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UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO CARLOS ANLISE DE CIRCUITOS ELETRNICOS ENGENHARIA MECNICA 5o PERODO (1o SEM / 2013) PROF.

EXPERINCIA NR. 06 POLARIZAO DE TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNO

DATA PREVISTA PARA ENTREGA: DATA EFETIVA DA ENTREGA:

07/ 06 / 2013 07 / 06 / 2013

INTEGRANTES DO GRUPO: NOME RA ASSINATURA

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1. Introduo

O Transstor Bipolar de Juno, um dispositivo semicondutor, composto por trs regies de semicondutores dopados (base, colector e emissor), separadas por duas junes p-n. A juno p-n entre a base e o emissor tem uma tenso de barreira (V0) de 0,6 V, que um parmetro importante do TJB. Contrariamente ao transstor de efeito de campo, no qual a corrente produzida apenas por um nico tipo de portador de cargas no TJB a corrente produzida por ambos os tipos de portadores de cargas. Existem dois tipos de TJB: npn e pnp. A figura 1 representa os seus respectivos smbolos esquemticos.

Figura 1 - Smbolo esquemtico de TJB(npn esquerda e pnp direita)

O transstor consiste em duas junes pn, a juno emissor-base e a juno coletor-base, habitualmente designadas simplesmente juno de emissor e juno de coletor. Dependendo da condio de polarizao (direta ou inversa) de cada uma das junes, obtm-se diferentens modos de funcionamento do transstor, como se mostra na Tabela 1.

Tabela 1 Modos de funcionamento dependendo da condio de polarizao

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Modo de funcionamento Polarizao JEB Polarizao JCB Corte Ativo Saturao Inversa Direta Direta Inversa Inversa Direta

O modo ativo aquele em que o transstor usado para funcionar como amplificador. Em aplicaes de comutao utilizam-se os modos de corte e de saturao. A figura 2 ilustra esses trs modos de funcionamento.

Figura 2 - Curvas Caractersticas IC-VCE de um TJB npn

1.1 CLCULO DAS CORRENTES

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As correntes de deriva devidas aos portadores minoritrios gerados termicamente so pequenas e desprezadas na anlise. A polarizao direta da juno emissor-base far com que uma corrente circule pela juno composta de 2 componentes: eltrons injetados no emissor e lacunas injetadas na base. A componente de eltrons muito maior que a de lacunas, isto obtido usando-se um emissor fortemente dopado e uma base levemente dopada e bem estreita. O fato de a base ser muito estreita faz com que os eltrons injetados na base se difundam (corrente de difuso) em direo ao coletor. No caminho, alguns eltrons que esto se difundindo atravs da regio da base se recombinam com as lacunas (portadores majoritrios na base), mas como ela muito estreita e fracamente dopada, a porcentagem de eltrons perdidos por recombinao muito pequena. A maioria dos eltrons que se difundem alcanar a regio de depleo coletor-base. Pelo fato do coletor ser mais positivo que a base, esses eltrons sero arremessados atravs da regio de depleo para o coletor, constituindo a corrente de coletor, conforme a equao abaixo:

Em que IS a corrente de saturao, VBE a tenso base-emissor e VT a tenso trmica. Observe que o valor de iC independe de vCB. A corrente de saturao IS inversamente proporcional largura da base e diretamente proporcional rea de JEB, dobrando a cada 5 C de aumento de temperatura. A corrente de base pode ser representada por uma parcela de iC tal que
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A constante , denominada ganho de corrente de emissor comum, um dos parmetros caractersticos de um transistor. A corrente de emissor a soma da corrente de coletor com a corrente de base

Define-se iC = iE, onde chamado de ganho de corrente em base comum.

REPRESENTAO DO TRANSISTOR UTILIZADO

Segundo o Datasheet do transistor Bipolar (NPN) BC548, a entrada 1 corresponde ao Coletor, a entrada 2 a base, e a entrada 3 o emissor, como pode ser observado na figura 3 abaixo.

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Figura 3 entrada do transistor (NPN) BC548

2. Objetivos Observar o comportamento de um Transistor bipolar de Juno, e atravs de medies com auxilio do multmetro obter os parmetros para diferentes circuitos em corrente contnua e identificar a regio de operao.

3. Procedimentos Experimentais Primeiramente foram feitos clculos para dimensionar o circuito 1 abaixo e foram escolhidos resistores com os valores comerciais mais prximos aos calculados.

Figura 4 Circuito 1

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Foi ento montado o circuito e foram medidos com o auxlio de um multmetro IE, IC, VBE, VCE. Esse procedimento foi repetido com outros dois transistores e os valores obtidos foram anotados. Posteriormente, foram calculados os resistores que deveriam ser usados na montagem do circuito 2, mostrado na figura 5 abaixo.

Figura 5 Circuito 2

Foi ento montado o circuito 2, utilizando resistores com valores nominais mais prximos dos calculados, e utilizando o multmetro foram medidos os valores de IE, IC, VBE, VCE. Esse procedimento foi repetido para outros dois transistores, e os valores obtidos foram anotados.

4. Resultados e discusso

Para o circuito 1, segue as relaes:

VBE [V] VCC [V] VCE [V] VRE [V] IC [mA]

0,7 15,0 7,5 1,5 10,0 200

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Para determinar os valores dos resistores a serem utilizados neste circuito, atravs da relao de num transistor e da relao de tenso com resistncia e corrente, tm-se os valores:

Com estes dados, foram consultados os valores de resistncias comerciais e escolhido os resistores:

Medindo os resistores, foram obtidos os seguintes valores:

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Montado o circuito 1, foram medidos os valores de correntes e tenses no transistor, posteriormente, para fins de comparao foi repetido o procedimento para outros dois transistores, sendo mostrados na tabela abaixo:

Transistor 1 2 3

IC [mA] 11,3 11,4 11,4

IE [mA] 12,2 11,9 11,8

VBE [V] 0,69 0,67 0,66

VCE [V] 4,22 4,53 4,76

Pode-se notar que houve uma variao nos valores, porm, estas discrepncias foram relativamente pequenas, com isso, verifica-se que os clculos estavam certos, considerando os erros devido s aproximaes adotadas para a escolha dos resistores comerciais. O desempenho deste transistor equivalente ao utilizado na aula prtica 5, porm naquele caso, o componente funcionava de maneira diferente, sendo utilizado como chave, dependendo da polaridade que lhe era destinada no circuito.

Para o circuito 2, segue a tabela com os valores para anlise do circuito: VBE [V] VCC [V] VCE [V] VRE [V] IC [mA] IB [mA] 0,7 15,0 7,5 1,5 10,0 IB2/10 350

O mesmo procedimento para clculo dos resistores ser adotado, com isso, resulta nos seguintes valores:

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Com estes dados, foram consultados os valores de resistncias comerciais e escolhido os resistores:

Medindo os resistores, foram obtidos os seguintes valores:

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Montando o circuito 2, foram medidos, novamente, os valores de tenses e correntes para trs resistores diferentes, segue a relao de valores na tabela:

Transistor 1 2 3

IC [mA] 10,9 10,3 9,8

IE [mA] 11,2 11,5 11,6

VBE [V] 0,69 0,67 0,70

VCE [V] 6,81 6,88 6,94

Novamente, para o circuito 2, houve algumas divergncias com os valores tericos devido ao arredondamento nos valores de resistncias comerciais quando comparados aos valores literrios, contudo os transistores mantiveram uma variao, porm com valores muito prximos, com isso pode-se verificar que o circuito foi bem montado e analisado. Assim como no primeiro circuito, o desempenho foi equivalente ao transistor usado na aula prtica 5, sendo na ocasio, o transistor servindo como chave, o que era verificado de acordo com sua polaridade dentro da malha.

5. Concluso

Nota-se nos valores obtidos no experimento, tanto para o circuito 1, quanto para o circuito 2, que so prximos entre os transistores e apresentam algumas discrepncias em relao a teoria, mas este fato pode ser explicado devido ao
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arredondamento no valor dos resistores comerciais em relao s magnitudes das resistncias calculados para os dados dos circuitos. Apesar desta divergncia, pode-se concluir que o experimento foi bem realizado. Quando comparado os circuitos 1 e 2, pode-se verificar que o segundo obteve melhor resposta e valores mais prximos aos tericos, alm de uma melhor distribuio de tenses e corrente dentro da malha. Por fim, o desempenho de ambas as malhas foram equivalentes aos apresentados na ltima aula, sendo a aplicao diferente, naquela ocasio, sendo usado como uma chave para acendimento do LED, neste caso, foi analisado para a verificao das diferenas de polaridades dos transistores.

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