da Luz
Lei Exponencial de Absoro
Quando a luz se propaga num meio material, parte da energia luminosa absorvida pelos tomos do
material. A quantidade absorvida depende das caractersticas do material e da sua espessura. Componentes
pticos, como as lentes, so feitos de material que, praticamente, no absorve luz na regio de
comprimentos de onda de operao. Filtros pticos, pelo contrrio, so desenhados para transmitir apenas
uma pequena poro da luz incidente, podem atenuar alguns c.o. ou eliminar um grupo de c.o., transmitindo
os restantes. A absoro de luz um processo importantssimo no bombeamento de lasers de estado slido e
de corantes.
Quando um feixe atravessa o meio activo de um laser, adicionada energia ao feixe ganho ptico -
atravs do processo de emisso estimulada.
Parte da luz incidente num meio material absorvida, sendo a restante
transmitida. A transmisso, T, do material ptico dada por: T=E/E
0
, onde
E representa a radincia. A reflexo e o espalhamento em conjunto com a
absoro contribuem para as perdas pticas em todos os sistemas, mas no so tidas em conta nesta fase.
Como parece obvio, o incremento do percurso ptico num material ir diminuir a radincia transmitida.
A curva da figura tem a forma T(x)=e
-x
, e traduz a lei
exponencial de absoro, onde representa o coeficiente de
absoro em cm
-1
, e x a espessura do material em cm.
numericamente igual ao reciproco da espessura do material de
que resulta na transmisso de 1/e (~36.8%) da luz incidente. =x
-1
ln[T(x)]
-1
.
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Absoro em Funo do Comprimento de Onda
O coeficiente de absoro (e, portanto, a transmisso) de um material qualquer funo do c.o. da luz
incidente. Como j foi referido, h diferentes tipos de filtros pticos. Geralmente, eles so usados para 1)
seleccionar uma regio de c.o. de doutra; 2) seleccionar uma regio muito estreito de co e excluir todos os
restantes acima ou abaixo desta regio; 3) seleccionar um grupo de comprimentos de onda, que, como um
grupo, so todos transmitidos com a mesma intensidade. Os filtros pticos so, geralmente, feitos de vidro
coloridos, metais, ou filmes finos dialcticos. Podem, tambm, ser classificados em filtros de corte, passa
banda, filtros de densidade neutral.
Filtros de corte (cutoff filters): este tipo de filtro apresenta uma
diviso clara entre as regio de alta e baixa transmisso. So usados
para eliminar c.o. no desejados em muitos sistemas pticos. culos
de segurana (goggles) so um exemplo importante destes filtros.
Filtros passa-banda: este tipo de filtro permite a passagem d uma banda estreita de c.o. e
bloca toda a luz fora desta banda. As luzes de segurana em salas escuras contm filtros
passa-banda que s deixam passar luz a cujo filme no sensvel.
Filtros neutrais (neutral density filters): estes filtros so desenhados para apresentarem
a mesma transmisso para todos os comprimentos de onda numa regio larga do espectro.
As lentes da maioria dos culos de sol so filtros neutrais para a luz visvel.
Os filtros neutrais e outros filtros de baixa transmisso so caracterizados pelo
parmetro densidade ptica (OD, de optical density). Se a densidade ptica de um
filtro conhecida, a sua transmisso determinada a partir da expresso: T=10
-OD
.
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Introduo aos Lasers
Para entender como um laser opera necessrio conhecer como que os tomos absorvem e emitem
energia. A luz deve ser tratada como uma onda nos estudo de fenmenos de propagao, para compreender
a operao de alguns componentes pticos, para explicar fenmenos como a polarizao, coerncia e
interferncia. Contudo, a natureza ondulatria da luz no , normalmente, usada para explicar a emisso e
absoro de luz por tomos. Nestes processos, a luz , geralmente, descrita como comportando-se mais
como uma partcula do que como uma onda, i.e., a luz parece consistir de pequenas entidades, cada uma
contendo uma energia caracterstica. O princpio da dualidade da luz afirma que a luz no pode ser descrita
de forma completa nem como uma partcula nem como uma onda, mas tm ambas as caractersticas, i.e., os
dois conceitos so complementares.
O foto a mais pequena diviso de um feixe de luz que retm todas as propriedades do feixe. As
caractersticas do foto incluem a energia (ou frequncia ou comprimento de onda) e a polarizao. Um
foto no deve ser visualizado como uma partcula que tm dimenses fsicas e uma localizao especfica
no espao. Mais correctamente, um foto pode ser considerado como um pacote de onda que tem uma
quantidade de energia especfica E=h=hc/, onde h representa a constante de Planck (6.62510
-34
Js),
i.e., o foto o quantum de luz, possuindo uma determinada energia e um comprimento de onda
caracterstico. comum em ptica e Optoelectrnica, usar como unidade de energia o electro-volt (eV)
que corresponde a 1.60210
-19
J. (A unidade de energia CGS o erg, que igual a 110
-7
J.) O nmero de
onda de um foto corresponde ao nmero de comprimentos de onda compreendidos no comprimento de um
centmetro; geralmente, representa-se por k e tem unidades cm
-1
: k=1/[ (cm)].
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Um tomo constitudo por um ncleo positivo e uma nuvem
de electres. Cada electro na nuvem s pode possuir
quantidades de energia muito especficas. A energia total do
tomo, em primeira aproximao, a soma das energias de cada
um dos electres na nuvem. Se a energia electrnica do tomo
corresponde ao mnimo da energia permitida, o tomo est no
estado fundamental, caso contrrio o tomo encontra-se num
estado excitado. A figura acima representa um diagrama parcial
dos nveis de energia do tomo de mercrio. Um tomo no
permanece num estado excitado indefinidamente.
Os tomos tm tendncia a perder o excesso de energia e retornarem ao estado fundamental, directamente
ou atravs de uma srie de transies intermdias. O perodo de vida de um estado atmico particular
corresponde ao tempo requerido por metade dos tomos inicialmente nesse estado para fazerem a transio
sem beneficiarem de influncia externa (como, por exemplo, emisso estimulada). O perodo de vida de um
estado , portanto, uma medida da taxa com que os tomos deixam um dado nvel de energia, libertando
parte da sua energia. O perodo de vida atmico tpico de cerca 10
-8
s, podendo variar entre 10
-11
e 10
-2
s.
Nveis de Energia e Transies Atmicas
As variaes de energia
dos tomos correspondem
a transies atmicas.
vulgar, por exemplo, em espectroscopia, expressar a energia na unidade nmero de onda. Contudo, no
se trata, verdadeiramente, de uma unidade de energia, embora seja muito til como um indicador dos
valores de energia.
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Um estado considerado metaestvel quando possui um perodo de vida superior a 10
-6
s.
A energia de um tomo particular depende da distribuio de electres na nuvem electrnica. A energia
de um tomo varia de forma descontinua. Quando a distribuio electrnica de um tomo corresponde
configurao de menor energia diz-se que o tomo est no estado atmico fundamental. Se a distribuio
electrnica tal que corresponde a uma configurao de maior energia, diz-se que o tomo est num estado
atmico excitado.
A figura um diagrama simplificado de um tomo com trs nveis de
energia. Um tomo num estado excitado instvel e libertar o excesso
de energia espontaneamente, regressando configurao de menor
energia (estado fundamental). A libertao de energia pode ocorrer num
nica transio ou numa srie de transies que envolvem nveis de
energia intermdios. Em muitos casos, o excesso de energia libertado na
forma de um foto.
Uma das maneiras de um tomo fazer uma transio de um nvel de energia para um nvel inferior atravs
do processo de emisso espontnea (sem influncia externa), em que um foto com energia igual
diferena de energias entre os nveis envolvidos emitido: transies radiativas.
Jos Figueiredo 18
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Absoro de um Foto por um tomo
Em determinadas condies, os tomos podem absorver fotes com a
mesma energia dos emitidos por emisso espontnea (figura ao lado).
Os fotes absorvidos so aniquilados (em linguagem da quntica). Para
esta absoro de fotes ocorrer devem ser satisfeitas duas condies:
1) a energia do foto incidente deve ser equivalente diferena
de energias entre os dois nveis em questo; 2) o tomo absorvente deve estar no estado de energia inferior.
Absoro de Luz
A figura ilustra outro processo que ocorre na interaco da radiao com a
matria: a absoro de luz. Neste caso, quando um foto atinge um tomo
com energia E
2
, absorvido, i.e., o foto aniquilado e a sua energia
adquirida pelo tomo que passa para o estado de energia E
3
.
O processo de absoro remove energia do feixe laser reduzindo a sua potncia
de sada.
Emisso e Absoro de Luz
O laser produz radiao coerente atravs de um processo designado de emisso estimulada. A palavra
laser um acrnimo para Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (amplificao de luz
por emisso estimulada de radiao).
Jos Figueiredo 19
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Emisso Espontnea
Em fontes de luz comuns, os tomos individuais libertam energia de
forma aleatria. Nem a fase, nem a direco dos fotes emitidos no
controlada, e vrios c.o. esto presentes. Este processo chamado de
emisso espontnea, porque os tomos emitem luz espontaneamente,
de forma independente de influncias externas. A luz produzida no
monocromtica, nem direccional, nem coerente.
Emisso Estimulada
A luz coerente de um laser produzida pelo processo de emisso estimulada. Neste caso, o tomo
excitado estimulado por uma influncia externa a perder o excesso de energia (emitir o foto) de um
modo particular. O agente estimulante um foto cuja energia exactamente igual diferena de energias
entre o estado presente de energia do tomo, E
3
, e algum estado de menor energia, E
2
. Este foto estimula o
tomo a sofrer uma transio e emitir, em fase, um foto idntico ao estimulador. O foto emitido possui a
mesma energia, o mesmo comprimento de onda, e a mesma direco de propagao que o foto
estimulador; e os dois fotes esto exactamente em fase. Assim, a emisso estimulada produz luz que
monocromtica, direccional, e coerente.
As condies necessria para ocorrer emisso estimulada so as mesmas que para a absoro, excepto
que o tomo emissor deve estar no estado de maior energia dos dois estado envolvidos.
Jos Figueiredo 20
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No caso de emisso estimulada, o foto incidente estimula o tomo a
emitir um foto, antes de o emitir, sem influncia externa, pelo
processo de emisso espontnea. Neste caso, o foto emitido pelo
tomo estimulado tem a mesma energia (frequncia e c.o.), fase,
polarizao e direco de propagao do foto estimulador, i.e., o foto
emitido est em fase com o foto incidente, sendo as suas energias
adicionadas no feixe resultante. Este processo corao da aco laser.
Transies No-Radiativas
Em alguns casos, porm, os tomos excitados efectuam transies sem emitirem fotes, i.e., em certos
casos os tomos libertam o excesso de energia numa outra forma que no a electromagntica, por exemplo,
na forma de vibraes das redes cristalinas (fones). Estas transio so classificadas de transies no-
radiativas.
Em gases, ocorrem transies no-radiativas quando um tomo excitado colide com outro tomo num
estado de menor energia. Uma poro da energia do mais energtico transferida para o menos energtico
durante a coliso. Em slidos, as transies no-radiativas contribuem, muitas vezes, para um aumento da
temperatura no interior do material (aumento da energia vibracional).
Jos Figueiredo 21
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O espectro de emisso (tambm designado por impresso
digital) de um tomo de um gs, obtido promovendo uma
descarga elctrica num tubo transparente e fechado contendo
o gs. A descarga provoca que o gs reluza ou emita luz por
fluorescncia. Esta luz fluorescente enviada atravs de uma
fenda estreita. Com a ajuda de um prima ou de uma rede de
difraco, so formadas imagens separadas da fenda num
filme fotogrfico, cada uma associada a um c.o. da luz
fluorescente que entra na fenda. Identificando os c.o.
correspondentes, obtm-se as diferenas de energia entre os
Espectros de Emisso de Gases Atmicos
vrios nveis, e elabora-se o diagrama de nveis de energia caracterstico do gs.
Espectros de Absoro de Gases Atmicos
O espectro de absoro obtido de forma idntica ao
de emisso. A amostra de gs colocada num tubo
transparente. Um feixe de luz branca colimado, aps
atravessar a amostra, analisado no espectrmetro.
No espectro de absoro, os c.o. absorvidos correspondem, no filme, a riscas brancas. Aps a revelao do
filme, as linhas obtidas em papel (registo positivo) so riscas pretas num fundo branco. Da mesma forma
que no caso do espectro de emisso, elabora-se o diagrama de nveis de energia caracterstico do gs.
Cada uma das linhas, quer no espectro de emisso quer no de absoro, consiste, de facto, num intervalo
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O espectro dos slidos, ao contrrio dos gases, consiste em zonas relativamente extensas designadas de
bandas de absoro. O conhecimento destas bandas de primordial importncia no caso de lasers de estado
slido com excitao ptica.
Processo Laser
O processo laser explora trs fenmenos fundamentais que ocorrem quando uma onda electromagntica
(OEM) interactua com a matria, nomeadamente, a emisso espontnea, a emisso estimulada, e a
absoro.
Sejam dois nveis de energia, 2 e 3, de um sistema atmico, com energias E
2
e E
3
(E
2
<E
3
). Assumindo
que inicialmente o tomo est no nvel 3, o tomo tender a decair para o nvel 2, libertando a diferena de
energia correspondente (E
3
-E
2
). Se esta energia for libertada na forma de um foto, o processo designado
por emisso espontnea ou radiativa. A frequncia da OEM radiada dada pela relao: =(E
3
-E
2
)/h.
importante ter presente que o tomo pode decair de forma no-radiativa. Neste caso a diferena de
energia libertada numa forma de energia no electromagntica. Por exemplo, atravs da transferncia de
energia cintica para os tomos vizinhos.
Emisso Espontnea
estreito de comprimentos de onda, que resultado do
alargamento de Doppler (efeito colectivo). Um
tomo estacionrio emite luz de c.o.
0
,
correspondente ao centro da linha espectral. Se
estiver em movimento, emite um c.o. ligeiramente
diferente devido ao seu movimento.
Jos Figueiredo 23
2001-02
A probabilidade da emisso espontnea pode ser caracterizada da seguinte forma: assumindo que no
instante t h N
3
tomos no nvel 3, a taxa de decaimento deste tomos devido emisso espontnea,
dN
3
/dt|
esp
, ser proporcional a N
3
. Pode-se, portanto, escrever que: dN
3
/dt|
esp
=-AN
3
.
O coeficiente A chamado probabilidade de emisso espontnea ou coeficiente A de Einstein (a expresso
de A foi obtida, pela primeira vez, por Einstein a partir de consideraes termodinmicas.) A quantidade
esp
=1/A denominada tempo de vida da emisso espontnea. O valor de A (e
esp
) depende da transio
particular envolvida.
Considere-se um sistema atmico em que a populao do nvel 3
substancialmente superior dos nveis 2 e 4 (ver figura ao lado). Seja uma OEM
de frequncia [=(E
3
-E
2
)/h] incidente no sistema. Uma vez que a OEM tem a
mesma frequncia que a frequncia associada transio 32, h uma
probabilidade finta de que a OEM force o tomo a sofrer a transio 32. Neste
caso a diferena de energia (E
3
-E
2
) libertada na forma de uma OEM que
adicionada ao feixe incidente: processo de emisso estimulada.
Emisso Estimulada
H, contudo, uma distino fundamental entre os processos de emisso espontnea e de emisso
estimulada. No caso da emisso espontnea, um tomo do sistema emite uma OEM sem relao de fase
bem definida com as ondas emitidas pelos outros tomos. Mais ainda, a onda pode ser emitida em
qualquer direco. No caso da emisso estimulada, uma vez que o processo forado pela OEM incidente,
as ondas emitidas por qualquer tomo adicionam-se em fase onda em propagao.
Jos Figueiredo 24
2001-02
Esta onda determina tambm a direco de propagao da onda emitida. O processo de emisso
estimulada pode ser caracterizado pela equao: dN
3
/dt|
est
=-W
32
N
3
, onde dN
3
/dt|
est
representa a taxa de
transio de 32 em resultado da emisso estimulada, e W
32
referido como a probabilidade de transio
estimulada [como no caso do coeficiente A, W
32
tem a dimenso de (tempo)
-1
]. Contudo, e ao contrrio de
A, W
32
no s funo da transio particular, mas depende tambm da intensidade da OEM incidente.
De forma mais precisa e para ondas planas, pode mostrar-se que: W
32
=
32
, onde o fluxo de fotes da
onda incidente e
32
uma quantidade com a dimenso de uma rea (designado stimulated-emission cross
section), que depende somente das caractersticas da transio em anlise.
A figura ilustra a distribuio normal de tomos de um dado material nos seus
vrios nveis de energia, a uma dada temperatura. As linhas horizontais
representam o nmero de tomos em cada nvel de energia. A maioria dos
tomos est sempre no estado fundamental (N
1
), e a populao de cada nvel
sucessivamente superior menor que a de qualquer nvel inferior, a no ser que
um estimulo exterior seja aplicado. Assumindo que uma OEM de frequncia
incide no sistema, haver uma probabilidade finita de o tomo ser excitado para
Absoro
um nvel de energia superior, sendo a diferena de energia (E
2
E
1
, p.e.) fornecida pela OEM: processo de
absoro. De forma similar, pode-se definir a taxa de absoro associada transio 12, W
12
, atravs da
Jos Figueiredo 25
2001-02
equao: dN
1
/dt|
abs
=-W
12
N
1
, onde N
1
o nmero de tomos (por unidade de volume) que num dado
instante esto no estado fundamental. Como no caso da emisso estimulada, W
12
=
12
, onde
12
representa
uma rea caracterstica (absorption cross section), que depende somente da transio em causa. A mesma
anlise se aplica a outras transies, nomeadamente, s que envolvem os nveis 2 e 3.
Ter em ateno que
12
=
21
,
32
=
23
,
31
=
13
, etc., como mostrado por Einstein, no incio do sculo
passado. O que mostra que as probabilidades de emisso estimulada e absoro so iguais.
O coeficiente de absoro do material ao comprimento de onda correspondente transio de E
1
para E
2
proporcional quantidade N
1
N
2
(da mesma forma, o coeficiente de emisso do material ao comprimento
de onda correspondente transio de E
2
para E
3
proporcional quantidade N
2
N
3
, etc.).
Assim, quanto maior for a diferena em populao entre os dois nveis de energia, mais elevado ser o
valor coeficiente de absoro. Se tomos so removidos de E
1
para E
2
, reduzindo a diferena de populao,
o coeficiente de absoro diminui.
Se a populao dos dois estados a mesma, o coeficiente de absoro nulo. Embora continue a ocorrer
absoro, a emisso estimulada processa-se mesma taxa, adicionando ao feixe os fotes retirados pela
absoro. Os dois processos contrabalanam-se e a diferena efectiva nula, resultando num coeficiente de
absoro igual a zero.
Jos Figueiredo 26
2001-02
Amplificador ptico
Considerem-se dois nveis de energia arbitrrios 2 e 3 de um sistema material com populao N
2
e N
3
,
respectivamente. Assumindo uma onda plana incidente com fluxo de fotes , propagando-se ao longo da
direco z, no meio material, a variao elementar do fluxo de fotes devido aos processos de emisso
estimulada e de absoro, dado por: d=(N
3
N
2
)dz, onde representa a seco eficaz da transio.
A equao acima, mostra que o material se comporta como um amplificador (i.e., d/dz>0) se N
3
>N
2
;
comporta-se como um atenuador se N
3
<N
2
. Ter em ateno que em sistemas em equilbrio trmico, a
distribuio populacional pelos vrios nveis de energia descrita pela estatstica de Boltzmann. Assim, se
N
3
e
e N
2
e
representam as populaes em equilbrio trmico dos dois nveis, verifica-se que:
N
3
e
/N
2
e
=exp[-(E
3
-E
2
)/k
B
T], onde k
B
a constante de Boltzmann e T a temperatura absoluta do
material. Conclui-se, portanto, que em equilbrio trmico N
3
<N
2
, e o material comporta-se como um
atenuador frequncia [=(E
3
-E
2
)/h], o que ocorre em condies normais. Contudo, se uma situao de
no-equilbrio, em que N
3
>N
2
, for atingida, o material passa a actuar como um amplificador.
Para um laser emitir radiao coerente, deve produzir mais luz por emisso estimulada do que a que
perdida por absoro, etc.. Seja um sistema laser de 3 nveis. Para que este sistema produza mais luz por
emisso estimulada do que a que absorvida, necessrio que o nmero de tomos no estado E
3
seja
superior aos de tomos no estado E
2
, o que no ocorre em circunstncias normais.
Em qualquer agrupamento suficientemente grande de tomos de uma substncia temperatura T, a
maioria dos tomos encontra-se no estado fundamental e a populao dos nveis sucessivamente superiores
ser sempre inferior do nvel imediatamente inferior: distribuio normal de populao.
Jos Figueiredo 27
2001-02
A figura ao lado representa um sistema em que a populao dos estados E
2
e E
3
foi alterada at a quantidade N
2
-N
3
se tornar negativa: inverso de populao. Da
inverso de populao entre E
2
e E
3
, resulta, agora, um coeficiente de absoro
negativo. Quando existe inverso de populao, o coeficiente de absoro na
Por exemplo, se temperatura ambiente o n de tomos no estado fundamental de um laser de He-Ne
N
0
, haver somente 10
-33
N
0
no nvel imediatamente superior! A populao dos nveis de energia
ascendentes decresce exponencialmente.
Inverso de Populao
expresso da transmisso no material, T(x)=e
-x
, negativo, i.e., a transmisso ento superior a 1.
Nestas condies, a emisso estimulada ocorre a uma taxa superior da absoro, e um feixe de luz
atravessando o material amplificado: ganho ptico. A regio de um material em que existe uma inverso
de populao designa-se material ou meio activo.
Se a frequncia associada transio corresponde regio de micro-ondas, o amplificador designa-se
por MASER (acrnimo de microwave amplification by stimulated emission of radiation). Quando a
frequncia cai no visvel, chama-se LASER. De facto, actualmente, a palavra laser designa emisso de
frequncia desde os raios X at ao infra-vermelho mdio.
Existe inverso de populao sempre que h mais tomos num dado estado atmico excitado que em
algum(ns) estado(s) inferior(es). Um laser s produz radiao coerente se existir inverso de populao. A
inverso de populao s pode ser conseguida atravs da excitao externa da populao atmica.
Jos Figueiredo 28
2001-02
A figura ao lado representa a forma geral da relao ganho-comprimento de
onda de um grande nmero de lasers. Em todos os caos, o meio activo apresenta
ganho, no a um nico c.o., mas numa poro finita do espectro. Este efeito ser
analisado com algum detalhe mais tarde (rever, p.e., o alargamento de Doppler).
Curva de Ganho
O ganho de um amplificador ptico dependente da quantidade N
3
N
2
, portanto, quanto maior for a
inverso de populao mais elevado o ganho. Para incrementar o ganho de um laser, necessrio
aumentar a populao do nvel superior da transio laser. Uma vez que o prprio processo laser transfere
tomos do nvel superior para o nvel inferior da transio, ter que haver um processo que reduza a
populao do nvel inferior. Se se permitir que os tomos permaneam neste estado, a populao deste
aumentar at que a inverso de populao deixa de existir, o que, consequentemente, interrompe a aco
laser, at que a inverso de populao seja restabelecida.
O ganho do amplificador laser dado por G(x)=e
x
, onde representa o coeficiente de ganho do
amplificador ( =x
-1
ln[G(x)]).
O processo atravs do qual um sistema excitado para um nvel de energia superior, de forma a ser obtida
a inverso de populao, designado bombeamento (pumping). primeira vista, a forma mais fcil de
o fazer atravs da interaco de uma OEM suficientemente forte de frequncia .
Em equilbrio trmico a populao do nvel nvel 1 superior do nvel 2, que por sua vez superior
do nvel 3, etc., a absoro ser o processo dominante. A onda incidente produzir mais transies 12 do
que transies 21, o que dar origem a uma inverso de populao.
Mecanismos de Excitao
Jos Figueiredo 29
2001-02
Contudo, no possvel obter um laser operando no estado estacionrio se os processos de excitao e
de laser envolverem mesmos dois nveis de energia (os nveis inferior e superior da transio laser, N
i
e
N
s
), no caso anterior, os nveis 1 e dois. Como referido anteriormente, logo que se inicia o bombeamento, a
populao do nvel N
s
(2) comea a aumentar, at que as populaes dos dois nveis se igualam (N
s
=N
i
).
Nesta situao, os processos de absoro e emisso estimulada compensam-se mutuamente, e o material
comportar-se- como meio transparente. Esta situao designada saturao dos dois nveis. Em
concluso, usando apenas dois nveis de energia no possvel produzir uma inverso de populao
estacionria.
Num laser de trs nveis, o nvel laser inferior o estado fundamental. Este
tipo de laser s pode apresentar inverso de populao se e s se mais de
metade dos tomos do estado fundamental forem bombeados para os
estados de maior energia. O laser de rubi o sistema laser de 3 nveis mais
importante.
Laser de Trs Nveis
Laser de Dois Nveis
E
2
apresenta um tempo de vida mais curto, o que significa que os tomos deixam este nvel rapidamente,
retornando ao estado fundamental. Uma transio para o estado metaestvel to improvvel como a
transio para baixo, a partir deste estado; a excitao de tomos, directamente do estado fundamental para
o estado laser superior ser impraticvel. Uma alternativa, excitar o tomo para um nvel E
4
(superior a
E
3
) com um tempo de vida muito-curto (as transies de energia mais baixa so mais provveis).
A figura ao lado representa um modelo de um laser de quatro nveis. As
transies laser ocorrem entre os nveis E
3
para E
2
. O nvel E
3
o nvel
laser superior e um estado metaestvel, com um tempo devida de pelo
menos 10
-6
s. O tomo permanece neste estado metaestvel durante um
tempo relativamente longo, contribuindo quer para um aumento da
inverso de populao quer da probabilidade da emisso estimulada.
Laser de Quatro Nveis
Jos Figueiredo 30
2001-02
Transferncia de Energia em Lasers de Gs
O mecanismo de excitao na maioria dos laser de gs uma descarga de corrente contnua atravs do
meio activo (gs). Os tomos do gs ganham energia atravs de colises com os electres altamente
energtico, resultantes da ionizao do gs. Nos lasers de ies, os tomos so excitados para um nvel de
energia superior atravs de vrios nveis intermdios, em resultado de colises mltiplas. Em lasers do tipo
He-Ne e CO
2
, que contm uma mistura de gases, os electres de coliso excitam um tipo de tomo ou
molcula para um nvel superior. Este tomo ou molcula colide ento com o tomo/molcula do gs do
meio activo, recebendo o excesso de energia do outro componente da mistura. A depopulao do nvel
laser inferior pode ocorrer atravs de emisso espontnea ou por colises adicionais com os tomos ou com
as paredes do contentor.
Grande parte dos laser de estado slido (e de corantes) empregam excitao ptica.
Luz de uma lmpada absorvida pelos tomos do meio activo provocando transies
para nveis superiores, geralmente, referidos como banda de bombeamento (nvel E
4
no diagrama da figura ao lado). A transio de decaimento rpido do nvel E
4
para o
E
3
muitas vez no-radiativa, o que contribui para o aquecimento do meio laser (o
que, em geral, negativo). Para que o processo de excitao seja eficiente, o c.o. da
luz excitadora deve corresponder transio do estado fundamental para um estado
desocupado na banda de excitao. Em cristais de Nd:YAG, a banda de bombeamento
Transferncia de Energia em Lasers de Estado Slido
mais forte est no intervalo 790-820 nm, e a menos forte compreende a regio 730-760 nm. As
lmpadas usadas nestes lasers devem ter o seu mximo nestes intervalos para operao laser eficiente, i.e.,
deve haver sobreposio dos espectros das fontes excitadora e do meio lasers (spectral matching). A
transio de E
2
para E
1
, geralmente, no-radiativa. Quer a populao do nvel E
2
, quer a taxa de
decaimento a partir deste nvel dependem da temperatura do meio activo. Arrefecimento por gua ,
normalmente, empregado em lasers de estado slido, para remover o excesso de calor e reduzir ao mnimo
a populao do nvel laser inferior (nvel E
2
).
Jos Figueiredo 31
2001-02
Meio Activo: coleco de tomos ou molculas que podem
ser excitados a um estado de inverso de populao.
Mecanismo de Excitao: fonte de energia que excita ou
induz a transio de um tomo de um estado de baixa
energia para um estado de energia superior, de forma a criar
a inverso de populao.
Mecanismo de Re-alimentao: mecanismo que devolve ao
meio activo parte da radiao coerente produzida neste para
posterior amplificao por emisso estimulada. , em geral,
Elementos e Operao de um Laser
formado por dois espelhos. Um dos espelhos permite o escape de alguma luz laser para o exterior
(acoplador de sada), que constitui o feixe laser: a fraco de luz coerente que escapa, varia com o tipo de
laser: inferior a 1% em alguns lasers hlio-non e superior a 80% em muitos lasers de estado slido.
Acoplador de Sada: dispositivo que permite que uma poro da radiao laser contida entre os elementos
de re-alimentao (em geral, dois espelhos) deixe o laser na forma de um feixe direccional.
Um laser produz radiao coerente atravs de um processo designado de emisso estimulada. A
palavra laser um acrnimo para Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation
(amplificao de luz por meio de emisso estimulada de radiao). Genericamente, um laser um oscilador
ptico com re-alimentao, cujos constituintes bsicos so: o meio de ganho ou meio laser, o elemento de
excitao e os elementos de re-alimentao.
Jos Figueiredo 32
2001-02
Aco Laser
Para obter um laser a partir de um amplificador ptico, necessrio introduzir um mecanismo apropriado
de re-alimentao (feedback positive). No caso de um oscilador ptico (laser), a re-alimentao obtida
colocando o meio activo entre dois espelhos de elevada reflectividade.
Quando o mecanismo de excitao do sistema activado, o fluxo de energia para o meio activo causa a
transio de tomos do estado fundamental para certos estados excitados. Deste modo, criada no meio
activo uma regio em que h inverso de populao. Alguns tomos em estados superiores libertam o
excesso de energia espontaneamente, emitindo, em todas as direces, fotes de forma incoerente.
potncia do laser decresce acabando, eventualmente, a aco laser por parar. Numa situao estacionria, o
ganho do laser num loop completo compensa as perdas. O ganho tanto mais elevado quanto maior for o
grau de inverso de populao e mais elevada for a probabilidade de ocorrer emisso estimulada. As perdas
totais resultam de absoro nas superfcies reflectoras, das perdas por espalhamento, de perdas por
difraco, da absoro no material, de perdas devido ao incorrecto alinhamento dos espelhos, e, claro, das
perdas programadas no espelho de sada. Em lasers pulsados, o mecanismo de excitao fornece energia em
pacotes. O ganho e a potncia de sada crescem rapidamente at atingir um valor elevado, diminuindo de
seguida, tambm, rapidamente, produzindo-se um pulso de luz laser. Num laser em modo contnuo, o
mecanismo de excitao fornece uma potncia constante ao meio activo. O sistema rapidamente atinge a
situao estacionria, em que o ganho balana as perdas, produzindo uma fixe constante.
Contudo, a grande maioria destes fotes escapa-se do meio activo. S
aqueles que se propagam ao longo do eixo do meio activo e do sistema de re-
alimentao, contribuem com fotes para o feixe laser, atravs da emisso
estimulada, como indicado na figura. Como consequncia, o nmero de fotes
no feixe aumenta, crescendo a potncia do feixe. Se o n de fotes se mantm
constante, a potncia do laser estacionria. Se o n de fotes diminui, a
Jos Figueiredo 33
2001-02
Propriedades da Radiao Laser
A luz laser quase-monocromtica, pois
consiste num conjunto muito estreito de
comprimentos de onda. O intervalo de c.o. tpico
num laser de He-Ne <<1 nm.
A luz laser , em geral, altamente direccional, i.e., propaga-
se numa direco correspondente a um cone de divergncia
muito pequeno. Contudo, no possvel produzir feixes de
luz perfeitamente paralela ou luz colimada. (Um bom sistema
laser na terra capaz de produzir uma mancha luminosa na
superfcie da lua com apenas ~500 m de dimetro!)
Direccionalidade:
Num feixe luminoso colimado proveniente de uma fonte trmica as
ondas no tm uma relao de fase fixa entre si. Diz-se que se trata de
luz incoerente, significando que a radiao no tem ordem interna.
Contudo, num feixe laser colimado as ondas esto em fase entre si em
todos os pontos. O termo coerncia corresponde designao que descreve a propriedade de ondas estarem em fase.
A coerncia a propriedade mais fundamental da radiao laser e destingue esta das demais.
Brilho: O Sol tem um brilho de cerca de L
Sol
=1,510
9
cd/m
2
, radiando em todas as direces. As
caractersticas peculiares da radiao laser conferem-lhe a singularidade de ser uma fonte de luz
extremamente brilhante, muito mais brilhante que o Sol (~100 vezes). A grandeza fsica que mede o brilho de
uma fonte luminosa a luminncia, i.e., a potncia luminosa que a fonte irradia por unidade de ngulo slido. (H,
pois, que ter cuidado, j que uma simples reflexo imprevista pode provocar danos irreparveis aos olhos.)
Coerncia:
Monocromaticidade:
Jos Figueiredo 34
2001-02
Quando um feixe laser incide numa superfcie rugosa reflectido em
todas as direces. Quando uma poro desta luz chega aos olhos de um
observador vrios metros afastado, este observador ir ver na zona
iluminada uma estrutura granitada, com gros brilhantes e escuros,
cintilando e tremeluzindo numa dana psicadlica ininterrupta.
Este aspecto granitado caracterstica da radiao laser e causado pelo fenmeno de interferncia. Este
granitado apresenta caractersticas peculiares.
Granitado Laser:
Tipos de Lasers
Os lasers podem ser classificados de acordo com o tipo de meio activo, mecanismo de excitao, ou
durao dos impulsos laser. Ser utilizada a classificao em termos de meio activo e mecanismos de
excitao.
Lasers de Gs
Uma famlia variada de laser emprega um gs ou uma mistura de gases como meio activo. Um laser de
gs muito popular contm uma mistura de He e Ne e est ilustrado na figura abaixo.
A mistura de gs, a baixa presso, est contida num tubo de vidro
selado, designado de tubo de plasma. O mecanismo de excitao
neste laser uma descarga de corrente directa atravs do gs; a
corrente bombeia os tomos de hlio para um estado excitado. O
excesso de energia do tomo excitado transferida para os tomos de
non por coliso, que por sua vez sofrem uma transio para um estado de mais baixa energia, produzindo
luz laser. O mecanismo de re-alimentao consiste num par de espelhos colados nas extremidades do tubo.
O espelho (acoplador) de sada transmite 1-2 % da luz produzida, formando o feixe laser contnuo (cw).
Jos Figueiredo 35
2001-02
Lasers de Lquidos (ou Corantes)
A figura mostra o diagrama de um laser de corantes. A
fonte de excitadora um laser de rgon, cujo feixe
focado numa regio pequena contendo o corante. (O laser
de rgon um laser de gs que emite no azul e no verde.)
O corante flui num jacto de alta velocidade. O
comprimento de onda da radiao ajustado pelo elemento
de sintonizao (tuning). Uma das principais caractersticas deste laser a sua sintonia, i.e., a cor do feixe
de sada pode ser variada, ajustando o cristal de sintonizao e mudando o corante. Os lasers de corantes so
muito usados em espectroscopia devido capacidade de sintonizao.
Lasers de Gs Molecular
Estes laser exploram as transies dos nveis vibracionais-rotacionais de uma molcula. H laser
moleculares que usam transies entre nveis vibracionais do mesmo estado electrnico (o estado
fundamental); como a separao de energia entre estes nveis , em geral, bastante pequena, estes lasers
produzem radiao na regio infra-vermelha mdia (5-300 m). Outro tipo de laser emprega transies
entre nveis vibracionais de diferentes estados electrnicos (transies vibronicas, vibronic: vibracionais
+ electrnicas). Nestes laser a radiao produzida cai na regio visvel/ultravioleta.
Lasers Qumicos
Os lasers qumicos so usualmente definidos como aqueles em que a inverso de populao produzida
directamente por uma reaco qumica (em geral, entre elementos gasosos), em que uma poro
substancial da energia da reaco deixada na forma de energia vibracional das molculas. As transies
laser so, portanto, do tipo-vibracional-rotacional. Estes lasers correspondem a exemplos interessantes de
converso directa de energia qumica em energia electromagntica; como a quantidade de energia
disponvel numa reaco qumica , geralmente, muito elevada, possvel obter potncias de sada grandes.
Jos Figueiredo 36
2001-02
Lasers de Estado Slido
Outra famlia de lasers emprega slidos cristalino ou vidros. O rubi e o neodmio so dois exemplos
importantes. O rubi um oxido de alumnio em que alguns ies de Al so substitudos por Cr, que so os
elementos activos do laser de rubi. O YAG (yttrium aluminum garnet) o cristal hospedeiro nos lasers de
Nd:YAG; algum do alumnio no YAG substitudo por neodmio tri-valente (Nd
3+
), uma terra rara. O vidro
, tambm, muito usado em lasers de neodmio. A figura mostra os componentes de um laser Nd:YAG cw.
O meio activo um cilindro do cristal cujos extremos paralelos
foram polidos e em que foram depositados filmes anti-reflectores,
para reduzir as perdas. O mecanismo de excitao uma lmpada
de tungstnio ligada a fonte ac. Modelos maiores utilizam lmpadas
de crpton (descarga de gs) como fontes de excitao.
Os espelhos nos lasers de Nd:YAG so, geralmente, montados separadamente do meio activo, podendo
um deles ser formado directamente numa das extremidades, usando filmes anti-reflectores.
O meio activo destes laser , em geral, uma hetero-juno semicondutora
(juno p-n, contendo poos qunticos). Quando corrente injectada numa
juno p-n, electres do lado n recombinam-se radiativamente com os vazios do
lado p, produzindo luz no visvel ou no infravermelho prximo. O dispositivo
assim obtido conhecido por LED. O laser semicondutor formado num cristal
semicondutor rectangular em que as faces longitudinais do dodo laser so
obtidas por clivagem ao longo dos planos do cristal, formando superfcies
paralelas de reflexo que actuam como os espelhos do mecanismo de re-
alimentao. O fluxo de corrente na juno o mecanismo de excitao.
Laser: 300 m 200 m
Zona activa: 0.3 m 2 m
Lasers de Semicondutores ou Laser de Dodo
Jos Figueiredo 37
2001-02
Cavidades pticas e Modos de Oscilao
A amplitude do feixe no interior do laser aumenta em resultado de sucessivas passagens da radiao
coerente atravs do meio activo. Este fenmeno decorre do facto de o meio laser estar compreendido entre
dois espelhos que actuam como mecanismo de re-alimentao. Durante cada ronda, o feixe amplificado
pelo meio activo e atenuado devido absoro, s perdas internas e fraco que forma o feixe de sada.
Variadas combinaes de espelhos, planos e curvos, tm sido utilizadas em sistemas lasers. O par de
espelhos, dispostos axialmente, forma o ressoador laser, tambm designado ressoador Fabry-Perot. O
volume limitado pelas duas superfcies reflectoras constitui a cavidade ptica.
O eixo ptico a linha perpendicular s superfcies dos
espelhos no centro da cavidade. A abertura um
elemento dentro da cavidade que limita o dimetro do
feixe. Em muitos casos, a abertura est localizada num
dos extremos do meio activo.
Os fotes resultantes da emisso espontnea ao longo da direco do eixo ptico, so multiplicados
devido ao ganho do meio amplificador, levando formao do feixe ptico na cavidade: o feixe
reflectido para a frente e para trs entre os espelhos, passando duas vezes pelo meio activo em cada
percurso fechado. Em geral, apenas uma pequena fraco deste feixe deixa a cavidade atravs acoplador de
sada, para formar o feixe laser. Um laser corresponde a um meio amplificador e a uma cavidade ptica,
i.e., um laser , essencialmente, um oscilador formado por um amplificador ptico entre dois espelhos. A
posio, a forma, e a separao entre os espelhos, determina a distribuio espacial do campo
electromagntico na cavidade. Somente certas frequncias da OEM so sustentadas no volume
compreendido entre os espelhos. Estas frequncias de oscilao permitidas so referidas como modos da
cavidade laser.
Jos Figueiredo 38
2001-02
A figura ao lado mostra sete configuraes de cavidades muito usadas. A rea
sombreada em cada diagrama indica o volume modal, i.e., o volume, dentro da
cavidade, ocupado pelo feixe laser. A emisso estimulada s ocorre dentro deste
volume. As partes do meio activo fora deste volume no contribuem para a aco
laser, porque no h feixe para estimular a emisso de fotes. A seleco de uma
configurao de cavidade para um laser particular depende, em geral, dos
seguintes factores: perdas por difraco, volume modal, e facilidade de
alinhamento.
Configuraes de Cavidades
EM estacionrias. Para se estabelecer uma onda estacionria, a separao entre os espelhos tem que conter
um nmero inteiro de meios comprimentos de onda. Estas ondas estacionrias correspondem aos modos da
cavidade.
Ondas Estacionrias
Cada modo longitudinal na cavidade ptica uma onda estacionria.
Alguns modos esto representadas esquematicamente nas figuras ao lado,
mostrando os nodos e os anti-nodos. Num laser, com uma cavidade de 20
cm, emitindo luz visvel de 500 nm, o nmero inteiro de comprimentos de
onda ~400 000. Como o comprimento de onda muito pequeno, em
geral, coexistem vrios modos longitudinais na cavidade ao mesmo tempo.
Modos Longitudinais de um Laser
Na cavidade ptica, h fotes a deslocarem-se, entre os espelhos, em sentidos
opostos, cruzando o mesmo plano milhes de vezes por segundo. A distribuio
de fotes estacionria d origem formao de um padro estacionrio: as ondas
=
q+1
-
q
=c/2nl
Jos Figueiredo 39
2001-02
Conhecida a curva de ganho versos frequncia para um laser de emisso
larga (figura ao lado), pode-se sobrepor nesta o conjunto dos modos
longitudinais do laser. Para o ganho de percurso fechado G
L
1, s os modos
longitudinais
q
,
q1
, e
q2
, estaro presentes no feixe de sada do laser. Os
modos
q3
estaro ausentes porque G
L
<1. Tambm, no possvel existir
modos entre as frequncias
q
,
q1
, etc, uma vez que as frequncias
intermdias no possuem comprimentos de onda que preencham a cavidade
de comprimento l.
Como se pode ver na figura acima, a cada modo no corresponde uma frequncia nica, mas composto
por um conjunto de frequncias.
A largura da risca (conjunto de frequncias) de um modo axial,
lm
,
lm
=(/2)(1-R
1
R
2
), onde
(=c/2nl) o espaamento entre modos, R
1
e R
2
representam as reflectividades dos espelhos da cavidade.
A largura de linha fluorescente,
lf
, de um laser corresponde ao intervalo, em frequncia, em que
ocorre fluorescncia espontnea do nvel laser superior para o nvel laser inferior. A largura de risca de
fluorescncia de um laser He-Ne tpico ~1.5 GHz; de um laser Nd:YAG ~30 GHz.
O nmero, aproximado, de modos de um laser dado por: N=
lf
/. Em geral, N>>1.
Distribuio Espectral da Emisso Laser
A figura ao lado mostra a distribuio dos modos longitudinais da emisso de um
laser. A largura (em frequncia) e a altura da curva de ganho depende do tipo de
meio activo, da sua temperatura e do grau de inverso de populao. Cada tipo de
laser possui a sua prpria curva de ganho caracterstica. O meio activo
providencia ganho suficiente para emisso laser s frequncias para as quais o
ganho de percurso fechado maior que um. O nmero de modos que tero ganho
maior ou igual a um, depende das perdas e do comprimentos da cavidade.
=
q+1
-
q
=c/2nl
Jos Figueiredo 40
2001-02
Os seguintes factores contribuem para a atenuao do feixe dentro da cavidade: espelhos desalinhados
(se os espelhos da cavidade no estiverem devidamente alinhados com o eixo ptico, o feixe no ser
contido dentro da cavidade, afastando-se progressivamente em direco aos limites dos espelhos, aps cada
reflexo, no sendo confinado na cavidade); pticas sujas (o p, a sujidade, as dedadas, os arranhes nas
superfcies, etc., espalham a luz e causam estragos permanentes nas superfcies pticas); perdas por
reflexo (quando a luz incide numa superfcie transparente, uma fraco sempre reflectida - janelas de
Brewster e filmes anti-reflectores reduzem, estas perdas, mas no as eliminam completamente); perdas
por difraco (parte da luz laser incidente nos extremos dos espelhos ou no permetro da abertura,
removida do feixe - este o factor de perda mais importante em muitos lasers).
Perdas em Cavidades pticas
O ganho de percurso fechado G
L
de um laser a razo entre a
potncia do feixe em qualquer ponto do interior da cavidade e a
potncia no mesmo ponto, no percurso anterior. Considere-se a
figura ao lado. A potncia do feixe no ponto 1 da figura P
1
.
Quando a luz passa atravs do meio activo no ponto 2, cresce para P
2
=P
1
e
(k-)L
. Aps a primeira reflexo,
ponto 3, tem-se P
3
=P
1
G
a
R
1
, onde G
a
=e
(k-)L
. A luz volta a passar atravs do meio activo e amplificada, e
P
4
=P
1
e
(k-)L
R
1
e
(k-)L
. Aps a reflexo no acoplador de sada, ponto 5, P
5
=P
1
G
a
R
1
G
a
R
2
. O percurso fechado
considerado, tem em conta todas as modificaes no feixe inicial, incluindo a absoro do meio
(exceptuam-se as perdas por difraco, absoro nos espelhos, etc.). A potncia no ponto 1, aps o
percurso 1-2-3-4-5-6 P
6
=P
5
, ou P
6
=P
1
G
a
R
1
G
a
R
2
. O ponto 6 idntico ao ponto 1 e representa a concluso
do primeiro percurso fechado. A ganho do laser , ento, a razo entre P
6
/P
1
: G
L
=R
1
R
2
e
2(k-)L
. A aco
laser exige que G
L
1, i.e., k
L
= - 1/(2L) ln(R
2
R
1
).
Jos Figueiredo 41
2001-02
Caractersticas Espaciais dos Lasers
O conhecimento da distribuio espacial da radincia de um feixe laser de primordial importncia em
muitas aplicaes. Por exemplo, a maquinao laser requer feixes com dimetros controlveis. O
varrimento laser exige feixes bem colimados que divirjam pouco medida que se afastam do laser. Quase
todas aplicaes requerem uma distribuio espacial uniforme de radincia gaussiana ou modo TEM
00
.
Modos Electromagnticos Transversais
Os modos longitudinais de um laser descrevem a variao do campo electromagntico ao longo do eixo
ptico da cavidade laser. Contudo, uma descrio completa do campo EM requer tambm o conhecimento
da variao nas direces perpendiculares ao eixo ptico. As distribuies do campo EM na direco
transversal ao eixo ptico correspondem aos modos electromagnticos transversais ou modos TEM.
A figura ao lado mostra alguns exemplos de modos transversais possveis, ilustrando
os padres de radincia produzidos por lasers operando em vrios modos transversais.
Um modo genrico especificado como TEM
mn
, onde m o
n de mnimos (reas claras, na figura) segundo o eixo
horizontal e n o n de mnimos (zonas claras na figura) na
direco vertical. Os mnimos (regies de radincia nula) no
padro de intensidade dos modos TEM correspondem a
nodos do campo elctrico na cavidade laser. A figura da
direita mostra, no plano xy, o campo elctrico de dois modos
na cavidade de um laser polarizado verticalmente. A figura a) corresponde ao modo TEM
00
, e a figura b) ao
modo TEM
10
. A figura a) mostra o campo elctrico do modo TEM
00
no plano perpendicular ao eixo ptico
Jos Figueiredo 42
2001-02
A figura ao lado mostra a mesma distribuio do campo E do modo TEM
00
segundo o eixo dos xx. Aps um intervalo de tempo igual a meio perodo da
onda, a direco do campo elctrico nesse plano ir apontar para baixo, como
da cavidade que contm um anti-nodo (crista) de um modo longitudinal, num dado instante de tempo. O
campo elctrico sempre positivo em todos os pontos do plano. A curva representa a amplitude do campo
elctrico ao longo do eixo dos xx. O campo mximo no centro da cavidade e decresce medida que se
caminha para os bordos.
indica a linha a picotado. Os extremos da cavidade so nodos desta onda transversal estacionria.
A figura b) da pgina anterior indica a distribuio do campo elctrico do modo TEM
10
no plano
perpendicular ao eixo ptico da cavidade ao longo do eixo do xx. Neste caso, o campo elctrico aponta para
cima num lado da cavidade e para baixa no outro. Este campo , tambm, indicado pelas linhas slidas da
da figura ao lado, em funo da distncia transversal na cavidade, num dado
instante de tempo. Meio perodo mais tarde a direco do campo elctrico
invertida (tracejado). A figura representa ainda a radincia correspondente ao
modo TEM
20
.
O modo da figura i da pgina anterior designado modo TEM
01
, ou modo
doughnut.
O laser produz uma sada com todos os modos TEM cujo ganho excede as
perdas na cavidade laser. Alguns lasers emitem vrios modos transversais ao
mesmo tempo, como mostra a figura ao lado. Esta emisso simultnea produz
um feixe que tm pontos escuros e pontos quentes, i.e., regio de baixa e alta
radincia, respectivamente.
Jos Figueiredo 43
2001-02
Se se introduzir perdas suficientes na cavidade para um modo particular, este modo deixar de oscilar;
por exemplo, um risco vertical ao longo do centro de um espelho causa perdas para todos os modos que no
tenham um nodo no seu centro. Neste caso, os modos TEM
10
, TEM
30
, etc, no iro sofrer perdas.
O modo TEM
00
o de menor dimetro (rever a figura que mostra a distribuio de radincia de vrios
modos). Todos os outros modos, excepto o TEM
00
, podem ser eliminados usando uma cavidade com uma
abertura que introduz poucas perdas ao modo TEM
00
, mas que provoca elevadas perdas aos modos de
ordem mais elevada. As cavidade pticas que exibam perdas por difraco elevadas tendem a oscilar
apenas no modo TEM
00
. Assim, qualquer cavidade pode ser restringida ao modo TEM
00
, instalando
aberturas apropriadas. Na maioria dos lasers de gs, o dimetro do tubo escolhido de forma a limitar a
emisso apenas ao modo TEM
00
.
Uma anlise mais detalhada da figura dos modos electromagnticos
transversais, revela que as duas regies brilhantes do modo TEM
10
, esto em
oposio de fase entre si. Em qualquer modo transversal, cada zona brilhante est
em oposio de fase em relao s zonas brilhantes adjacentes, como ilustrado ao
lado para o modo TEM
22
.
O modo TEM
00
um modo de fase nica, porque o nico modo transversal em que toda a luz est em
fase em qualquer instante de tempo. A radincia deste modo gaussiana; o modo TEM
00
, tambm,
designado modo gaussiano. Este modo uni-fase o nico em que toda a luz espacialmente coerente, do
que resultam trs importantes propriedades:
- o modo de menor divergncia (importante em feixes que tm de percorrer grandes distncias);
- o modo que pode ser focado na menor regio do espao (importante em micro-maquinao);
- a sua coerncia espacial ideal para as aplicaes que dependem de fenmenos de interferncia (os
outros modos no podem ser usados por causa da falta coerncia espacial).
Jos Figueiredo 44
2001-02
Comprimento de Coerncia Longitudinal de um Feixe Laser
O comprimento de coerncia longitudinal de um feixe laser uma medida do grau de coerncia temporal
do feixe, e corresponde distncia mxima ao longo do feixe, para a qual radiao de duas regies do feixe
separada por essa distncia, apresentam suficiente coerncia para produzir interferncia. O comprimento de
coerncia longitudinal, l
c
, inversamente proporcional largura de banda do feixe laser: l
c
=c/
lb
. O
conhecimento do comprimento de coerncia importante em experincias de interferncia. Uma situao
tpica est ilustrada na prxima figura: interfermetro de Michelson, em que o feixe laser dividido em
dois e mais tarde re-combinado, como mostra a figura abaixo.
Caracterizao do Feixe Laser
A caracterizao de um feixe laser CW (os feixes pulsados sero tratados mais tarde), envolve a
determinao do comprimento de coerncia longitudinal, da divergncia, do dimetro e da cintura do feixe.
Na figura ao lado, a luz vinda da esquerda atinge um espelho semi-reflector
(divisor de feixe, beam splitter - no ponto A), sendo dividida em dois feixes.
A poro reflectida desloca-se na direco do espelho B, sendo reflectida em B,
dirigindo-se, de novo, para A, acabando por atingir o ecr. O feixe transmitido
pelo divisor de feixe reflectido no espelho C, dirigindo-se de novo para o
espelho semi-reflector, re-combinando-se, a parte parcialmente reflectida em A,
com o feixe que vem de B, atingindo ambos o ecr. Este sistema ptico contm dois percursos pticos
relevantes: ABD e ACD. A diferena de caminhos pticos igual diferena de comprimento entre os dois
percursos. Se a diferena de caminhos pticos menor que o comprimento de coerncia longitudinal do
Jos Figueiredo 45
2001-02
do feixe, formar-se-o franjas de interferncia no ecr. Se a situao contrria ocorrer, no haver lugar
formao de qualquer padro de interferncia no ecr.
Em muitas aplicaes que envolvem interferometria necessrio conhecer o comprimento de coerncia
da fonte; em muitos casos mesmo necessrio proceder extenso do comprimento de coerncia, o que
implica uma reduo da largura de banda do feixe de sada, i.e., tornar o feixe mais monocromtico. Em
alguns lasers, esta reduo da largura de banda obtida permitindo apenas a existncia de um nico modo
longitudinal na cavidade. Este processo reduz a largura de banda de um feixe laser multimodo
(essencialmente igual largura da linha de fluorescncia) largura de banda de um nico modo na
cavidade. A operao em modo nico pode atingida, em muitos sistemas laser (CW e pulsados),
instalando um filtro ptico designado de talon no interior da cavidade. O talon actua como uma
segunda cavidade ptica dentro da cavidade laser. Neste caso, s as frequncias que formam s ondas
estacionrias em ambas as cavidades so permitidas.
Dimetro do Feixe
A maioria dos lasers so desenhados para operar apenas no modo TEM
00
.
A figura ao lado mostra o perfil do modo TEM
00
de um feixe laser. Dado
que a radincia do feixe diminui gradualmente nos extremos da cavidade,
no possvel definir o dimetro total do feixe. O dimetro do feixe
definido como a distncia, passando pelo centro, entre os pontos em que a
radincia igual a 1/e
2
(~13.5%) da radincia no centro. (O spot size do
feixe, , corresponde distncia radial a partir do centro at ao ponto 1/e
2
.)
Jos Figueiredo 46
2001-02
Se um feixe laser centrado numa abertura circular, as
bordas do feixe podem ser truncadas, como ilustra a figura
da esquerda. A fraco da potncia do feixe transmitida
atravs da abertura dada pela equao T=1-e
-2(r/)2
.
A curva de transmisso (em %) em funo da razo entre
os dimetros da abertura e o do feixe est representada na figura da direita.
Medida da Divergncia de um Feixe
A luz emitida por um laser est confinada a um cone estreito; contudo, medida
que se propaga, o feixe abre-se, em geral, lentamente. As figuras ao lado so
uma representao ilustrativa do fenmeno (exagerada). Se o dimetro do feixe
na sada d, o seu dimetro, aps a propagao l, na aproximao de pequena
divergncia, d=l+d. A divergncia do feixe dada por =(d
2
-d
1
)/(l
2
-l
1
).
Reduo da Divergncia de um Feixe
A figura ao lado ilustra a cavidade ptica e o perfil de um laser de gs tpico.
O feixe diverge no interior da cavidade quando atinge o acoplador de sada e,
divergiria ainda mais fora da cavidade se a segunda superfcie do espelho de
sada fosse plana. Para atenuar a divergncia, a segunda superfcie ligeiramente mais curva do que a
primeira para formar uma lente positiva que colima o feixe laser de sada. O acoplador de sada forma uma
lente positiva com uma distncia focal igual ao raio de curvatura da superfcie reflectora. Na maior parte
dos casos, isto resulta num feixe de sada ligeiramente convergente at atingir um dimetro mnimo ou
cintura (waist), e depois diverge.
Transmisso do Feixe Atravs de uma Abertura
Jos Figueiredo 47
2001-02
Campo Prximo e Campo Longnquo
Diz-se que uma zona distante do laser est na regio de campo longnquo (far field) se l100d
2
/,
onde l representa a distncia do laser regio em apreo. A zona situa-se na regio de campo prximo
(near field) se ld
2
/.
A teoria de difraco impe um limite inferior para a divergncia do feixe. Assim, em qualquer
sistema ptico, contendo componentes com imperfeies, variaes de ndice de refraco ao longo do
caminho ptico, etc., a divergncia sempre superior a =1.22/d (d=dimetro do feixe). Da mesma forma,
o tamanho mnimo, previsto pela difraco, de um feixe focado num sistema de boa qualidade em que
f/D1, . Contudo, num sistema real, o dimetro mnimo superior ao comprimento de onda do feixe.
Efeitos da Difraco nos Sistemas pticos
A figura ao lado representa a focagem de um feixe por uma lente positiva. O
feixe focado num circulo de raio limitado pela difraco, e o seu dimetro
mnimo dado por d=ff/D, onde D o dimetro do feixe no plano da lente.
Quando a luz passa atravs de uma abertura circular (pin-hole), espalha-se e diverge. A divergncia de
um feixe na regio de campo longnquo pode diferir consideravelmente da da zona de campo prximo. A
divergncia de uma onda plana aps passar por uma abertura circular de dimetro d, dada por =1.22/d.
Este valor corresponde divergncia imposta pela difraco do feixe, sendo a menor divergncia possvel
de um feixe de luz de comprimento de onda , devido difraco resultante da sua passagem por uma
abertura efectiva de dimetro d. A divergncia mnima, na regio de campo longnquo, de um feixe laser
gaussiano , portanto, 1.22/d.
Quando um feixe focada com uma lente, a radiao foca-se num circulo muito pequeno, mas de
dimetro no nulo, rodeado de anis alternativamente brilhantes e escuros. O conjunto forma o padro de
Airy. A teoria ondulatria da luz explica a difraco da luz numa abertura, bem como a focagem da luz no
padro de Airy. A ptica Geomtrica prev a focagem do feixe num ponto geomtrico sem dimenses.
Jos Figueiredo 48
2001-02
Caractersticas Temporais dos Lasers
Uma das caractersticas mais importante de um laser a distribuio temporal da radiao emitida. Os
lasers podem ser divididos em dois grupos principais: contnuos e pulsados. Os lasers de onda contnua
(CW) produzem um feixe de sada de potncia constante. Lasers pulsados emitem pulsos de energia; os
pulsos podem ter durao de alguns milisegundos at alguns fentosegundos ou mesmo atosegundos,
dependendo do mtodo usado para formar os pulsos e controlar a sua durao e, claro, do sistema laser. A
coerncia temporal de um laser est relacionada com as suas caractersticas temporais, que dependem,
tambm, do conjunto de frequncias presentes na feixe.
Lasers Contnuos (CW)
Um laser CW (de onda contnua) um laser cuja potncia de sada no varia ou varia muito pouco no
tempo, exibindo um fluxo de energia constante. Os lasers de He-Ne e de rgon, funcionam, em geral, no
modo contnuo.
Lasers Pulsados
Vrios sistemas laser apresentam feixes de sada com flutuaes marcadas, i.e., a potncia do feixe laser
varia de forma bastante acentuada no tempo. Estes sistemas operam em regime pulsado. Os lasers de
estado slido de Nd:YAG e de CO
2
operam, muitas vezes, neste modo. A operao em modo pulsado pode
apresentar caractersticas diferentes conforme o comprimento dos pulsos e a forma como so produzidos:
- Regime Livre
- Q-switching
- mode-locking
Jos Figueiredo 49
2001-02
A figura ao lado representa o ganho e a potncia CW de sada do laser em
funo do tempo, a partir do momento em que o laser ligado. O mecanismo de
excitao comea a operar no instante t
0
. No instante t
1
, a inverso de populao
atingida e o ganho do amplificador G
a
=1. Contudo, a emisso no comea
em t
1
, porque as perdas na cavidade originam um ganho de percurso fechado G
L
inferior a um. A emisso comea no instante t
2
, quando G
L
atinge a unidade.
Ganho em Lasers Contnuos
A potncia de sada continua a aumentar at o ganho de percurso fechado G
L
atingir o valor mximo em
t
3
. Neste instante, a potncia de sada cresce taxa mxima, e a inverso de populao atinge o valor
mximo. Aps t
3
, com a continuao da emisso laser, a emisso estimulada promove a transio dos
tomos, do nvel laser superior para o nvel laser inferior, mais rapidamente do que o mecanismo de
excitao os consegue repor no nvel laser superior. Este processo reduz a inverso de populao.
Consequentemente, os ganhos do amplificador e de percurso fechado comeam a decrescer. Em t
4
, o ganho
de percurso fechado torna-se igual a um, mantendo este valor durante o perodo de funcionamento. O laser
entra no regime estacionrio aps o instante t
4
. O ganho de percurso fechado de um laser em regime
contnuo igual a um. O ganho do meio amplificador G
a
pode ser determinado substituindo este valor na
equao de ganho de percurso fechado, e resolvendo em ordem ao ganho do amplificador:
G
a
=[e
2L
(R
2
R
1
)
-1
] (o coeficiente de ganho do meio activo dado por: k
a
= - 1/(2L) ln[R
2
R
1
].)
Se a potncia do mecanismo de excitao aumentada, a potncia de sada pode aumentar, mas uma
nova condio estacionria ser atingida com um ganho de percurso fechado unitrio, e o ganho do
amplificador ser o valor que produzir um ganho de percurso fechado igual a um (1).
Jos Figueiredo 50
2001-02
Laser em Modo Pulsado: Regime Livre
Um laser de estado slido com largura de fluorescncia 30 GHz, possui centenas ou milhares de modos
longitudinais. Cada modo exibe um comportamento impulsional independente dos outros modos. Cada
pulso a composio destas centenas ou milhares de pulsos modais curtos.
A energia e a durao total dos pulsos permanecem, essencialmente, os mesmos de pulso para pulso.
Contudo, a potncia mxima atingida em cada pulso pode ser diferente da do seguinte. Um valor
aproximado da potncia mxima pode ser obtida a partir dos valores da energia e durao do pulso.
Estes laser so classificados de acordo com a energia e a durao do pulso.
Este processo repetido muitas vezes durante um nico pulso do mecanismo de
excitao, dando origem a centenas ou milhares de picos no pulso de sada. A
figura abaixo representa o pulso de sada de um laser de estado slido operando no
modo pulsado normal. Um pulso tpico tem uma durao nominal desde dcimas
de milisegundo at vrios milisegundos. O pulso , na verdade, composto por
vrios pulsos muito pequenos, cada um com durao de cerca de 50 ns.
Nos lasers pulsados, o grau de inverso de populao e os ganhos do amplificador
e de percurso fechado atingem valores bem mais elevados. A potncia instantnea
do mecanismo de excitao de um laser pulsado excede largamente a de um laser em
contnuo. A figura ao lado mostra o ganho de percurso fechado e a potncia de sada
de um laser pulsado, em funo do tempo. Em t
1
, G
L
=1, e a emisso comea. G
L
contnua a crescer at atingir um mximo em t
2
, aps o que comea a diminuir. A
potncia aumenta at ao instante t
3
. Em t
3
, G
L
<1, e a potncia comea a decrescer.
O feixe no meio activo to intenso que remove completamente a inverso de populao antes da
emisso terminar em t
4
, o ponto a partir do qual G
L
comea, novamente, a aumentar. Em t
5
, G
L
, de novo,
igual a um, e a emisso recomea.
Jos Figueiredo 51
2001-02
ponde a um obturador (shutter) dentro da cavidade. Quando este obturador est fechado, a luz que
atravessa o meio activo bloqueada antes de atingir o espelho de elevada reflectividade ou reflectido para
fora da cavidade. Consequentemente, no h re-alimentao do feixe. O obturador (Q-switch) introduz
perdas suficientes para evitar a aco laser, o que, por sua vez, permite que o ganho do meio laser continue
a aumentar, podendo atingir um valor muito superior ao limite mnimo necessrio para produzir aco
laser. O grau de inverso de populao muito superior ao atingido nos regimes estacionrio ou pulsado
normal. Quando o obturador aberto, i.e., quando a re-alimentao restaurada, re-iniciada a aco
laser, e a energia, entretanto armazenada, libertada na forma de um pulso de intensidade bastante elevada.
O mecanismo de obturador pode ser mecnico, acusto-ptico, electro-ptico, ou um corante.
Lasers em Q-Switching
Vrios lasers comerciais operam neste modo. A figura ao lado mostra
um diagrama esquemtico de um laser Q-switching. O Q-switch corres-
A figura ao lado compara a operao de um laser pulsado Q-switching
com a operao do mesmo laser no modo pulsado normal. Sem Q-switching,
o ganho do amplificador atinge o limiar de operao laser em t
1
, e a aco
laser comea, o que remove energia do meio activo na forma de um pulso de
luz. O ganho do amplificador e a potncia de sada de um pulso normal so
indicados pelas linhas a picotado. Os valores para o modo Q-switching
correspondem s linhas slidas.
Jos Figueiredo 52
2001-02
O Q-switch impede a re-alimentao do feixe interno e mantm o ganho de percurso fechado igual a zero
at que a energia armazenada atinja um dado valor.
No instante t
2
(figura anterior), o ganho do amplificador vrias vezes superior ao mximo
correspondente operao em modo pulsado normal, devido, claro, elevada inverso de populao
criada. Quando o obturador aberto, o ganho de percurso fechado aumenta rapidamente atingindo um valor
elevado em alguns casos, um valor de vrias centenas. Este aumento acentuado do ganho da cavidade
pode produzir ondas estacionrias de elevada amplitude em vrios modos da cavidade, e toda a energia
armazenada libertada no pulso resultante.
A durao dos pulsos Q-switch pode variar desde alguns segundos at centenas de nanosegundos. A
potncia de pico de pulsos Q-switch pode atingir vrias milhares de vezes o valor obtido num laser sem Q-
switch. Enquanto que o Q-switch reduz a energia total por pulso, a largura do pulso reduzida ainda mais.
O termo Q-switch significa comutar o factor de qualidade. O adjectivo Q-switch resulta do facto de o
factor de cavidade ser comutado entre um valor alto e um valor baixo.
O factor de qualidade de uma cavidade definido como a razo da quantidade de energia armazenada na
cavidade na forma de ondas estacionrias e a quantidade de energia perdida durante um percurso completo
na cavidade.
Em resumo, quando o Q-switch est activo, no h re-alimentao e, portanto, no h ondas
estacionrias. As perdas so muito elevadas e o factor de qualidade zero. Quando o Q-switch
desactivado, ocorre uma reduo acentuada das perdas, e um conjunto intenso de ondas estacionrias
formado.
Jos Figueiredo 53
2001-02
Numa cavidade ptica podem coexistir muitos modos longitudinais. O nmero de modos depende da
largura da linha de transio do laser, do ganho, da separao espectral entre modos longitudinais, etc..
Lasers em Mode-Locking
A figura ao lado mostra, num dado instante de tempo, apenas trs dos
muitos modos que esto em oscilao. Se todos os modos fossem mostrados,
o resultado seria um perfil de intensidade com amplitude muito pequena em
quase toda a regio entre espelhos, e uma ou mais zonas onde a amplitude
resultante atingiria um mximo, como esquematizado na figura. Isto
devido, ao facto de os modos longitudinais interferirem entre si, produzindo
um mximo de amplitude numa zona localizada, e com, praticamente, zero
amplitude na regio restante.
Se conseguirmos agarrar os modos usando um meio/mecanismo apropriado acusto-ptico, electro-
ptico ou atravs de um corante posicionado-o numa determinada regio da cavidade, o perfil de
intensidade anterior (ver figura) pode ser agarrado, mantendo a distribuio relativamente aos modos
longitudinais individuais que lhe deram origem.
O mecanismo de mode-locking assegura que os modos mantm as relaes de fase entre si, fazendo
com que a distribuio de energia obtida (pulso) no se deforme, embora mude de posio dentro da
cavidade com o decorrer do tempo. Isto , tal como os modos individuais andam para a frente e para trs,
entre os espelhos, o mesmo efectua o pulso resultante. Contudo, isto s acontece quando o mode-locking
Jos Figueiredo 54
2001-02
est activo. Quando est inactivo, a cavidade est na condio de regime normal ou livre, i.e., a fase de
cada modo longitudinal ir variar relativamente aos restantes, e, portanto, a posio relativa do mximo ir
estar sempre a variar. Como consequncia, a distribuio de energia ir variar no tempo.
Enquanto o mode-locking estiver activo, os modos agarrados permanecem em fase relativamente uns aos
outros, e o pulso de amplitude mxima faz o seu percurso no tempo correspondente ao volta completa,
aparecendo na sada sempre com a mesma separao temporal.
O mode-locking assegura que os modos da cavidade permanecem agarrados em fase de tal forma que
produzem sempre a mesma distribuio de amplitude. O pulso formado pelo mode-locking, viaja para a
frente e para trs entre os espelhos com velocidade c, sem se deformar.
A figura ao lado mostra a sada de um laser em mode-locking, que
consiste num trem de pulsos laser. possvel obter pulsos com durao de
fraco do ns at decimas de fs, dependendo do laser. A separao entre
pulsos igual ao tempo necessrio para a luz completar um percurso
fechado na cavidade, de um espelho ao outro e de volta.
Se a distncia entre os espelhos l, o tempo de percurso completo =2l/c, e a taxa de repetio dos pulso
dada por T
R
=c/2l.
Jos Figueiredo 55
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Os laser pulsados podem ser de pulso nico e de pulsos repetidos. Um laser de pulso nico produz um
pulso de luz por cada ciclo de operao do laser. Um laser de pulsos repetidos emite um trem de pulsos
igualmente espaados no tempo, sempre que o laser est em operao.
Caracterizao de Pulsos Laser
A figura mostra a potncia de um pulso de um laser em funo do tempo. A
potncia mxima do pulso P
max
. Em geral, a durao do pulso difcil de
determinar porque a energia do pulso cai lentamente para zero. A conveno
mais conveniente para medir a durao temporal de um pulso a largura a
meia altura da potncia mxima. A durao do pulso ou largura do pulso
corresponde intervalo de tempo entre os pontos de metade da potncia mxima
Pulso nico
do pulso (FWHM, full-width at the half-maximum), representado por t
1/2
. Uma vez que a potncia
definida como a energia a dividir pelo tempo, a energia o produto da potncia pelo tempo. Na figura
acima, a energia total do pulso corresponde rea abaixo da curva de potncia, que em primeira
aproximao pode ser aproximada por um tringulo.
O contedo energtico do pulso , neste caso, E= P
max
t
1/2
.
Contudo, na maior parte dos caso, mede-se a energia e a durao do pulso, obtendo-se a potncia mxima
a partir da equao: P
max
=E/t
1/2
.
Jos Figueiredo 56
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Trem de Pulsos
A figura ao lado apresenta potncia de alguns pulso de um trem de
pulso de um laser em funo do tempo. P
avg
corresponde potncia
mdia do laser. O tempo de repetio de pulsos, tempo entre pulsos ou
perodo dos pulsos, T
R
, corresponde ao intervalo de tempo entre pontos
idnticos de dois pulsos laser consecutivos.
A taxa de repetio de pulso, TRP, o nmero de pulos por segundo e numericamente igual ao inverso
de T
R
: TRR=1/T
R
.
O duty-cycle, DC, de um trem de pulso definido como a razo entre o tempo em que o laser emite e o
tempo em que no emite durante um ciclo (T
R
). Em geral, expresso em percentagem: um DC de 10%
significa que o laser emite durante 10% do perodo do ciclo, no emitindo nos restantes 90%.
Quantitativamente, o DC corresponde razo entre a durao do pulso e o perodo do trem de pulsos:
DC= t
1/2
/T
R
.
A rea a sombreado na figura representa o produto da potncia mdia e T
R
. Esta rea igual rea de um
pulso laser. A energia de um pulso E=P
avg
T
R
. O DC igual a P
max
/P
avg
.
A energia do pulso pode ser medida usando um calormetro, que consiste num sensor que absorve a
energia do pulso, indicando a quantidade de energia absorvida. A durao do pulso determinada usando
um foto-dodo rpido cuja sada elctrica visualizada num osciloscpio.
Jos Figueiredo 57
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Caso de Estudo: Laser de Hlio-Non
O laser de Hlio-Non um laser em que o meio activo uma mistura gasosa, i.e., o laser de He-Ne
consiste num tubo fechado contendo uma mistura de cerca de 10 partes de hlio e 1 parte de non, presso
da ordem de 0.013 atmosferas. A mistura gasosa excitada aplicando uma tenso elevada, >1 kV, entre os
elctrodos do tubo, o que cria uma descarga brilhante que pode conduzir corrente.
Na verdade, o laser He-Ne dever-se-ia chamar, mais propriamente, um laser de non, uma vez que os
tomos de non so o elemento activos e o hlio actua como gs tampo (buffer), aumentando a eficincia
da aco laser devido maior eficcia do bombeamento na obteno da inverso de populao.
A importncia do laser de He-Ne resulta da emisso a 633 nm e da baixa divergncia do feixe (~0.1
mrad). Estes lasers so usados em investigao e desenvolvimento, inspeco, instalao de condutas,
sensores de posio, monitorar vibraes, teste de materiais, etc..
Meio Activo
O fluxo de energia no meio activo do laser de He-Ne est ilustrado na
figura ao lado. A figura uma combinao dos diagramas de energia do
hlio e do non. Por simplicidade, somente alguns dos muitos nveis de
energia esto indicados. Note que os dois nveis 5s e 4s no non tm
praticamente a mesma energia que os dois estados excitados no hlio 2
1
s
e 2
3
s (estes estados no do origem a transies radiativas, devido
restrio imposta pela conservao de momento angular). Esta
ressonncia entre os nveis de energia do hlio e do non a razo do
aumento da eficincia da bombeamento.
Jos Figueiredo 58
2001-02
A excitao da mistura gasosa por aplicao uma tenso elevada d origem a uma corrente elctrica. Os
electres libertados pelo ctodo, so acelerados em direco ao nodo pela tenso aplicada aos terminais
elctricos do tubo de plasma, no seu percurso os electres colidem com os tomos de hlio e de non.
Contudo, como a massa do tomo de hlio de apenas um quinto da massa do tomo de non, os electres
transferem a energia mais eficazmente para os tomos de hlio atravs de colises inelsticas. Este
processo provoca a excitao do hlio para nveis metaestveis (no radiativos). A excitao dos tomos de
non para os nveis 5s e 4s resultado da coliso de tomos de non com os tomos de hlio excitados. A
ligeira diferena em energia entre os nveis do hlio e do non acomodada pelas variaes de energia
cintica dos tomos durante as colises.
O processo de bombeamento do meio laser, indirectamente, por transferncia de energia via colises com
outro gs excitado designado excitao ressonante, e utilizado em vrios lasers de gs. Por exemplo, a
eficincia de bombeamento no laser de CO
2
aumenta bastante se se adicionar uma certa quantidade de
nitrognio.
Se a transferncia ressonante de energia dos tomos metaestveis de He para tomos de Ne ocorre a uma
taxa superior que a taxa de decaimento de 5s e 4s para nveis de menor energia, pode ser obtida inverso de
populao. possvel a emisso simultnea de radiao a seis comprimentos de onda diferentes no non,
como mostra a figura da pgina anterior. At 1985, s tinha sido prevista a emisso em trs riscas: a risca
mais comum a 632,8 nm na poro vermelha do espectro e duas riscas adicionais a 1,152 m e a 3,391 m,
no infra-vermelho. As riscas 3,39 e 0.6328 m tm em comum o mesmo nvel laser superior e esto em
competio pelos mesmos tomos excitados que sustentam o processo laser.
Jos Figueiredo 59
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Quando tal ocorre, a risca apresentando maior ganho a transio dominante.
Um laser de He-Ne pode, de facto, emitir em mais trs transies laser. As outras linhas possveis so: a
1523 nm, a 1118 nm, e a 543 nm. Na maioria dos casos, a transio de menor energia ser dominante: o
ganho to elevado para a linha 3.39 m, que a aco laser pode ser obtida a este co sem se usar o par de
espelhos de re-alimentao. Este fenmeno de emisso laser sem re-alimentao designado, muitas vezes,
por aco laser super-radiante.
As linhas 1.152 m e 0.6328 m compartilham o estado laser inferir. Se a linha 1.152 m emite, os
tomos do estado 4s sofrem transio para o nvel 3p, aumentando a populao de 3p, o que e reduz a
inverso de populao para a linha 0.6328 m. As vrias linhas podem estar presentes em simultneo na
emisso laser. Para emisso numa linha nica, por exemplo, a linha 0.6328 m, necessrio tomar medidas
para suprimir a oscilao nos outros dois comprimentos de onda. As linhas 3.39 m e 1.152 m apresentam
ganhos superiores ao da linha 0.6328 m e so capazes de roubar potncia a 0.6328 m, que de outro
modo estaria disponvel para a emisso no vermelho.
Supresso de Linhas Indesejadas
O mtodo mais comum para a eliminao de linhas no desejadas usar espelhos de elevada
reflectividade a 0.6328 m, mas de baixa reflectncia aos co.s indesejados, reduzindo a re-alimentao a
estes co.s de forma a tornar o ganho inferior a 1. Na maioria dos lasers de He-Ne comerciais de baixa
potncia, no so tomadas medidas para eliminar as linhas infra-vermelhas, com excepo do uso de
espelhos de filmes selectivos com largura de banda centrada em 632.8 nm. Nos tubos dos lasers de He-Ne
de grande potncia, os espelhos selectores no impedem a aco laser nas linhas no desejadas, sendo
Jos Figueiredo 60
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necessrio tomar outras medidas. O mtodo mais comum o uso de supresso
magntica, em que um magnete colocado ao lado do tubo de plasma. O
campo magntico provoca a separao dos nveis de energia do non em
vrios nveis pouco espaados, alargando a linha do laser, como indicado na
figura ao lado. Em vez de uma nica transio, cada linha consiste agora num
grupo de linhas sobrepostas. Este efeito mais pronunciado para as linhas de maior comprimento de onda e,
assim, reduz o ganho a 3.39 m e a 1.15 m a um nvel inferior ao limiar, mas tm pouca influncia a 632.8
nm. O mtodo magntico de supresso pode ser testado na maioria dos lasers de He-Ne de 2 mW ou
superior se pequenos magnetes forem colocados junto ao tubo de plasma enquanto a sada est a ser
observada. Outros mtodos de supresso incluem sintonizar (no interior da cavidade) com um prisma ou
colocando na cavidade um absorvente da linha 3.39 m, como o gs metano.
Presso e Mistura do Gs
A razo da mistura dos gases hlio e non para a operao de um laser He-Ne a 632.8 nm, foi determinada
experimentalmente como sendo 7.5:1. Contudo, como os tomos de hlio so muito pequenos e difundem-
se gradualmente atravs das paredes do vidro do tubo do laser, baixando a presso parcial do hlio, a
maioria dos lasers He-Ne so preparados com uma mistura inicial de 9:1. O intervalo da mistura de gases
em que h produo de luz laser a 632.8 nm vai de 3:1 a 20:1. A razo 9:1 escolhida porque prolonga o
tempo de vida til do tubo, embora a razo de He:Ne diminua com o tempo. Na situao de potncia
mxima, a presso total do gs, P (em torr), no tubo de plasma de He-Ne depende do dimetro do tubo
capilar, d, de acordo com a equao: P=0.4/d. (1 torr equivalente presso de 1/760 atm.)
Jos Figueiredo 61
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A expresso para a presso do tubo no deve ser tida como uma receita mgica mas, meramente, como
uma primeira aproximao. Na maioria dos lasers HeNe comerciais, a presso inicial do gs cerca de
1.5 vezes superior presso ptima, de novo para prolongar o tempo de vida do tubo.
A figura ao lado indica a populao relativa dos nveis de energia 3p
e 5s num laser de He-Ne em funo da corrente no tubo. Para baixa
corrente, 5s ocupado eficientemente em resultado de colises de
He. A sua populao aumenta com a corrente no tubo, mas comea a
estabilizar a correntes elevadas (>6 mA). A populao do nvel 3p
depende, em parte, da temperatura do gs. A baixa corrente, a
populao do nvel 3p is baixa, mas um aumento de corrente aquece
o gs, e a populao aumenta rapidamente, destruindo a inverso de
populao. Na maioria dos laser He-Ne a potncia mxima ocorre
entre 6-8 mA, e poucos conseguem emitir para correntes acima de
20 mA. A figura ao lado mostra a curva da potncia de sada versus
a corrente no tubo (caracterstica P-I) para um laser comercial.
Optimizao da Corrente no Tubo
A curva apresenta trs regies distintas. Para correntes inferiores a 2 mA, a descarga do gs ocorre numa
regio instvel: o gs brilha intermitentemente e a no h emisso de luz coerente. A luz emitida pelo tubo
durante cada claro resulta da emisso espontnea.
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Para correntes superiores a 2 mA, observada uma descarga estvel; um medidor de potncia indicaria
agora um valor diferente de zero. O intervalo normal de operao do laser entre 3 e 6 mA, embora, muitos
operem na regio 5-6 mA para melhor eficincia. A potncia til entre 1-2.6 mW a 632.8 nm obtida para
correntes no tubo entre 2-6 mA. Aps atingido o mximo de potncia de sada (~2.6 mWa 5.7 mA), a curva
P-I apresenta declive negativo, i.e., a potncia diminui com o aumento da corrente. Quando um aumento de
corrente no tubo no origina um incremento de potncia de sada, diz-se que o tubo de plasma est na regio
de saturao. Este fenmeno corresponde situao em que fornecida mais energia para bombeamento ao
gs do que a quantidade que este pode de facto usar para activao efectiva. Nesta regio o gs aquece mais,
o que pode resultar numa diminuio do tempo de vida do tubo. Assim, desejvel limitar o fluxo de
corrente a valores que previnam a saturao.
Mecanismo de Excitao
O mecanismo de excitao do gs no laser de HeNe conseguido com um
fluxo de corrente directa atravs do gs. A fonte de alimentao dever ser
capaz de provocar uma descarga estvel a uma dada corrente. As
caractersticas da fonte de alimentao dependem das caractersticas do tubo
de plasma. A figura ao lado mostra a curva corrente-tenso (I-V) para um
tubo de um laser de HeNe. A forma da curva uma caracterstica das
descargas em gs, em que o elemento condutor um plasma. (A palavra
plasma foi usada pela primeira vez em 1920 por Langmair, originalmente
como um gs fracamente ionizado.)
Jos Figueiredo 63
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A ionizao de um tomo (remoo de um electro) requer o fornecimento de uma quantidade de energia
designada energia potencial de ionizao. O valor exacto da energia de ionizao depende da estrutura do
tomo; por exemplo, o hlio tm uma energia de ionizao de 24.6 eV, o non de 21.5 eV, e o rgon de
15.8 eV. Notar que a energia de ionizao do Ne menor que a do He. Como indicado na figura anterior,
muito pouca corrente flui atravs do tubo at que a tenso aplicada aos terminais do tubo atinge um valor
mximo, a lomba na curve. Este ponto chamado tenso de ruptura (breakdown voltage). Para este
tubo particular, a tenso de ruptura aproximadamente igual a 3400 V. Quando aplicado o potencial de
ruptura, alguns dos tomos so ionizados criado um plasma de non resultando numa reduo da
resistncia do tubo, o que leva a um aumento da corrente. medida que a corrente aumenta, mais tomos
so ionizados devido coliso de electres com tomos: consequentemente, o tubo apresenta uma regio de
resistncia dinmica negativa (RDN, NDR). Nesta regio, um aumento de corrente no tubo resulta num
decrscimo de tenso aos terminais do tubo, dando origem a um declive negativo na curva tenso-corrente.
A corrente atravs do gs em descarga no pode ser regulada por controle da tenso aplicada porque a
resistncia no permanece constante. A tenso constante, a resistncia do tubo ir decrescer, originando
correntes elevadas, prejudiciais ao funcionamento do laser. necessrio incluir um limitador de corrente.
Fontes de Alimentao de Tubos de lasers de HeNe
A fonte de alimentao de um tubo de laser HeNe deve possuir trs elementos funcionais que so impostos
pela forma da curva tenso-corrente: - um circuito iniciador de tenso que proporciona um pulso de tenso
que excede a tenso de ruptura do tubo e ioniza o gs de modo a permitir a passagem de corrente;
Jos Figueiredo 64
2001-02
Esta tenso, embora no seja suficiente para ionizar o gs no tubo, capaz de manter um fluxo de
corrente constante, uma vez iniciado. O circuito disparador (starter) consiste de um multiplicador de
tenso capaz de fornecer vrios quilovolt, mas sem corrente. Uma vez atingida a tenso de ruptura, o gs
ioniza, e os dodos deste circuito conduzem a corrente. A diferena de tenso no circuito disparador diminui
praticamente para zero, e a tenso da fonte de tenso directa aplicada ao tubo e resistncia limitadora
(ballast). O valor desta resistncia depende do valor da corrente a limitar.
Se o circuito for usado com um tubo com a caracterstica (I-V) anterior, a valor da resistncia limitadora
dever ser 300 k, o que limita a corrente a 4.5 mA. A queda de tenso aos terminais da resistncia
limitadora 800 V e a diferena de potencial aos terminais do tubo laser 1360 V.
Em muitos casos, a resistncia limitadora substituda por reguladores de corrente transistorizados, que
asseguram uma corrente constante no tubo, mesmo que as caractersticas do tubo mudem no tempo.
- um circuito que fornece uma tenso contnua menor, mas suficiente
para manter a corrente directa aps a ionizao; - um limitador de
corrente que limita a corrente no tubo ao valor desejado.
A figura ao lado um esquema de uma fonte de alimentao de um
laser de HeNe. Quando a fonte ligada, a corrente flui atravs do
transformador, que produz uma tenso alternada de ~800 V. A fonte
de tenso directa consiste num duplicador de tenso com circuito de
rectificao, que converte os 800 V ac em ~2240 V dc.
Jos Figueiredo 65
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Tubo de Plasma
O nodo (elctrodo positivo) do tubo laser atingido pelos electres da descarga de gs. Como a massa dos
electres muito pequena, a sua energia cintica baixa, e, em consequncia, transferem muita pouca
energia quando colidem com o nodo, fazendo com que este possa ser fisicamente pequeno. Em muitos
tubos laser de HeNe, o nodo um pequeno alfinete de nquel que se estende atravs do tubo de vidro. O
elctrodo negativo (ctodo) atingido pelos ies pesados da descarga. Devido sua massa, estes ies
possuem elevada energia cintica, que transferida para o ctodo, aquecendo. Consequentemente, o ctodo
deve possuir uma rea superficial suficientemente grande para dissipar a energia trmica e prevenir o
sobre-aquecimento. Vrios ctodos tm sido usados, o mais comum um cilindro oco de uma liga de
alumnio. Os contaminantes no interior do tubo devem ser reduzidos ao mnimo para evitar o
envenenamento da mistura do gs. Um tipo de contaminante resulta do material de que o ctodo feito:
alguns tomos do ctodo podem ser arrancados deste em consequncia do bombardeamento dos ies
positivos atrados, um processo conhecido por sputtering. O alumnio puro e algumas das suas ligas
exibem taxas de sputtering muito baixas e so bons materiais para o ctodo.
A figura ao lado mostra os componentes de um tubo laser HeNe
tpico. Aco laser ocorre no tubo capilar de ~1 mm de dimetro
interior. Os espelhos so colados nas extremidades do tubo. O volume
que contem o ctodo serve, tambm, como um reservatrio de gs, e,
assim, estender a vida do tubo. Muitos tubos de plasma comerciais so
equipados com ctodos de alumnio frio, apresentam tempos de vida
superiores a 10 000 horas.
(Serve para
eliminar
impurezas)
Jos Figueiredo 66
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Mecanismo de Re-Alimentao e Acoplador de Sada
Nos lasers de gs de HeNe comerciais, , geralmente, usada a cavidade ressonante hemisfrica (figura
abaixo), que consiste de num espelho curvo e num espelho plano, separados de uma distncia L, igual ao
raio de curvatura do espelho curvo. O espelho curvo , normalmente, o de sada. No espelho plano
depositado um filme de elevada reflectividade.
O filme de vrias camadas depositados num substrato de quartzo
fundido e desenhado para espalhar e absorver o menos possvel
a radiao laser, de forma minimizar as perdas da cavidade. Os
substratos so polidos com grande preciso. Pequenas
imperfeies nas superfcies dos espelhos so fonte de perda de
potncia. A figura ao lado mostra as curvas de transmisso (em
%) em funo do comprimento de onda, para filme multi-camada
tpicos. Para =632.8 nm, a reflectncia do espelho HR superior
a 99.9%, e a transmisso do espelho de sada ~1.2%.
A separao L entre os espelhos em configurao hemisfrica, , geralmente, um pouco menor que o raio
de curvatura do espelho curvo, r
1
. Quando L<r
1
, a frente de onda que atinge o espelho HR preenche uma
regio de rea superior rea limite terica de difraco do caso L=r
1
. A frente de onda, sendo reflectida
por uma rea grande, est menos propensa a sofrer distores causadas pelas imperfeies no espelho HR.
Tais distores podem destruir o campo de radiao auto-reprodutivo dentro da cavidade. A maior
vantagem da cavidade hemisfrica a sua facilidade de alinhamento, comparada com as outras
configuraes. O espelho HR geralmente o primeiro a ser alinhado com respeito ao capilar do tubo de
plasma. Se o acoplador de sada for o espelho curvo, facilita o procedimento de alinhamento.
Jos Figueiredo 67
2001-02
Outras Emisses do Laser de HeNe
(ver tb http://w3.ualg.pt/~jlongras/lope/lasers/techhene.htm)
possvel encontrar sistemas lasers de HeNe comerciais que emitem a 543 nm (verde), a 594 nm
(amarelo), a 612 nm (laranja), a 1.523 m (infra-vermelho) e a 3.39 m (infra-vermelho).
Laser de HeNe Verde (543 nm)
As transies laser no laser HeNe verde so do nvel 5s para o nvel 3p. A emisso laser nesta linha
reforada alterando a mistura e a presso dos gases e as caractersticas de reflexo dos espelhos da
cavidade; a potncia de emisso tpica de ~1 mW. Esta linha corresponde ao centro da curva de resposta
do olho, o que faz com que este feixe laser seja extremamente visvel, mesmo em condies adversas.
Alguns exemplos de aplicao destes lasers so: ponteiros; ecrs, reforadores de contraste em
instrumentao cirrgica; transmisso em comunicao subaqutica; mira em lasers de alta potncia;
contadores de partculas, etc..
Laser de HeNe a 1523 nm
Os lasers de HeNe operando a 1.523 m, emitem at potncias de 1 mW. A transio laser para esta linha
infra-vermelha do nvel 4s para o nvel 3p, como se pode ver no diagrama de energia do sistema HeNe.
Novamente, a emisso nesta linha obtida alterando a composio da mistura e a presso dos gases e as
caractersticas de reflexo dos espelhos da cavidade.
Vantagens: esta linha corresponde ao mnimo de absoro em fibras ptica, o que uma mais valia em
comunicao ptica; facilidade de colimao, quando comparado com os dodos laser; emisso mono-modo
com largura de linha de kHz (quando estabilizado), muito til para comunicao de longa distncia;
invisibilidade e direccionalidade fazem com que seja ideal em deteco e intruso; no tem os problemas de
extraco de calor associados aos lasers de dodo; a linha corresponde ao pico de sensibilidade dos
detectores de germnio e de InGaAs, o que optimiza a deteco de sinais.
Jos Figueiredo 68
2001-02
Mecanismo de Falhas nos Lasers de HeNe
Os tubos de laser de HeNe tm um tempo de vida finito. Pondo de parte falhas acidentais, os seguintes
mecanismos limitam o tempo de vida dos tubos:
- a emisso laser s ocorre se a mistura permanecer pura. Traos de outros gases, particularmente vapor
de gua, constringem a aco laser. Quando vapor de gua entra no tubo, a cor da descarga torna-se cor de
rosa e mais tarde azulada.
- como foi referido anteriormente, o hlio difunde-se atravs do vidro. Se a presso parcial do hlio se
torna muito baixa, o gs ir brilhar e no manter uma descarga constante.
- correntes atravs do tubo que excedam o valor recomendado causam o aquecimento do tubo, o que
pode originar a libertao de impurezas do ctodo e da getter. Estas impurezas iro envenenar a mistura.
Correntes elevadas podem causar sputtering do material do elctrodo, resultando na formao de uma
camada de impurezas nos espelhos. Estas impurezas causam perdas pticas e impedem a aco laser.
A vida til de operao de um tubo de laser de HeNe, em geral, excede o seu tempo de vida de prateleira.
De forma a maximizar o tempo de vida do tubo de laser HeNe, os lasers devem ser ligados vrias horas por
semana, mesmo que o mesmo no esteja em uso.
Jos Figueiredo 69
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O componente fundamental de um sistema laser o meio activo, que exibe ganho ptico num intervalo estreito de
comprimentos de onda. Em geral, o material activo empregue d origem designao do sistema laser. conveniente
dividir os sistemas laser em quatro tipos fundamentais, dependendo da natureza do meio activo empregue: lasers de estado
slido, lasers de gs, lasers de corantes, lasers de semicondutores, etc..
Caractersticas dos Sistemas Laser Mais Importantes
Lasers de Estado Slido
Nos lasers de estado slido, o meio activo consiste num slido cristalino dopado com determinados ies (impurezas). Os
ies mais usados so metais de transio e terras raras. O crmio (Cr
3+
) e o neodmio (Nd
3+
) so exemplos de impurezas.
(Em geral, os ies ocupam as posies normalmente ocupadas pelos ies do material hospedeiro). Os nveis de energia
envolvidos na transio laser correspondem aos nveis de energia dos ies dopantes. A rede cristalina modifica
ligeiramente os nveis de energia da impureza, de forma que quando usado num outro material emite num comprimento de
onda diferente. As outras propriedades do meio laser, como, por exemplo, a condutividade trmica, so definidas pelo meio
hospedeiro: o cristal define os nveis de potncia a que o laser pode operar, etc..
Lasers de Nd:YAG
Os ies de neodmio, Nd
3+
, substituem os ies de itrio na rede cristalina do YAG (yttrium aluminum garnet, Y
3
Al
2
O
15
),
com um grau de dopagem mximo de 1.5%. Neste sistema, o nvel laser inferior est suficientemente afastado do estado
fundamental, e, por isso, encontra-se praticamente vazio. Este laser corresponde a um sistema de quatro nveis, no sendo
demasiado exigente em termos de bombagem. Contudo, devido baixa eficincia da bombagem, grande quantidade de
calor produzida, pelo que o cristal necessita de ser constantemente arrefecido. As bandas de excitao mais efectivas
ocorrem entre 700 nm e 900 nm. O modo de operao pulsado o mais comum, embora o modo contnuo seja tambm
frequente. Vrias riscas so possveis; a emisso de maior potncia ocorre a 1.064 m, e esta a mais usada. Potncias de
pico at 50 kW (quando operando em mode-locked pode atingir vrios GW), e potncia contnua entre 1 e 200 W so
possveis.
Jos Figueiredo 70
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Lasers de Vidro Dopado
Comparativamente ao YAG, o vidro apresenta vrias vantagens como elemento hospedeiro: isotrpico, barato, de
fcil fabricao e aceita nveis de dopagem superiores (at cerca de 6%). Os laser de vidro dopado so mais eficientes,
devido ao maior nvel de dopagem e porque as bandas de absoro so mais extensas. Contudo, como o vidro tem baixa
condutividade trmica, a operao em regime contnuo pouco comum. Quando operados em mode-locking pode obter-se
vrios TW de potncia, com energias por pulso superiores a 1 kJ. O vidro dopado muito usado como meio amplificador.
Lasers de Fibra ptica
Um sinal ptico medida que se propaga numa fibra ptica vai sendo atenuado. Contudo, dopando a fibra com ies de
rbio (Er
3+
) ou de neodmio (Nd
3+
), a fibra apresenta ganho ptico. Se colocarmos espelhos nas extremidades da fibra
podemos obter um laser. Os lasers em fibra so bombeados opticamente, por isso necessrio encontrar um processo de
introduzir a radiao excitadora, sem afectar o desempenho da cavidade laser da fibra. Os lasers em fibra emitem
predominantemente a 1300 nm e a 1550 nm. Sem os espelhos de re-alimentao as fibras dopadas actuam como
Lasers de Rubi
O laser de rubi foi o primeiro laser demonstrado. pouco usado presentemente. O meio activo o oxido de alumnio
(Al
2
O
3
) dopado com cerca de 0.05% de crmio (em massa) . O io activo o crmio Cr
3+
, que substitui ies de alumnio
(Al
3+
) do cristal. A emisso laser ocorre a 694 nm. Este sistema laser de trs nveis. Consequentemente, mais de metade
do nmero total de ies tm de ser bombeados para o nvel laser superior, de forma a criar inverso de populao. O
bombeamento ocorre atravs de duas bandas extensas. Como no caso do laser Nd:YAG, a operao em modo pulso pode
ser obtida com uma lmpada de flash. A operao CW mais difcil devido baixa eficincia da bombagem. Uma
lmpada de arco de mercrio de elevada presso , muitas vezes, usada devido coincidncia entre a banda de emisso e
as bandas de absoro do rubi. A energia por pulso varia entre 1 mJ at vrios joules, podendo mesmo atingir centenas de
joules, com vrias dezenas de pulsos por segundo.
amplificadores, predominantemente, de radiao em torno dos 1550 nm. Ambos os caso sero analisados mais tarde.
Jos Figueiredo 71
2001-02
Lasers de Alexandrite (Cr
3+
:BeAl
2
O
4
)
O laser de alexandrite foi demonstrado em 1973 a 680 nm. um laser de quatro nveis. Alguns anos mais tarde
foi obtida emisso laser a comprimentos de onda mais longos, entre 700 e 820 nm. De facto, trata-se do primeiro
exemplo de um laser sintonizvel. O laser propriamente dito s emite num comprimento de onda particular (aquele
que apresenta maior ganho). Para tirar partido da sintonizao necessrio introduzir na cavidade um elemento
discriminador de comprimento de onda: um filtro de largura de banda muito estreita, um prisma, um etalon, etc..
Quando alkali halides so submetidos a radiao de elevada energia, como raios X ou feixes de electres, so
formados defeitos localizados que introduzem novos nveis electrnicos no material. A absoro ptica entre estes
nveis pode provocar que um material transparente se torne colorido dai o nome color center. H vrios tipos de
defeitos, o mais simples o centro F (o uso da letra F resulta da palavra alem Farben - cor). O centro F formado
quando um defeito criado deixando uma regio de carga positiva efectiva - catio. Um electro pode, ento,
orbitar esta regio da mesma forma que orbita o proto no tomo de hidrognio. Contudo, neste caso aos nveis de
energia correspondem bandas. s bandas de emisso e de absoro correspondem, geralmente, comprimentos de
onda diferentes. Os laser F-Center ou color so bombeados opticamente, geralmente, com outro laser emitindo num
comprimento de onda correspondente banda de absoro do centro de cor. Estes laser so sintonizveis nos
comprimentos de onda correspondentes banda de emisso. O laser de KBr dopado com tlio, por exemplo,
quando bombeado a 1.06 mm (laser de Nd:YAG) emite radiao laser de comprimento de onda na regio 1.4 - 1.6
m, com eficincia superior a 20%. Contudo, estes lasers so instveis temperatura ambiente, operando, por isso,
apenas temperatura do azoto lquido.
Color ou F-Center Lasers
Jos Figueiredo 72
2001-02
Os lasers de gs so agrupados em trs tipos ou classes: atmicos, de ies e moleculares:
- nos lasers atmicos, o meio activo formado por tomo electricamente neutros ou balanceados, i.e., o nmero
de cargas positivas igual ao n de cargas negativas. Exemplos: laser de hlio-non e laser de vapor de cobre.
- nos lasers de ies, o meio activo uma coleco de ies. Os exemplos mais importantes deste grupo so os
laser de rgon (Ar
+
) e de crpton (Kr
+
). Alguns lasers, como o hlio-cdmio (HeCd), contm um gs com ies
metlicos.
- um laser molecular emprega molculas neutras como meio activo. O laser de CO
2
, sem dvida, o mais
comum dos lasers moleculares. Outros exemplos so os lasers de CO, de OF, e os lasers qumicos.
Nos lasers de gs os nveis de inverso de populao conseguidos so bastante inferiores aos dos slidos,
devido diferena de densidades. Um cristal de Nd:YAG contm cerca de 610
25
tomos de Nd m
-3
, enquanto que
no caso do laser de HeNe existem somente 10
21
tomos de Ne por m
3
.
Lasers de Gs
Lasers de Vapor de Cobre
Como o nome indica, o meio activo deste laser o vapor de cobre. Aco laser pode ser obtida a 578 nm e a 510 nm.
Infelizmente, ambas as transies terminam num estado metastvel, fazendo com que a operao laser s ocorra em regime
pulsado: a desactivao do nvel laser inferior demora cerca de 25 s, ao fim do qual a aco laser recomea. O vapor de
cobre exibe um ganho elevado, cerca de 1% por mm. Obtm-se pulsos com potncia mdia de 10 a 40 W.
O tubo laser contm non presso de 25-50 torr e um reservatrio de cobre slido. Como o meio activo o vapor de
cobre (um metal), o tubo contendo o cobre deve ser mantido a alta temperatura de forma a manter a concentrao de vapor
de cobre acima de um dado mnimo. Para atingir a temperatura de operao, produzida uma descarga no tubo (de
dimetro entre 10 e 80 mm). O calor da descarga eleva a temperatura do tubo at 1400-1500
0
C. A esta temperatura o cobre
apresenta uma presso de vapor da ordem de 0.1 torr.
Jos Figueiredo 73
2001-02
Lasers de HeNe
Os lasers de HeNe comerciais operando a 632.8 nm, podem ser obtidos em regime CW com potncia de
0.5 at 100 mW. Os sistemas de maior potncia so usados, principalmente, em holografia. Alguns
sistemas lasers HeNe possuem espelhos removveis, permitindo a incorporao de conjuntos de espelhos
para operao a 1.15 m, a 1.523 m, etc. Os lasers HeNe possuem as seguintes caractersticas:
- o feixe de sada de baixa divergncia e possui elevada coerncia especial e temporal; podem
incorporar um modulador interno; o tubo de plasma tem longa durao;
- a construo robusta e estes lasers operam em condies bastante hostis (de temperatura, de
humidade, choque mecnico, etc);
- e so relativamente baratos.
Laser de rgon e Krpton
Os lasers de ies so, em geral, dispositivos de elevada corrente (20-30 A) e baixa tenso (200-300 V).
Estes lasers empregam tubos de plasma relativamente caros, em geral, de grafite ou de oxido de berlio
(BeO). O rgon apresenta riscas de emisso na regio azul-verde do espectro electromagntico. No Ar
+
, as
linhas mais fortes ocorrem a 488.0 nm e 514.5 m. O crpton possui linhas de emisso em, praticamente,
toda a zona do visvel. Estes lasers so dois dos mais importantes exemplos de lasers de ies. Os laser com
meio activo de rgon, de crpton, ou de uma mistura destes dois gases operam, em geral, no regime
contnuo, com potncia de sada at vrios watts. Os respectivos feixes laser apresentam baixa divergncia
e boas caractersticas de coerncia. Os lasers em regime pulsado, com taxas de repetio de 1 a 200 pulsos
por segundo (pps), apresentam por pulso 100 a 200 J.
Jos Figueiredo 74
2001-02
Normalmente, um solenide colocado em torno do tubo; o campo
magntico gerado pelo solenide confina o plasma de forma a
aumentar a densidade de corrente (corrente por unidade de rea)
atravs do meio activo, aumentando a eficincia de excitao. A
elevada corrente que atravessa o meio activo, aquecendo-o, o que torna
necessrio um sistema de arrefecimento. Normalmente, so usados fluxos de gua ou de ar, de forma
estabilizar a temperatura de operao. Em alguns sistemas, um tanque reservatrio (ligado ao tubo atravs
de uma vlvula), que mantm a presso da mistura de gs no tubo. Os sistemas rgon/crpton so
equipados, geralmente, com um prisma selector de comprimento de onda, posicionado entre o espelho de
elevada reflectividade e o tubo de plasma. O prisma introduz elevadas perdas na cavidade a todos os
comprimentos de onda, excepto a um comprimento de onda particular. A rotao do prisma em relao ao
eixo do tubo, permite assim seleccionar o comprimento de onda da emisso laser, i.e., sintoniza o laser
numa das riscas de emisso do gs ou da mistura de gases. Os lasers de rgon e crpton so muito usados em
aplicaes que requerem uma fonte coerente sintonizvel, como, por exemplo, a espectroscopia.
Lasers de HeCd
O laser de HeCd um laser de ies que utiliza um vapor de metal ionizado como meio activo (cdmio
neste caso). Os sistemas laser HeCd apresentam potncias de sada tpicas de 10-50 mW a 441.6 nm (no
azul) e 2-3 mW a 325 nm [ultravioleta (UV) prximo]. A risca de emisso pode ser seleccionada mudando
de espelhos. A linha UV do HeCd til para apagar as funes de dispositivos pticos usados na
gravao e manipulao de informao.
Jos Figueiredo 75
2001-02
Lasers de CO
2
O laser de CO
2
o sistema laser com maior aplicao na indstria e em I&D, bem como na monitorizao de poluentes
atmosfricos e em espectrscopia. Este laser apresenta elevada eficincia (>30%) e elevada potncia de sada. Os sistemas
comerciais apresentam potncias de 5 a 100 kWem modo contnuo; no modo pulsado at vrios quilowatts por pico e com
frequncia de repetio da ordem de kHz. Operao em Q-switching, usando um prisma em rotao, pode produzir
potncias de pico de 1 MW. Dependendo da configurao usada, possvel obter potncias de sada de vrios MW, com
pulsos de vrias centenas de ns, com dezenas de pulsos por segundo. A emisso coerente possvel a vrios comprimentos
de onda no infra-vermelho, estando os mais importantes centrados entre 9.6 m e 10.6 m.
As transies laser envolvem nveis de energia vibracionais e rotacionais quantizados da molcula de CO
2
. H trs modos
de vibrao possveis: simtrico, asimetrico, e planar (bending). Cada um destes modos est quantizado. Para alm de
vibrar, a molcula de CO
2
pode rodar em torno do seu centro de massa.
O laser de dixido de carbono consiste, normalmente, numa mistura de CO
2
, N
2
, e He. A potncia de sada proporcional
ao volume de gs usado (aproximadamente 70 W/litro). O nitrognio tem a mesma funo no laser de CO
2
que o He no
laser de HeNe. O He tem vrias funes, e.g., transferir o calor no interior do tubo para as paredes deste, ajudando na
desactivao do nvel laser inferior. As presses parciais, mais comuns, dos gases so P
He
:P
N
2
:P
CO
2
=8:3:1.
Os lasers de CO
2
so excitados por fontes de alta-tenso (5-10 kV) e correntes de descarga baixa (5-30 mA) ao longo do
eixo da cavidade. A molculas de azoto so excitadas para um certo nvel de energia (estado superior do laser de CO
2
) pela
descarga elctrica. As molculas de CO
2
so bombeadas do estado fundamental para o estado superior da aco laser por
colises ressonantes com as molculas de N
2
. Aps a emisso laser, a coliso entre os tomos de He e as molculas de CO
2
provoca o retorno destas do estado inferior da aco laser ao estado fundamental, donde podero ser de novo bombeadas.
A aco laser bastante eficiente porque o primeiro estado excitado do azoto est apenas a 0.3 eV acima do estado
fundamental, o que contrasta com os 20 eV requeridos para a excitao do hlio nos lasers de HeNe. De facto a excitao
do azoto requer aproximadamente 2 eV, devido natureza complexa do processo de excitao. Outra vantagem resulta do
facto do estado excitado do azoto ser um estado metastvel, fazendo com que quase todos os tomos de azoto cedem a sua
energia ao CO
2
, em vez de decairem para o estado fundamental.
Jos Figueiredo 76
2001-02
Lasers de Azoto
Ao contrrio do CO
2
, os nveis da transio laser no azoto so nveis de electrnicos. O laser de azoto molecular opera no
ultravioleta prximo a 337.1 nm. O tempo de vida do estado laser superior inferior ao do estado laser inferior (ao
contrrio da maioria dos lasers), por isso, este laser s opera no modo pulsado. A molcula N
2
muitas vezes referida
como um sistema super-radiante. Este laser s necessita de um espelho de re-alimentao, devido ao elevado ganho! A
Lasers de Excimer
A palavra excimer a contraco de excited dimer, significando uma molcula diatmica que, sendo estvel num estado
excitado, no o no estado fundamental. Os lasers de excimer so lasers de gs em que as molculas do meio activo so
formadas por um tomo de um gs inerte e um tomo de um elemento halogneo de elevada reactividade. Entre outras,
estas incluem o fluoreto de crpton (KrF) e o fluoreto de xnon (XeF). O elemento inerte e o halogneo so excitados por
um fluxo de corrente atravs da mistura. As elevadas densidades de corrente so obtidas usando descargas de curta durao
ou feixes de electres. As molculas excimer so criadas num estado excitado durante a descarga. Estes laser so muito
usados em investigao devido elevada potncia de pico (10
9
W) no ultravioleta (ArCl 175 nm, ArF, 193 nm, KrCl, 223
nm, KrF, 248 nm, XeBr 282 nm, XeCl, 308 nm, XeF, 351 nm, etc.). Os pulsos tm durao tpicas entre 10 e 40 ns, com
energia por pulso at 100 J. A taxa de repetio de poucos hertz. Estes lasers tm eficincia entre 10-15%
potncia de pico pode atingir 100 kW taxa de repetio de 100 Hz. frequentemente usado como um meio eficiente de
bombeamento em lasers de corantes sintonizveis.
Lasers Qumicos
Os lasers qumicos podem operar no modo cw e no modo pulsado. possvel obter potncias de sada bastante elevadas.
Emitem predominantemente no infra-vermelho, 2-6 m. Todos os lasers qumicos possuem em comum os seguintes
elementos: mistura gasosa, sistema de ignio da reaco qumica, cavidade ptica, sistema de exausto ou ventilao para
remover os produtos da reaco da cavidade ressonante. As reaces qumicas laser podem ser iniciadas por luz
ultravioleta (fotlise), descarga elctrica, calor (chama), ou por um processo qumico. Os lasers qumicos mais relevantes
empregam o fluoreto de hidrognio (HF), o fluoreto de deutrio (DF), o cloreto de hidrognio (HCl), o monoxido de
carbono (CO) e o dixido de carbono (CO
2
).
Jos Figueiredo 77
2001-02
Lasers de Corantes
bombeado por um laser de rgon de 5 W a 514.5 nm, apresenta potncia de sada
superior a 1 W a 590 nm. O laser Nd:YAG de frequncia dupla (533 nm) em modo
cw tambm muito usado na bombagem. O meio activo um jacto de corante, formando com a cavidade
ptica um ngulo correspondente ao ngulo de Brewster. O feixe do rgon focado no jacto usando lentes e
espelhos. A cavidade ptica do laser tem o ponto de focagem na mesma regio em que focada a radiao
excitante (jacto do corante). O comprimento de emisso pode ser sintonizado usando um filtro bi-
refringente ou outro elemento, ao longo de todo espectro visvel. Os lasers de corantes pulsados so
excitados por outro laser ou lmpadas de flash. Estes sistemas produzem at 30 pulsos por segundo com
vrios mili-joules por pulso, nos comprimentos de onda 300-800 nm (>260 mJ a alguns comprimentos de
onda). Estes lasers so muito usados em espectroscopia, investigao mdica, monitorizao de poluentes
do ar, devido capacidade de sintonizao.
Os lasers de corantes orgnicos emitem no visvel e no infravermelho, operando nos
modos cw e pulsado. Os corantes so dissolvidos em lcool (metanol ou etanol) ou
gua, sendo muitas vezes adicionada uma pequena quantidade de detergente para
aumentar a eficincia da aco laser do corante. A maioria destes lasers, operando no
regime contnuo, so bombeados com radiao proveniente de um laser de rgon
(514.5nm), e apresentam eficincia superior a 25%: um laser de rodamina 6G tpico,
Lasers de Semicondutores
Existem dois tipos de lasers semicondutores: os laser de transio entre bandas e os lasers de transio
intra-banda. O laser de dodo um exemplo do primeiro grupo, enquanto que o quantum cascade laser
um representante do segundo. Ambos os lasers sero analisados mais tarde, no captulo de ptica integrada.
Jos Figueiredo 78
2001-02
Lasers de Electres Livres
O laser ideal teria a seguintes caractersticas: sintonizvel numa banda larga (desde do ultravioleta at s ondas
milimtricas!), de elevada potncia, elevada eficincia e baixo custo. O laser de electres livres, o que mais
potencial apresenta de se aproximar deste objectivo. Contudo, este laser ainda est num estdio inicial de
investigao. O princpio de operao j foi demonstrado, mas a eficincia ainda muito baixa. H um longo
caminha a percorrer at se encontrar uma estrutura optimizada.
O princpio de um laser de electres livres bastante diferente dos lasers considerados at aqui. A fonte bsica de
energia um feixe de electres relativistas (i.e., electres com velocidade prxima da velocidade da luz). Sob
certas circunstncias, estes electres podem ser compelidos a cederem uma parte da energia do feixe ao feixe de
fotes viajando na mesma direco. O acoplamento dos dois resultado da interaco de Coulomb. Contudo, como
o campo elctrico do feixe luminoso perpendicular direco de propagao do feixe, os electres no podem
ceder nenhuma da sua energia aos fotes ao no ser que a velocidade dos electres tenha uma componente
perpendicular direco de propagao dos fotes. Isto pode ser conseguido se os electres de propagarem em zig-
zag, o que conseguido criando uma distribuio espacial peridica de um campo magntico cujo sentido alterna
ao longo da trajectria do feixe. Os electres ao longo do seu percurso, executam um movimento oscilatrio, e em
resultado emitem radiao de comprimento de onda =
m
/(2
2
), onde
m
representa o perodo espacial do magnete
que cria a variao espacial de campo magntico, e a razo entre a energia total do electro e a sua energia em
repouso (0.511 MeV). A largura de banda, , da radiao dada por /=1/(2N), onde N o numero de
perodos do magnete.
Contudo, as coisas no so assim to simples ... Se os electres so induzidos a emitir exactamente no
comprimento de onda dos fotes, as trocas de energia entre os dois feixes so iguais e opostas ... Uma forma de dar
a volta a este problema injectar os electres com uma energia ligeiramente superior energia de ressonncia ...
Jos Figueiredo 79
2001-02
Anlise dos Sistemas Laser quanto ao Comprimento de Onda, Durao do Feixe de
Sada, Potncia e Eficincia
As aplicaes de lasers na industria e na investigao tm aumentando com o decorrer do tempo. Os
lasers so usados para cortar tecido na industria do vesturio, na clivagem de bolachas de silcio e na micro-
maquinao de semicondutores, oftalmologia, alinhamento de condutas, teste no destrutivo de pneus, em
sistemas de comunicao de vrios tipos, gravao e leitura ptica de informao, produo e inspeco de
peas, testes interferomtricos.
Um sistema laser escolhido para uma dada aplicao com base nas caractersticas da radiao laser
relativamente aos requisitos do trabalho em mo. Esta escolha fortemente dependente de parmetros
como o comprimento de onda, a largura de pulso, a energia por pulso, a taxa de repetio, e a divergncia
do feixe.
Comprimento de Onda
O comprimento de onda da radiao emitida por um laser determinado pelas propriedades
do seu meio activo e, em certa extenso, de como o meio laser excitado. A figura ao lado
lista os comprimentos de onda de alguns dos sistemas laser mais importantes. (Convm
notar que vrios milhares de linhas laser j foram identificadas, e que novas linhas so
publicadas frequentemente em revistas de referncia.) O intervalo de comprimentos de onda
estende-se desde o ultravioleta (150 nm) at regio das microondas (3 mm). A regio sub-
milimtrica de grande interesse para os ambientalistas na monitorizao de poluentes
atmosfricos, e em espectroscopia no estudo de reaces qumicas.
Jos Figueiredo 80
2001-02
A variao temporal da potncia de sada dos vrios tipos de laser definida pelo modo de operao
como mostra a figura ao lado. Lasers em regime mode-locked emitem uma srie de pulsos ultra-curtos,
de poucos fs a centenas ps. O pulso tpico de um laser Q-switch varia de pouco ns at 50 ns; laser Q-
switch repetitivo de poucos ns at alguns s. Lasers operando no modo pulsado normal emitem trens de
Durao do Feixe de Sada
A potncia de sada dos vrios sistemas laser est indicada na figura ao lado. Os nveis de
potncia indicados para os modos pulsados referem-se potncia de pico por pulso. A potncia
de sada de um laser operando no modo continuo varia de fraco de mW at centenas de kW.
Potncia de Sada
pulsos de poucas dezenas de s a vrios ms. Finalmente, os lasers CW emitem um feixe constante no tempo, embora
possam ocorrer pequenas variaes na potncia de sada, <2%).
Lasers de pulso normal, apresentam potncias de sada entre 10
3
a 10
5
W. Q-switching repetitivo, 1 a 50 kW. Q-switching
pulso nico de 10
6
a 10
12
W (um ou mais com estgios amplificadores). Lasers mode-locked entre 10
4
a 10
14
W (novamente
o limite superior obtido usando amplificadores).
Eficincia
Os lasers semicondutores so dos sistemas laser mais eficientes. Grandes esforos vm sendo feitos para melhorar a
eficincia dos mecanismos de excitao. Como as caractersticas dos lasers so dependentes da temperatura do meio activo,
os sistemas de arrefecimento so de grande importncia.
A eficincia de um laser pode ser definida como a razo entre a potncia de sada e a potncia
(elctrica ou outra) fornecida ao laser. Em geral, apenas uma pequenssima fraco da energia de
excitao convertida num feixe de luz coerente. De facto, os laser so sistemas muito pouco
eficientes. A ttulo de exemplo, um laser HeNe tpico apresenta uma eficincia inferior a 1%.
Jos Figueiredo 81
2001-02
ptica Integrada e Fibras pticas
(Ver apontamentos: http://w3.ualg.pt/~jlongras/lope/lope.html#apontamentos)
Jos Figueiredo 82
2001-02
Guia de Onda Planar Dielctrico
Light
n
2
n
2
n
1
>
n
2
Light
Light
Light
n
2
n
2
d=2a
k
1
A
B
C
E

n
1
y
x
Light
z
E
n
2
n
2
y
A
1
2
1
B

A
B
C
2
2/2
k
1
x
n
1
2a z
Para haver propagao a diferena de fase entre A e C deve ser um mltiplo de 2:
(AC)= k
1
(AB+BC)-2=m2, com m inteiro. Para propagao ao longo do guia: k
1
[2dcos]-2=2m.
Condio de guiagempara cada m: k
1
[2dcos
m
]-2
m
=2m.
O campo elctrico da onda propagada da forma: E(y, z, t)=2E
m
(y)cos(t-
m
z)
y
E(y)
m= 0
m= 1
m= 2
Cladding
Cladding
Core
2a
n
1
n
2
n
2 n
2
Light
n
2
n
1
y
E
0
(y)
E(y, z, t)=2E
0
(y)cos(t-
0
z)
m= 0
Field of evanescent wave
(exponential decay)
Field of guided wave
Jos Figueiredo 83
2001-02
High order mode
Cladding
Core
Light pulse
t
0
t
Spread,
Broadened
light pulse
Intensity
Intensity
Axial
Para cada guia de onda com n
1
, n
2
, e
a, define-se o nmero V como
V=ka(n
1
2
+ n
2
2
).
O parmetro V tambm conhecido
como espessura ou frequncia
normalizada.
A ordem m de um modo propagado por um guia de onda satisfaz a condio: m(2V-)/. O nmero Mde
modos propagados dado por M=Int(2V/ ) + 1.
O comprimento de onda que faz com que V=/2, designado de comprimento de onda de corte.
Low order mode
Modos TE e TM

E
B
y
B
z
z
y
O

B
E
//
E
y
E
z
(b) TM mode (a) TE mode
B
//
x (into paper)
Dimetro Modal
A distribuio do campo na direco
transversal E(y)=E
clad
(0)exp(-
clad
y).
O campo decai de um factor exp(-1),
quando y==1/
clad
=a/V.
Define-se o dimetro modal como:
2
0
=2a+2.
2
0
2a+2a/V2a(V+1)/V.
Jos Figueiredo 84
2001-02
Disperso Modal
Slope = c/n
2
Slope = c/n
1
TE
0
cut-off
TE
1
TE
2
A velocidade de grupo define-se como v
g
=d/d
m
.
A diferena temporal de propagao entre o modo mais rpido e o
modo mais lento aps a distncia L dado por:
=L/v
gmin
- L/v
gmax
.
/L(n
1
- n
2
)/c.
Disperso Intra-Modal
y
Cladding
Cladding
2
<
1
v
g1
y
1
<
cut-off
1
>
cut-off
2
>
1
v
g2
>v
g1
Diagrama de Disperso
Core
E(y)
Jos Figueiredo 85
2001-02
Jos Figueiredo 86
2001-02
Jos Figueiredo 87
2001-02
Jos Figueiredo 88
2001-02
Jos Figueiredo 89
2001-02
Fibras pticas Step-Index
n
n
2
n
1
Cladding
Core
z
r
Fiber axis
2a
A diferena de ndices normalizada definida como =(n
1
- n
2
)/ n
1
.
y
y
Raios Meridionais e Raios skew
Along the fiber
Fiber axis
1
2
3
4
5
Skew ray
1
3
2
4
5
Fiber axis
1
2
3
Meridional ray
1, 3
2
kewray
does not have
to cross the
fiber axis. It
zigzags around
the fiber axis.
(b) As
(a)
ray
cros
axis
A
al
se
.
me
ay
s the
ri
s
dional
fiber
w
ject
nor
ed
m
Ra
on
to
y
t
fi
p
o
b
a
a
er
th
p
a
p
a
i
ro
ne
s
Ray path along the fiber
l
x
al
Jos Figueiredo 90
2001-02
Modos em Fibras pticas Step-Index
Os modos guiados em fibras pticas com ndice em degrau e com <<1 (weakly guiding fibers) so
geralmente visualizados como ondas propagantes quase linearmente polarizadas. Os respectivos campos
elctricos e magnticos so perpendiculares entre si, e direco de propagao (de forma idntica ao de
uma onda plana, mas em que a magnitude dos campos no constante no plano). Este modos so por isso
designados modos linearmente polarizados (LP).
Um modo LP
lm
pode ser descrito por uma onda propagando-se ao longo de z, com forma
E
LP
(y, z, t)=E
lm
(r, )exp[j(t-
lm
z)]
o nmero V da fibra dado por
V=ka(n
1
2
- n
2
2
)=ka(2n
1
n),
onde
n=(n
1
+ n
2
)/2, e
=(n
1
- n
2
)/n
1
(n
1
2
- n
2
2
)/2n
1
2
.
Uma fibra suporta apenas o modo
LP
01
, i.e., o modo fundamental, ao
comprimento de onda da radiao
c
,
se
V=(2a/
c
)(n
1
2
- n
2
2
)2.405.
Se V2.405 a fibra monomodo.
(a) The electric field
of the fundamental
mode
(b) The intensity in
the fundamental
mode LP
01
(c) The intensity
in LP
11
(d) The intensity
in LP
21
E
Core
Cladding
E
01
r
O nmero de modos Mnuma fibra com ndice em degrau dado por MV
2
/2.
Jos Figueiredo 91
2001-02
A constante de propagao
lm
de um modo LP depende do dimetro da fibra
e do comprimento de onda da fonte. , portanto, conveniente definir uma
constante de propagao normalizada, b, que depende apenas do parmetro V
da fibra. Fazendo k=2/,
b=[(/k)
2
- n
2
2
]/(n
1
2
- n
2
2
).
O limite inferior, b=0, corresponde a =kn
2
, i.e., a onda propaga-se na
bainha. O limite superior, b=1, corresponde a =kn
1
, i.e., propagao no
ncleo.
b
0
2 4 3
LP
01
LP
11
LP
21
LP
02
2.405
1
0.8
0.6
0.4
0.2
V
0
6
1 5
Abertura Numrica
Da lei de Snell obtm-se: sin
max
/sin(90
0
-
C
)=n
1
/n
0
.
Eliminando
C
, verifica-se que:
sin
max
=(n
1
2
- n
2
2
)/n
0
.
Define-se abertura numrica de uma fibra como: NA= (n
1
2
- n
2
2
).
Em termos de NA, o ngulo de mxima aceitncia,
max
, dado por:
sin
max
=NA/n
0
.
O ngulo 2
max
designado de ngulo total de aceitncia. Este
ngulo depende da abertura numrica da fibra e do ndice de
refraco do meio lanante.
Pode-se escrever o nmero V da fibra como V=(k=2a/)NA.
Cladding
Core
<
max
A
B
A
B
n
0
n
1
n
2
Lost
Propagates
Fiber axis
>
max
<
C
>
C
Jos Figueiredo 92
2001-02
Disperso em Fibras pticas Mono-Modo
Intensity
t
0
Spectrum,
1
Intensity
Intensity
0

2
Cladding
Core
Emitter
Very short
light pulse
v
g
(
1
)
Input
Output
v
g
(
2
)
Spread,
t
Disperso Material Disperso do Guias de Onda
/L=|D
m
| D
m
- /c(d
2
n/d
2
) /L=|D
w
| D
m
1.984N
g
2
(2a)
2
2cn
2
2
)
Tempo de atraso do modo fundamental Disperso Total ou Disperso Cromtica
g
=1/v
g
=d
01
/d /L=| D
m
+ D
w
|
Core
z
n
1x
// x
n
1
y
// y
E
y
E
x
E
x
E
y
E
= Pulse spread
Input light pulse
Output light pulse
t
t
Intensity
0
1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.1
-30
20
30
10
-20
-10
D
m
0
Dispersion coefficient (ps km
-1
nm
-1
)
D
m
+D
W
D
W
(m)
Disperso de Polarizao
Jos Figueiredo 93
2001-02
Fibras de Disperso Plana
Disperso de Perfil
/L=|D
p
|
Em geral, D
p
0 porque n=f().
Disperso Total
D
ch
=D
m
+ D
w
+ D
p
20
-10
-20
-30
10
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7
0
30
D
ch
=D
m
+D
w
1
Dispersion coefficient (ps km
-1
nm
-1
)
(m)
2
D
w
D
m
n
r
Thin layer of cladding
with a depressed index
Taxa de Transmisso e Disperso
Digital signal
0
Output Intensity
1/2
~2
1/2
0
Very short
light pulses
Input
T
t
Input Intensity
Emitter Photodetector
Fiber
B0.5/
1/2
B0.25/
BL0.25L/=0.25/(|D
ch
|
2
=
2
intermodal
+
2
intramodal
Information
Information
t
Output
t
Output optical power
1/2
T = 4
2
0.5
0.61
1.0
t
Jos Figueiredo 94
2001-02
Largura de Banda Elctrica e Largura de Banda ptica
Electrical signal (photocurrent)
Sinusoidal electrical signal
f
el
1
0.707
f
1 kHz 1 MHz 1 GHz
Fiber
Sinusoidal signal
Photodetector
Emitter
t
t
0
P
i
= Input light power
Optical
Input
Optical
Output
f = Modulation frequency
0
P
o
= Output light power
t f
1 kHz
1 MHz
f
op
1 GHz
P
o
/ P
0.1
0.05
i
f
op
> f
el
No caso de disperso gaussiana,
f
op
0.75B 0.19/
Jos Figueiredo 95
2001-02
Fibras pticas de ndice Gradual
n
2
n
2
2
1
3
n
1
O
2
1
3
O
O' O''
2
3
n
1
n
2
n
n
n
b
n
c
O O'
Ray1
A
B'
B
B'
Ray2
M
B' c/n
b
c/n
a
1
2
B''
n
a
a
b
c
TIR TIR
n decreases step by step from one layer
to next upper layer; very thin layers.
Continuous decrease in n gives a
ray path changing continuously
Jos Figueiredo 96
2001-02
Fibras pticas de ndice Gradual
(graded index (GRIN) fibers)
n
2
n
2
2
1
3
n
1
O
2
1
3
O
O' O''
2
3
n
1
n
2
n
n
n
b
n
c
O O'
Ray1
A
B'
B
B'
Ray2
M
B' c/n
b
c/n
a
1
2
B''
n
a
a
b
c
TIR TIR
n decreases step by step from one layer
to next upper layer; very thin layers.
Continuous decrease in n gives a
ray path changing continuously
( )
a r n n
a r a r n n
= =
< =
,
, / 2 1
2
1

A disperso modal mnima para =(4+2)/(2+3)2(1-)2 com 1.
Numa fibra com perfil de ndice optimizado, a disperso modal dada por:
L
c
n
2
1
m
3 20

Jos Figueiredo 97
2001-02
0.05
0.1
0.5
1.0
5
10
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
Lattice
absorption
Rayleigh
scattering
Wavelength (m)
OH
-
Absorption peaks
1310 nm
1550 nm
A
t
t
e
n
u
a
t
i
o
n

(
)

i
n

d
B

k
m
-
1
Atenuao em Fibras pticas
(
=
out
in
P
P
L
dx
dP
P
ln
1
: se obtm Integrando
.
1
: atenuao de e Coeficient
( )
( )

34 . 4
10 ln
10
log 10
1
exp
dB
= =
|
|
.
|
\
|
=
=
out
in
in out
P
P
L
L P P
Jos Figueiredo 98
2001-02
Perdas em Fibras pticas Induzidas por Curvatura
0 2
4 6
8 10 12
14 16 18
Radius of curvature (mm)
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
B
(m
-1
)for 10cmof bend
=633nm
=790nm
V
2.08
V
1.67
Escaping wave

<
>
c

R
Cladding
Core
Field distribution Microbending
Jos Figueiredo 99
2001-02
Fabricao da Fibra
Outside Vapor Deposition
Vapors: SiCl
4
+ GeCl
4
+ O
2
Rotate mandrel
(a)
Deposited soot
Burner
Fuel: H
2
Target rod
Deposited Ge doped Si
2
O
(b)
Furnace
Porous soot
preform with hole
Clear solid
glass preform
Drying gases
(c)
Furnace
Drawn fiber
Preform
2000 C
Preform feed
Protective polymer coating
Buffer tube: d=1 mm
Cladding: d=125-150 m
Core:
d=8-10 m
n
r
The cross section of a typical
single-mode fiber with a tight
buffer tube. (d=diameter)
n
1
n
2
Furnace
Thickness
monitoring gauge
Polymer coater
Ultraviolet light or furnace
for curing
Take-up drum
Capstan
Jos Figueiredo 100
2001-02
Semicondutores
tronenergy, E
Conduction Band
(CB)
Empty of electrons
at 0 K
E
c
E
v
0
E
c
+
Bandgap=E
g
nd
Si ioncore(+4e)
Electron energy, E
e
hole
CB
VB
E
c
E
v
0
E
c
+
E
g
Free e
h
> E
g
Hole h
+
h
2s Band
bands
Electrons
2s
2p
3s
3p
1s 1s
SOLID
ATOM
E= 0
Free electron
Electron Energy, E
2p Band
3s Band
Vacuum
level
Overlapping
energy
Valence Band
(VB)
Full of electrons
at 0 K
Covalent bo
Elec
Jos Figueiredo 101
2001-02
Bandas de Energia em Semicondutores
tronenergy, E
Conduction Band
(CB)
Empty of electrons
at 0 K
E
c
E
v
0
E
c
+
nd
Si ioncore(+4e)
tron energy, E
E
c
+
E
g
Free e
h>E
g
Hole h
+
e
hole
h
2s Band
bands
Electrons
2s
2p
3s
3p
1s 1s
SOLID
ATOM
E= 0
Free electron
Electron Energy, E
2p Band
3s Band
Vacuum
level
Overlapping
energy
Valence Band
(VB)
Full of electrons
at 0 K
Bandgap=E
g
Covalent bo
Elec
Elec
CB
E
c
E
v
VB
0
Jos Figueiredo 102
2001-02
x
V(x)
x = L
x = 0
a
2a 3a
0
a
a
Surface
Surface Crystal
PE of the electrons, V(x), inside the crystal is periodic
with a period a
E
k
k
/a
E
c
E
v
Conduction
Band(CB)
E
c
E
v
CB
TheE-kDiagram
EnergyBand
Diagram
empty
k
occupied
k
h
+
e
-
E
g
e
-
h
+
h
VB
h
Valence
Band(VB)
Semicondutores
When N atoms are arranged to form the crystal then
there is an overlap of individual electron PE functions.
E
CB
GaAs
E
CB
VB
g
k
cb
E
k
Phonon
Si
Si com o centros de recombinao Semicondutores Directos Semicondutores Indirectos
Si
Potential energy (PE) of the electrons around an isolated atom
PE(r)
r
The
/a
Direct Bandgap
E Indirect Bandgap,
k
k k k k
Jos Figueiredo 103
2001-02
g(E)
E
F
n
E
(E) or p
E
(E)
E
E
For
electrons
For holes
[1f(E)]
n
E
(E)
p
E
(E)
Area = p
Area = n
E
(E)dE = n
E
c
E
v
E
v
E
c
0
E
c
+
E
F
VB
CB
g(E)

(EE
c
)
1/2
Densidade de Estados, Distribuio de Fermi-Dirac e Nvel de Fermi
Densidade de estados
g(E)
Distribuio de
Fermi-Dirac
[f(E)]
Diagrama de bandas
de energia
Produto g(E) f(E)
E
F
: nvel de Fermi
E
fE)
Jos Figueiredo 104
2001-02
Semicondutores Extrnsecos
(b)
e
As
+
(a)
x
As
+
As
+
As
+
As
+
E
c
E
d
CB
E
v
~0.05 eV
As atom sites every 10
6
Si atoms
Distance into
crystal
Electron Energy
n Si
x
B
E
v
E
a
Batomsites every10
6
Si atoms
Distance
into crystal
~0.05 eV
B
h
+
VB
E
c
Electron energy
B
h
+
p Si
Jos Figueiredo 105
2001-02
Semicondutores Tipo n e Tipo p. Efeito de um Campo Elctrico.
E
c
E
v
E
Fi
E
Fn
E
c
E
v
CB
g(E)
E
Impurities
ing a band
Semicondutores degenerados
i n
n
+
Lei da aco das massas: n
i
=np
E
F
n
E
v
E
c
p
Efeito da aplicao de um
campo elctrico
Bandas de energia: i, n, p
Potential energy (PE)
V(x), (x) PE
CB
E
Fp
E
v
E
c
VB
E
c
A
E
E
F
E
v
V
n-Type Semiconductor
E
F
eV
E
c
eV
B
PE(x) =
Semicondutor tipo n
V(x)
x
eV
Electron Energy
p
+
E
v
eV
CB
form
E
c
E
Fp
E
v
VB
Jos Figueiredo 106
2001-02
Propriedades da Juno pn
B
-
h
+
p n
M
As
+
e
Metallurgical Junction
(a)
E(x)
V
o
V(x)
x
PE(x)
Electron PE(x)
(e)
(f)
x
0
eV
o
x
(g)
eV
o
Hole PE(x)
E
o
M
W
n
W
p
n
no
x
x = 0
p
no
p
po
n
po
log(p)
W
p
W
n
Space charge region
M
net
n
i
Neutral n-region Neutral p-region
E
o
(b)
log(n),
(c)
x
W
p
W
n
M
eN
d
(d)
-eN
a
Jos Figueiredo 107
2001-02
Diagramas de Bandas de Energia de Junes p-n
E
c
E
v
E
c
E
Fp
M
E
Fn
eV
o
p
n
E
o
E
v
n
p
(a)
SCL
Circuito aberto
V
I
n
p
E
o
E
e(V
o
V)
eV
E
c
E
Fn
E
v
E
v
E
c
E
Fp
(b)
Polarizao Directa
(c)
V
r
n
p
e(V
o
+V
r
)
E
c
E
Fn
E
v
E
v
E
c
E
Fp
E
o
+E
Polarizao inversa
(d)
I = Very Small
V
r
n
p
Thermal
generation
E
c
E
Fn
E
v
E
c
E
Fp
E
v
e(V
o
+V
r
)
E
o
+E
Gerao trmica de pares e-h
kleyequation
I
I =I
o
[exp(eV/k
B
T) 1]
mA
V
Shoc
nA
Sp
gene
acec
at
ha
ion.
rgelayer
r
Jos Figueiredo 108
2001-02
Diagramas de Bandas de Energia de Junes p-n
+
h
- E
g
E
g (b)
V
(a)
p
n
+
E
g
eV
o
E
F
p n
+
Electron in CB
Hole in VB
E
c
E
v
E
c
E
v
E
F
eV
o
Electron energy
Distance into device
Dodos Emissores de Luz Planares
Light output
Light output
p
Epitaxial layers
Substrate
n
+
n
+
p
n
+
n
+
Substrate
Insulator (oxide)
Epitaxial layer
Metal electrode
Jos Figueiredo 109
2001-02
Encapsulamento de LEDs
Light output
p
Electrodes
Light
Plastic dome
Electrodes
Domed
semiconductor
pn Junction
(a) (b)
(c)
n
+
n
+
Substrate
Materiais para LEDs
O GaP intrnseco um semicondutor indirecto: a dopagem cria
centros de recombinao directos.
Emisso de fotes em semicondutores de
banda proibida directa.
E
c
E
v
E
N
(b) N doped GaP
E
c
E
v
E
a
(c) Al doped SiC
E
c
E
g
E
v
y < 0 (a) GaA .45 s
1-y
P
y
Jos Figueiredo 110
2001-02
Free space wavelength coverage by different LED materials from the visible
spectrum to the infrared including wavelengths used
in optical communications.
Hatched region and dashed lines are indirect E
g
materials.
0 . 4 0 . 5 0 . 6 0 . 7
0 . 8 0 . 9 1 . 0 1 . 1
1 . 2
1 . 3 1 . 4 1 . 5 1 . 6
B
l
u
e
G
r
e
e
n
O
r
a
n
g
e
Y
e
l
l
o
w
R
e
d
1 . 7
I n f r a r e d
V
i
o
l
e
t
G
a
A
s
G
a
A
s
0
.
5
5
P
0
.
4
5
G aA s
1-y
P
y
I
n
P
I
n
0
.
1
4
G
a
0
.
8
6
A
s
I n
1- x
G a
x
A s
1 - y
P
y
A l
x
G a
1-x
A s
x = 0. 43
G
a
P
(
N
)
G
a
S
b
I n d i r e c t
b a n d g a p
I
n
G
a
N
S
i
C
(
A
l
)
I
n
0
.
7
G
a
0
.
3
A
s
0
.
6
6
P
0
.
3
4
I
n
0
.
5
7
G
a
0
.
4
3
A
s
0
.
9
5
P
0
.
0
5
In
0.49
A l
x
G a
0.51-x
P
Jos Figueiredo 111
2001-02
LEDs de Dupla Juno
2eV
2eV
eV
o
Holes in VB
Electrons in CB
1.4eV
No bias
With
forward
bias
E
c
E
v
E
c
E
v
E
F
E
F
(a)
(b)
(c)
(d)
p n
+
p
E
c
GaAs AlGaAs AlGaAs
p p n
+
~ 0.2

m
AlGaAs AlGaAs
(a) A double
heterostructure diode has
two junctions which are
between two different
bandgap semiconductors
(GaAs and AlGaAs)
(b) A simplified energy
band diagram with
exaggerated features. E
F
must be uniform.
(c) Forward biased
simplified energy band
diagram.
(d) Forward biased LED.
Schematic illustration of
photons escaping
reabsorption in the
AlGaAs layer and being
emitted from the device.
GaAs
Jos Figueiredo 112
2001-02
E
c
E
v
Carrier concentration
per unit energy
Electrons in CB
Holes in VB
h
E
g
h
1
h
2
h
3
CB
VB

1
h
ity
E
g
+ k
B
T
(2.5-3)k
B
T
1
/
2
k
B
T
E
g
1 2 3
2k
B
T
Caractersticas dos LEDs
E
Relative intensity Relative intens
1
1
0
0
Caracterstica L-I Caracterstica V-I
Re
inte
lativ
n
e
sity
20 40
0
Relative light intensity
V
2
0
1
20 40
I (mA) 0
24 nm
655nm
1.0
0.5
I (mA) 0
0
700 600
650
Jos Figueiredo 113
2001-02
Electrode
SiO
2
(insulator)
Electrode
Fiber (multimode)
Epoxy resin
Etched well
Double heterostructure
(a)
2
O
3
:SiO
2
glass)
LEDs para Comunicao por Fibra ptica
Light
Light
Double
heterostructure
(a) Surface emitting LED (b) Edge emitting LED
Fiber
Microlens (Ti
(b)
Light is coupled from a surface emitting LED
into a multimode fiber using an index matching
epoxy. The fiber is bonded to the LED structure.
A microlens focuses diverging light from a surface
emitting LED into a multimode optical fiber.
Jos Figueiredo 114
2001-02
LEDs de Dupla Heterojuno com Emisso Lateral
Insulation
Stripe electrode
Subs
Electrode
Active region (emission region)
p
+
-InP (E
g
=1.35 eV, Cladding layer)
n
+
-InP(E
g
=1.35eV, Cladding/Substrate)
n-InGaAs (E
g
0.83 eV, Active layer)
Current
paths
L
60-70 m
Cleaved reflecting surface
p
+
-InGaAsP (E
g
1 eV, Confining layer)
n
+
-InGaAsP (E
g
1 eV, Confining layer)
1
2
3
200-300 m
Lens
Active layer
L
i
g
h
t

b
e
a
m
Schematic illustration of the the structure
of a double heterojunction stripe contact
edge emitting LED
800 900
40C
25C
85C
0
740 840 880
Wavelength (nm)
The output spectrum from AlGaAs
LED. Values normalized to peak
emission at 25
0
C.

Relative spectral output power
1
GRIN-rod lens
Single mode fiber
Multimode fiber
ELED
ELED
( a) (b)
Light from an edge emitting LED is coupled into a fiber typically by using a lens or a GRIN rod lens.
Jos Figueiredo 115
2001-02
Compostos Semicondutores III-V em Optoelectrnica
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
0.54 0.55 0.56 0.57 0.58 0.59 0.6 0.61 0.62
Lattice constant, a (nm)
GaP
GaAs
InAs
InP
Direct bandgap
Indirect bandgap
In
0.535
Ga
0.465
As
X
Quaternary alloys
withdirect bandgap
In
1-x
Ga
x
As
Quaternary alloys
with indirect bandgap
E
g
(eV)
Bandgap energy E
g
and lattice constant a for various III-V alloys of
GaP, GaAs, InP and InAs. A line represents a ternary alloy formed with
compounds from the end points of the line. Solid lines are for direct
bandgap alloys whereas dashed lines for indirect bandgap alloys.
Regions between lines represent quaternary alloys. The line from X to
InP represents quaternary alloys In
1-x
Ga
x
As
1-y
P
y
made from
In
0.535
Ga
0.465
As and InP which are lattice matched to InP.
Jos Figueiredo 116
2001-02
Bandas de Energia de um Juno p-n Degenerada
p
+
n
+
E
F n
E
g
E
v
E
c
E
v
Holes in VB
Electrons in CB
Junction
Electrons
E
c
E
F p
eV
o
Tenso Aplicada: Zero volt
Tenso Aplicada: V>V
0
.
p
+
E
g
n
+
Inversion
region
E
c
E
Fn
V
Ganho versus Energia do Foto.
E
c
eV
E
Fp
VB
Holes in VB = Empty states
E
Fp
E
v
Energy
E
c
CB
E
Fn
eV
Energia dos Electres e Lacunas a T0 K
Optical gain
E
Fn
E
Fp
Density of states
Electrons in CB
E
g
Optical absorption
0
h
At T> 0
At T= 0
Jos Figueiredo 117
2001-02
Dodo Laser de Homojuno
Conseguida a inverso de populao, a
radiao presente com energia ~E
g

amplificada. Ocorre oscilao laser se for
introduzido um elemento de realimentao.
Este surge, naturalmente, com a clivagem do
cristal: a realimentao corresponde fraco
da radiao reflectida nas facetas do cristal.
I
th
n
Threshold population
inversion
o
P
o
= Lasing output power
N
ph
n P
P
0
: potncia de sada vs. corrente
n: concentrao dos electres injectados
n
th
Corrente
L
Current
Cleaved surface
mirror
Electrode
Active region
(stimulated
emission region)
Ilustrao Esquemtica
GaAs
p+
L
GaAs n+
Potncia de Sada vs. Corrente
Laser
Optical Power
Electrode
Optical Power
LED
Optical Power
Spontaneous
emission
S
t
i
m
u
l
a
t
e
d
e
m
i
s
s
i
o
n
Laser
Optical Power
I
0
I
t h
Jos Figueiredo 118
2001-02
2 eV
Electrons in CB
AlGaAs AlGaAs
1.4 eV
E
c
E
v
E
c
E
v
E
c
(a) A double
heterostructure diode has
two junctions which are
between two different
bandgap semiconductors
(GaAs and AlGaAs).
2 eV
(b) Simplified energy
band diagram under a
large forward bias.
Lasing recombination
takes place in the p-
GaAs layer, the
active layer
(~0.1 m)
GaAs
Dodo Laser de Dupla Hetero-Estrutura
p
n p
(a)
Refractive
index
(c )
Photon
density
Active
region
n
~ 5%
Holes in VB
(b)
(c)
mat
low
inde
Hig
eri
er
x
he
s
ef
r
r
b
av
ct
a
i
n
e
v
dg
a
e
ap
al
r
h
a
(d
pr
co
)
ovid
n
A
f
lG
in
aA
e la
em
s
te
t
lay
a
er
o
s
tic r
.
l p al
(d) en
Jos Figueiredo 119
2001-02
Ilustrao Esquemtica de Dodo Laser de Dupla Hetero-Estrutura
Seco Transversal
Stripe electrode
Substrate
Electrode
Active region where J > J
th
.
(Emission region)
p -GaAs
(Contacting layer)
n-GaAs
(Substrate)
p-GaAs
(Active layer)
Current
paths
L
W
E
l
l
i
p
t
i
c
a
l
l
a
s
e
r
b
e
a
m
p-Al
x
Ga
1-x
As
(Confining layer)
1 2
3
Substrate
n-Al
x
Ga
1-x
As
(Confining layer)
Oxide insulation
p
+
-AlGaAs
(Contacting layer)
p -GaAs
(Active layer)
p -AlGaAs
(Confining layer)
Electrode
Oxide insulator
n-AlGaAs
n -AlGaAs
(Confining layer)
n -GaAs (Substrate)
Electrode
Jos Figueiredo 120
2001-02
Curvas Caractersticas Tpicas de Dodos Laser
Cavidade Laser Dependncia na Temperatura
Relative optical power
(nm)
0
20 80
P
0
(mW)
0 C
25 C
P
0
= 5 mW
782 780
778
Height, H
Width W
Length, L
Fabry-Perot cavity
Dielectric mirror
Diffraction
limited laser
beam
10
50 C
8
6
3 mW
4
2
1 mW
I (mA) 0
60 40
I
th
n
Threshold population
inversion
o
P
o
= Lasing output power
N
ph
n P
P
0
: potncia de sada vs. corrente
n: concentrao dos electres injectados
0
Light power
100 mA 50 mA
Laser diode
n
th
10 mW
LED
5 mW
Corrente
Current
Jos Figueiredo 121
2001-02
Lasers Monomodo
Corrugated
dielectric structure
Distributed Bragg
Reflector (DBR)
A
B
q (
B
/2 n ) =
Active layer
Laser DBR
Active layer
Corrugated grating
Guiding layer
Optical power
(nm)
0.1 nm
Ideal lasing emission
B
Laser DFB Distributed FeedBack (DFB)
Active
layer
L
D
Cavity Modes
In L
In D
In both
L and D
Cleaved-coupled-cavity (C
3
) Laser
Jos Figueiredo 122
2001-02
Poo Quntico
E
c
E
v
d
E
1
E
2
E
3
g
(E)
Density of states
E
Bulk
QW
n
= 1
E
g2
E
g1
E
n
= 2 E
c
Bulk
QW
E
v
AlGaAs AlGaAs
GaAs
d
D
y
D
z
y
z
x
Single and Multi Quantum Well Lasers (SQW and MQW)
Active layer
Barrier layer
E
c
E
v
E
E
c
E
v
E
E
e1
E
h1
h = E
e1
E
h1
Jos Figueiredo 123
2001-02
Vertical Cavity Surface Emitting Laser
(VCSEL)
Amplificadores pticos
Semicondutores
Pump current
Active region
AR = Antireflection
coating
AR
Signal in
Signal out
Traveling wave amplifier
Contact
Surface emission
Dielectric mirror
Contact
Substrate
/4
n
1
Active layer
/4
n
2
Dielectric mirror
Fabry-Perot amplifier
Partial mirror Partial mirror
Pump current
Active region
Jos Figueiredo 124
2001-02
Fotodetectores: Juno p-n Polarizada Inversamente
p
+
SiO
2
Electrode
net
eN
a
eN
d
x
x
E(x)
R
E
max
e
h
+
I
ph
h > E
g
W
E
n
Depletion region
(a)
(b)
(c)
Antireflection
coating
V
r
Electrode
V
out
e
h
+
i
ph
(t)
Semiconductor
(a )
V
x
(b)
E
l
L l
t
v
e
v
h
v
h
0
L
l
t
e
h
+
t
h
t
e
t
0
t
h
t
e
i
ph
(t)
i(t)
t
0
t
h
t
e
ev
h
/L + ev
e
/L ev
h
/L
i
e
(t)
i
h
(t)
(c )
(d)
Charge = e
ev
h
/L ev
e
/L
Jos Figueiredo 125
2001-02
Coeficiente de Absoro de Alguns Materiais usados em Foto-Dodos
0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 1.4 1.6 1.8
Wavelength (
m)
In
0.53
Ga
0.47
As
Ge
Si
In
0.7
Ga
0.3
As
0.64
P
0.36
InP
GaAs
a-Si:H
1 2 3 4 5
0.9 0.8 0.7
110
3
110
4
110
5
110
6
110
7
110
8
Photon energy (eV)
Absorption coefficient (
) vs. wavelength (
) for various semiconductors

(Data selectively collected and combined from various sources.)
(m
-1
)
1.0
Hiato de alguns Materiais (E
g
):
InP 1.35 eV (directo)
Si 1.12 eV (indirecto)
GaAs 1.42 eV (directo)
Ge 0.66 eV (indirecto)
In
0.53
Ga
0.47
As 0.75 eV (directo)
Comprimento de Onda de Corte:
) eV (
24 . 1
) m (
g
g
E
=
Lei de Absoro:
( ) x I x I = exp ) (
0
Profundidade de Penetrao:
1
=
Jos Figueiredo 126
2001-02
Eficincia Quntica e Responsividade
Eficincia Quntica:
0 200 400 600 800 1000 1200
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
Wavelength (nm)
Si Photodiode
g
Responsivity (A/W)
Ideal Photodiode
QE = 100% ( = 1)
h
P
e
I
fot
0
incidentes fotes de nmero
os aproveitad e gerados eh pares de nmero
=
=
Resposividade:
hc
e
h
e
P
I
R
R
fot

= = =
=
0
(W) Incidente ptica Potncia
(A) corrente - foto
Jos Figueiredo 127
2001-02
Foto-Dodo pin
p
+
i-Si n
+
SiO
2
Electrode
net
eN
a
eN
d
x
x
E(x)
R
E
o
E
e
h
+
I
ph
h > E
g
W
(a)
(b)
(c )
(d)
V
r
V
out
Electrode
10
2
10
3
10
4
10
5
10
7
10
6
10
5
10
4
Campo Elctrico (V m
-1
)
Electron
Hole
Velocidade de Arrastamento, v
ar
(m s
-1
)
Tempo de Resposta:
ar
v
W
t
resp
Campo Elctrico na Juno:
W
V
E
r
W
A
C
r

0
dep

Capacidade da Regio de Depleco:
Jos Figueiredo 128
2001-02
Foto-Dodo de Avalanche (APD)
p
+
SiO
2 Electrode
net
x
x
E(x)
R
E
h > E
g
p
I
ph
e
h
+
Absorption
region
Avalanche
region
(a)
(b)
(c)
Electrode
n
+
Factor de Multiplicao:
n
rut
r
V
V
M
I
I
M
I
I
M
|
|
.
|
\
|
=
=
=
1
1
da" multiplica - no "
da" multiplica "
nm fot
m fot
corrente - foto
corrente - foto
h
+
E
n
+
p
e
Avalanche region
SiO
2
Guard ring
Electrode Antireflection
coating
n
n
n
+
p
+
p
Substrate
Electrode
Avalanche breakdown
e
h
+
E
c
E
v
E
Jos Figueiredo 129
2001-02
Electro-Refraco: Efeitos de Pockels e de Kerr
E n
Efeito de Pockels
2
E n
Efeito de Kerr
(Substitui aula de 23-04-02)
Alterao de Fase Alterao de Fase
d
V
L
L n
=
=
2
2
2
2
2 2
d
V
L K L n = =
Moduladores de Fase e de Polarizao

Coplanar strip electrodes
EO Substrate
z
y
x
Waveguide
LiNbO
3
L
V (t)
Thin buffer layer
E
a
LiNbO
3
d
Polarized
Input Light
Cross-section
Jos Figueiredo 130
2001-02
Moduladores pticos Integrados de Electro-Refraco
Acoplador Direccional
z
P
A
(z)
P
B
(z)
Cross-section
Coupled waveguides
B
E
x
E
A
E
B
d
n
B
n
A
A
n
s
A
B
Top view
L
0
Input
P
A
(L
0
)
P
A
(0)
z
PB(L
0
)
x
Interfermetro de Mach-Zehnder
V(t)
LiNbO
3
EO Substrate
A
B
In
Out
C
D
A
B
Waveguide
Electrode
( )
2
cos
) 0 (
) (
=
out
out
P
P
electric field
Implementao com Guias de Onda em Canal
Jos Figueiredo 131
2001-02
Efeitos de Electro-Absoro
Efeito de Franz-Keldysh
Efeito de Stark (Confinamento Quntico)
Jos Figueiredo 132
2001-02
Moduladores pticos Integrados de Electro-Absoro
Franz-Keldysh Effect in n-doped AlGaAs (n = 3 10
16
cm
-3
)
Waveguide Modulator (a.u.) Transverse Transmission Modulator (a.u.)
Jos Figueiredo 133
2001-02
Double Barrier Quantum Well
Single Quantum Well Resonant Tunnelling Diode Electron Transmission Probability
(d=1.4 nm, L=7.0 nm, E
c
=1.0 eV)
1.0
0.5
0.4 0.6 0.8
0.0
-d 0
E
c
E
c
2
E
c
E E
E
c
1
E
F
E E
E
c
1
E
F
E
c
2
Z L L+d
E-E
C1
(eV)
0.2 0.0
Dodo Tnel Ressonante (Resonant Ttunnelling Diode, RTD)
Zero Bias
Resonance
Off Resonance
E
0
V=V
v
V=V
p
E
F
E
F
E
F
E
C
E
C
E
C
E
F
E
C
E
F
E
C
E
F
E
C
NDC
I
I
p
I
v
V
V
p
V
v
Jos Figueiredo 134
2001-02
Resonant Tunnelling Diode Electro-Absorption Modulator (RTD-EAM)
RTD-EAM Top View
RTD-EAMSide View
500 m
collector windows
emitter
window
collector windows
silica
5
0

C
P
W

L
i
n
e
Ridge
Waveguide
4
0
0

m
L
W
Ridge Waveguide
SMA
Gold Wire
50 CPW Line Light Light
Jos Figueiredo 135
2001-02
Moduladores pticos Integrados de Electro-Absoro
Resonant Tunnelling Diode Optical Waveguide
RTD-OW I-V Characteristic
n InGaAlAs
InP Substrate
Contacts
n InGaAlAs
n+ InAAs
n+ InAAs
RTD
RTD: 2 nm AlAs + 6 nm InGaAs + 2 nm AlAs
a
b
V
I
V
p
V
v
RTD-EAMEnergy Bands cross section (V=V
v
)
Waveguide Transmission (a.u.)
V=V
p
~ 1.1 V
V=V
v
~1.7 V
V=0.0 V
(nm)
1000
10
100
10000
1500 1520 1540 1560 1580 1600
Jos Figueiredo 136
2001-02
RTD-EAM Model
Analogous to the QWITT diode: the emitter and the DBQW act as an injection source to the
depleted region of the waveguide core
z
ev
J
N z
d J
e
(
(
=

, 0
) (
h
h
h
v p
d
J
v
W
W
V
+ =
2
0
|
.
|
\
|
=
PVCR
V V
p d
1
1
V=V
v
depletion
region
Injection region
Z=0
Z
V
d
Small-signal equivalent circuit for the RTD-EAM

}
C
tt
R
tt
C
DB
emitter collector
(
=
sat
tt
v
W
A
W
R
2
1
1
2
1

(

sat
tt
v
W
W
A
C

1
4
2
1
4
max
+ =
s sat s
R v A
W
A R
W
f

>40 GHz
Jos Figueiredo 137
2001-02
Holografia
Real cat image
Virtual cat image
Hologram
Laser
beam
Through beam
Observer
E
cat
(x,y)
E
ref
(x,y)
Escrita do Holograma Leitura do Holograma
Photographic plate
Cat
Mirror
Laser
beam
E
cat
(x,y)
E
ref
(x,y)
Jos Figueiredo 138
2001-02
Memrias Holograficas
Ecr
Jos Figueiredo 139
2001-02
Sistema de Leitura de Disco Compacto
Jos Figueiredo 140
2001-02
Medicina

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Lasers e Optoelectrnica Lasers e Optoelectrnica

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Moduladores de Fase e de Polarizao

Small-signal equivalent circuit for the RTD-EAM

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