Sensores Integrados em Silcio IE325 EE824 Sensores de Temperatura

Professor Fabiano Fruett UNICAMP FEEC - DSIF Sala 207 www.dsif.fee.unicamp.br/~fabiano

Temperatura a varivel mais medida

De um modo geral os sensores de temperatura podem ser divididos em:

Auto-suficientes
Termopares (efeito termoeltrico)

Termopares Efeito Seebeck

Modulantes
Termoresistores, Termodiodos e Termotransistores

V = AB T
sendo que AB o coeficiente de Seebeck relativo entre os materiais A e B, expresso em V/K.

Alguns efeitos relacionados ao gradiente de temperatura em uma barra de metal ou material semicondutor
Mudana no bandgap Mudana na concentrao dos portadores de carga Mudana no nvel de Fermi Mudana no coeficiente de difuso (mobilidade) Termo difuso Acmulo de cargas

Efeito Seebeck em metais

Fonte: D.E. Gray (ed.), American Institute of Physics Handbook, McGraw-Hill, New York, 1982, 4.7-4.9

Efeito Seebeck em semicondutores

ZnSb, PbTe, InAs
o coeficiente de Seebeck a condutividade eltrica k a condutividade trmica N a densidade de portadores

Coeficiente de Seebeck no Si a temperatura ambiente

Efeito Seebeck em circuitos integrados

Sensores modulantes
Possibilidades em circuitos integrados:
- Variao da resistncia em semicondutores - Variao da tenso de polarizao direta em diodos - Variao da tenso base-emissor em transistores bipolares

A tenso termodinmica devido as junes Si-Al (depende do nvel de dopagem do silcio) e pode chegar a 1.4 mV/K.

Fonte: G.C.M. Meijer, Ph.D. Thesis, TU Delft 1982

Efeito trmico no semicondutor

Para um semicondutor intrnseco, a resistividade pode ser expressa pela seguinte equao:
1

Silcio extrnseco

= ni q ( n + p )

sendo que: ni a concentrao de portadores intrnsecos n e p so as mobilidades dos eltrons e lacunas respectivamente.
ni(T), n(T)e p(T)

Focalizando a faixa de interesse

Resistor integrado

Faixa de interesse

R(T ) = R(0) + AT + BT 2

Limitaes tecnolgicas
A variao trmica de um resistor semicondutor fortemente dependente da queda de tenso, e estresse mecnico. Valores absolutos apresentam preciso de 20%, mas a razo de casamento entre duas resistncias 0.1%. Dessa forma os resistores so empregados em forma de ponte. Devem ser polarizados convenientemente, mantendo as junes p-n reversamente polarizadas.

Alguns exemplos de resistores integrados

TCR verus resistividade

10000 1000
/sqr

Outras opes de resistores integrados

Polisilcio
W/sqr TCR

100 10 1
Nt ub +B LN Pba se N+ P+

0,008 0,007 0,006 0,005 0,004 0,003 0,002 0,001 0

TCR[K-1]

Filmes finos Possuem melhor isolao devido a ausncia da juno p-n. Necessitam de uma camada extra de deposio.

Quanto mais dopado, menor a resistncia por folha e menor o TCR

Nwe l l+

Diodos

Componentes da corrente para um diodo em polarizao direta:

Corrente de difuso Corrente de leakage de superfcie causada pela combinao de portadores na superfcie Componente devido a recombinao na regio de depleo, (corrente de geraorecombinao)
As duas ltimas, dependem fortemente do processo de fabricao e estrutura do diodo.

Transistores
A corrente de emissor de um transistor tambm composta pelas componentes de difuso, leakage de superfcie e recombinao. A corrente de coletor principalmente constituda pela componente de difuso. Devido a base estreita, as duas outras componentes de Ie so drenadas para fora pela corrente de base. Dessa forma, o uso do transistor como sensor de temperatura normalmente baseado na sua bem definida caracterstica Ic-Vbe.

Caracterstica Ic-Vbe de um transistor bipolar

VBE VBE I C = I S e VT 1 I S e VT

IC a corrente de coletor VT a tenso termodinmica = kT/q k a constante de Boltzmann, k=1,38062E-23 [J/K] T a temperatura em Kelvin q a carga do eltron 1.60E-19 [C] portanto VT @ temperatura ambiente = 25 mV IS corrente de saturao reversa

Corrente de saturao reversa IS

Simplificando:

Efeito da temperatura em IS
ni2 T 3 exp( qVg / kT )

IS =

q n A DB QB

2 i

2 E

QB 0 qAE N A ( x )dx
0

WB

Dn = (kT / q ) n

WB

Dn =

kT n q

N (x )dx = N
A 0

WB

V g = V g 0 T

n T n

QB = qAE

XC

XE

p(x )d

IS =

qAE ni2 Dn N AWB

Dependncia da temperatura em IC(VBE)

I C = CT exp q (V BE V g 0 ) kT

Considerando uma temperatura arbitrria T e uma temperatura de referncia especifica Tr, tem-se:
T T kT T kT I C (T ) V BE (T ) = V g 0 1 T I (T ) + T VBE (Tr ) q ln T + q ln r r r C r

Valores empricos obtidos por Meijer so Vg0=1166 mV e =3.72.

IC T m
T VBE (T ) = V g 0 1 T r T kT T + T VBE (Tr ) (n m ) q ln Tr r

Ref: G.C.M.Meijer and K. Vingerling, IEEE JSSC, vol. Sc15, n2, April 1980

VBE versus temperatura

VBE [V]
[mV]
0 -0.5 -1 -1.5 -2 -2.5 -3 -3.5 -4 -50

Termo no linear

Vg0

V BE,NL (T )

T r=50oC=323 K

-m B =3

50 Temperature [ o C]

100

150

Tr

T [K]