Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith 1 Copyright 2004 by Oxford University Press, Inc.
Projeto de Circuitos Integrados Analgicos
UNIDADE 3 LAYOUT DE BLOCOS ANALGICOS CMOS BSICOS Espelhos de Corrente Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith 2 Copyright 2004 by Oxford University Press, Inc. Espelhos de Corrente Em circuitos integrados CMOS, a polarizao dos blocos constituintes de circuitos amplificadores se d usualmente por meio de fontes de corrente. No circuito abaixo (OTA de 2 estgios), M7 polariza o par diferencial de entrada. Por sua vez, M6 polariza o segundo estgio, denominado inversor analgico com carga ativa. Tanto M6 como M7 operam como fontes de corrente, sendo usual nesta configurao que I M6 = 2 I M7 . M7 e M6 copiam uma corrente de referncia I BIAS , que passa pelo transistor de polarizao M B . Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith 3 Copyright 2004 by Oxford University Press, Inc. A rplica da corrente de referncia se d por espelhos de corrente, que esto entre os principais blocos construtivos de circuitos integrados analgicos. Podem ser implementados em tecnologia CMOS ou bipolar. A mesma corrente de referncia pode ser replicada em diferentes ramos do circuito, com o mesmo valor ou multiplicada por um fator, a partir das razes de aspecto dos transistores. Geralmente, a corrente de referncia ajustada com auxlio de um elemento externo ao CI (resistor). Lembrando que resistores integrados possuem tolerncias altas e, por isso, no devem ser usados para o ajuste preciso de uma corrente de referncia. Espelhos de Corrente Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith 4 Copyright 2004 by Oxford University Press, Inc. O espelho de corrente bsico (Widlar) mostrado a seguir. Diz-se que M1 est ligado na configurao diodo. Espelhos de Corrente Desprezando V DS1 , explicitando V GS1 em funo de I Ref e substituindo na segunda equao, temos: Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith 5 Copyright 2004 by Oxford University Press, Inc. Espelhos de Corrente Idealmente, a relao entre I out e I Ref se d pela relao entre as razes de aspecto de M2 e M1. Porm, M2 ir apresentar uma resistncia de sada finita, o que leva ao acrscimo do termo (1 + V out ). Para a anlise de pequenos sinais, temos que Para as tecnologias submicromtricas, o valor obtido para rout no suficiente alto para diversas aplicaes. Considerando, por exemplo, = 1/30V -1 , teremos r out = 300 k para I out = 100 A. Onde V out = V DS2 Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith 6 Copyright 2004 by Oxford University Press, Inc. Espelhos de Corrente . O espelho de corrente simples, no entanto, a escolha preferida quando o alvo uma alta faixa dinmica do sinal de sada. Outras topologias podem ser adotadas para aumentar r out , geralmente tendo como custo a reduo da excurso do sinal de sada. Espelho NMOS Espelho PMOS Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith 7 Copyright 2004 by Oxford University Press, Inc. Topologias mais sofisticadas Espelho de Wilson Espelho de Wilson modificado Espelho cascode Dentre outras... Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith 8 Copyright 2004 by Oxford University Press, Inc. Projeto (espelho bsico) Considerando que desejamos I out = I Ref , devemos considerar as seguintes etapas: 1. Para a corrente desejada, calcular a razo de aspecto (W/L) para um determinado valor de V OV (tenso de overdrive). Lembrar que V OV o mnimo valor de V DS (no caso, de M2) para que ele se mantenha na saturao. Os autores recomendam V OV 200 mV (independente da tecnologia!). 2. Determinar um comprimento mnimo de canal para o qual a resistncia de sada do MOSFET seja satisfatria. Isso somente poder ser verificado atravs de simulao. Geralmente, o uso do comprimento mnimo no satisfatrio. Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith 9 Copyright 2004 by Oxford University Press, Inc. Projeto (espelho bsico) 3. Levando em conta o layout, temos que evitar ao mximo possveis descasamentos entre os transistores. O layout de transistores interdigitados uma das medidas. 4. Para tanto, particiona-se os transistores M1 e M2, arranjando-os de modo que tenham centrides iguais ou prximos. Toma-se cuidado tambm com os sentidos das correntes nas parties, devido caracterstica anisotrpica do material semicondutor. Exemplo: Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith 10 Copyright 2004 by Oxford University Press, Inc. Bibliografia MALOBERTI, F., Analog Design for CMOS VLSI Systems. Kluwer Academic Publishers, 2001. SANSEN, W. M. C. Analog Design Essentials. Springer Verlag, 1 ed., 2006.