Proteo de SEP Clever Pereira

1
TRANSFORMADORES DE POTENCIAL
1 - Introduo:
Tipos de TPs
Funes Bsicas
- Isolamento contra altas tenses.
- Fornecimento no secundrio de uma tenso proporcional
tenso primria, com um certo grau de preciso, dentro de
uma faixa especificada para a tenso primria.
Classes
TPs de Medio
Faixa de operao: ( 0 1,1 ) V
n
TPs de Proteo
Faixa de operao: ( 0,05 1,9 ) V
n
TPs de proteo possuem maiores erros normalizados e
maiores faixas de operao que os TPs de medio
TPs Eletromagnticos
(TPs)
TPs Capacitivos
(TPCs)
At 138 kV Acima de 138 kV
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2 - Definies:
(a) Tenso Primria Nominal (V
pn
)
Acima de 115 V (ASA-ABNT) ou 110 V (IEC).
(b) Tenso Secundria Nominal (V
sn
)
115 115 / 3 (ASA-ABNT)
110 110 / 3 (IEC)
(c) Relao de Transformao Nominal (k
n
)
sn
pn
n
V
V
k
(d) Relao de Transformao Real (k)
s
p
V
V
k
(e) Fator de Correo de Relao (FCR)
n
k
k
FCR
(f) Erro de Relao ou de Corrente [
i
(%)]
100 (%) x
k
k k
n
v


(g) Erro de ngulo de Fase ()
) / ( arg
p s
V V
(h) Carga ou Burden
Z
b
, cos ou S , cos ( para V
s
= V
sn
)
Proteo de SEP Clever Pereira
3
3 Transformadores de Potencial Eletromagnticos
3.1. Caractersticas Gerais
1. Projetos: similares aos trafos de potncia e funcionamento bem
abaixo do limite trmico.
Tipos
- Trifsico com 5 pernas
- Monofsico
Limite de Tenso
V
pn
138 kV
Em geral: V
pn
15 kV
Exemplo
A = 5 cm x 5 cm = 25 cm
2
TP B
m
1,6 Wb/m
2
f = 50 Hz
Burden: V
s
= 110 V (65 V fase/neutro); S
s
150 VA

'

s s s
p m p
I V S
N f A B E 44 , 4

'

A
V
S
I
E
E
f A B
E
N
s
s
s
p
p
m
p
p
36 , 2
5 , 63
150
126 , 1
50 10 25 6 , 1 44 , 4 44 , 4
4
Proteo de SEP Clever Pereira
4
Desta forma, pode ser construda uma tabela mostrando o
nmero de espiras do primrio e a corrente primria nominal
para diversas classes de tenso nominal. Assim procedendo:
Tenso
de Linha
[kV]
E
p
[kV] N
p
(espiras) I
p
(mA)
11 3 11
7150
3
11
126 , 1
6 , 23
11000
110
2360
132 3 132
85815
3
132
126 , 1
96 , 1
132000
110
2360
380 3 380
247000
3
380
126 , 1
68 , 0
380000
110
2360
Pode-se notar que medida que a tenso nominal vai
aumentando, o nmero de espiras necessrios para se
estabelecer a densidade de campo magntico desejada de
1,6 Wb/m
2
tambmaumenta. Por outro lado, a corrente primria
nominal diminui. Isto significa construir, para nveis de tenses
elevadas, TPs comenrolamento primrio dotado de um nmero
muito grande de espiras de um fio muito fino (capaz de suportar
uma corrente primria nominal cada vez menor). Do ponto de
vista construtivo isto significa maiores custos pela dificuldade
de execuo da tarefa (a chance de romper o fio fica muito
grande), sem esquecer a natural necessidade de maiores
quantidades de isolamentos, para tenses maiores. Desta forma
praticamente impossvel bons projetos de TPs com tenso
primria nominais acima de 138 kV. Desta forma, usual
construir-se TPs eletromagnticos at a classe de tenso de
138 kV e para aplicaes em sistemas com tenses superiores
a 138 kV utilizam-se TPs de 13,8 kV acoplados a um divisor de
potencial capacitivo, denominados TPCs (transformadores de
potencial capacitivos).
Forma de Ligao
A ligao usual em TPs a ligao estrela aterrada-estrela
aterrada.
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3.2. Circuito Equivalente (referido ao secundrio)
3.3. Diagrama Fasorial
3.4. Erros em Regime Permanente Senoidal
(a) Erro de relao ou de tenso (
v
)
% 100 % 100 (%)
'
'

p
p s n
p
p s
v
V
V V k
V
V V

(a) Erro de ngulo de fase ou de fase ()

) / ( arg
'
p s
V V
V
p
= V
p
/ k
n E
s
R
p
X
p
R
s X
s
V
s R
a
X
m
I
m
I
a
I
e
I
s
I
p
R
b
X
b
Z
b
= R
b
+ j X
b
Z
b
=! Z
b
!
b
V
s
R
s
I
s
j X
s
I
s
j X
p
I
p
R
p
I
p
E
s
V
p
I
a
I
m
I
e
I
s
I
p


= arg(E
s
/ I
s
)
E
s
= V
s
+ R
s
I
s
+ j X
s
I
s
I
a
em fase com E
s
I
m
atrasada 90 de E
s
I
e
= I
a
+ I
m
I
p
= I
s
+ I
e
V
p
= E
s
+R
p
I
p
+j X
p
I
p
Construo do Diagrama
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3.5 Valores de Norma
(a) Normalizao IEC
TPs de Medio
V
p
=(0,9 1,1) V
pn
Classe de
Exatido

v
(%) (min)
A + 0,5 + 2
B + 1,0 + 30
C + 2,0 + 60

'

1 cos
) 0 , 1 25 , 0 (

n
S S
TPs de Proteo
V
p
=(0,25 0,9) V
pn
V
p
=(1,1 k) V
pn
Classe de
Exatido

v
(%) (min)
v
(%) (min)
E + 3 + 120 + 3 + 120
F + 5 + 250 + 10 + 300
Condies de Aterramento
k Durao
Enrolamento Primrio Aterramento do Sistema
1,1 - no aterrado
efetivamente ou
no efetivamente
1,5 30 seg aterrado efetivamente
1,9 30 s 8 horas aterrado no efetivamente
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(b) Normalizao ASA (ABNT)
V
p
=(0,9 1,1) V
pn
Classe de
Exatido

v
(%) (min)
Ensaios
0,3 + 0,3 - 0,9 V
pn
0,6 + 0,6 - V
pn
1,2 + 1,2 - 1,1 V
pn
CARGAS NOMINAIS PADRONIZADAS PARA ENSAIOS EM TPS
Designao
Potncia
Aparente
(VA)
Fator de
Potncia
Z ()
60 Hz- 120 V
Z ()
60 Hz- 69,3 V
W 12,5 0,10 1152 384
X 25 0,70 576 192
Y 75 0,85 192 64
Z 200 0,85 72 24
ZZ 400 0,85 36 12
Exemplo: TP 0,3WXY;0,6Z
TP ensaiado com cargas padronizadas W, X e Y
v
0.3%
Z
v
0.6%
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4 Transformadores de Potencial Capacitivos TPCs
4.1. Introduo
Circuito Bsico
Observaes:
(a) Capacitores C
1
e C
2
funcionam como divisores de tenso
circuito de acoplamento para sistema Carrier
(b) Tenso no ponto T ajustada prxima de 15 kV (na
tenso nominal do TP)
(c) Reator varivel L
utilizado para sintonizar com os capacitores de
maneira que a corrente de carga no afete a tenso de
sada V
s
V
s
R
b
X
b
TP
L
gap
C
1
C
2
V
p
T
Linha
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4.2. Circuito equivalente do TPC (referido ao primrio)
Desprezando-se o circuito de excitao e as resistncias R
p
e R
s
,e
tomando-se o circuito equivalente de Thevenin visto dos terminais
do secundrio do TP obtem-se o circuito abaixo.
Para que a tenso V
s
independa da corrente de carga I
s
, o reator
X
L
deve ser ajustado de tal forma que
2 1
2 1
' '
C C
C C
Th s p L L
X X
X X
X X X X X
+
+ +
ou seja
( )
'
2 1
2 1
s p
C C
C C
L
X X
X X
X X
X +
+

V
s
R
b
X
b
X
L
X
C1
X
C2
+
V
p
-
T
X
p
R
p
X
s
R
s
R
a X
m
I
s
V
s Z
b
X
L
Z
0
+
V
Th
-
T I
s
X
Th
' '
s p L L
X X X X + +
2 1
2 1
C C
C C
Th
X X
X X
X
+

p
C C
C
Th
V
X X
X
V
2 1
2
+

Proteo de SEP Clever Pereira

10
Desta forma
0
2 1
2 1
'
0

,
_

+

C C
C C
L
X X
X X
X j Z
e a tenso no secundrio V
s
no ser influenciada pela corrente de
carga I
s
sendo dada por
p
C C
C
Th s
V
X X
X
V V
2 1
2
'
+

4.3. Diagrama Fasorial
Notas:
1. Na prtica no se pode desconsiderar o circuito de excitao
( R
a
em paralelo com X
m
) e as resistncias dos enrolamentos
( R
p
e R
s
). Neste caso, vo aparecer pequenos erros que podem
ser mantidos dentro de nveis aceitveis em razo das baixas
correntes de carga.
2. Para que a presena do gap de ar?
Se a corrente no secundrio I
s
crescer muito, como por
exemplo num curto-circuito no secundrio do TP, a tenso no
ponto T pode atingir nveis perigosos. O gap vai ter ento a
funo de limitar esta tenso a nveis seguros (em geral a
mxima tenso suportvel pelo capacitor C
2
).
Z
b
conhecido (burden)
V
s
conhecida tambm
Determina-se I
s
= V
s
/ Z
b
V
s
= k V
p
(em fase)
V
C2
= V
s
+ j X
L
I
s
V
C2
+ V
C1
= V
p
ento
V
C1
= V
p
- V
C2
Construo do Diagrama
V
s
V
p
V
C2
V
C1
j I
s
.X
L
I
s
T