UNIVERSIDADE DE SO PAULO

INSTITUTO DE F!SICA E QU!MICA DE SO CARLOS

Resson;ncias Stark e Tune-
.
lamento em Heteroestruturas
Semicondutoras.
LUIZ ALBERTO CURY
Dissertaao apresentada no Institu-
to de Fisica e Quimica de so Carlos
- ..
para obtenao do T1tulo de Mestre em
Fisica Bsica __ ."" ,, __ ---6--.---
Orientador
L -,
Prof. Dr. Nelson Studart Filho
DEPARTAHEN'l'O DE F!SICA E CI1!:NCIADOS MATERIAIS
so Carlos - 1987
I_lOUCA DOIHSTlTOTO DE FISl<A E OU!MlCA DE sAo CAlL -1
FISICA
MEMBROS DA COMISSO JULGADORA DA DISSERTAO DE MESTRADO DE
Luiz A1berto Cury
APRESENTADA
AO INSTITUTO DE FSICA E QUMICA DE SO CARLOS, DA UNIVERSI
DADE DE SO PAULO, EM 15 DE setembro DE 198 7 .
COMISSO JULGADORA:
Dr. Nelson Studart Filho Or ientador
,~~,~
o Fazzio
Dr. Liderio Citrngulo Ioriatti Junior
f'
Este trabalho foi realizado com apoio financeiro da FAPESP
e em parte pelo CNPq no semestre inicial e tambm junto ao Centro
de Computao do IFQSC-USP, no qual a maioria dos clculos aqui apr~
sentados foi desenvolvido. Uma pequena parte dos clculos finais foi
desenvolvida no Centro de Computao do Departamento de Fsica da
UFPE.
Aos
meus pais,
Ercilia e Jos Walter
AGRADECIMENTOS
Ao Prof. Dr. Nelson Studart, orientador e amigo pela orien
tao, apoio e excelentes discusses, apesar da minha teimosia, no
decorrer deste trabalho,
Ao Prof. Dr. Gilmar Eugnio Marques pelas discusses.
Ao Valdeci, pela colaborao na parte computacional.
Aos amigos, Mrcio, Lula, Buriti, Rosana, Deborah, z, Se
bastio, Clisthenis, Mrcia, Robson, Valmor, Valmir, Artemis e ceci
lia pelo timo convvio e amizade durante este perodo no IFQSC-US~
Ao pessoal da Repblica e aos amigos da Universidade Fede-
ral de so Carlos.
Como no poderia deixar de esquecer, Bia, Maria, Mara,
Ana e todas as bibliotecrias do IFQSC-USP.
A FAPESP pela concesso da Bolsa de Mestrado e pontualida-
de sem a qual os objetivos pretendidos neste trabalho seriam impos-
sveis de serem alcanados.
Ao Departamento de Fsica da UniverSidade Federal de Per-
nambuco pelo ambiente estimulante e apoio tcnico e financeiro que
muito ajudaram na confeco desta dissertao.
A Gilvani Holanda pelo excelente trabalho de datilografia.
Aos demais colegas que direta ou indiretamente participa-
ram deste trabalho.
A voc Sibely, pelo sorriso gostoso, tapas e belisces que
trocamos durante este tempo todo.
,n
LISTA DE FIGURAS
lNDICE

i
LISTA DE TABELAS .................................. vi
RE SUMO , , , vii
ABSTRACT
...
.................................................. VIll
CAPiTULO I
- INTRODUAO ....... , ................. 1
CAP1TULO II - HETEROESTRUTURAS SEMICONDUTORAS DE POOS QUNTICOS 9
CAP1TULO III - ESTADOS QUASE-LIGADOS E VIRTUAIS EM ESTRUTURAS DE
POOS QUNT ICOS ......................... 2O
3.1 - POO QUNTICO ISOLADO 21
3.2 - ESTRUTURA DE DUPLA BARREIRA ................. 31
CAPiTULO IV - ESTRUTURA ELETRONICA DE POOS QUNTICOS NA PRESEN
A DE UM CAMPO EL~TRICO EXTERNO ................ 36
4.1 - O FORMALISMO DE MATRIZ DE ITERAO E ANLISE DE
"PHASE-SHIFT" ............................... 37
4.2 - APLICAES DO ,Mt:TODO ................. 43
4.2.1 - Sistema de Poo Onico ............. 43
4.2.2 - Comparao com Outros Trabalhos ........ 53
4.2.3 - Mltiplos Poos Qunticos Acoplados .... 56
4.2.4 - Comparao com alguns Resultados Experi-
mentai s 65
CAPiTULO V - TUNELAMENTO RESSONANTE EM SUPER-REDES FINITAS
SEMICONDUTORAS DE A1GaAs-GaAs ................ 69
5.1 - TRANSMISSO ATRA~S DE MULTI-BARREIRAS: FORMALIS-
MO GE~RA.L ............................... 74
5.2 - O MODELO APROXIMADO DE TSU E ESAKI: O POTENCIAL
ES CAI)A ..................... 79
5.3 - DISCUSSO DOS RESULTADOS ................. 81
5.4 - A CORRENTE DE TUNELAMENTO RESSONANTE ........... 89
5.5 - APLICAO PARA HETEROESTRUTURAS DE DUPLA BARREIRA 93
CAPITULO VI CONCLUSES ...................................
106
BIBLIOGRAFIA ...... , , , , .
113
Figura 1.1
LISTA DE FIGURAS
- Histograma dos artigos publicados sobre bme1arrento
ressonante atravs de barreiras semicondutoras em'.

funo do ano de publicao para a

revista
Figura 2.1
Figura 2.2
Figura 2.3
"Applied Physics Letters" ................... 5
- Diagrama de energia para a heteroestrutura compo
sicional do tipo 1............................
11
- Diagrama de energia para a heteroestrutura compo sicional do tipo 2......................
11
- Diagrama de energia para a heteroestrutura compo
sicional do tipo 3... , ..........................
12
Figura 2.4 - Diagrama de energia para a heteroestrutura
de
alGaAs-GaAs uniformemente dopada ............. 14
Figura 2.5 Diagrama de energia para a heteroestrutura
de
Figura 2.6
Figura 3.1
Figura 3.2
Figura 3.3
Figura 3.4
Figura 3.5
Figura 3.6
AIGaAs-GaAs com uma dopagem modulada .......... 15
- Esquema do coeficiente de absoro a(~w} em fun
o da energia para urna heteroestrutura composi-
ci ona1 do tipo 1 18
- Poo quadrado 21
- Poo isolado sob ao de um campo eltrico con~
tante , 23
- Poo quadrado sob ao de um campo eltrico
constante. Esquema do defasamento das componen-
tes da funo de onda em z>L ............ 29
p
- Potencial de dupla barreira de AIGaAs-GaAs sem
campo eltrico aplicado ................... 31
- Esquema para demonstrao do tunelamento resso-
nant:e em estrutura de dupla barreira 33
- Anlise grosseira da corrente de tunelamento
ressonante num sistema de dupla barreira ..... 34
Figura 4.1
Figura 4,2
Figura 4.3a
.,
J...L
- Modelo simples para um sistema de poos qunti
cos (eltrons e buracos} sob ao de um campo
eltrico constante perpendicular s interfaces 38
- Curva da razo -JVL21/vM622 em funo da ener-
gia , 45
- Estrutura de pico na curva 1~21/Jt 221 X ener
gia. Posio de ressonncia para um estado qua
se-ligado de poo
nico 46
Figura 4.3b
Figura 4.4
Figura 4.5
Figura 4,6
Figura 4.7
Figura 4.8
Figura 4.9
Figura 4.10
Figura 4.11
Estrutura de pico na curva 1~2l/~221 X ener
gia. Posio de ressonncia para um estado vir-
tual de poo nico 47
- Sistema de poo nico na Configurao 57:43.
a} Poo de 30R; b} Poo de 60R .......... 48
- Sistema de poo nico na Configurao 85:15.
a} Poo de 30R; b} Poo de 60R ........ 49
- posio do primeiro nvel quase-ligado em fun-
ao do campo eltrico para trs sistemas de po-
o nico na configurao 57:43 .......... 51
- Curvas da diferena de energia ~E em funo do
campo eltrico para eltrons e buracos ........ 54
- variao do primeiro nvel quase-ligado e primei
ro nvel virtual em funo do campo eltrico
aplicado 55
- Diagrama das bandas de conduo e de valncia
com os nveis quase-ligados e primeiros vir-
tuais para Lb=looR ................... 58
- Diagrama das bandas de conduo e de valncia
com os nveis quase-ligados e virtuais para
Lb=50R sob ao de um campo eltrico de 107v/m .. 59
- Diagrama das bandas de conduo e de valncia
com os nveis quase-ligados e virtuais para Lb=
30R sob ao de um campo eltrico de 107v/m .. 60
Figura 4.12 Diagrama dos nveis no estacionrios como fun
o do nmero de poos para sistemas com L =
P
30R e Lb=30R na configurao 57:43 na presena
de um campo eltrico de
7
10 V1m " .. 6 2
Figura 4.13
Figura 4.14
Figura 5.1
Figura 5.2
Figura 5.3
Figura 5.4a
Figura 5.4b
Figura 5.4c
- Diagrama dos nveis no estacionrios como fun-
o do nmero de poos para sistemas com L =30R
p
e Lb=50R na configurao 57:43 na presena de
um campo eltrico de l07v/m ........... 63
- Diagrama dos nveis no estacionrios como fun-
o do nmero de poos para sistemas com L =30R
P
e Lb=looR na configurao 57:43 na presena de
um campo eltrico de 107V/m .................. 64
- Energia potencial de uma super-rede com N bar-
reiras sob ao de um campo eltrico constante . 75
- Energia potencial no modelo aproximado de su-
per-rede sob ao de um campo eltrico ...... 80
- Coeficiente de Transmisso em funo da energia
do eltron incidente na configurao 57:43 para
campo eltrico nulo. a) Sistema com duas barrei-
ras: b) Sistema com trs barreiras: c) Sistema
com cinco barreiras 82
- Coeficiente de Transmisso em funo da energia
do eltron incidente para sistema com duas bar-
reiras sob ao de um campo eltrico de 107v/m
na configurao 57:43 83
- Coeficiente de Transmisso em funo da energia
do eltron incidente para sistema com trs bar-
reiras sob ao de um campo eltrico de 107v/m
na configurao 57:43 ................... ~ 84
- Coeficiente de Transmisso em funo da energia
do eltron incidente para sistema com cinco bar-
reiras sob ao de um campo eltrico de 107v/m
Figura 5.5
Figura 5.6
na configurao 57:43 .. 84
- Coeficiente de Transmisso em funo da energia
do eltron incidente para um campo de l07v/m na
configurao 85:15. a) Sistema com duas barrei-
rasi b) Sistema com trs barreiras; c) Sistema
com cinco barreiras ............... 85
- Comparao entre os Coeficientes de Transmisso
para os modelos de potencial linear e tipo esca
da num sistema de cinco barreiras sob ao de
um campo eltrico
7
de 10 V1m 87
Figura 5.7
Figura 5.8
Figura 5.9
- Comparao dos Coeficientes de Transmisso para
sistema com cinco barreiras sob ao de um cam-
po eltrico de 107v/m nas configuraes 85:15
e 57: 43 ....................................... 88
- Nveis quase-ligados Eo e El e nveis virtuais
E2 em funo da concentrao x de alumnio nu-
ma estrutura de dupla barreira. a) Campo nulo;
6
b} 4XIO Vim 89
- Sistema de barreira ~ica sob ao de um campo
eltrico constante ............................ 90
Figura 5.10
Figura 5.11
Figura 5.12
Figura 5.13
- Estrutura de dupla barreira 100-40-100 sob ao
de um campo eltrico de 6XI06v/m .......... 94
- Estrutura de dupla barreira 100-60-100 sob ao
de um campo eltrico de 4XI06v/m ........ 95
- Coeficiente de Transmisso em funo da energia
para uma estrutura de dupla barreira 50-50-50
- .. 6
sob aao de um campo eletr1co de 3XIO Vim com
os parmetros: m*=0,0665m , ~*=0,096m , V =
P 0.0 o o
O,26geV e x=35% ........ 96
- Coeficiente de Transmisso em funo da volta-
gem aplicada para uma estrutura 100-40-100 com
a energia dos eltrons no eletrodo emissor fixa
Figura 5.14
Fig\}.ra5.15
Figura 5.16
Figura 5.17
Figura 5.18
em 7meV , . 9 8
- Coeficiente de Transmisso em funo da volta-
gem aplicada para uma estrutura 100-60-100 com
a energia dos eltrons no eletrodo emissor
fixa em, 15meV ., , ....... 99
- Curva terica da densidade de corrente versus
voltagem para a estrutura 100-40-100 ...... 101
- Curva terica da densidade de corrente versus
voltagem para a estrutura 100-60-100...... 101
- Energia potencial mostrando tunelamento ress2
nante via ponto X para altas voltagens ....... '102
- Curva de densidade de corrente X voltagem para
a amostra 50-50-50 a urna temperatura de 77K ... 104
LISTA DE TABELAS
Tabela 4.1
- parmetros na configurao
85:15 e 57:43 ..
44
Tabela 4.2
- Energia de transio eltron-buraco para poo
nico com os parmetros: Ve=O,2125eV, Vh=O,0375eV, m*=0,07m e IDh=0,45m ...................... 66
e o o
Tabela 4.3
- Energias de transio eltron-buraco para mlti-

fJ.
pIos poos qunticos can os parrretros: V =0, 45eV,
e
Vh=0,075ev, m*=O,07m e mh*=O,45m ........ 67 e o o
RESUMO
Neste trabalho determinamos a estrutura dos nveis dos
estados quase-ligados I e virtuais em sistemasde !X)Dsqunticos acoplados
I
'\n.A
de AlGaAs-GaAsna presena de um campo eltrico externo (Voltagem)
perpendicular s camadas semicondutoras. As heteroestruturas de
AIGaAs-GaAs so modeladas por um conjunto de poos qunticos de po
tencial unidimensionais. Utilizamos a aproximao de funo envel2
pe que reduz o problema soluo usual da Equao de Schroedinger
de massa efetiva. Os nveis eletrnicos so ento determinados uti
lizando a soluo exata da Eq. de Schroedinger em termos das fun-
es de Airy nos poos e barreiras e um formalismo de Matriz de
Iterao com Anlise de "Phase-shift". Nossos resultados esto em
boa concordncia com resultados experimentais de transicesticas.
Motivados pelas propriedades singulares dos sistemas de
dupla barreira, investigamos o tunelamento ressonante de eltrons
atravs de multi-barreiras e a formao de regies de resistncia
negativa na curva caracterIstica de corrente X voltagem. Para os
processos de tunelamento em multi-barreiras determinamos o Coefici
ente de Transmisso, como funco da energia do eltron incidente, ..
usando o formalismo de Matriz de Iterao. Este mtodo pode serba~
tante til na interpretao de resultados experimentais nestes dis
positivos. Calculamos tambm a densidade de corrente de tunelamen-
to versus a voltagem aplicada no caso de dupla barreira de modo a
interpretar recentes resultados experimentais.

'\TU.
ABSTRACT
In this work the quasi-bound and virtual levels of both
electrons and holes are determined in the case of coupled AI Gal As- x -x
GaAs quantum wells in the presence of a external electric
(Voltage) perpendicular to the layers. The heterostructures
field
of
AI Gal As-GaAs are mimicked by a set of unidimensional quantum well x -x -
potentials. We employ the envelope function approximation and solve
the usual effective mass Schroedinger Equation. The electronic levels
are then determined by using the exact solution of Schroedinger Eq.
in terms of Airy functions into the wells and barriers and an Iterac-
tion Matrix formalism with the Phase-shift method. Our results are
in a good agreement wi th the experimental resul ts of optical measure-
ments.
Motivated by the unusual properties of double-barriers de
vices we investigated the resonant tunneling of electrons through
multi-barriers. Thetransmission Coefficient as a function of energy
of the incident electron is determined by using an Iteraction Matrix
formalism. This method can be very usefull in the interpretation of
experimental results in semiconductor devices. We also calculate the
tunneling current density as a functionof appliedvoltage in the case of a
double-barrier in order to interpret recent experimental results.
,
CAPITULO I
INTRODUCAO
i
A partir da proposta inicial de Tsu e Esaki'{1), heteroes-
truturas semicondutoras tm sido extensivamente pesquisadas. Alm
de grande importncia tecnolgica na fabricao de dispositivos ele
trnicos, por apresentarem propriedades ticas e de transporte sup~
ri ores aos semicondutores convencionais volumtricos ("bulk"), apre-
sentam efeitos flsicos bastante interessantes, dentre alguns deles
o Efeito Hall Quntico.
Estas heteroestruturas so formadas por camadas alternadas
ultra-finas de dois semicondutores diferentes mas que possuem cons-
tantes de rede muito prximas de modo a obter-se um casamento per-
feito nas interfaces. As reduzidas dimenses destes sistemas sao
tais que o comprimento de onda de De Broglie associado aos eltrons
'comparvel s dimenses caractersticas tal que os efeitos qunti
cos sao relevantes. O crescimento epitaxial de camadas muito finas
de dois semicondutores com diferentes larguras de banda proibida
do origem formao do potencial de poos e barreiras qunticos.
Estas heteroestruturas so fabricadas por elementos dos grupos III-
V, lI-VI, IV-VI e suas ligas ternrias e quaternrias. A mais es-
tudada dentre todas tem sido indubitavelmente a formada por GaAs
(Arseneto de Glio) e AI Gal As (Arseneto de Glio com Alumlnio) x -x
com a concentrao X de alumlnio variando de 10 a 50%.
As amostras so crescidas atravs de modernas tcnicas tais
como Epitaxia por Feixe Molecular (MBE) e Deposio de Vapor Qumi-
co Organo-metlico (MOCVD) com preciso na escala atmica no nlvel
de dopagem, geometria de interface e composio qumica.
As vrias tcnicas de dopagem, principalmente a dopagem mo
dulada, fazem com que os eltrons estejam bastante afastados das im
purezas proporcionando a estas heteroestruturas de AIGaAs-GaAs mobi
lidades cerca de mil vezes maiores do que nos dispositivos usuais
de sillcio.
No Brasil, existe atualmente considervel esforo no estu-
do destes sistemas com vrios grupos experimentais em instalao
tais como os de so Carlos, Campinas e Belo Horizonte; e atuantes
grupos tericos conforme atestam as participaes em recentes confe
....... t .. (2,3) renC1as naC10na1S e 1n ernaC10na1S .
Nos ltimos anos, tem havido um crescente interesse em es-
tudr as propriedades ticas e de transporte destes poos qunticos
de semicondutores na presena de um campo eltrico aplicado na dire
o de crescimento 'das camadas.
Experincias de eletroabsoro em heteroestruturas de
AIGaAs-GaAs feitas por Miller et aI. (4) mostraram grandes desloca-
mentos nas posies dos picos de excitons no Coeficiente de Absor-
o bem como a persistncia desses picos mesmo a campos eltricos
cinco vezes maiores que o campo de ionizao do exciton no Bulk. O
3
confinamento dos eltrons e buracos na mesma camada devido
pro-
fundidade dos poos qunticos, que impedem o tunelamento dos porta
dores para fora do poo, explicam este fennenoenaninado Efeito Stark
Quntico Confinado (5). Este efeito pode ser til na construo de
dispositivos moduladores eletro-ticos. Nestas heteroestruturas se-
micondutoras, as barreiras de AlGaAs so suficientemente largas e o
potencial alto o bastante, devido a grande concentrao de alumniq
de modo que a penetrao da funo de onda de um poo a outro possa
ser desprezada para o estado do poo quntico com menor energia. Es
tas estruturas so conhecidas corno mltiplos poos qunticos e, em
geral, um poo quntico isolado tem sido modelado para os estudos
de espectroscopia tica. Porm, para estados de alta energia nos ml
tiplos poos qunticos, ou para barreiras de AlGaAs estreitas, a su
perposio das funes de onda relevante e efeitos de tunelamento
tornam-se importantes. Neste caso, as propriedades fsicas so sig-
nificantemente diferentes de modo que na presena de um campo el-
~
trico muito forte teremos de considerar a estrutura como um sistema
de poos acoplados ou super-redes finitas. A importncia desses e-
feitos manifestada, por exemplo, na determinao das energias das
transies ticas para um sistema de mltiplos poos qunticos por
Klipstein et aI. (6) atravs de medidas de eletroreflectncia e foto
luminescncia. Eles observaram pontos caractersticos no espectro
para energias correspondendo a transies ticas entre estados de
buraco leve ou pesado e estados de eltron e compararam seus resul-
tados com as energias calculadas por um mtodo terico de ressonn-
cia. Como poderemos ver a discrepncia entre os valores medidos e
calculados aumenta medida que consideramos transies para nveis
superiores.
Medidas de fotoluminescncia por Mendez et alo (7) e Furuta
et alo (8) tem mostrado que a aplicao de um campo eltrico diminui
a intensidade ou mesmo elimina os picos de luminescncia dos mlti-
plos poos qunticos. Este efeito tem sido associado separao es
pacial entre os eltrons e buracos nos poos induzido pelo campo e-
ltrico. Em ordem para explicar estes resultados Bastard et aI. (9) a
presentaram clculosvariacion~s para detenninaoda:;nveis de energia em
um poo qunticoisolado sob ao de um campo eltrico. Eles encontra-
ram, para campos fracos, um deslocamento Stark quadrtico na
ener
gia dependente fortemente da profundidade do poo. Estes experimen-
tos de luminescncia do grupo da IBM foram feitos usando muitos po
os qunticos com poos e barreiras estreitos onde o acoplamentodos
poos no desprezvel. De acordo com Bastard et alo esta a maior
razao para as discrepncias en~re os resultados tericos e experi-
mentais. De fato, embora o clculo variacional explique qualitatiya
mente os resultados experimentais, eles mostram somente um pequeno
efeito na intensidade de luminescncia para campos da ordem de cam
pos experimentais os quais eliminam por completo a intensidade do~'
picos de luminescncia. Portanto, a penetrao da funo de onda pa
ra dentro das barreiras deve ser considerada nestes casos e esta
uma das principais motivaes do nosso trabalho.
A idia original de construo das heteroestruturas foi ba
seada nos processos de tunelamento ressonante de eltrons que origi
nam uma regio de resistncia negativa nas curvas caractersticas
de corrente x voltagem. A verificao deste interessante fenmeno
quntico nas heteroestruturas semicondutoras, produziu recentemente
uma,sequncia enorme de trabalhos. A figura 1.1 mostra a evoluo
ao longo dos anos dos trabalhos publicados sobre propriedades de
transporte perpendicular s camadas, principalmente em sistemas de
dupla barreira de A1GaAs-GaAs, em urna particular revista.
5
20
18 (/)
16
o
19
--
14 l-
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LU
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z
8
642
73 74 75 76
77 78 79 80 81 82 83 84 85 86
Af'.XJDE PUBLICACAO
Fig. 1.1: Histograma dos artigos publicados sobre tunela-
mento ressonante atravs de barreiras semicondutoras em funo do
ano da publicao para a Revista "Applied Physics Letters".
Os dispositivos de dupla barreira estudados consistem de
uma camada de GaAs entre duas camadas de A1GaAs, todas sem dopagem.
A estrutura como um todo prensada por eletrodos de n+GaAs altamen
te dopados responsveis pelo suprimento de eltrons ao sistema.
Tsu e Esaki(lO) , em 1973, foram os primeiros a mostrar teo
ricamente que um pico na corrente ocorreria se os eltrons injeta
dos possussem uma certa energia ressonante. Utilizaram um modelo a
proximado para o potencial de poos e barreiras com campo eltrico
6
aplicado que denominamos de potencial escada e determinaram
rente de tunelamento em funo da voltagem aplicada.
a cor
A primeira evidncia experimental do tunelamento ressonan-
te de eltrons nestes sistemas de dupla barreira foi dada por L.L.
Chang et aI. (11) logo no ano seguinte. Entretanto, somente cerca de
dez anos mais tarde, com a belssima demonstrao experimental do
tunelamento ressonante e resistncia diferencial negativa por Sollner
et alo
(12)
que este efeito foi definitivamente caracterizad~
Em seus resultados de corrente x voltagem podemos ver claramente um
pico na corrente seguido de urna regio de resistncia negativa am-
bos explicados por processos de tunelamento ressonante dos eletrons
incidentes. Este trabalho, corno pode ser observado na figura 1.1,
deu ensejo a uma gama enorme de trabalhos nos anos posteriores.
Tendo em vista a crescente alta de qualidade das amostras,
as caractersticas de resistncia diferencial negativa dos diodos
fabricados com estas heteroestruturas tem sido substancialmente me
lhoradas, permitindo suas aplicaes prticas na deteco e gerao
de ondas eletromagnticas de ~ltssimas frequncias e tambm a in-
vestigao do efeito de filtragem pela energia dos portadores inje-
tados no semicondutor.
Em nosso trabalho nos interessamos em estudar um sistema
de N poos qunticos de AIGaAs-GaAs na presena de um campo eltri-
co externo (voltagem), com a determinao da estrutura de nveis e-
letrnicos. Motivados pelas propriedades singulares dos sistemas de
dupla barreira investigamos o tunelamento ressonante dos eltrons
atravs de multi-barreiras e a formao das regies de resistncia
negativa na curva caracterstica de corrente x voltagem. Em nosso ca
so, as heteroestruturas so modeladas por um conjunto de poos qu~
ticos de potencial unidimensionais. Utilizamos a aproximao de fun
o envelope que reduz o problema soluo usual da Equao de
Schroedinger de massa efetiva para poos qunticos na presena do
campo eltrico externo. Os nveis eletrnicos so determinados uti-
lizando um formalismo de Matriz de Iterao e Anlise do "Phase-
shift". Para os processos de tunelamento determinamos o Coeficiente
de Transmisso e a densidade da corrente de tunelamento versus a
voltagem.
No captulo 11, apresentamos uma introduo geral a respei
to das heteroestruturas, os materiais semicondutores constituintes
e suas ligas; os principais tipos de heteroestruturas composionais;
as diversas tcnicas dedopagem e a origem do potencial de poos e
barreiras devido aos diferentes gaps de energia dos materiais semi-
condutores.
No captulo 111, discutimos os estados quase-ligados nos
sistemas de dupla barreira e a transformao dos estados ligados do
poo quntico isolado em estados quase-ligados e virtuais devido
inclinao das bandas de conduo e valncia causada pela aao
potencial linear do campo eltrico constante. Discutimos ainda,
detalhes, a Fsica de Tunelamento ressonante nestes sistemas.
..
a
do
em
No captulo IV desenvolvemos o Mtodo de Matriz de Iterao
e utilizamos a Anlise de "Phase-shift" para a determinao dos n-
veis de energia dos estados quase-ligados e virtuais de um sistema
com N poos qunticos na presena de um campo eltrico constante.
No limite de N=l nossos resultados reproduzem muito bem os resulta-
dos da literatura. Pelo nosso conhecimento trata-se do primeiro tra
balho terico de determinao da estrutura eletrnica de um sistema
com N>l sob ao de um campo eltrico.
Com o objetivo de estudar as propriedades de transporte
nas heteroestruturas de A1GaAs-GaAs procedemos no captulo v, utili
zando nosso Mtodo de Matriz de Iterao, ao clculo do Coeficiente
de Transmisso em um sistema de multi-barreiras. Consideramos as so
lues exatas da Equao de Schroedinger em termos das funes de
Airy para o potencial linear do campo eltrico aplicado ao poten-
cial de poos e barreiras da heteroestrutura. Tendo em vista a com-
paraao com recentes resultados experimentais (13) , calculamos a den
sidade de corrente versus voltagem para um sistema de dupla barrei-
ra de AlGaAs-GaAs.
No captulo VI, apresentamos as nossas discusses e comen-
trios.
,
CAPfTULO" 11
A
HETEROESTRUTURAS SEMICONDUTORAS DE POOS QUANTICOS
Neste captulo pretendemos dar uma introduo geral em
sistemas de heteroestruturas semicmdutoras no que se refere a rrtodosde
crescimento, tipos de heteroestruturas,tcnicas de dopagem e proprieda-
des eletrnicas devido estrutura de poos de potencial.
Pesquisas efetivas no campo dessas heteroestruturas semi-
cohdutoras foram somente possveis com o avano da tecnologia dos
aparelhos de crescimento epitaxial. Tcnicas como Epitaxia por
Feixe Molecular(14) (MBE) e Deposio Qumica de Vapor Metalo~Or-
gnico(15) (MOCVD) combinam um ambiente de crescimento ultra-limpo
e uma taxa de crescimento muito baixa para a produo de amostras
de alta qualidade. Em particular, estas tcnicas permitem cons-
truir heterojunesque so atomicamente abruptas e planares. Apre-
'sentam uma reduzida taxa de crescimento possibilitando dessa manei
ra fabricar estruturas de camadas com espessuras de poucos Angs-
trons at da ordem de microns assim como microestruturas cuja dopa
gem possa ser continuamente modulada.
Estas heteroestruturas formadas por camadas intercaladas
de dois diferentes semicondutores, em geral, do grupo III-V, lI-IV
e IV~3 e suas ligas ternrias e'quaternrias e que possuam suas
constantes de rede muito prximas so escolhidos de forma que seus
"band-gaps" sej am diferentes. A juno dessas diferentes camadas se
micondutoras devido s diferenas do gap de energia exibem nas po
,sies de cada interface uma ,abrupta d9scontinuidade na estrutura
de banda que do origem ao potencial de poos qunticos e barrei-
raso Dessa forma, as propriedades eletrnicas dessas heteroestrutu
ras podem ser manipuladas dependendo dos tipos de materiais semi-
condutores e das larguras das camadas constituintes do sistema. Em
geral, h trs tipos de heteroestruturas camposicionais:
I} Heteroestruturas do tipo AI Gal As-GaAs, em que o m- x -x
nimo da banda de conduo Ec{I} e o mximo da banda de valncia
E~I) de um semicondutor {GaAs} permanece dentro do gap de ener9ia
do outro semicondutor (AI Gal As) como mostrado na fiaura_2.....L !f x -x ~.-
~
I I .lI) I
I I /),c
t
-
w
,.....
""uJ
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J.
da
n
l11
1
E",
n
(n) r I
E..,. lit
li
.q
Fig. \2:Y:
sicional do tipo 1.
Diagrama de energia para aheteroestrutura compo
I) semicondutor GaAsi lI) AI Ga1 As. x -x
2) Heteroestruturas do tipo lnAs-GaSb, em que o mnimo da
banda de conduo E~I) de um semicondutor (InAs) permanece abaixo
do mximo da banda de valncia E~II) do outro semicondutor (GaSb)
como mostrado nafigU;~~ ..v' -. -") <-')
(][\
E.c
- -

d..z.
I
1
1][\
-
EU"
tI)
A\TC
E.c
j
(x)
dz
E\T
-
.......
/'
I
.-- =;-
Fig.r~: Diagrama de energia para a heteroestrutura com
posicional do tipo 2. I) InAsi lI) GaSb.
3) Heteroestruturas do tipo In Ga1 AS-GaSb1 As com
x -x -y y
xzyz(l-x), na qual o mnimo da banda de conduo E~I) de um semi~
condutor (In Gal .AS) permanece dentro do gap de energia Eg(II) do x -x
semicondutor (GaSb1 As), enquanto que o mximo da banda de valn
-y y
cia do segundo semicondutor E~II) permanece dentro do gap de ener-
gia do primeiro semicondutor Eg (I) conforme mostrado na figura2.3.
(x) I I~ E.c
I '1\
(n)
'Hd
-uJ
E"
lflJ. da
W
sicional
(;; --------
Fi9:o Diagrama de energia para a heteroestrutura compo
\
do tipo 3. I) o sem1condutor In Gal As; lI) GaSbl As .
x -x -y y
Um outro tipo de heteroestrutura obtida utilizando-se
camadas dopadas tipo n e p do mesmo material que so respectivamen
te, camadas com dopantes doadores e camadas com dopantes aceptores,
e podem ser construdas intercaladas com camadas semicondutoras in
trnsecas formando uma estrutura conhecida por nipi.
Doadores e aceptores so ento iOn~jdOS devido combina
ao de eltrons e buracos at o sistema total alcanar uma config~
rao de energia mnima. As cargas resultantes nas camadas dopadas
(cargas positivas nas camadas n e cargas negativas nas camadas p)
produzem um potencial eletrosttico onde as bandas de conduo e
valncia podem ser moduladas do mesmo modo que uma heteroestrutura
composicional. Mesmo aps o sistema ter alcanado o equilbrio, os
eltrons e buracos resultantes teriam uma probabilidade de recombi
nao atravs de um processo quntico de tunelamento. Dessa forma,
estruturas nipi podem ser preparadas de modo que o tempo de recom-
binao possa ser controlado via densidade de dopantes,ou seja, a
largura e altura das barreiras moduladas pela concentrao de impu-I
rezas controla urna maior ou menor taxa de recombinao.
Nas heteroestruturascomposicionais do tipo 1, mostrada na
figura 2.1, as camadas dos dois semicondutores com larguras dI e
dII e gaps de energias Eg(I) e Eg(II)
se alternam, dando origem
ao sistema de poos qunticos (GaAs) e barreiras (AlGaAs). A pro-
fundidade dos poos qunticos para eltrons e buracos determina-
da pela diferena entre os mnimos das bandas de conduo
C=E(II)_ E(I) e pela diferena entre os mximos das bandas de va-
c c
- (I) (11)
lencia V=Ev -Ev ' respectivamente, dos dois semicondutores.
A magnitude do 11 band-gap" total definida corno sendo a di-
ferena entre os gaps de energia dos dois semicondutores:
(I)
E~ = D.c + v

(2. 1)
A porcentagem de cada Ac e v em relao ao "band-gap 11 to-
tal no ainda claramente determinada. Dingle et aI.(16,17),atra_
vs de medidas das transies de excitons em estruturas de mlti-
plos poos, propuseram que a proporo entre as descontinuidades
das bandas fosse de 85:l5(c=0,85 e v=0,15). Este resultado
tambm foi uti lizado por People et alo(18) e Gossard et alo (19). No
entanto, os resultados de Miller et alo(20)e Batey etaI. (21) confir
mados por outros trabalhos mais recentes, admitem que a desconti-
nuidade das bandas obedea uma proporo da ordem de 60:40 (c~
0,60 e v~0,40).
Esta certamente uma questo importante pois a profundi-
dade dos poos um parmetro essencial na determinao dos nveis
de energia permitidos num sistema de poos qunticos finitos, os
quais determinam as propriedades ticas e eltricas da heteroestru
tura.
Nessas heteroestruturas, formadas por semicondutores in-
trnsecos do tipo composiciona1 1, no h portadores de corrente
livres no estado fundamental de modo que uma dopagem nessas hetero
estruturas de especial interesse. Introduzindo somente impurezas
dOdoras nas camadas semicondutoras dessas heteroestruturas temos
o que chamamos de dopagem uniforme, conforme mostrado na Figura
tomo doador
+~--- +
+ +
++ +
tura das bandas de energia mostrada na Figura 2.4.
(:t)
~n) E"
EOJ
X ./
'FiS:':~' ~1agramade energia para a heteroestrutura de
A1GaAs-GaAs uniformemente dopada.
A energia de ligao de uma impureza doadora isolada (ti-
po Si) no GaAs volumtrico igual a 6meV enquanto que no A1GaAs
volumtrico ela maior ou da ordem de 100meV Por causa do fato que
o mnimo da banda de conduo do GaAs permanece abaixo do nvel
doador nas camadas de A1GaAs, eltrons do centro doador de A1GaAs,
por excitaes trmicas ou ticas, fluem para a regio de menor e-
nergia dentro da banda de conduo no GaAs criando um gs de el-
trons bidimensional. A interao desse gs de eltrons bidimensio-
nal com os ions positivos nas camadas de A1GaAs d origem curva-
-',
-i
outra forma de dopagem muito utilizada consiste em intro-
duzir impurezas doadoras somente nas camadas de AlGaAs, de gap
maior, de forma que os ncleos das impurezas estaro fortemente li
gados devido grande energia de ligao no AlGaAs enquanto que os
portadores podem migrar para as camadas de GaAs formando um gs de
eltrons bidimensional nas interfaces. Esta tcnica conhecida como
B0
dopagem modulada (ver Figura 2.5) que difere da uniforme pela no
dopagem das camadas de GaAs, produz uma separao espacial entre
os portadores de carga e os ions positivos reduzindo sua interao
tal que a mobilidade dos portadores passe a ser centenas de vezes
maior do que seria num cristal semicondutor com a mesma concentra-
o de impurezas.
Atomo doador
15
Fig. 2.5: Diagrama de energia para a heteroestrutura de
AlGaAs-GaAs com uma dopagem modulada.
Devido formao do potencial de poos qunticos as hete
roestruturas composicionais do.tipo AlGaAs-GaAs finitas apresentam
uma peculiar estrutura eletrnica e bem diferente da de um semicon
dutor volumtrico. Os semicondutores constituintes dessa heteroes-
trutura possuem aproximadamente a mesma estrutura cristalina e
constante da rede. O movimento dos portadores na direo Z quan-
tizado, especificado por um nmero discreto de energias E . A po
z,n -
sio destas energias dependem somente das larguras das camadas dI
e dII e da profundidade do poo de potencial que aumenta com o
acrscimo da concentrao x de alumnio. Para o movimento livre
dos portadores, paralelamente s camadas, a aproximao de massa
efetiva representa uma excelente aproxim~o na formao das sub-
bandas de energia dando um carter bidimensional relao de dis
~
persao que depende neste caso somente do vetor de onda K" parale-
10 :
16
E~(K) : +
( 2.2)
A estrutura de subbandas permanece essencialmente inalte-
rada (pelo menos para as subbandas de menor energia) em uma hete-
roestrutura com um grande nmero de poos e barr~iras se a regio
de poo (GaAs) repetida periodicamente intercalada com uma regio
de barreira (AlGaAs) suficientemente larga. Temos assim o que cha
mamosde um sistema de mltiplos poos qunticos.
Se, porm, para esta heteroestrutura com um nmero de pe-
rodos muito grande as barreiras de AlGaAs bornarem-se suficiente-
mente estreitas para permitir uma significativa superposio entre
as funes de onda de poos adjacentes, temos ento que considerar
efeitos de super-rede. Neste caso o tunelamento atravs das barrei
ras significativo, influenciando no movimento dos portadores na
direo z de crescimento das camadas. A energia passa ento a de-
pender do vetor de onda K com a formao das mini-bandas de ener-
z
gias permitidas separadas por.mini-gaps, fazendo com que a relao
de disperso adquira um carter tridimensional:
E(K) =
+
(2.3)
Com a considerao do movimento livre dos portadores na
direo paralela s camadas em sistemas de poo isolado e mlti-
pIos poos qunticos a Equao de Schroedinger para a funo de on
da envelope na aproximao de massa efetiva, desprezando-se as os-
cilaes da funo de Bloch, transforma-se em uma equao unidimen
sional. Os nveis discretos de energia E so determinados, en-
z,n
to, atravs das condies de contorno nas interfaces dadas pela
continuidade da funo de onda ~ (z) e do fluxo de probabilidade
I
m*(z)
a~(z)
Z
Alm das altas mobilidades, devida a formao do gs de e
ltrons bidimensionais paralelo s interfaces, obtidas pela dopa-
gem modulada em heteroestruturas composicionais, uma das mais in-
teressantes propriedades de transporte nessas heteroestruturas ti-
po AIGaAs-GaAs e uma das motivaes para o nosso trabalho a con
dutividade diferencial negativa observada experimentalmente com a
aplicao de urna voltagem entre os eletrodos do sistema. A forma-
o de urna regio decrescente na curva caracterstica de corrente
x voltagem tem sido extensivamente pesquisada. Maiores detalhes s~
bre essa propriedade de resistncia negativa em heteroestruturas
de AIGaAs-GaAs sero discutidas no prximo captulo.
Investigaes ticas nestes sistemas de poos isolados e
mltiplos poos qunticos semicondutores, na ltima dcada, tem re
velado as caractersticas do confinamento quntico dos portadores.
Dingle etal.(16,17)observararn urna estrutura pronunciada no espectro
de absoro tica representando estados ligados em poo quntico
isolado e em sistema de duplo poo. As amostras analisadas pos-
suiarn as larguras dos poos de GaAs na faixa entre 70R e 50oR, as
barreiras de AI Gal As com espessuras da ordem de 250R, crescidas x -x
.por MBE. Medidas a baixas temperaturas, para estas estruturas mos
traram muitos picos de excitons associados com diferentes estados
ligados de eltrons e buracos. Esta experincia de Dingle et aI.
foi urna das primeiras evidncias experimentais da validade da aprQ
ximao de massa efetiva nestes sistemas.
Por causa do carter bidimensional do sistema, a densida-
de de estados N (E) tem um valor constante para E>E -E (den
cv c;n v,n
tro da aproximao de massa efetiva) o que leva a curva de N (E)
cv
x E ter um comportamento tipo escada (linhas tracejadas na Figura
2.6). Para uma configurao de uma nica partcula deveramos espe
rar.que a curva do coeficiente de absoro tica a(hw) fosse gros-
seiramente proporcional a N (E). Devido aos efeitos excitnicos
cv
bidimensionais, porm, picos de absoro so esperados ocorrer le
vemente abaixo das posies de cada passo de N (E) como mostrado
cv
pelas linhas slidas na Figur~,~~ (
r
I

l---Nc~(E)
Esquema do coeficiente de absoro a(hw) em fun
ao da energia para uma heteroestrutura composicional do tipo 1.
As linhas tracejadas representam a densidade de estados para uma
configurao de uma partcula sem efeitos excitnicos.
Os resultados experimentais para as medidas de absoro
tica de Dingle et al.oonfirmaram quantitativamente o comportamento
esperado. Esta concordncia no apenas forneceu uma demonstrao
experimental da determinao dos nveis de energia em um poo qua-
drado, descritos nos textos elementares de Mecnica Quntica, como
mostrou que uma simples aproximao de massa efetiva apropriada
para descrever estes sistemas.
Em outras experincias em sistemas de poos qunticos de
AIGaAs-GaAs no dopados, de alta qualidade, crescidos por r~(22,23)
ou por MOCVD(24~ o principal pico de fotoluminescncia atribudo
transies excitnicas entre eltrons e buracos bidimensionais.
Mendez et aI. (7) estudaram o efeito de um campo eltrico
perpendicular s camadas em medidas de fotoluminescncia de poos
qunticos e associaram diminuio da magnitude do pico de lumi-
nescncia polarizao dos portadores confinados e modificao
.
dos estados qunticos induzidos pelo campo eltrico. Miller e Gos-
sard(25) estudaram e observaram efeitos de campo similares em po-
os qunticos dcpados com Berlio (Be).
Espectroscopia de fotocorrente DC e dinmica de portado-
res fotoexcitados foram estudados com campos aplicados por polland
. (26) , 1 (27) 1 (28) ,-
et aI. , Col11ns et a . , Matsumoto et a . e V1na et
(29) (30) (6)
aI .. Alibert et aI. e Klipstein et aI. fizeram medidas de
eletroreflectncia e determinaram os nveis de energia devido aos
efeitos de um campo eltrico aplicado.
Temos, portanto, de uma forma suscinta registrado alguns
dos progressos obtidos nesta rea de semicondutores atravs de uma
variedade de heteroestruturas crescidas por tcnicas epitaxiais de
alta preciso onde as amostras exibem extraordinrias propriedades
ticas e de transporte tais carno a ultra-alta mobilidade de porta-
dores, coexistncia semimetlica de eltrons e buracos e os efei-
tos de um campo eltrico induzido sobre as propriedades ticas que
em geral no existem em cristais "naturais". Assim, este novo
grau de liberdade oferecido pelas pesquisas em semicondutores atra
vs de avanadas tcnicas em crescimento de materiais tem inspira-
do muitos experimentos engenhosos, resultando em observaes que
no apenas predizem efeitos mas tambm fenmenos totalmente desco-
nhecidos corno a quantizao fracionria no Efeito Hall Quantizado,
que requer novas interpretaes.
19
,
CAPITULO III
A
ESTADOS QUASE-LIGADOS E VIRTUAIS EM ESTRUTURAS DE POCOS QUANTICOS
20
Neste captulo pretendemos discutir os estados quase-li-
Zl
gados e virtuais em heteroestruturas semicondutoras na
de um campo eltrico constante.
presena
Na primeira parte, tratamos um sistema de poo finito i-
solado e discutimos os vrios mtodos de determinao dos
...
nlvelS
el-
de 'energia dos estados quase-ligados e estados virtuais dos
trons sob ao de um campo eltrico.
Na segunda parte usamos uma heteroestrutura de dupla bar
reira, amplamente estudada em tempos recentes, para discutir a Fi
sica do tunelamento ressonante com a formao de uma regio de r~
sistincia negativa na curva caracterlstica corrente xv01tagem(31~
3.1 - POO QUNTICO ISOLADO
Considere, ento, o potencial unidimensiona1 representa-
do por um poo nico finito conforme mostrado na ~igura 3.1.
V{%) ,
r---- -- - E.~
Vo
" .
Fig. 3.1: Poo quadrado. Eo e E1 so os nlveis de ener
gia dos estados estacionrios, E2 representa'o primeiro nlve1 vir
tua1.
Corno bem conhecido, os estados do poo quadrado com
energias Eo e E1 (ver figura 3.1) so estados estacionrios com
os seus nveis de energia determinados pelas condies de contor-
no das funes de onda e suas derivadas, nas bordas do poo.
No caso em que uma partcula incide com uma energia E>V
o
o potencial do poo quadrado age como um centro espalhador. Nessa
faixa de energia e principalmente na regio prxima ao topo do p~
o (E~Vo) verificamos um pronunciado padro oscilatrio no Coefi-
ciente de Transmisso para eltrons atravessando o poo qunti
co(32). Somente para certos valores de energia o Coeficiente de
Transmisso alcana a unidade, significando que a partcula to
talmente transmitida. Logo, existem certas condies de interfe-
rncias construtivas entre as partes refletidas e transmitidas da
funo de onda na regio dentro do poo as quais no sendo satis-
feitas
proporcionam uma probabilidade alta da partcula ser re
pelida pelo poo de potencial. Sob tais condies de interfern-
cias construtivas a partcula capturada peo poo quntico por
um tempo determinado e esta captura ressonante pode alternativa-
mente ser vista como um estado virtual. Estes estados virtuais ou
ressonantes com um tempo de vida finito dentro do contnuo de um
sistema, desempenham papel importante no estudo de espalhamento.
Em heteroestruturas de semicondutores a importncia destes esta-
dos virtuais evidente a partir do trabalho de Bastard et alo (33)
que observaram numa experincia de espectroscopia de excitao,
em estruturas de dois poos de AlGaAs-GaAs acoplados, linhas cor-
respondentes a transies ticas que envolviam um nvel de buraco
-leve correspondente a um estado virtual, na faixa do continuo,
da banda de valncia.
Quando consideramos um campo eltrico constante, aplica-
do na direo perpendicular s camadas que definem o poo qunti-
co, no resta estritamente nenhum estado ligado real. O efe.ito do
potencial criado pela ao do campo eltrico (F) em primeira
aproximao, inclinar toda a estrutura de banda anterior.
que na presena do campo o Hamiltoniano assume a forma
Desde
H=H +eFz,
O
(3.1)
23
onde H representa a partcula no poo quadrado, o novo potencial
o
torna-se (ver figura 3.2),
V(l)
--------- Ea
1
Fig.3.2: Poo isolado sob ao de um campo el~trico
constante. E e El so os nveis de energia dos estados quase-li o -
gados e E2 um nvel virtual.
Dessa forma, a partcula inicialmente presa na regio de
poo tem agora, por menor que seja a sua energia potencial, uma
probabilidade de tunelar para fora pois a barreira anteriormente
de largura infinita passa a ter uma largura efetiva finita com a
inclinao da banda.
A ao do campo eltrico, portanto, converte todos os es-
tados estacionrios de um poo quadrado em estados quase-ligados
cujo tempo de vida, apesar de bem maior do que o tempo de vida de
um estado virtual, no se compara com o tempo de vida infinito de
um estado estacionrio. Obviamente, a vida mdia destes estados de
pe~dem crucialmente da intensidade do campo eltrico.
Podemos tomar o seguinte critrio para considerar um esta
do como quase-estacionrio baseado na medida do decaimento caracte
rstico (L/q ) da funo de onda no perturbada (F=O) para um esta
o
do fundamental dentro de uma barreira finita
(3.2)
o vetar de onda adimensional caracterstico e E a
o
e-
nergia para o estado fundamental com campo nulo. Portanto, para
ter-se um estado quase-ligado com um tempo de vida razoavelmente
longo a seguinte desigualdade deVe ser satisfeita ,

(3.3)
Neste caso, a funo de onda decai rapidamente dentro da
barreira tal que sua amplitude desprezvel mesmo que a barreira
tenha sido suficientemente rebaixada pela ao do campo eltrico.
Dessa forma, a probabilidade de tunelamento da partCUla muito pe-
quena e ela fica confinada por mais tempo.
Em relao aos estados virtuais com E>V (F=O) h um
o
rearranjo nas posies dos nveis devido perturbao do campo e
dependendo dos parmetros campo eltrico (F), largura do poo (L )
P
e profundidade do poo (V ) pode haver um aumento na densidade dos
o
nveis virtuais pois com o campo crescente os estados quase-liga-
dos com maior energia evoluem num processo contnuo, tornando-se
estados virtuais.
A determinao dos nveis de energia dos estados quase-li
gados, tambm comumente chamados Ressonncias Stark, tem impulsio-
nado recentemente a publicao de vrios trabalhos tericos(34) de
modo a explicar o comportamento Observado em medidas ticas de sis
temas de poos qunticos na presena de um campo eltrico(6 e 7)
Landau e Lifshitz(42) introduziram um mtodo formal de
tratar sistemas em que uma partcula pode sempre tunelar para o in
finito. Em tais sistemas, podemos ento definir os conceitos de es
tados quase-ligados e virtuais onde a partcula permanece confina-
da por um perlodo de tempo finito Li denominamos ento ~ como o
tempo de vida da partcula e pode ser definido da fOrma,
25
L - l/W, (3.4)
onde W a probabilidade de tunelamento da partcula por unidade
de tempo.
o espectro de energia desses estados quase-ligados e vir-
tuais sero quase-discretos consistindo de uma srie de nveis a-
largados cujas larguras estaro relacionadas com o tempo de vida
L.
A discusso, porm, desses estados quase-ligados e vir-
tuais no pode se limitar aos mtodos usuais para a soluo da
Equao de Schroedinger requerendo a finitude da funo de onda no
infinito. Ao invs disso ns devemos procurar por solues que re
presentem uma funo de onda caminhante para o infinito pois sao
estas que verdadeiramente correspondem s partculas que efetiva-
mente tunelaram no sistema. Desde que tal condio de contorno no
infinito complexa ns no podemos garantir que os autovalores de
energia sejam reais. Pelo contrrio, resolvendo-se a equao de
Schroedinger obtem-se um conjunto de valores complexos os quais es
crevemos na forma,
E=E -ir,
o
onde E e f so duas constantes.
o
(3.5)
Z6
~ fcil de se ver o significado fsico dos valores da e-
nersia complexa. O fator tempo que entra na funo de onda, repre-
sentando uma partcula num determinado estado quase-ligado ou vir
tual tem a forma
(3.6)
Portanto, a probabilidade de encontrarmos a partcula con
finada ao sistema, proporcional ao mdulo quadrado da ft.mode rnda,de
-2ft/fi
cresce com o tempo na forma e . A constante f, como vemos,
deve ser uma quantidade positiva para satisfazer as condies f-
sicas do sistema. Assim, o tempo de vida T, definido quando a par
te temporal decresce de l/e, dado por
T = 11/2f, (3.7)
e W =l/T, a probabilidade de transmisso por unidade de tempo, tor
na-se
W = 2f/f1. (3.8)
f ento uma medida da meia largura do nvel quase-liga-
do ou virtual cujo energia E O inverso de f proporcional ao
o
tempo de vida mdio que a partcula permanece confinada ao sistema.
Na aproximao de funo envelop~onde a componente de
Bloch que oscila rapidamente desprezada, e empregando o modelo
simples de Hamiltoniana dada pela Eq. (3.1), o problema de um poo
isolado sob ao de um campo eltrico reduz-se a uma equao de
Schroedinger de massa efetiva unidimensional. A soluo pode ser
escrita como combinaes lineares das funes de Airy:
Z 4( o )
o < z < L~ )
2 > L~)
( 3 9a)
(3.9b)
(3.9c)
onde Y = z/R..b+E/eFR..b,X=z/R..+(V +E)/eFR..e L a largura do poo.
p o p p
(40)
Ahn e Chuang utilizaram o mtodo descrito por Landau e
Lifshitz na soluo deste problema. O espectro de energia dos esta
dos quase-ligados assim como a meia largura r dos respectivos n-
veis resultaram da resoluo de um determinante de uma matriz 4x4,
em termos das funes de Airy com argumentos complexos, obtido a
partir das condies de continuidade das funes de onda exatas
dentro e fora do poo de potencial (Eqs. 3.9). O uso, entretanto,
dos argumentos complexos nas funes de onda tornou a soluo num
rica bastante complicada por este mtodo.
De modo a explicar resultados de fotoluminescncia, Bas
tard etal.(9) haviam aplicado os Mtodos Variacional e Perturbati-
vo para determinar os nveis quase-ligados de poo finito e os n-
veis ligados de poo infinito, sob ao de um campo eltrico cons-
tante. Encontraram, para campos fracos, um deslocamento Stark qua
drtico dos nveis com uma intensidade fortemente dependente da
profundidade dos poos.
Como o problema aqui tratado envolve tunelamento da part-
cula para o infinito, um mtodo bastante conveniente o de Anli-
se de"?hase-shift"que tem sido utilizado no estudo de Ressonncias
Stark no tomo de hidrognio. O mtodo baseia-se, como bem conhe
cido, nas re laes de interferncia das fnneesde onda propagantes e
antipropagantes no infinito. Mais precisamente, a razo entre os
coeficientes dessas componentes da funo de onda que se re1aci~
com a diferena de fase entre elas.
No caso de poo nico na presena de um campo eltrico,
como discutido anteriormente, as funes de onda exatas dentro e
'fora do poo (Eqs. 3.9) so dados como combinaes lineares das
funes de Airy, onde consideraremos os argumentos reais.
Para Z tendendo ao infinito, as expanses assintticas
das componentes da funo de onda ':1'3 (Eq. 3.9c), na regio
Z > L , so dadas por:
p
para
(3.10 )
(3.11)
B~\-Y) N
C~(~ y~2+ ~)
Definimos ento os coeficientes A3 e B3' que so funes
da energia, em termos de uma fase &, dados pelas expressoes:
A3 = A cos
(3.12a)
B3 = A sen
(3.l2b)
substituindo as equaes (3.10), (3.11) e (3.12) na expresso de
~3 (Eq. 3.9c) obtemos
(3. 13)

Introduzimos, portanto, na funo de onda ~3 que representa a paE

tcu1a livre sob ao de um campo eltrico, uma fase a qual re
su1tante da defasagem que ocorre entre as componentes propagantes
e antipropagantes devido presena do potencial do poo quntico
inclinado. Ou seja, a parte antipropagante, incidindo na barreira
triangular finita direita do poo (figura 3.3) tem uma probabili
dade de penetrar no poo, quando tunelar para fora novamente ela
estar atrasada em relao componente propagante que vai em dire
o ao infinito .

Lp
Fig. 3.3: Poo quadrado sob ao de um campo eltrico
constante. Esquema do defasamento das componentes da funo de on-
da em Z > L
P
Entretanto, a componente antipropagante s fornecer uma
grande probabilidade da partcula penetrar na barreira e voltar se
possuir uma energia prxima o suficiente de um nvel quase-ligado
ou mesmo virtual do poo. Isso indica que h uma relao entre o
processo de defasagem das componentes da funo de onda e a deter-
minao dos nveis de energia quase-ligados e virtuais do sistema.
Analiticamente, a relao entre a fase e a razo entre
os coeficientes A3(E) e B3(E) obtida atravs de nossas defini~
es (Eqs. 3.12), na forma
=
( 3.14)
A razao B3{E)/A3{E) conhecida e provem das condies de
contorno nas bordas do poo. Pela Anlise do "Phase-shift" os nveis
quase-ligados e virtuais so caracterizados por um rpido aumento
de TI na fase o que implica num comportamento da razo B3(E)IA3 (E)
. d .d t d' . f' .t . (43)
var1an o rap1 amen e e ma1S a menos 1n 1n1 o ou V1ce-versa
Mai?res detalhes sero apresentados no captulo seguinte onde gene
ralizamos o problema para um potencial de N poos acoplados e obte
mos a expresso da fase em funo dos coeficientes da funo de
onda na regio Z > L.
Durante o desenvolvimento do nosso trabalho, tivemos co-
nhecimento do trabalho de Austin e Jaros(3S) que utilizaram esta
mesma tcnica na determinao da estrutura eletrnica do poo quan
tico isolado sob ao de um campo eltrico.
Comparativamente, corno veremos no captulo IV, os trs m
todos apresentam resultados bastante semelhantes. O Mtodo Variaci
onal, porm, alm de ser um mtodo aproximado, nos fornece somente
o nvel de energia do estado ,fundamental. Neste caso, convm menci
onar que a funo de onda variacional proposta por Bastard et aI.
(9) bastante aceitvel como atestaram Miller et al.(S).
O mtodo exato de Ahn e Chuang(40), apesar de factvel
torna-se obviamente muito complicado, do ponto de vista numrico,
quando sua aplicao for extendida para um problema de mltiplos
poos e barreiras.
Embora o Mtodo da Anlise do "phase-shift"possa apresen-
tar resultados no satisfatrio~ para campos eltricos muito inten
sos (acima daqueles usados experimentalmente), cama mostraram Ahn
e Chuang um Mtodo que apresenta inmeras vantagens ao se tratar
um potencial de N poosacoplados, utilizando campos eltricos da
ordem dos valores experimentais.
30
3.2 - ESTRUTURA DE DUPLA BARREIRA
Passamos agora a analisar uma outra heteroestrutura muito
estudada tanto terica quanto experimentalmente. Trata-se de duas
barreiras de potencial que modelam camadas no dopadas de AlGaAs e
um poo de potencial devido camada de GaAs. O sistema prensado
po eletrodos de GaAs altamente dopadas que fornecem eltrons para
o tunelamento e est mostrado na figura 3.4.
V(~)
'10
31

Fig. 3.4: Potencial de dupla barreira de AlGaAs-GaAs sem

campo eltrico aplicado. Eo e El so nveis de energia para esta-
dos quase-ligados e Ef a energia de Fermi.
Consideremos os estados com energias Eo e El dentro do
poo entre as duas barreiras acima (figura 3.4). No podemos afir-
mar que esses estados sejam estados estacionrios pois a partcula
tem sempre uma probabilidade n~ nula de tunelar para fora do poo
dependendo das larguras do poo, das barreiras e da profundidade
do poo. Estes portanto so estados quase-ligados, com um tempo de
vida finito, da mesma forma que o so os estados de poo isolado
(figura 3.2) sob ao de um campo eltrico constante.
Consideremos agora uma partcula livre incidindo no po-
tencial de dupla barreira com uma energia E > V Como no caso do
o
poo quadrado o potencial da barreira agir como um centro espalha
dor e sob certas condies de interferncias construtivas nas in-
terfaces da estrutura esta partcula pode ser capturada por um tem
po determinado, caracterizando um estado virtual.
Vemos, portanto, que as dfinies de estados quase-liga-
dos e virtuais so os mesmos nos dois tipos de problema. Agora no
entanto, estamos interessados no tunelamento de eltrons via estes
estados quse-ligados e virtuais. Deste modo, devemos estar envolvi
dos no clculo do Coeficiente de Transmisso, a ser desenvolvido
no capitulo V. Aqui queremos discutir a Fisica do processo de tune
lamento ressonante (44e 45). Tomemos, por simplicidade, a estrutura
de dupla barreira mostrada na figura 3.4.
A probabilidade de transmisso de um eltron atravs de
um potencial de barreira dupla sem um campo eltrico aplicado, tor
na-se unitria quando sua energia igual energia de um estado
quase-ligado dentro do poo, independentemente da largura das bar-
reiras; longe desta condio de ressonncia, a probabilidade cai
exponencialmente. Este fenmeno, chamado de tunelamento ressonante,
foi predito na dcada de 60 e subsequentemente observado em hetero
(11 12 e 46)
estrutura de AlGaAs-GaAs-AlGaAs '
Suponhamos que durante o processo de tunelamento, ambos,
a energia total e o momento paralelo
~
(K,,) s interfaces sejam
conservados. Consideraremos o caso em'que as barreiras so idnti-
cas, temperatura zero, como mostrada na figura 3.4 onde, em ge
ral, a energia E de um eltron no eletrodo n+-GaAS difere das ener
gias (Eo,El, ...) dos estados quase-ligados do poo de potencial.
Para uma certa voltagem V aplicada entre os eltrodos (da
ordem de 2E /e) podemos esperar um aumento na corrente de tunela-
o
mento devido aos efeitos de ressonncia. Na praica, h uma poss-
vel faixa de energias para o eltron incidente (O~E~Ef) pela
qual a probabilidade de tunelamento torna-se significativa. A fi-
gura 3.5 ilustra a contribuio para a corrente de diferentes esta
dos com o aumento da voltagem.
(o)
GcAIAs n+GcAs
--------)2
Er
o
n+GcAs GcAIAs GcAs
(b)
(I) I
i
./
\.
l~\ .. kll \ (11)
._._._._._._~.:J7 .-._.:._.~;~;-~_._.
------ Eo \!
..
j kll \. ! Eo-eV \ /
~ .~
,
,
,
,
,
,
,
,
,
Fig. 3.5: Esquema para demonstraes do tunelamento resso
nante em estrutura de dupla barreira:
(a) banda de conduo de uma dupla barreira de AlGaAs-GaAs-AlGaAs1
(b) alinhamentos relativos entre o nvel quase-ligado do poo qun
'tico e a energia de Fermi para trs voltagens representativas.
Para eV/2<Eo-Ef, nenhum tunelamento possvel, at que a
voltagem limiar v~ (eV~/2=Eo-Ef) seja alcanada. Nesse ponto a e-
nergia do estado quase-ligado E est emparelhada com a energia de
o
Fermi do eletrodo emissor. A partir da mais estados tornam-se vi
veis, e com a voltagem V crescente, a corrente ressonante aumenta
monotonicamente. Finalmente, quando eV/2>eV~/2=Eo' ou seja, a ener-
gia do estado quase-ligado est abaixo de zero, no mais entre a
faixa de O'E'Ef' torna-se impossvel o tunelamento pois no h con
servaao do momento paralelo e da energia total. A corrente ento
tenderia a diminuir rapidamente formando uma abrupta regio de re
sistncia negativa e a curva da corrente x voltagem apresentaria,
numa anlise grosseira, um formato triangular como mostrado na fi-
gura 3.6.
I
2Eo
e.
v
Fig. 3.6: Anlise grosseira da corrente de tunelamento
ressonante num sistema de dupla barreira.
Entretanto, o que se observa experimentalmente nas curvas
I x V que h claramente uma regio de resistncia negativa com
um decaimento mais suave e no to abrupto, devido natureza qua-
se-estacionria dos estados com energias Eo' El, . que apresentam
um alargamento fo' fI' ... delimitando suas posies (47)
Sob essas condies, uma partcula incidindo com uma de-
terminada energia ressonante E (O<E <Ef)' correspondendo a uma r r
largura de nvel f de um estado quase-ligado, transmitida e con
r -
tribui para a corrente de tunelamento. A escala de tempo envolvida
neste evento dada aproximadamente por t - ~/f , discutido anteri
r
ormente. Durante este perodo de tempo uma grande densidade de pro
babilidade eletrnica forma-se dentro do poo devido interfern~
cia construtiva entre a funo de onda transmitida atravs da pri-
meira barreira com aquela refletida pela segunda.
Ricco e Azbel (48) tm recentemente apontado que para se
IIILMlTtCA to.lCSmutO O( ftSKA E QUCMcAOEsCAilIl. -, t fUHA .
obter uma mxima transmisso ressonante preciso iguais coeficien
tes de transmisso para arnbas as barreiras, ou seja, a estrutura
deve ser simtrica. Entretanto, com a aplicao de um campo eltri
co ou urna voltagem externa o potencial torna-se assimtrico. Como
consequncia dessa assimetria verifica-se urna diminuio na magni-
tude do pico de ressonncia no Coeficiente de transmisso camo ve
remos posteriormente na apresentao de nossos resultados no cap-
tulo v.
No caso de super-redes formadas por mltiplas barreiras e
poos, o processo de tunelamento ressonante similar ao da dupla
barreira exceto que a sequncia de reflexes externas responsveis
pela formao da ressonncia mais complexa.
35
,
CAPITULO IV
1\ /I.
ESTRUTURA ELETRONICA DE POOS QUANTICOS NA PRESENA DE UM CAMPO
,
ELETRICO EXTERNO
Neste captulo vamos determinar a estrutura dos nveis
quase-ligados e virtuais de eltrons e buracos em poos qunticos
sob ao de um campo eltrico usando o formalismo de Matriz de Ite
raio e Anilise de "Phase-shift".
Nestas certas heteroestruturas semicondutoras, as camadas
de.AlGaAs so suficientemente largas e o potencial alto, devido
a grande concentrao de AI, de modo que a penetrao da funo de
onda de um poo para outro pode ser negligenciada para estados do
poo quntico com baixas energias. Estas estruturas so conhecidas
como Mltiplos Poos Qunticos (MPQ) e, em geral, um poo quntico
isolado tem sido modelado para estudos de espectroscopia tica(30~
Porm, para estados com altas energias nos MPQ, ou para estreitas
barreiras de A1GaAs, a superposio das funes de onda relevan-
te e efeitos de tunelamento tornam-se importantes. Neste caso, as
propriedades fsicas so significantemente diferentes. Para MPQ na
presena de um forte campo eltrico, estes efeitos so verificados
e devemos consider-los para poos qunticos acoplados ou super-redes
finitas. A importncia destes efeitos manifestada, por exemplo,
na determinao das energias das transies ticas para mltiplos
poos qunticos pelas medidas de eletroreflectncia e fotolumines-
cncia reportadas por Klipstein et al(6).
Como o objetivo de nosso trabalho discutir estados vir
tuais e quase-ligados na presena de um campo eltrico, considera-
remos como discutido no captulo 11, uma aproximao de massa efe-
tiva para a funo envelope em um modelo simples de duas bandas,
no incluindo a deformao das bandas devido s impurezas e a nao
parabolicidade das bandas.
4.1 - O FORMALISMO DE MATRIZ DE ITERAO E ANALISE DE "PHASE-
SHIFT"
Os poos qunticos sob ao de um campo eltrico constan-
te, perpendicular s interfaces, constitui-se ento um sistema cu
jos estados so no estacionrios, podendo ser quase-ligados ou
virtuais, conforme o nvel de energia estiver dentro ou acima do
poo de potencial.
Para um nmero finito de poos, a energia potencial tem a
forma esboada na Figura 4.1.
Va

...
...
-'4
--------
..-----.-
Fi~. 4.1: Modelo simples para um sistema de poos qunti-
cos (eltrons e buracos) sob ao de um campo eltrico constante
perpendicu1r s interfaces.
Na Figura 4.1 definimos as regies pares como regies de
poos de potencial e as regies mpares como barreiras. Deste modo,
podemos escrever analiticamente:
v (z) =
n
-eFz
- (V +eFz)
o
~
para n l.mpar
para n par,
(4.1.1)
3'3
onde
e = carga do eltron,
F = magnitude do campo eltrico,
Vo= profundidade do poo de potencial.
A letra n um ndice que varia de 1 a 2N+l, sendo N o nmero de
poos do sistema.
Assim, a Equaao de Schroedinger na direo z nas vrias
regies do potencial pode ser escrita na forma:
1~ 'Y\. {'IY\~ J (4.1. 2a)
(4.1.2b)
na Fazendo
equaao (4.1.2a)
a transformao de coordenadas u=z/lb+E/eFlb
e a transformao u=z/l +(V +E)/eFl na equao
p o p
(4.l.2b) reduzimos ambas forma:
(4.1.3)
,
cuja soluo conhecida ser uma combinao linear das funes de
Airy (84)
Escrevemos, ento, as solues para as funes de onda,
tanto nas regies pares quanto mpares, como
(4.1.4)
com
40
c =
n
(V +E)/eF1
o p
..
n J.mpar
n par ,
(4.1.5)
1 =(f12/2m*eF) 1/3
.
b b
n J.mpar
1
=
\
(4.1.6)
n
1 = (f12/2m*eF) 1/3
n par,
p p \
e
(
Inb
n mpar
m*
=
n
m*
n par,
(4.1.7)
p
sendo m; e m~ as massas efetivas da partcula na barreira e no po-
o respectivamente.
Devemos impor as seguintes condies de contorno das fun-
oes de onda e suas derivadas nas posies z de cada interface:
n
(4.1.8a)
J
(4.l.8b)
o fator m~/m~+l necessrio para que o fluxo quntico
~~' _~o/) seja conservad9 em cada interface.
o ndice n agora variando de 1 at 2N, o dobro do nmero de poos.
il1
2m*
Substituindo a forma geral da funo de onda ~ (Eq. 4.1.4)
n
nas Eqs. (4.1.8) temos
(4.l.9a)
L-lA"k(li,,).B1\.g~tO(1\)1 = _ 1 [A".1~'(al1\~~~gn.lgit6l1l.1))' (4.1.9b)
It 1\
t.. ~ l~lrm.,,+S.
onde
(4.1. 10)
Algebricamente, A e B so explicitados em termos de
n n
An+l e Bn+l para obter as seguintes expresses,
",: - 11f [ m'I.: t", A'dl)(1\+l) 8dcl~) - A t tol1l.u) B~(p(",,)1A 'ft.+J. l mc. j tllli" 1 J
+ [ mt.~to. Bi (lll ) 8;.(01,,) _ 81(P(. ,) B~(01,,)18 .1 M1.".t Q '1.+1 J ~
BT\, = 'r{r ~ t", Ai(o("+l)A~(ol.1\) _ At (oL,,+!)A~(ot~)1A'tt.+J.
ltm-lt+1.ll\+1.
+ r 'l'Vt.: 1"" ai. (OL,,+1) A, (ol1\) _ 84 (al .. +l)A\;.lal1\)) B.. +J. 1 L mtYL+1~'ll+l ~
(4.1.11a)
(4.1.11b)
sob a forma de matriz as relaes (4.1.11) transformam-se em
(~:).
(4.1.12)
sendo M , a Matriz de Iterao, que tem a seguinte forma
n
(4.1. 13)
A expressao matricia1 (4.1.12), quando exp1icitados os n
dices de I a 2N, relacionando os coeficientes AI e B1 em termos de
A2N+I e B2N+I torna-se:

(4.1.14)
Para z tendendo a -00 a funo de onda ~l(z) (ver Figura
4.1) deve anular-se. Entretanto a funo de Airy Bi(-z/lb-Cl) cor-
respondente a ~l(z),para z-+- 00 diverge, o que no fisicamente acei-
tvel. Impomos ento Bl=O para a regi z<zl' e a equao matrici-
aI (4.1.14) adquire a forma
(Ai) = MiMz ... M'},N (A2.N+l) (4.1.15)
O B~~1
2N
Definindo AA = TI M como a matriz multiplicao das matrizes de
\.IY\9 n=l n
Iterao, resulta que A uma matriz de ordem 2. Assim,

(4.1. 16)
A razo B2N+l/A2N+l est relacionada com o comportamento
das funes de onda que incidem e emergem direita da regio dos
poos de potencial (ver Figura 4.1 para z>z2N). ~ portanto, uma
quantidade que indica os processos de interferncia existentes en
tre essas funes de onda atravs de suas diferenas de fase.
Relacionamos a razo entre estas constantes dependentes
da energia diretamente com o "Phase-shift" atravs da frmula
(4.l.l7), como discutido anteriormente. Assim
:: <k:nd:~ ( B2.N+l / A ~N+J.)

(4.1.17)
A razao B2N+l/A2N+l' calculada pela expresso matricial
(4.1.16), dada por
8"""'+1
.
A'JJ.
.
-
)
A2H+i A"t
e portanto
t3' O
=
-
~z.t.
?~
(4.1. 18)
(4.1. 19)
Deste modo, atravs do clculo numrico dos elementos da
matriz mUltiPlicao~2l e vM~22' obtemos um mtodo para determi-
nar os nveis de energia np estacionrios em N poos qunticos a-
copIados sob ao de um campo eltrico. Assim sendo, suficiente
determinar a energia onde ocorra uma variao de TI na fase .
4.2 - APLICAES DO ~TODO
4.2.1 - Sistemas de poo nico
Nesta seo apresentaremos nossos resultados refe
rentes a um poo quntico isolado. Utilizaremos tanto a razao
,
85: 15 como a 57: 43 para a diferenados gaps distribuida entre as ban
das de conduo e valncia em nossos clculos no intuito de averi-
guar as diferenas apresentadas entre os dois tipos de configura-
oes. Consideraremos por simplicidade as massas efetivas iguais
tanto para eltrons quanto buracos nos poos e nas barreiras. Para
efeito de clculo numrico tomamos os valores dos parmetros como
dados na Tabela 4.1.
~Cl\OTf(" [)() i~ST!TlO\)f V"SlCA "tuv:.IC'r;t;1'C'AU@I.tw'
nS!(A
57:43
85: 15
V (eV)
0,228
0,34
e
Vh (eV)
0,172 '
0,06
m*(m )
0,0665
0,0665
e o
I m~ (mo)
I
0,34
0,45 I
.. _ (4)
Tabela 4.1: Parametros nas configuraoes 85:15 e 57:43
Em primeiro lugar mostramos a curva dos coeficientes
(-~21/~22) em funo da energia numa regio prxima da energia
de um estado quase-ligado para eltrons e buracos (ver Figuras 4.2
'a e b). Nas posies de descontinuidade a razo -(vN621/uN622) pas
sa de um valor positivo grande para um valor negativo tambm gran-
de ou vice-versa. Como a razo - (21/ ~2) iguail. a tg( <5) signi
fica que <5passa abruptamente de TI/2 a -TI/2, ou seja, h uma varia
o de TI na fase <5caracterizando um estado no estacionrio. Isso
acontece tanto para estados quase-ligados como virtuais do sistema
na presena de um campo eltrico.
Deste modo, as ressonncias stark so determinadas por
inspeo da razo -uM621/~ 22 em funo da energia. No entanto,
podemos usar a parametrizao do tipo Breit-Wigner de modo a esti-
mar o tempo de vida dos estados quase-ligados e virtuais que pr~
porcional ao inverso da meia largura r. Obviamente, esta aproxima-
o no boa para ressonncias muito largas que so esperadas 0-
correr em campos intensos.

=:l
....
N
~N
'-
ri
N
::e;
I
a)
-0,102 :0,101
I I
-0,100 -0,099
N
N
~
ri
N
~
I
ENERGIA(EV)
b)
I I I I I
-0,1240 -0,1235 -0,1230 -0,1225 -0,1220
ENERGIA(EV)
Fig. 4.2: Curva da razo -~21/vMl22 em funo da energia.
a) Descontinuidade demarcando u~ nvel quase-ligado para eltron num
poo isolado com largura de 30R sob aao de um campo eltrico 107
Vim na configurao 57:43; b) Descontinuidade demarcando um nvel
quase-ligado para buraco num poo isolado com largura 30R sob
de um campo eltrico de l07v/m na configurao 57:43.
-
aao
As figuras 4.3a e 4.3b mostram uma estrutura de pico na
quantidade I JVl2l/JVl22 I onde podemos qualitativamente comparar os
tempos de vida de estados quase-ligados com os de estados virtuais.
Observando as escalas de energia nas Figuras 4.3a e 4.3b,
conclui-se facilmente que as ressonncias devido a estados vir-
tuais so mais largas do que as de estados quase-ligados, implican
do que os tempos de vida de estados virtuais so bem menores que
os de quase-ligados. Este resultado consistente com nossa intui-
o fsica.
2.5
2.0
C/)
Cl
: 'Cl
a:
t: 1.5
m
a: Cl
ci
Z
::J
.....
7
~
~ .. :(
LO
0.5
o
-115,7598
-/15,7596 -/15,7594
E (meV)
-115,7592
-115,7590
Figura 4.3a: Estrutura de pico na curva de \~2l/~22\
X energia. Posio de ressonncia para um estado quase-ligado de
poo nico. Configurao 57:43, F= l07v/m e Lp=30R.
2.5

2.0
....
Cf)
c:r
r:x:
'<1
r:x: ~
C)
r:x: ct
ci Z
L5 ::> ....
(r
<C
~
-
;J
3-
LO
0.5
20.0
19.5 19.0
E (meV)
o 1 --"'--r-. ~
18.0 18.5
Figura 4.3b: Estrutura de pico na curva de 1~2l/~221
X energia. Posio de ressonncia para um estado virtual de poo
nico. Configurao 57:43, F= l07V/m e Lp=30~.
Deste modo, a partir das Figuras 4.2 e 4.3 que exibem
claramente as descontinuidades e os picos ressonantes podemos com
provar a validade de nosso Mtodo de Matriz de Iterao na deter-
48
minao dos nveis quase-ligados e virtuais. Note os algarismos si
gnificativos no eixo da Energia nas Figuras 4.3a para nveis qua-
se-ligados.
As Figuras 4.4 e 4.5 exibem os diagramas de nveis de e-
nergia de estados quase-ligados assim como os primeiros estados vir
tuis para poos de diferentes larguras e nas duas configuraes
de "band off-set".
o
-30
+19
----------
a)
o
+71
b)
-U6 -60
90 60 30
o
L(A)
-196
o
-IB83
6 o 30

L(A).
-228
-1823
-1853
-
>
CIO
oS f
w -1651l
Figura 4.4: Sistema de poo nico na Configurao 57:43.
a) Poo de 30R; b) Poo de GOR. OS parmetros utilizados so dados
na Tabela 4.1 com um campo de l07v/m
o
a) o -19
-------------
b)
-191
-107
-297
>' -340

.
l.Ll
~.
-1883
-1953
--------- ------
o 30
o
L(A)
60
o 30

L~M
60 90
Fig. 4.5: Sistema de poo nico na Configurao 85:15.
a) Poo de 30R; b) poo de 6oR. Os parmetros utilizados so dados
na Tabela 4.1 com um campo de l07v/m
~ interessante notar que para a largura de poo igual a
60R (ver Figuras 4.4b e 4.5b) existem dois estados quase-ligados
na banda de conduo na configurao 85:15 para os eltrons, en-
quanto que h apenas um estado na configurao 57:43. O contrrio
acontece na banda de valncia para os buracos, onde na configura-
o 57:43 h dois estados quase-ligados e na configurao 85:15 so
mente um. Este resultado pode ser entendido facilmente discutindo
o caso de poo quadrado sem campo eltrico aplicado. A soluo da
equao transcendental resultante impe condies para os parme-
50
tros massa (m), profundidade do poo
na determinao do nmero de estados
(v ) e largura do poo (L )
o p
ligados. Com a massa efetiva
do eltron e a largura do poo so iguais para a banda de conduo
dos eltrons a diferena entre o nmero de estados ocorre devido
aos valores de Vo que so bem diferentes nas duas configuraes.
No entanto, para os estados quase-ligados de buracos, as massas e-
fetivas e a profundidade do poo so diferentes nas duas
raes. Vh na configurao 57:43 muito maior do que na
configu
configu
rao 85:15 enquanto que a diferena de massas pequena. Portanto
obtem-se mais de um estado quase-ligado para buraco na configura-
.ao 57:43 em comparao com a configurao 85:15.
Uma concluso importante obtida verificando-se vrios re
sultados para diferentes valores de campos eltricos que o nvel
de energia ressonante dos estados quase-ligados decresce como fun
ao do campo eltrico. Para trs sistemas de poo nico com largu
ras diferentes verificamos essa dependncia que podem ser vistas
na Figura 4.6.

S
'J1
,
o
L =30A
p
eletron
buraco-pesado
51
cr:::s
I--/S
l.9S
(CrD
LLJ--;-'
?
lJJ
,
.50 1.00 1.50
CAMPO ELETRICO (1.07 VIM)
o
L =60A
p
buraco-pesado
eletron
o
L =lOOA
P
buraco-pesado
eletron
Fig. 4.6: posio do primeiro nvel quase-ligado em funo
do campo eltrico para trs sistemas de poo nico na configurao
57:43.
Na faixa de campos pequenos nossos resultados apresentam
um comportamento tipo quadrtio comprovado experimentalmente por
Aliberti et alo (30).Para campos eltricos maiores, as curvas passam
a ter um comportamento linear.
No caso de L =30R, a ao do campo eltrico, afeta muito
p
pouco o sistema. As posies dos nveis quase-ligados, de eltrons
e buracos, tiveram uma variao pequena da ordem de 5meV. Conforme
aumentamos a largura do poo a ao do campo eltrico torna-se mais
efetiva, inclinando mais as bandas de conduo e valncia decrescen
do O nvel de energia dos estados quase-ligados dos portadores. Pa-
ra L =looR, com a variao do campo eltrico de O a 2Xl07v/m, h
p
uma diferena grande entre os nlveis para os dois extremos da curva,
da 0rdem de 30rneV para o caso de eltrons e de 45meV para os bura-
cos, a qual est em boa concordncia com os resultados de Milleret.
alo (5) do grupo da Bell que reproduzem muito bem experimentos de ab
sorao tica.
5Z
(6) ~ ~ _
Bastard et.al tambem chegaram a conclusao que o campo
eltrico afeta mais a sistemas cuja largura do poo da ordem de
100R. Atravs das funes de onda na banda de conduo e de valncia
variacionais, para poo nico, calcularam o quadrado da Integral de
"Overlap" M~v em funo do campo eltrico, que proporcional ta
xa de recombinao dos eltrons e buracos e mostraram que a taxa de
recombinao diminui acentuadamente, da ordem de 67%, para sistemas
com largura de poo igual a lOO~ e campos eltricos de l07v/m, en
quanto que em sistemas de 30R a reduo da ordem de 10% para o
mesmo campo eltrico.
Este resultado, apesar de no quantitativo, explicou quali
tativamente os resultados experimentais da diminuio do pico de lu
minescncia em um sistema de multi-camadas de AI Gal As-GaAs obti- x -x
dos por Mendez et aI. (7). A razo pela qual no se conseguiu resul
tados numericamente compatveis reside no fato que a experincia
foi feita utilizando uma amostra contendo vrios poos qunticos e
nao somente um,alm do resultado variacional no considerar os efei
tosdes~rposio das funes de onda e os processos de tunelamento
ressonante.
Os resultados experimentais de Mendez et aI. mostram que
com aumento do campo eltrico h uma reduo no pico de luminescn-
cia excitnica at seu completo desaparecimento.
A aplicao de um campo eltrico induz uma separaao espa-
cial entre eltrons e buracos e para os poos de looR essa separa-
o, obviamente, maior que num poo de 30~.Assim sendo, para o
caso onde os pares eltron-buraco esto mais separados a taxa de re
combinao deve diminuir concordando com os resultados de Bastard
et .al.. Essa polarizao dos portadores, em direes opostas, en-
to responsvel pela diminuio do pico de luminescncia pois quan-
to maior o campo eltrico' maior a polarizao, e consequentemente
a probabilidade de recombinao dos pares eltron-buraco e a emis-
so de ftons, diminui.
4.2.2 - Comparao com outros trabalhos
Nesta seo pretendemos comparar nossos resultados
com aqueles de prvios trabalhos j discutidos no captulo III no
caso de Poo isolado. Para efeito de clculo tomamos os parmetros
dos portadores na configurao 85:15. Fazendo N=l em nosso mtodo,r~
produzimos facilmente os resultados de Austin e Jaros(35) e compara-
mos com os resultados do mtodo variacional de Bastard et aI.
A Figura 4.7 mostra a diferena de energia entre o primei-
ro nvel quase-ligado na presena do campo eltrico F, e o nvel es
tacionrio do poo quadrado em F=O para eltrons e buracos em um po
o quntico de largura L =30~ . Os resultados do clculo variacio-
p
nal para eltrons so mostrados e apresentam boa concordncia ape
nas no limite de campos fracos.
53
cc
19S
a:El
W:j"
2'
W
UJ
O
51
a:::~
f--N
-..17
W
o
CALCULO VAl'\lACTQNI'IL PARA ElETRO'1
51
S
E-l
r;'J ... I---~I----~I---------.I
~.~~ 2.~~ Y.~~ 6.~~
CAMPO ELETRICO (1.07 VIM) .
Fig. 4.7: Curvas da diferena de energia ~E em funo do
campo eltrico para eltrons e buracos. A curva pontilhada obtida
pelo mtodo Variacional. Os parmetros dos portadores so: V =O,4eV,
e
Mostramos ainda na figura 4.8 o comportamento do primeiro
nvel quase-ligado e virtual para o caso dos buracos na banda de va
lncia em funo do campo eltrico para poo nico de largura
L =30R.
p
.
s
w
o)
Q
.
tO
Cl')
lSl
S
lD
Il')

.
S
tD
I
0.00
2.00 q.00
F (1.07 VIM)
6.00
Fig. 4.8: Variao do primeiro nvel quase-ligado e primei
ro nvel virtual em funo do campo eltrico aplicado. Os parme-
tros de buraco utilizados foram: Vh=O,07eV e nth=O,45mo'
A comparao com os resultados da soluo exata de Ahn e
Chuang (Ver captulo III) no pode ser obtida diretamente desde que
os valores numricos do campo eltrico e da energia esto parametri
zados em outras unidades. No entanto, estes autores concluem que
seus resultados so iguais aqueles obtidos pelo mtodo de "Phase-
shift" exceto a campos muito intensos. Nesta regio de campos nao
existe o ponto de retorno, onde a curva de energia muda de concavi-
dade.
Esse efeito de "retorno" inicia-se na faixa de campos el-
tricos muito intensos, da ordem de 2,8XI07v/m para os buracos e da
ordem de 2,OXI08v/m para os eltrons. Para campos maiores do que es
ses limites a posio do nvel ressonante ao invs de acompanhar a
inclinao das bandas devido ao potencial do campo eltrico reverte
ria ,ao contrrio crescendo em ,relao ao fundo do poo onde um esta
do poderia sofrer uma transio passando de um estado quase-ligado
para um estado virtual. Esse efeito, no entanto parece provir de fa
lhas no Mtodo de "Phase-shift" a altos campos. A soluo exata de
Ahn e Chuang, parem, quando levada a tratar sistemas com maior nme-
ro de poos torna-se extremamente complicada e o Mtodo de "Phase-
shift", pelo contrrio, hbil para tratar sistemas com N poos a-
copIados na faixa de campos eltricos experimentais.
4.2.3 - Mltiplos Poos Qunticos Acoplados
Nesta seo estamos interessados em estudar siste-
mas com mais de um poo quntico. Determinaremos os nveis dos esta
dos quase-ligados e virtuais para eltrons e buracos pela Anlise
do "Phase-shift".
Vamos mostrar que para certas larguras de barreiras pode-
mos tratar um sistema de N poos acoplados como se eles estivessem
isolados um do outro. Os nveis quase-ligados tendem a se repetir a
medida que as barreiras vo se alargando, ou seja, para barreiras
suficientemente largas no existe superposio das funes de onda
de portadores em poos vizinhos de modo que os auto-valores do sis
tema total tendero a reproduzir os auto-valores de um poo isolado.
Como estamos considerando a concentrao de alumnio fixa e portan-
to o potencial da barreira, permanece sendo a largura dos poos a
nica varivel relevante.
Consideraremos, para efeito de discusso, sistemas com 2 e
3 poos para um dado campo eltrico de l07v/m e a largura dos po-
os de 30R.
56
Trs sequncias de diagramas so mostrados para diferentes
larguras das barreiras. Nos sistemas Lb=looR, mostrados na figura
4.9, possvel considerar os poos como isolados pois os nveis
quase-ligados em cada poo isoladamente, nos sistemas de 2 e 3
os, apresentam a mesma posio relativa como se apresentam os
po-

veis quase-ligados para poo nico da figura 4.4a. A diferena, por

tanto, entre os nveis quase-ligados dos poos vizinhos devido ao
potencial do campo que rebaixa a origem de cada poo de potencial
conforme suas posies, na quantidade eFd, onde d e a distncia efe-
tiva desde a origem do primeiro poo at aquele em que se est in-
teressado.
I Para as larguras de poo Lb=50R mostrados na figura 4.10,
os nveis quase-ligados ainda apresentam um comportamento semelhan-
te aos sistemas com Lb=looR. Entretanto, devido s barreiras serem
mais estreitas, proporcionando urna maior superposio entre as fun
oes de onda de portadores em poos vizinhos, ocorrem pequenas dife
renas na energia dos nveis de forma que eles no se repetem uni-
formemente em cada poo. Para os sistemas com a largura das barrei-
ras Lb=30R mostrados na figura 4.11, todas as caractersticas dos
dois ltimos sistemas so perdidas de forma que a superposio das
funes de onda e os efeitos de tunelamento tornam-se significati-
vos. Isto se manifesta principalmente, na determinao dos estados
quase-ligados para eltrons cujos nveis no apresentam nenhuma uni
formidade.
58
a)
.79
.43
-228
180 130
-----~~~---
120 80 90
.
LIA!
30
-1900
:::;~1j:E-"190Ife
---:i942"--
o
~ i?
!
lU
-1983
b)
o
-113
-228 -242
-378
;; -'631
~ I I -1716
iij
-'823
-2U3
-2133
o 30 60 90 120 IllO
LIAI
180 210 240 270 300
Fig. 4.9: Diagrama das bandas de conduo e de valncia
com os nveis quase-ligados e primeiros virtuais para Lb=looR. a)
Dois poos acoplados; b) Trs poos acoplados. Ambos os sistemas a)
e b) na presena de um campo eltrico de l07v/m. As linhas trace-
jadas indicam nveis virtuais.
".
a)
,41
-112
-198
-228
59
b)
o
-1933
o
"1959
90 120
-228
-2013
o 30
eo 80
LIA)
120 leo 180
Fig. 4.10: Diagrama das bandas de conduo e de valncia
com os nveis quase-ligados e virtuais para Lb=50R sob ao de um
campo eltrico de 107V/m. a) Dois poos acoplados; b) Trs poos
acoplados. As linhas tracejadas indicam nveis virtuais.
a)
60
-104
-47
-179
-m
b)
"1913
o ~ ----. -I~
o 30
.
LIA)
60 90
-228
-16:51
-1823
-1932
-1973
o 30
-1967
---------
60 90
LIA)
120
Fig. 4.11: Diagrama das bandas de conduo e de valncia
com os nveis quase-ligados e virtuais para Lb=30R sob ao de um
campo eltrico de l07v/m. a) Dois poos acoplados; b) Trs poos
acoplados. As linhas tracejadas indicam nveis virtuais.
Conclumos, ento, que barreiras de AlGaAs com larguras
da ordem de looR so suficientes para desacoplar os poos qunticos
num sisterrade N poos. Neste caso, todos os poos possuem a mesma es
trutura de nveis ressonantes quase-ligados, de modo que, ao invs
de tratarmos um sistema com N poos cujas barreiras so suficiente
mente largas, consideramos o sistema formado por um nico poo qun
tico. Esta propriedade dos poos qunticos ser utilizada na seo
a seguir para calcular os nveis ressonantes de eltrons e buracos
num sistema de mltiplos poos com a finalidade de obter a energia
de transio do par eltron-buraco e comparar com os resultados de
eletroreflectncia e fotoluminescncia de Klipstein et ai. (6). An-
tes, porm, de fazermos a comparao com a experincia, mostramos
nas figuras 4.12-4.14 as posies dos nveis ressonantes quase-liga
dos, primeiros nve:is virtuais de eltrons e buracos em funo do
nmero de poos onde temos considerado trs larguras de barreira di
61
ferentes. Da mesma forma, como nas figuras 4.9-4.11, queremos
trar a influncia da largura das barreiras na determinao dos
mos-
~
nl.-
veis de energia. Trabalhamos com sistemas de 1 a 4 poos qunticos
onde em todos os casos tomamos novamente a largura dos poos igual
a 30R.
Verificando o diagrama (ver figura 4.l2a) para os nveis
de eltron no caso das larguras das barreiras serem de 30R, nota-
mos uma razovel variao na estrutura dos nveis medida que cre~
ce o nmero de poos N de modo que esta no se repete no mantendo as
posies dos nveis anteriores. Assim, um sistema com Lb=30R para
N>2 j apresenta nveis no estacionrios que diferem em energia
alm do termo constante do campo e portanto apresentam energias de
recombinao dos pares eltron-buraco diferentes de poo a poo. Is
to implica em propriedades ticas diferentes e este sistema no po-
de ser tratado como um sistema de poos isolados.
.. -0.1
>
li
....
w
-0.2
2
N
3 4
a)
Fig. 4.12: Diagrama dos nveis no estacionrios como fun
ao do nmero de poos para sistemas com Lp=30~eLb=30~ na configu-
rao 57:43 na presena de um c~po eltrico de l07v/m. a) nveis
de eltrons; b) nveis de buraco. As linhas tracejadas indicam n-
veis virtuais e as cheias nveis quase-ligados.
a)
0.0
-0.1
>

--
1IJ
-Q2
-0.3
-0.4 L..---' .
I
G3
2
N
3 4
Fig. 4.13: Diagrama dos nveis no estacionrios como fun-
ao do nmero de poos para sistemas com Lp=30~eLb=50R na configu-
rao 57:43 na presena de um campo eltrico de l07v/m. a) n-
veis de eltrons; b) nveis de buraco. As linhas tracejadas indicam
nveis virtuais e as cheias indicam nveis quase-ligados.
0.0
-0.1
-0.2
--
>

...
LlJ -0.3
-0.4
-o.~
--
-
a)
-os I , I
Nos sistemas com as larguras das barreiras iguais a soR e
lOO~ a estrutura outra, a medida que aumentamos o nmero de po-
os os nveis se repetem seguidamente apenas defasados devido ao po
tencial constante do campo eltrico. Para Lb=50R (figura 4.13) h
ainda uma pequena diferena nas energias e os nveis no se repetem
un~formemente conf~rme j havamos discutido. Para Lb=looR (figura
4.14) os nveis tanto virtuais como quase-ligados se repetem unifor
memente conforme cre~ce o nmero de poos. Isto significa que em
sistemas com Lb ~looR as partculas esto realmente confinadas nos
poos qunticos com uma probabilidade de tunelamento muito pequena.
65
No entanto, cabe ressaltar que os nveis quase-ligados para
bura-
cos em qualquer dos trs sistemas tomados, Lb=30~, 50~ ou lOO~, se
repetem uniformemente com o aumento do nmero de poos independente
da largura das barreiras. Esse comportamento devido ao coeficien-
te de transmisso para buracos ser muito pequeno, as funes de on
da penetram muito pouco na~ barreiras contrariamente ao comportamen
to dos eltrons. Assim, uma barreira de 30R se torna to boa como
uma de lOO~ para impedir o tunelamento dos buracos.
Este fato est ligado relao entre as massas efetivas
dos portadores e respectivas barreiras de potencial
enbutidas no
parmetro relevante KL onde K o vetor de onda e L a largura da
barreira. Para um caso simples de tunelamento via uma barreira qu~
drada temos que KhL > KeL e o coeficiente de transmisso T~e-2K~
de forma que o coeficiente de transmisso para os buracos ser me-
nor do que para os eltrons justificando a pequena probabilidade de
tunelamento e consequente repetio dos nveis ressonantes quase-li
gados para o caso dos buracos mesmo diante de uma barreira to es-
treita quanto 30R.
4.2.4 - Comparao com alguns resultados experimentais
Nesta parte, faremos a comparao de nossos resul-
tados para recombinao dos pares eltron-buraco sob ao de um cam
po eltrico com os resultados experimentais de fotoluminescncia
(PL), fotolurninescncia excitante (PLE) e eletroreflectncia (ERS)
obtidos por Klipstein et aI. (6) em sistemas de poo nico e mlti-
pIos poos qunticos de AI Gal As-GaAs. As amostras investigadas x -x
em sua experincia possuiam para um sistema de poo nico uma con-
centrao de alurnInio x variando uniformemente de 0,2, perto do po-
o, para 0,4 nas bordas das barreiras; e para o sistema de mlti-
pIos poos uma concentrao de alumnio fixa de O,4em cada barrei-
ra AI Gal As. O campo eltrico era controlado aplicando-se entre x -x
os eletrodos das estruturas urna tenso reversa, onde uma voltagem
de 2V produzia um campo aproximado de 20KV/cm.
Os resultados experimentais para o sistema de poo nico,
obtido pela anlise do espectro de eletroreflectncia mostram tran-
sies eltron-buraco pesado at nvel 2 e transies eltron-bura-
co leve somente entre o primeiro nvel. As energias de transies
podem ser vistos na tabela 4.2 juntamente com nossos resultados te
ricos utilizando-se a configurao 85:15.
TRANSIO ERS
PL PLE NOSSO
ENERGIA (eV)
ENERGIA (eV) ENERGIA (eV) ~TODO(eV)
E (1)-HH (1)
1,463
-
-
1,45667
Temperatura E (1)-LH (1)
1,476
-
- -
ambiente
E(2)-HH(2)
1,556
-
-
1,55741
Temperatura
E(l)-HH(l)
1,557 1,547
1,559
1,55238
do Hlio
E (1)-LH (1)
1,568 1,571
-
-
E(2)-HH(2)
1,654
-
-
1,65341
Tabela 4.2: Energias de transio eltron-buraco para poo
nico com os parmetros: Ve=O,2l25eV, Vh~O,0375eV, m*=O,07m e m*h = e o
O,45m . E(n), LH(n) e HH(n) so respectivamente as posies dos n-
o
veis de eltron, buraco leve e buraco pesado.
66
Nossos resultados, como mostrados na Tabela 4.2., compreen
dem somente transies eltron-buraco pesado. utilizamos para o gap
do GaAs os valores 1,423eV e I,SIgeV, na temperatura ambiente e do
hlio, respectivamente.
Para o sistema de mltiplos poos Klipstein et alo mostra-
ram haver transies eltron-buraco pesado at nvel 4. Nossos re-
sultados foram obtidos fazendo a aproximao para um sistema de um
poo quntico conforme prvia discusso na seo anterior. Os resul
tados juntamente com os resultados experimentais podem ser vistos
na tabela 4.3.
TRANSIO
ERS
PLPLE NOSSO
ENERGIA (eV)
ENERGIA (eV) ENERGIA (eV) (eV)
E (1)-HH (1)
1.455
-
-
1.46283
E (1)-LH (1)
-
-- -
Temperatura
E(2)-HH(2)
1.534
-
-
1.58c;O?
,
ambiente
E(3)-HH(3)
1,667 1.77135
-
-
E (4)-HH (4)
1,841
-
-
1 Q":tQl:;
E (1)-HH (1)
1.544 1.541 1 54c;
1.55884
Temperatura
E (1)-LH (1)
(1,556)
- 1,556 -
E(2)-HH(2)
1,622
- 1,632
1,68102
"do hlio
E(3)-HH(3)
1.759
- 1.761
1.8671C;
E (4)-HH (4)
1.930
- 1.926
2 03517
Tabela 4.3: Energias de transio eltron-buraco para ml-
tiplos poos qunticos com os parmetros: Ve=0,425eV, Vh=0,075eV,
m*=0,07m e mh*=0,45m . E(n), LH(n) e HH(n) so respectivamente as e o o
posies dos nveis de eltron, buraco-leve e buraco-pesado.
Como podemos ver os resultados tericos obtidos pelo nosso
modelo simples tm boa concordncia com os resultados experimentais
61
de eletroreflectncia, fotoluminescncia e fotoluminescncia exci-
tante, especialmente em sistemas de poo nico. A discrepncia, en
tretanto, entre os resultados tericos e experimentais pode ser a-
tribuida imprecisa determinao do campo eltrico e incerteza nos
parmetros tais como as massas efetivas e a concentrao de alum-
nio.que tambm contribuem, em parte, para as diferenas apresenta-
das. Alm de no estar sendo considerado o efeito de superposio
das funes de onda para os estados de maior energia pelo fato de
utilizarmos a aproxiroaao de poo nico.
Embora a configuraao 57:43 seja a mais aceita para as dis
continuidades das bandas, os parmetros utilizados em nossos clcu-
los tericos, em ambos os sitemas usados experimenta~ente, obede-
cem a configuraao 85:15 alm de que Klipstein et alo discutem que
a configuraao 75:25 tambm poderia ser uti.lizada para ajustar suas
energias de transio.
~
CAPITULO V
TUNELAMENTO RESSONANTE EM SUPER-REDES FINITAS SEMICONDUTORAS DE
ALGAAs-GAAs.
69
o diodo tunel, descoberto por L. Esaki na dcada de 50,
foi um dos primeiros dispositivos eletrnicos que operava baseado
no efeito quntico de tunelamento por parte dos portadores, atravs
de uma juno pn semicondutora.
o diodo tunel tem sua importncia ainda maior pois, confor
me atesta L. Esaki (85), os estudos dos mecanismos de transporte nas
junes pn motivaram uma srie de pesquisas que culminaram, na dca
da de 70, na proposta original de L. Esaki juntamente com R. Tsu,
da super-rede semicondutora.
Em 1973, ento, R. Tsu e L. Esaki(lO)propuseram um modelo
terico unidimensional para investigar as propriedades de transpor-
te de uma super-rede formada por camadas semicondutoras de A1GaAs-
GaAs intercaladas, dando origem a um sistema peridico de poos e
barreiras de potencial.
As hipteses bsicas de seu modelo terico sao:
(1) Cada barreira ou poo de potencial deve conter um nmero sufici
ente de subcamadas atmicas para que a aproximao de massa efetiva
seja aplicvel em cada regio;
(2) Os portadores so descritos por uma relao energia-momento da
forma quadrtica;
'tO
(3) A diferena na massa efetiva de camada para camada desprezada;
(4) Mesmo sob ao de uma voltagem aplicada as camadas de A1GaAs e
GaAs so modeladas por um potencial de barreiras e poos de intensi
dade uniformes;
(5) O transporte de carga feito predominantemente por eltrons
desde que 85% da diferena entre as energias dos gaps entre os dois
materiais destina-se banda de conduo;
(6) A dopagem pequena e as camadas suficientemente finas para que
os efeitos de deplexo de cargas no sejam pronunciadas;
11
(7) O campo eltrico externo distribui-se uniformemente ao longo
das camadas;
(8) O livre caminho mdio dos portadores longo o suficiente de mo
do que atravessam muitos perodos da super-rede sem perder a coern
cia devido ao espalhamento.
(9) Nenhuma fonte ou sumidouro existe nas camadas intermedirias;
(10) A corrente resulta de transferncias entre estados que obede-
cem a estatstica de Fermi-Dirac.
Com estas hipteses, desenvolveram um formalismo de Matriz
transferncia considerando o tunelamento de um sistema finito de
multi-barreiras para obter o Coeficiente de Transmisso em funo da
energia longitudinal do eltron incidente e dos parmetros da super
-rede. Consideraram no processo de tunelamento a conservao do mo
mento paralelo e da energia total formada por uma componente parale
la e uma na direo ao longo do eixo de crescimento da super-rede:
(5. 1)

Sob ao de uma voltagem externa o modelo readaptado e

as barreiras so rebaixadas urna em relao a outra simulando a pre-
sena de um campo eltrico constante. O Coeficiente de Transmisso
no caso geral ento obtido em termos dos elementos damatriztrans
ferncia. Mostraram, para estruturas formadas por duas, trs e cin-
co barreiras, indcios da formao de minibandas de energia medi-
da que o nmero de barreiras aumentava e que picos no Coeficiente
de Transmisso ocorriam para eltrons com uma dada energia ressonan
te. Na seo 5.2 discutiremos com mais detalhes este modelo aproxi-
mado.
Chang, Tsu e Esaki(ll) foram os primeiros a obter evidn-
cias experimentais acerca do tunelamento ressonante num sistema de
dupla barreira de AIGaAs-GaAs discutido no captulo III. A curva
IxV mostrava, para determinados valores de voltagem, um mximo na
corrente o que era associado a efeitos de tunelamento ressonante,
pois para aquela voltagem a energia do eltron incidente correspon-
dia energia de um estado quase-ligado do sistema.
Esse efeito de tunelamento ressonante em sistemas de dupla
barreira s teve sua confirmao definitiva cerca de dez anos mais
tarde com as medidas experimentais de Sollner et alo (12), com amos-
tras sensivelmente melhores. Obtiveram um resultado que acentuava
marcantemente a regio de resistncia negativa da curva caracters-
tica IxV.
A experincia de Sollner et aI., que demonstraram a viabi-
lidade de se aplicar as propriedades dessas heteroestruturas : semi
condutoras em vrios circuitos ressonadores e amplificadores princi
palmente na faixa. de comprimento de ondas milimtricas e submilim-
tricas despertou imediatamente o interesse na investigao dos fen
menos de tunelamento nestes dispositivos.
Nosso trabalho consiste no desenvolvimento de um formalis-
mo terico geral para o clculo do Coeficiente de Transmisso em
sistemas de super-redes finitas reformulando algumas das hipteses
bsicas de Tsu e Esaki que julgamos relevante na descrio dos pro-
cessos de tunelamento ressonante.
Embora as hipteses (3) e (4), formuladas por Tsu e Esaki
sejam um pouco irrealistas, foram presumivelmente usadas por causa
da grande simplificao na obteno dos resultados. A hiptese (3)
que consiste em tomar massas iguais nos diferentes tipos de cama-
das da super-rede implica num tunelamento especular (isto , na
continuidade da funo de onda e da sua derivada) levando em conta
de modo errneo a conservao da corrente. A hiptese (4) permite-
nos expressar as funes de onda, e portanto o Coeficiente de Trans
misso, em termos de funes exponenciais. Embora isto seja certo
para um sistema de barreiras uniformes sem nenhuma perturbao ex-
terna devemos levar em conta na soluo da Equao de Schroedinger
o potencial criado quando uma voltagem externa aplicada e isso se
expressa na inclinao de toda a banda de conduo e no no rebaixa
mento das barreiras uma em relao a anterior como foi suposto (ver
figura 5.2). A hiptese (5) de menor interesse tambm foi usada por
que.acreditava-se que a melhor configurao entre as distribuies
das bandas de conduo e de va1ncia era a de 85:15. No entanto tra
balhos mais recentes sugerem que a mais apropriada seja a de 60:40.
o objetivo deste captulo pois apresentar um Mtodo que
descreva o tunelamento atravs de um sistema de multi-barreiras fini
tas reformulando as hipteses bsicas (3) e (4) e considerando am-
bas as configuraes 85:15 e 57:43 para efeito de comparaao.
Referente hiptese (3) consideraremos em cada interface
da heteroestrutura, alm da continuidade da funo de onda a conti-
nuidade do fluxo de corrente (l/m* d~/az) ao invs da continuidade
da derivada. No que diz respeito reformulao da hiptese (4) con
sideraremos a soluo exata da Equao de Schroedinger em termos
das funes de Airy incluindo o potencial linear devido ao campo e-
ltrico constante nas vrias regies de poos e barreiras. Esta mo
dificao importante principalmente para altas voltagens aplica-
das.
Com as novas condies de contorno e usando o Mtodo da Ma
triz de Iterao obtemos o Coeficiente de Transmisso em funo da
energia longitudinal do eltron incidente para certos parmetros co
mo: o nmero de barreiras (N), altura das barreiras de potencial
(Vo)' posies de cada interface (zn)' massas efetivas diferentes
*
do eltron nas barreiras e poos (m; e mp) e a magnitude do campo e
ltrico (F). Como caso particular estudaremos as propriedades de
transporte em sistemas de dupla barreira que tem sido objeto de in-
vestigaes experimentais.
Vassell et aI. (86) obtiveram tambm o Coeficiente de Trans
misso considerando as diferentes massas efetivas do eltron em seu
movimento tridimensional pelas camadas semicondutoras de uma super-
rede finita via soluo numrica da Equao de Schroedinger. Trata
-se pois de um procedimento totalmente computacional.
Para efeito de comparao apresentaremos tambm nosso cl-
culo no modelo aproximado de Tsu e Esaki onde consideramos o rebai-
xamento das barreiras de potencial ao invs do efeito de inclinao
devido ao potencial do campo eltrico e as massas efetivas diferen-
tes em cada camada.
No final deste captulo aplicaremos nosso formalismo exato
para o clculo da densidade de corrente de tunelamento em um siste-
ma de dupla barreira. Os resultados temperatura zero e 770K sao
mostrados e comparados com recentes medidas experimentais (13)
5.1 - TRANSMISSO ATRA'Vt;SDE MULTI-BARREIRAS: FORMALISMO GERAL.
Nesta seo apresentaremos um formalismo geral, baseado no
Mtodo de Matriz de Iterao'desenvolvido no captulo anterior, pa
ra um sistema de N barreiras acopladas sob ao de um campo eltri-
co constante. O clculo bastante sensvel variao espacial da
massa, s posies de cada interface e altura das barreiras de po
tencial, o que nos possibilita estudarmos as heteroestruturas em am
bas as configuraes 85:15 e 57:43, com as larguras de cada barrei-
ra e poo dadas.
A energia potencial de uma super-rede com N barreiras sob
aao de um campo eltrico, com perfil linear, pode ser escrita como
o
para z<O,
-eFz
~
para O<z<L, se n lmpar
Vn(z)
=
\ (5.1.1)
V -eFz
se n par
o
-eFL
para z>L,
'l5
com n=2,3, ... ,2N; L a largura total da super-rede; N o nmero de
barreiras; F a magnitude do campo eltrico e V a altura das barrei
o
ras de potencial.
o diagrama da energia potencial esquematizado na figura
5.1.
\!'L
E Tlfi""",,,,.f:.UJJJr I ;J? d"U ~_L. ~_. I I
1'0
... ~. .1. . _~ ._~ ~-~~-~= : :. -~ :.~. _ . , _
Fig. 5.1: Energia potencial de uma super-rede com N barrei-
ras sob ao de um campo eltrico constante.
A alta concentrao de dopantes nos eletrodos n+GaAs faz
com que a energia de Fermi Ef nestas regies encontre-se acima do
mnimo da banda de conduo significando a existncia de nveis ele
trnicos preenchidos. Esses eltrons tm ento condies de incidir
nas barreiras de potencial localizadas em zl e z2N iniciando um pro
cesso de tunelamento ressonante e consequentemente um transporte de
carga pela super-rede.
As funes de ondas nas regies z<O e z>L so expressadas
na forma:
e
= (5.1.2)

)
(5.1.3)
onde
] 1/~
Kt
= [ 7.. M'\; E. / i\'2J
e
LI?
k L :: [Z fYYt; (I VL I + E ) / t?,] .
(5.1.4)
(S.1.S)
R e T so, respectivamente, as amplitudes de Reflexo e
Transmisso das ondas refletida pela primeira barreira e transmiti
da atravs da super-rede.
As funes de onda nas camadas internas da estrutura, de
uma forma geral, podem ser escritas como uma combinao linear das
funes de Airy Ai{z) e Bi{~) na forma
onde
)
(S.1.6)
E/eFI
p
-{Vo-E)/eFlb
..
para n lmpar
para n par,
(5.1.7)
Ip=(n2/2m~ eF)1/3
Ib=<2/2mb eF)1/3
..
para n lmpar
para n par,
(S.1.8)
m* =
n
m*
p
m*
b
~
para n lmpar
para n par
(5.1.9)
e o indice n variando de 2 at 2N.
Pelas condies de continuidade das funes de onda e do
fluxo de corrente em cada interface interna, temos
::.
(5.1.IDa)
e
=
(5.1.10b)
onde agora o ndice n varia de 2 at 2N-1.
Substituindo ~n(z) (Eq. 5.1.6) nas Equaes (5.1.10) obte-
mos uma relao na forma matricial entre os coeficientes das fun-
es de Airy An' Bn' An+l e Bn+l
( A~) = Mn (A n+J. ) B'Y1, B1\+i
onde
com
(5.1.11)
J (5.1. 12'J
(5.1.13)
e
(5.1.14)
18
o<.n+1 = - ('nll'(l+1 + C,"-l )
M a Matriz de Iterao de ordem dois para um sistema de
n
super-rede idntica obtida no captulo IV para o problema de ml-
tiplos poos acoplados.
A relao entre os coeficientes na primeira barreira para
com os da ltima barreira ento dada por:
( A2. ) = M2.M~ ... M~.l ( A'1.tI) B~ B~
(5.1.15 )
Pelas condies de continuidade nas interfaces externas,
em z=O e z=L, utilizando as funes ~i e ~L (Eqs. 5.1.2 e 5.1.3),
obtemos:
(5.1.16)
e
com
(5.1.17)
p = (5.1.18)
Q : 'J(
e
J (5.1.19)
19
y = -L/i +8
b
Atravs das identidades matriciais (Eqs. 5.1.15, 5.1.16 e
5.1.17) construmos urnaexpresso geral que relaciona R e T, da qual
obtemos o Coeficiente de Transmisso como funo da energia na dire
o z do tunelamento e dos parmetros do sistema. Assim,
~L'l. ) ( T ) ctZ'l. O
(5.1.20)
onde
A amplitude de transmisso T ento dada por
(5.1.2I)
(5.1.22)
o Coeficiente de Transmisso calculado fazendo-se a mul-
tiplicao de T pelo seu complexo conjugado T* e pelo f~tor (kt/ki)
(5.1.23)
5.2 - O MODELO APROXIMADO DE TSU E ESAKI: O POTENCIAL ESCADA.
Apresentamos o modelo aproximado de Tsu Esaki, que denomi-
namos de potencial escada, onde as barreiras quadradas so simples-
mente rebaixadas de um valor constante para simular o efeito do cam
po eltrico.
o diagrama da energia esquematizado na figura 5.2
80
Vo
. ..
. -I.

Fig. 5.2: Energia potencial no modelo aproximado de super-
rede sob ao de um campo eltrico
A soluo geral da Equao de Schroedinger neste caso,
obviamente bastante simples e dada por
..
e
onde
,
(5.2.1)
[(2mb*/n2 (V)] 1/2 n-E
~
para n l.mpar
para n par e E>V
n
para n par e E<V
n
(5.2.2)
e
v =
n
-(n-l)V/2
v - (n-2L~V /2
o
~
para n lmpar
para n par,
(5.2.3)
com o indice n 1.2" ,lN+l e V=(FXZ2N)/N, N o nmero de bar
reiras.
A matriz ~TE, no modelo aproximado de Tsu e Esaki, assume a
forma:
onde
~TE =
?tJ
'T (5.2.4)
L"t\. =
(5.2.5)
o Coeficiente de Transmisso, da mesma forma como na seao
anterior, dado pela expresso:
Este modelo constitui uma boa aproximao no limite de cam
pos baixos dnde a inclinao da banda de conduo pequena e o e-
feito de rebaixamento das barrei~as reproduz muito bem a situao
real do potencial quando um campo aplicado.
5.3 - DISCUSSO DOS RESULTADOS
Nesta seo apresentaremos nossos resultados do Coeficien-
te de Transmisso em super-redes finitas de AlGaAs-GaAs nas configu
raes 85:15 e 57:43 usando, para efeito de comparao, os modelos
de potencial linear e do tipo escada.
A figura 5.3 apresenta os resultados do Coeficiente de
Transmisso em funo da energia do eltron incidente para sistemas
com duas, trs e cinco barreiras na ausncia de campo eltrico e
uma concentrao de alumnio de 35% onde as larguras dos poos e bar
reiias so, respectivamente, Lb=20R
e L =50R.
P
<li
li>
li
Z
'!'
=
!:i ~
~o ~~'" z~ ...J'"
li>
'"
.,;.
':'
:
.;
':'
I.mm
.12 ,24 . 36
ENERGIA (EV)
-
a)
,
'"
li>

I
..;

I
~ ~
,
...
o ... ~.
z ...J';
I
.,;.
.':"
'"
'"

':'
o.om
.12 .24 .36
ENERGIA (EV)
8
b)
.60
parmetros: m*=O,0665m , mb*=O,096
p o
m , V =O,26geV, L =50R, Lb=20R e
o o p
x=35%. a) Sistema com duas barrei
Fig. 5.3: Coeficiente de transmis
so em funo da energia do ele-
tron incidente na configurao
nulo.
57:43 para campo eltrico

"
'"
SI
..
..
'"
li>
'"

'"
. U .12 .24 .36
ENERGIA (EV)
.60
ras; b) Sistema com trs barreiras;
c) Sistemas com cinco barreiras
Note que as energias ressonantes para o caso de barreira
tripla (Fig. 5.3b) aparecem em dubletos, e que para o caso de bar-
reiras quntuplas se abrem em quadrupletos. Para N barreiras haver
(N-l) picos surgindo no Coeficiente de Transmisso onde cada largu-
ra de linha grosseiramente determinada pela probabilidade de tun~
lamento em cada barreira. No limite de N tender a infinito o modelo
se aproxima de um modelo de bandas com a formao de minibandas de
energia separadas por minigaps da mesm~ forma que o modelo de Kronig
-penney para potenciais peridicos interatmicos.
As figuras 5.4 e 5.5 mostram os Coeficientes de Transmis-
sao nas configuraes 57:43 e 85:15 para duas, trs e cinco barrei
ras na presena de um campo eltrico considerando nosso modelo de
potencial linear.
s
S
l5l
SI
lSI
'"
SI
s
'f
""'
t- . t-
'-'s
Z -' .
m

~
'"
l5l
10 ..011
.11il .20 .30
ENERG1A (EV)
50
Fig. 5.4a: Coeficiente'de Transmisso em funo da energia
do eltron incidente para sistema dom duas barreiras sob ao de um
campo eltrico de l07v/m na configurao 57:43. Parmetros m*=
p
O,0665mo' mb=O,096mo' Vo=O,26gev, Lp=5oR, Lb=20~ e x=35%.
Sq
s
o
lD
, ,-.,
r-' .... ~
zg -.J. ~
S
~.,
N.
o
li>
'". 0.0
.20 .30
ENERGIA (EV)
q\l .50
Fig. 5.4b: Coeficiente de Transmisso em funo da energia
do eltron incidente para sistema com trs barreiras sob ao de um
campo eltrico de l07v/m na configurao 57:43. parmetros: m*=
p
O,0665m , mb*=O,096m , V =O,26geV, L =50R, Lb=20R e x=35%.
o o o p
1
.50
,
.10
o
o
'f'
,-.,
.... . l-
'-'o
Z'" ...J
cn
""
G
N.
o
s
'" 7+
.00
I f
.20 .30
ENERGIA (EV)
Fig. 5.4c: Coeficiente de Transmisso em funo da energia
do eltron incidente para sistema com cinco barreiras sob ao de
um campo eltrico de l07v/m na configurao 57:43. parmetros: m*=
p
O,0665m , mb*=O,096m , V =O,26geV, L =50R, Lb=2oR e x=35%.
o o o p
&5
5m
b)
.2m .~
ENeRGIA (EV)
, .1a
.,

10
a)
.1m
~
.;

.,
..
'"
'"
'" '"
t- o t- ~..
2"'
...JN

10
l!l

fi
':" .mm
reiras; c)Sistema com cinco bar-
parmetros: m*=O,0665m , ~*=
p o o
O,096m ; V =O,382eV, L =50R, Lb=
o o p
20R e x=35%. a)Sistema com duas
reiras.
barreiras; b)Sistema com trs bar
Fig. 5.5: Coeficiente de Trans-
misso em funo da energia do
eltron incidente para um campo
de l07v/m na configurao 85:15.
.2m .30'
ENERGIR (EVJ
..,
.,
..
.,
'"
7'
I
...
)
'"
ci
~
>- . t- ~'" zt~
....Je,
.,
.,
~
.,
..
1
. ,
,
.mm
.Im
Uma caracterstica especial, para os casos de campo nulo
(F=O) mostrados na figura 5.3, que devido simetria do potencial
o Coeficiente de transmisso para uma energia de ressonncia alcan
a a unidade independente dos parmetros largura e altura escolhi-
dos para as barreiras e poos do sistema.
Com a aplicao de um campo eltrico o primeiro efeito im
portante notado a quebra de simetria do potencial fazendo com que
os picos de ressonncia no Coeficiente de Transmisso tornem-se sem
pre inferiores a um, somente se aproximando da unidade para ener-
gias mais altas como demonstram as figuras 5.4 e 5.5. Dessa forma,
a assimetria do potencial causada pela ao do campo eltrico cria
condies de interferncia destrutiva parciais entre as componentes
da funo de onda transmitida e refletida nas interfaces internas
que no permitem a transmisso total pelas barreiras. Da mesma for
ma, tanto na configurao 57:43 como na 85:15, toda a caractersti-
ca de simetria dos nveis mostrada na figura 5.3 para campo nulo de
saparece.
Na figura 5.6 comparamos os Coeficientes de Transmisso
para o caso de cinco barreiras com um campo eltrico de lo7v/m obti
dos usando os modelos de potencial linear e potencial escada.
Os resultados apresentam boa concordncia somente nas re-
gies dos picos de ressonncia secundrios. Em relao ao primeiro
pico as suas posies em energia para os dois modelos encontram-se
bem separadas, da ordem de 20meV, e apresentam uma magnitude de pi-
co bem diferentes.
FI li! ,A !.
_,,"_". __.",,,_.~.,!i
7'"Cl AL LINEAR
S
Q
UJ
,
.....
~
..
I-
'-'
Z'"
...J~
cn
,
8'f
.1~ .213 .31ll
ENERG I A (~\O
QIll
Fig. 5.6: Comparao entre os Coeficientes de Transmisso
para os modelos de potencial lineare tipo escada mlr!l sistema.de cinco bar
reiras sob ao de um campo eltrico de l07v/m.
A figura 5.7 apresenta os resultados do Coeficiente de
Transmisso para as duas configuraes 85:15 e 57:43. Notamos clara
mente a forte dependncia do Coeficiente de Transmisso com a razao
do "band-offset".
Assim, a utilizao indevida da configurao afeta os re-
sultados para a densidade de corrente ressonante em comparao com
resultados experimentais.
88
,.
s ol
ai
s
s
i'

c? '"'
I- o I- ~ ... z'"'
-lN

...;
S
S
':"
.0rJ
.tlJ .20 .30
.ENERGIA CEV)
.Q0 .5rJ
Fig. 5.7: Comparao dos Coeficientes de Transmisso para
sistema com cinco barreiras sob ao de um campo eltrico de 107v/m
nas configuraes 85:15 e 57:43.
,
Um parmetro importante na caracterizao das amostras a
concentrao x de alumnio j que as massas efetivas e a altura da
se
barreira de potencial na banda de conduo dependem diretamente de
2
Vo=O,57(1,155X+O,37x . Portanto, a po
x (m*=(O,0665+0,0835x)m e
e o
sio dos picos no espectro do Coeficiente de Transmisso devem
alterar para diferentes concentraes. Para observar esta dependn-
ci.amostramos na figura 5.8, para um potencial de dupla barreira, a
variao dos nveis quase-ligados e virtuais'em funo da concentra
o de alumnio nas camadas de A1 Ga1 As para os casos com campo . x -x
a)
b)
0,4 0,4
0,31- /
0,3 r /E2
EI
>
/
_____ EI .!! 0,2 ~
w
. 0,1
o
2~ 30 35 40
X (%)
4~
o
2~ 30 35 40
X (%)
E
45
Fig. 5.8: Nveis quase-ligados Eo e EI e nveis virtuais
E2 em funo da concentrao x de alumnio numa estrutura de dupla
barreira. Lp=60R e Lb=looR. a) Campo nulo; b) 4Xl06v/m.
A variao dos nveis E em funo da concentrao x
o
muito pequena, da ordem de lOmeV, tanto com campo aplicado como sem
campo como mostram a figura 5.8 para concentraes desde 25% at
45%. Por outro lado, as curvas dos nveis El e E2 variam bastante,
da ordem de 70meV e IOOmeV, respectivamente, demonstrando a forte
dependncia das posies dos nlveis de maior energia com a concen-
trao de alumnio nas barreiras de AI Gal As. x -x
5.4 - A CORRENTE DE TUNELAMENTO RESSONANTE
Nesta seo apresentaremos a expresso da densidade de cor
rente em heteroestruturas de multi-barreiras.
Considere, por simpltcidade, a estrutura de barreira ni-
ca mostrada na figura 5.9.
Etf. .u_ .. - .. - .. -.- -
90
Ec.--------- - -- - - -- -.---
E.:O --------
.._..1.~~-___\..
.. - ..... -- ... - ..... -., EfA
- --.------------ "
Fig. 5.9: Sistema de barreira nica sob ao de um campo
eltrico constante. Efe e Efd so respectivamente as energias de
Fermi a esquerda e direita da barreira.
Tornamos E=O no mnimo da banda de conduo para o eletrodo
a esquerda da barreira de potencial. A quantidade eV=eFL a dife-
rena de potencial relativa aplicao do campo eltrico F.
A probabilidade dos eltrons ocuparem determinados estados
na banda de conduo em ambos eletrodos, esquerda e direita da
barreira, dada pela distribuio de Fermi
f (EJ =
.i
i + e( E - Ej ) / kT

(5.4.1)
A probabilidade total de termos um tunelamentodaesquerda
para a direita ento dada pela multiplicao da probabilidade de
encontrarmos um estado inicial ocupado do lado esquerdo f(E ), pela
e
probabilidade do eltron tunelar a barreira T*T(E ) e multiplicado
e
pela probabilidade de encontrarmos um estado final direita da bar
reira desocupado, [l-fd(Ee+eV)]. Temos ento,
(5.4.2)
A densidade de corrente da esquerda para a direita ento
dada pela multiplicao da corrente dos eltrons com urna velocidade
.- -+ -+ 3-+
v incidente pelo numero de vetares de onda p{K)dK = V/{2n) dK e
z
-+
pela probabilidade total Ped, integrado sobre todos os K possveis.
91
(5.4.3)
onde o fator 2 devido ao spin do eltron

Da mesma forma temos a corrente da direita para a esquerda

(5.4.4)
com
(5.4.5)
A densidade de corrente de tunelamento resultante obtida
a partir das expresses parciais Eqs. (5.4.3) e (5.4.4) substituin-
do as Eqs. (5.4.2) e (5.4.5) para Ped e Pde. Portanto,
Utilizando a relao
na expressao (5.4.6) da densidade de corrente, resulta em
(5.4.7)
J~:

(5.4.8)
Como j temos demonstrado (Seo 5.1) o Coeficiente de
Transmisso T*T(E ) uma funo da energia E somente, na direo
e z
do tunelamento, e dos parmetros da heteroestrutura. A energia
que aparece na expresso da densidade de corrente a energia total
do eltron incidente
(5.4.9)
Assim, substituindo as funes de Fermi e o Coeficiente de
- - - -+
Transm1ssao como uma funao de Ez' e fazendo a 1ntegraao em K" ob
temos para uma determinada temperatura T uma expresso para a densi
dade de corrente na forma,
No limite de baixas temperaturas as funes de Fermi trans
formam-se em funes degrau 8(x). A expresso (5.4.8) para a densi-
dade de corrente torna-se,
J~=
(5.4.11)
A expressao final para a densidade de corrente de tunela-
mento em T=OK
)
(5.4.12a)
para Ef>ev e
(S.4.12b)
)
5.5 - APLICAO PARA HETEROESTRUTURAS DE DUPLA BARREIRA
O objetivo desta seo mostrar nossos resultados para a
densidade de corrente em funo da voltagem utilizando o Coeficien-
te de Transmisso calculado pelo nosso Mtodo de Matriz de Iterao
e compararmos com os resultados experimentais de E.E. Mendez et aI.
(13). Neste sentido nosso trabalho pode ser visto como uma extenso
do clculo terico da curva corrente X voltagem do grupo da IBM.
Trataremos principalmente de trs amostras de AlGaAs-GaAs
formando uma dupla barreira. As duas primeiras amostras diferem em
relao largura do poo, apresentam em cada caso L =40R e L =60R,
p p
e possuem as mesmas larguras das barreiras Lb=looR. so estudadas
experimentalmente temperatura do hlio lquido e por ns, numa
aproximao, temperatura nula. Denominaremos essas duas primeiras
amostras pelas sequncias 100-40-100 e 100-60-100 as quais possuem
uma concentrao de alumnio de 40%.
A terceira amostra possui as larguras do poo e das barrei
ras iguais a 50R e estudada temperatura do nitrognio lquido.
A concentrao de alumnio nas barreiras de AIGaAs de 35%, denomi
namos esta estrutura de 50-50-50.
~ interessante mostrar para estas estruturas os nossos re-
sultados do Coeficiente de Transmisso, bem como o diagrama de ener
gia equivalente nas figuras 5.10, 5.11 e 5.12.
~
,..
"
61
q-
1"""\
~ I- 1..J61
zl5l
...J";
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.,
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":'
.00
.1'
.<'0 .30
ENERGIA CEV)
.40 .50
296
40
o
-144
E
F
AIGoAs-GoAs-AIGoAI F'60 I'.V/em I b)
o 100
LIA)
200
Fig. 5.10: Estrutura de dupla barreira 100-40-100 sob aao
de um campo eltrico de 6Xl06v/m. parmetros: m*=0,0665m , n*=O,lOl
p o n
m , V =0,296eV e x=40%. a)Coeficiente de Transmisso X energia do
o o
eltron incidente; b) Energia potencial mostrando a existncia de
um nvel quase-ligado e o primeiro nvel virtual correspondentes
aos dois primeiros picos no Coeficiente de Transmisso da parte a).
95
lSl
S
l'
,
s

::l'
,..,
I-
. I- ,"-,51
ZS -l":
'"
,
l!'
19
l
r:-
eg
lSl
Ifi
':'
.(J(,J
.10 .20 .30
ENERGIA CEV)
.Q0 .50
AIGoAs-GoAI-AIGoAI Fa40lw/cm I b)
296
>
u
.
L
o
-104
o 100 200 300
de
Fig. 5.11: Estrutura de dupla barreira 100-60-100 sob aao
. 6 ..
de um campo eletrico de 4XIO V/mo Parametros: m*=0,0665m , mb*=O,lOl
p o
a) Coeficiente de Transmisso X energia do m , V =0,296eV e x=40%.
o o
eltron incidente~ b) Energia potencial mostrando a existncia
dois nveis quase-ligados e o primeiro nvel virtual corresponden-
tes aos trs primeiros picos no Coeficiente de Transmisso da parte
a)
s
c:l
S
N
.l~ .2g .3r.!
ENERGIA (EV)
.5~,
Fig. 5.12: Coeficiente de Transmisso em funo da energia
para uma estrutura de dupla barreira 50-50-50 sob ao de um campo
eltrico de 3Xl06v/m com os parmetros: m*=0,0665m , ~*=0,096m ,
p o o o
V =0,26geV e x=35%. As posioes em energia para os dois primeiros
o
picos so respectivamente El=0,055ev e E2=0,253eV.
A figura 5.10 para a 'estrutura 100-40-100 apresenta somen-
te um nvel quase-ligado que se encontra justamente entre zero e a
energia de Ferroi possibilitando, conforme nossas discusses anterio
res, o processo de tunelamento ressonante causando um aumento na
corrente de tunelamento. Entretanto, para este sistema a largura do
poo de 40R no permite a existncia de mais um nvel quase-ligado e
portanto a corrente deve apresentar somente um pico medida que a
voltagem aumenta.
Temos considerado uma densidade de impurezas nos eletrodos,
da ordem de 1018/cm3, o que acarreta numa energia de Fermi Ef=40me~
Para a estrutura 100-60-100, mostrada na figura 5.11, ve-
mos claramente a existncia de dois picos de estados quase-ligados.
o primeiro nvel encontra-se justamente na faixa de energia (O~~Ef)
por onde os eltrons vindos do eletrodo emissor tem a maior probabi
lidade de serem transmitidos via tunelamento ressonante. Com o au-
mento gradativo do campo eltrico, o nivel do segundo estado quase-
ligado vai sendo rebaixado at que, para um determinado valor de
campo, o nivel se encontra na mesma altura da energia de Fermi, dan
do origem novamente ao tunelamento ressonante. A corrente de tunel~
mento para este caso, portanto, dever apresentar duas regies de
mximo com duas regies de resistncia negativa. A mesma anlise po
de ser aplicada para interpretar os resultados na estrutura 50-50-50.
At agora temos apenas conjecturado sobre a formao da
curva caracterstica IxV baseado em nossas discusses anteriores do
processo de tune1amento ressonante. Uma verificaao preliminar mo-
tivada pela simplicidade do clculo determinar o Coeficiente de
Transmisso em funo da voltagem desde que experimentalmente o que
se realiza manter fixa a energia do eltron incidente e variar a
voltagem verificando-se o comportamento da corrente. Para tanto, u-
tilizando-se do nosso Mtodo de Matriz Iterao, fixando uma ener-
gia dentro da faixa entre zer,o e a energia de Fermi para os eltrons
incidentes, podemos variar a voltagem do mesmo modo como E.E. Mendez
et a1. procederam na anlise de seus resultados experimentais. Nos
sos resultados esto apresentados nas figuras 5.13 e 5.14 para as
estruturas 100-40-100 e 100-60-100.
A curva para o Coeficiente de Transmisso no caso da amos-
tra 100-40-100 com a energia dos eltrons incidentes fixaemO,007eV
apresenta claramente um pico na posio de 0,186eV bem defasada do
resultado experimental de 0,259O,002V observado por E.E. Mendez et
a1. Acreditamos que os efeitos do deslocamento dos estados virtuais
e no um processo de tune1amento atravs deles bem como processos
de espa1hamento nas barreiras, sejam responsveis pelas oscilaes se
cundrias observadas para voltagens maiores.
No caso da estrutura 100-60-100, com a energia dos eltrons
incidentes fixa em O,015eV (ver figura 5.14), ocorrem dois picos
91
bem pronunciados no Coeficiente de Transmisso para as voltagens
O,0965Ve O,447V em melhor concordncia com os resultados experimen
tais de O,115O,015V e O,455O,025V do mesmo grupo de E.E. Mendez
et alo
-8
0.186 V
98
-12
-16
-
~

~ -
C> o..J
-20
-24
-28
-32
o 0.2 0.4
V(V)
0.6 0.8
..
1.0
Fig. 5.13: Coeficiente de Transmisso em funo da volta-
gem aplicada para uma estrutura 100-40-100 com a energia dos el-
trons no eletrodo emissor fixa em 7meV.
,
_~J
-8
0,0965 V
. -12
-16
'"

.. C!)
o.J
-20
-24
-28
0.447 V
-32
O 0.2 0.4
V(V)
0.6 0.8 1.0
Fig. 5.14: Coeficiente de Transmisso em funo da volta-
gem aplicada para uma estrutura 100-60-100 com a energia dos el-
trons no eletrodo emissor fixa em l5meV.
Devemos assinalar, no entanto, que nossos resultados depen
dem bastante da energia do eltron incidente, de modo que sempre
possvel ajustar a energia do eltron para fitar bem os resultados
experimentais. Assim sendo, a curva T*TxV no deve ser usada direta
mente para comparao com os resultados experimentais de IxV.
As figuras 5.15 e 5.16 apresentam nossos resultados para a
IIBUOTECA DO INSTITUTO DE FtslCA E OUWlCA DE S~,O"(t,~"i~.iif;iJ FISI'A
densidade de corrente versus voltagem obtidos a partir da Eq.
(5.4.12) para as estruturas 100-40-100 e 100-60-100. Em relao aos
clculos computacionais, a integral definindo a densidade de corren
te determinada ponto a ponto para cada voltagem atravs do Mtodo
de Integrao de Gauss-Legendre com 96 pontos de quadratura. Tive-
mos ainda o cuidado de separar o intervalo de integrao (O~E~Ef)'
para cada voltagem, em 40 e at 100 mini-intervalos de integrao
para termos a certeza de obtermos corretamente a rea abaixo de um
pico no Coeficiente de Transmisso quando passvamos por uma regi
de tunelamento ressonante. O clculo do Coeficiente de Transmisso
obtido em termos das subrotinas das funes de Airy e suas deriva
das que foram testadas e comparadas com a Tabela de Abramowitz
~ stegum(84). No clculo das funes de Airy consideramos at o tri
gsimo termo da srie com uma preciso na nona casa. Todos os clcu
los foram feitos no sistema VAX-780 de computadores do Instituto de
Fsica e Qumica de so Carlos.
Nossas curvas carac~ersticas de J x V mostram bem defini-
das regies de resistncia negativa. Os mais proeminentes picos po
dem ser comparados diretamente onde as setas nas figuras 5.15 e5.l6
assinalam as posies experimentais. Nossos resultados para a estru
turas 100-40-100 mostram regies de resistncia negativa nas posi-
es 0,168V e 0,9V em comparao com os resultados experimentais
0,2590,002V e zlV. Para a estrutura 100-60-100 nossos resultados
tericos so 0,092V , 0,442V e IV e os resultados experimentais
0,1150,015V, 0,4550,025V e zO,9V.
iOO
600
500
- 400
N
e
o
.....
cc 300
-
..,
o
.0
xl
.3 .6 .9
VOLTAGE (V)
1.2
!Oi
Fig. 5,15: Curva terica da densidade de corrente versus
voltagem para a estrutura 100-40-100. parmetros: m*=0,0665m , mb*=
p o
0,10lm , V =0,296eV e x=40%.
o o
1500
1200
-
N
e
()
..... 900
-r:
-
..,
600
300
o
.0 .4 .8 1.2
VOL TAGE (VI
1.6
Fig. 5.16: Curva terica da densidade de corrente versus
voltagem para
a estrutura 100-60-100. parmetrosi m*=0,0665m ,
p o
mb*=0,101m , V =0,296eV o o
e x=40%.
No entanto, a estrutura obtida teoricamente bem mais ri
ca daquela encontrada experimentalmente. ~ interessante, entretant~
notar que os fatores multiplicativos representando as intensidades
da corrente terica e experimental so da mesma ordem. O aparecimen
to das pequenas regies de resistncia negativa no verificadas ex-
perimentalmente e aquelas encontradas a altas voltagens nanossacur
va terica devido a processos de espalhamento quntico-mecnico
nas bordas das barreiras, e/ou efeitos do deslocamento dos estados
virtuais a altas energias. Alis,este tipo de comportamento a altas
voltagens observado no artigo original de Tsu e Esaki.
o grupo da IBM sugere que o comportamento na corrente para
altas voltagens seja devido a processos de tunelamento ressonante
via ponto X do A1GaAs. Este processo iniciaria-se to logo, para
altas voltagens, houvesse estados disponveis no mnimo da banda no
ponto X na barreira de A1GaAs com a mesma energia dos eltrons oriun
dos do eletrodo emissor. Para estes estados, pertencentes ao vale
na estrutura de banda no ponto X, as camadas de GaAs agem como bar
reiras de potencial e as camadas de A1GaAs como poos conforme mos-
trado na figura 5.17. Surge, assim, um estado quase-ligado na nova
estrutura de banda atravs do qual o tunelamento ressonante poderia
ocorrer. Deste modo, investigaram vrios caminhos possveis de tune
lamento, do tipo r-X-X-X-X, r-X-X-X-r e r-X-X-r-r.
Fig. 5.17: Energia potencial mostrando tunelamento resso-
nante via ponto X para altas voltagens.
i03
Embora baseando-se em argumentos fsicos plausveis (as e-
nergias dos pontos r e X para x=40% so bastante prximas) a idia
de tunelamento ressonante via estado no ponto X tem levantado uma
razovel controvrsia.
Goodhue et aI. (49) estudaram uma estrutura de dupla barrei
ra'de AIAs-GaAs, que em princpio, favoreceriao~unelamento via pon
to X devido ao gap indireto desta estrutura. Observaram, tempera-
tura ambiente, regies de resistncia diferencial negativa associa-
da a uma primeira e segunda ressonncia que so bem explicadas pe
la teoria de tunelamento via estados quase-ligados supondo-se um va
lar de 1,OO,leV para a descontinuidade da banda de conduo do
AIAs-GaAs vista para o tunelamento dos eltrons. Este valor muito
prximo da diferena em energia na banda de conduo para o ponto r
usando os valores aceitos dos "band-gaps" do GaAs e AlAs consideran
do 65% da diferena dos "band-gaps" para a banda de conduo. Isto
sugere que uma parte bastante desprezvel dos eltrons tunelam via
estados quase-ligados do vale no ponto X da barreira de AlAs.
Por outro lado, Bonnefoi et aI. (80) investigando a mesma
estrutura de dupla barreira de AIAs-GaAs, obtiveram evidncias expe
rimentais do tunelamento ressonante via estados quase-ligados confi
nados ao vale do ponto X nas barreiras de AlAs. As regies de resis
tncia negativa observadas na curva caracterstica de corrente X
voltagem eram associadas ao tunelamento atravs dos nveis de ener-
gia no poo de GaAs devidos no apenas energia potencial das bar
reiras de AlAs no ponto r mas tambm s barreiras de AlAs no ponto
X de menor magnitude com os estados quase-ligados associados a uma
grande massa efetiva longitudinal.
Deste modo, para analisar esta questo do ponto de vista
terico, necessrio clculos que no utilizem a aproximao de
massa efetiva que claramente no apropriada para a discusso do
tunelamento via estados no ponto X. Neste sentido, Ando(87) investi
gou os efeitos da mistura r-x no sistema GaAs-AI Ga1 As (x=35% e x -x
50%) usando um modelo "Tight-binding". Suas concluses apontam que
nestes sistemas a mistura entre o vale r usual e o vale em torno
do ponto X podem ser importantes. Exceto na ausncia desses fortes
efeitos de interferncia, a probabilidade de tunelamento pratica-
mente similar aquela calculada na aproximao de funo envelope a
qual despreza completamente a mistura r-x.
Para uma comparao final mostramos na figura 5.18 nosso
resultado para a curva caracteristica JxV para a amostra 50-50-50
obtida pela Eq. (5.4.10) a uma temperatura de 77K.
.30 .60 .90
VOLTflGE (V)
1.2~
------M-----Fig. 5.18: Curva da densidade de corrente X voltagem para
a amostra 50-50-50 a uma temperatura de 77K. parmetros: m* =
p
0,0665m , mb*=0,096m , V =O,26geV e x=35%. o o o
!oS
Nossa curva terica apresenta dois picos bem pronunciados
para as voltagens O,l23V e O,645V e um de menor amplitude em O,457V.
Os resultados experimentais(13} apresentam duas regies de resistn
cia negativa em O,16V e O,6V. Para altas voltagens, acima de IV, ne
nhuma outra caracterlstica tipo ponto de inflexo observada expe-
rimentalmente.
"
CAPITULO VI
N
CONCLUSOES
ia'l
Desenvolvemos um Formalismo de Matriz de Iterao con
siderando um modelo simples de duas bandas na aproximao de funo
envelope e massa efetiva para resolver a Equao de Schroedinger de
um sistema de N poos qunticos acoplados modelando uma heteroestru
tura de AlGaAs-GaAs na presena de um campo eltrico constante. Cal
culAffioSos nlveis de energia dos estados ressonantes quase-ligados
e virtuais para um poo isolado e mltiplos poos qunticos, tanto
de eltrons cano buracos, atravs da Anlise "Phase-shift".
Comparamos nossos resultados para um nico poo e verifica
mos uma excelentecmcordncia com outros mtodos encontrados na litera
tura demonstrando que no limite de N=l nosso mtodo confivel. ~
evidente que neste caso, a soluo pode ser encontrada exatamente,
resolvendo-se numericamente uma equao determinantal com coeficien
tes complexos, como assim procederam Ahn e chuang(40). No entanto,
tal soluo torna-se impraticvel para N>l. Dai o motivo de utili-
zarmos o mtodo de "Phase-shift", atravs da verificao
direta
e
das variaes de 1T na razo entre as amplitudes refletida e transmi
tida no infinito. Assim, pela largura do pico ressonante possvel
evidenciar o carter de estados quase-ligados ou virtuais (de ener
gia maior que a altura das barreiras).
A aao do campo eltrico afeta significativamente os nveis
quase-ligados para sistemas de poo nico medida que se aumenta a
largura do poos. Nossos resultados esto de acordo com os resulta-
dos variacionais de Bastard et alo (9) no limite de campos fracos
explicam de forma qualitativa a diminuio do pico de luminescn-
cia na experincia de mltiplos poos qunticos de AlGaAs-GaAs de
E.E. Mendez et alo (7). A ao do campo eltrico induz uma separao
entre as cargas diminuindo a:recombinao do par eltron-buraco e
consequente diminuio da emisso de ftons. Esse efeito, portanto,
esperado ser mais acentuado em poos mais largos possibilitando
uma maior polarizao das cargas e possvel tunelamento.
i08
Nossos resultados para sistema com 2 at 4 poos acoplados
demonstram que para larguras das barreiras (Lb) da ordem de looR,
para o caso dos eltrons, o sistema se comporta como um sistema de
mltiplos poos qunticos isolados onde a barreira suficientemen-
te larga para impedir a superposio das funes de onda dos eltrons
em poos adjacentes. A estrutura dos niveis quase-ligados em cada
poo torna-se a mesma, apenas diferenciada do poo anterior pela
quantidade de energia constante E=-eFz2n+l(n=O,1, ,N-l) devido
ao do campo eltrico (F) que rebaixa a origem de cada poo de po-
tencial. Para larguras de barreiras menores, a estrutura dos nveis
quase-ligados de eltron em cada poo apresenta uma diferena de
energia alm do termo constante demonstrando os efeitos da superpo-
sio das funes de onda. Neste caso, o sistema no pode ser consi
derado como um sistema de poos isolados e suas propriedades ticas
e eltricas devero modificar-se devido aos processos de tunelamen-
to, cujas probabilidades de ocorrerem tornam-se maiores com o es
treitamento das barreiras de potencial.
Para o caso de buracos, nossos resultados demonstram que a
estrutura dos nveis quase-ligados e mesmo virtuais possui fraca de
pendncia com a largura das barreiras. Essa insensibilidade emrela-
o s larguras das barreiras pode ser explicada devido a uma maior
massa efetiva dos buracos e a uma menor profundidade do poo de po-
tencial de modo que o fator de penetrao KhL (onde Kh o vetor de
onda e L a largura da barreira) grande. Dessa forma, as funes
de onda para os buracos decaem mais rapidamente que as do eltron
dentro das barreiras fazendo com que uma barreira de 30R torne-se
to impenetrvel quanto uma de looR. Em funo do campo eltrico,
entretanto, os nveis de buraco sofrem uma maior variao compara-
dos aos de eltrons devido ao poo de potencial mais raso.
Nossos resultados, utilizando a razo 85:15 para o "band-
offset", esto em boa concordncia com os resultados experimentais
109
de eletroreflectncia e fotoluminescncia devido a Klipstein et aI.
(6) As discrepncias encontradas para os nveis de mais alta ener
gia no sistema de mltiplos poos so devido aproximao de poo
nico que no considera os efeitos de superposio das funes
de
onda para os estados de mais alta energia. Alm disso, a impreciso
do 'campo eltrico nas amostras e as incertezas no "band-offset" tor
nam diflcies uma comparao mais precisa com os resultados experi-
mentais.
utilizando o Mtodo de Matriz de Iterao, des~envolvemos um
formalismo onde calculamos o Coeficiente de Transmisso como funo
da energia do eltron incidente em um sistema de multi-barreirassdb
ao de um campo eltrico constante com o objetivo de analisar as
propriedades de transporte nas heteroestruturas de A1GaAs-GaAs.
Nos sistemas analisados de dupla, tripla, e quntupla-bar
reira para campo externo nulo, com as larguras das barreiras ~=2oR,
os efeitos de superposio das funes de onda influenciam fortemen
te as posies dos nveis quase-ligados. Para estes casos, os resul
tados exatos do Coeficiente de Transmisso indicam a formao de mi
nibandas de energia no limite do nmero de barreiras (N) grande. TO
mando como exemplo o sistema com cinco barreiras (quatro poos de
potencial), o Coeficiente de Transmisso mostra a existncia de qua
tro estados quase-ligados caracterizados por quatro picos de trans-
misso mximos bem prximos um do outro, significando um nvel para
cada poo com uma pequena diferena de energia entre eles. Esta di-
ferena de energia um exemplo claro dos efeitos de superposio
entre as funes de onda.
A aplicao de um campo eltrico modifica completamente es
sas caractersticas. Os efeitos do campo destroi a simetria do po-
tencial fazendo com que os picos de transmisso no alcancem a uni-
dade. Isto significa que as condies de tunelamento ressonante ti
mas anteriormente existentes so parcialmente quebrados originando
lia
certas condies de interferncia destrutiva entre as componentes
incidente e refletida da funo de onda, internamente s barreiras,
que no permitam uma probabilidade de transmisso mxima pelo siste
ma. A ao do campo tambm elimina a disposio de simetria dos n-
veis como obtido para campo nulo.
A comparao entre os resultados obtidos pelos modelos de
potencial linear e do tipo escada para o Coeficiente de Transmisso
demonstra razoveis diferenas principalmente em relao posio
do primeiro pico. A causa dessas diferenas advem do fato que no mo
delo tipo escada a ao do campo eltrico simulada pelo rebaixa-
mento das barreiras quadradas uma em relao a outra. Este mtodo
uma aproximao muito boa somente na faixa de campos pequenos. O mo
delo linear, entretanto,. leva em considerao a inclinao das ban
das devido ao potencial do campo eltrico constante o que possibili
ta tratar de uma maneira mais realista o problema.
As discrepncias entre os Coeficientes de Transmisso nas
configuraes 57:43 e 85:15 so originadas obviamente pelas difere~
tes alturas das barreiras de potencial tomados em cada caso. Embora
apresentem estruturas de picos bem deslocadas uma emcamparao a
outra, os resultados para configurao 85:15 so mais ricos apre-
sentando os picos mais agudos delimitando melhor a.posio de um n
vel ressonante do que os resultados na configurao 57:43 que a
mais indicada pelos recentes resultados experimentais.
Obtivemos ainda o Coeficiente de Trnsmisso em funo da
voltagem aplicada para uma ene~gia fixa do eltron incidente, abai-
xo da energia de Fermi. Embora este resultado. nos permita estabele-
cer a regio de voltagem onde ocorrem os picos na corrente de tune-
lamento ressonante via estados quase-ligados do ponto r nas hetero-
estruturas de dupla barreira estudadas, acreditamos que no deva
ser diretamente comparado com a experincia pois podemos sempre a-
justar a energia do eltron incidente para fitar melhor os resulta-
ii.!
dos experimentais.
A partir do Coeficiente de Transmisso em funo da ener-
g.ia determinamos a densidade de corrente versus voltagem consideran
dp a geometria das amostras do grupo da IBM(l3). Nossos resultados
reproduzem bem os picos observados nas curvas experimentais, tanto
sua posio quanto intensidade. A altas voltagens a curva terica a
presenta mais estruturas de resistncia negativa do que as observa-
das experimentalmente. Estas regies, acreditamos, possam ocorrer
devido contribuio de estados virtuais de alta energia e/ou re
f~s mltiplas nas barreiras. 2 importante assinalar que a densi-
dade de corrente obtida via uma mdia do Coeficiente de Transmis-
sao com pesos determinados pela densidade de estados incidentes so
bre uma variao de energia at o nIvel de Fermi. Ento, a
altas
voltagens, mesmo sem a presena de picos correspondendo a estados
ressonantes, a mdia do Coeficiente de Transmisso mais do que a
presena do pico que determina a corrente de tunelamento.
E.E. Mendez et aI. .(13), acreditam que o comportamento da
curva IxV, a altas voltagens, devido ao tunelamento ressonante
via estados no vale ,da banda em torno do ponto X e no atravs de
estados do ponto r geradores dos primeiros picos na curva da corren
te. As amostras estudadas possuem uma concentrao de alumInio da
ordem de 40%, prxima da concentrao limiar, em torno de 45%, onde
as camadas de Al Gal As passam a ter um gap indireto favorecendo o x -x
processo de tunelamento via pontos r-x do GaAs para AlGaAs.
A questo sobre os processos de tunelamento responsveis
pelo comportamento da curva caracterIstica de IxV, a altas '~olta-
gens, ainda est em aberto. Alguns trabalhos experimentais(49,80)
em heteroestruturas de AlAs (Arseneto de AlumInio), onde o gap sa
bidamente indireto, apresentam resultados contraditrios. Pelo lado
terico Ando(87) contribuiu para elucidar a validade da aproximao
de funo envelope. Utilizando o modelo "Tight~binding" investigou
os efeitos da mistura dos estados r-x em um sistema de barreira de
AIGaAs com concentraes diferentes de alumnio (35%-50%-35%). Sua
concluso que a menos que existam fortes efeitos de interferncia
das funes de onda passando atravs da barreira via o vale r eaqu~
Ias via o vale X, a probabilidade de tunelamento pode ser calculada
muito bem na aproximao de funo envelope a qual despreza comple-
tamente a mistura r-x.
.uz,
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