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Manuteno de Circuitos
Eltricos
Mdulo II
Material didtico desenvolvido para o curso
Tcnico em Eletrnica
Fbio de Castro Pea, Gabriel de Abreu Fernandes Rosa
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CONSELHO REGIONAL
Presidente Nato
Heitor Jos Mller Presidente do Sistema FIERGS
Suplentes
Ademar De Gasperi
Pedro Antnio Leivas Leite
Paulo Vanzzeto Garcia
Astor Milton Schmitt
Arlindo Paludo
Eduardo R. Kunst
Ricardo Wirth
Nelson Eggers
Suplente
Renato Louzada Meireles
Suplente
Flvio Prcio Zacher
Suplente
Enio Klein
DIRETORIA SENAI-RS
Jos Zortea Diretor Regional
Carlos Artur Trein Diretor de Operaes
Carlos Heitor Zuanazzi Diretor Administrativo e Financeiro
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SUMRIO
INTRODUO ...................................................................................................................................................... 6
CAPTULO I .......................................................................................................................................................... 7
1.3.2 Principais caractersticas operacionais ................................................................................... 12
1.4.2
Principais caractersticas operacionais ..................................................................... 14
2.1 SEMICONDUTOR INTRNSECO ........................................................................................................... 23
1.1
SEMICONDUTOR EXTRNSECO ............................................................................................. 26
1.1.1
Semicondutor tipo N ..................................................................................................... 26
1.1.2
Semicondutor tipo P ..................................................................................................... 27
1.2
JUNO PN.......................................................................................................................... 28
1.2.1
Juno PN com polarizao reversa ......................................................................... 28
1.2.2
Juno PN com polarizao direta ............................................................................ 29
1.3
DIODO DE JUNO ............................................................................................................... 30
1.3.1
Curva caracterstica do diodo ..................................................................................... 30
1.3.2
Diodo polarizado diretamente ..................................................................................... 32
1.3.3
Diodo polarizado reversamente.................................................................................. 32
1.3.4
Modelos (circuitos equivalentes) para diodo ............................................................ 33
1.3.5
Teste de diodos ............................................................................................................ 36
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5.3
5.4
5.5
5.5.1
5.5.2
5.5.3
5.5.4
5.5.5
5.5.6
5.6
5.6.1
5.6.2
5.6.3
5.6.4
5.7
6
6
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Introduo
Manuteno de Circuitos Eltricos:
a unidade curricular que compe o currculo, no 2 mdulo do curso de eletrnica,
constituda, numa viso interdisciplinar, por conjuntos coerentes e significativos de
fundamentos tcnicos e cientficos ou capacidades tcnicas, capacidades sociais,
organizativas e metodolgicas, conhecimentos, habilidades e atitudes profissionais,
independentes em termos formativos e de avaliao durante o processo de aprendizagem.
Nesta unidade curricular, os alunos tero que manter circuitos eletrnicos analgicos
atravs da elaborao de planos de manuteno, atendendo as especificaes do
fabricante; elaborao de diagramas eletrnicos, utilizando ferramentas de desenho assistido por
computador; montagem de placas eletrnicas, atendendo as especificaes do projeto;
Instalao e manuteno de circuitos eletrnicos analgicos, atendendo as especificaes
do projeto, desenvolvendo a logstica e realizando o comissionamento; aplicao de normas
tcnicas e especificaes de catlogos, manuais e tabelas na instalao de sistemas
eletrnicos.
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CAPTULO I
1 Medidas eltricas e instrumentos de medio
1.1 Conceitos bsicos
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LED
LCD
Vantagens
pode
ser
visualizado
virtualmente de qualquer ngulo;
proporciona leituras mais fceis
distncia;
via de regra mais durvel que
os LCDs;
pode ser usado em ambientes
com
pouca luz;
seu tempo de resposta varia
muito pouco com a temperatura
ambiente;
pode ser usados em condies
ambientais mais adversas.
permite leituras em ambientes
externos, mesmo sob incidncia
direta de luz solar;
consumo de energia muito
baixo.
Desvantagens
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determinadas situaes.
Os instrumentos digitais so hierarquizados em categorias numeradas de I a
IV, cada uma delas abrangendo situaes s quais o medidor se aplica, como
mostra a figura 1.8.
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com elemento cuja corrente quer-se medir; isto significa que um condutor dever ser
aberto no ponto de insero do instrumento, como mostra a Figura 1.9a. O smbolo
do ampermetro est mostrado no diagrama esquemtico da Figura 1.9b.
Se a interrupo do circuito impraticvel pode-se usar um ampermetroalicate (figura 1.10), capaz de medir a corrente pelo campo magntico que esta
produz ao passar no condutor.
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1.6 Multmetro
Multmetros ou multitestes como os exemplos apresentados na figura 1.14 so
instrumentos projetados para medir diversas grandezas. Todo o multmetro capaz
de medir, pelo menos, tenso (CC e AC), corrente (normalmente s CC) e
resistncia.
1.7 Osciloscpio
O osciloscpio um instrumento que permite visualizar graficamente sinais
eltricos. Na maioria das aplicaes, o osciloscpio mostra de que forma um
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determinado sinal eltrico varia no tempo. Neste caso, o eixo vertical (YY)
representa a amplitude do sinal (tenso) e o eixo horizontal (XX) representa o tempo.
A intensidade (ou brilho) do trao por vezes chamada de eixo dos ZZ (figura 1.15).
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2. Semicondutores
De maneira bem simples, a classificao dos materiais em relao a seu
comportamento eltrico feita dividindo-os em isolantes e condutores.
Os condutores so materiais que permitem a passagem da corrente eltrica em
seu interior quando submetidos a uma diferena de potencial, pois possuem cargas
eltricas livres. Exemplos: alumnio, cobre, ferro, etc.
Os isolantes so materiais que, em condies normais, no permitem a
passagem da corrente eltrica em seu interior, pois no possuem cargas eltricas
livres. Exemplos: madeira, plsticos, porcelana, fenolite, etc.
Existe outro tipo de material que apresenta caractersticas eltricas
intermedirias entre os isolantes e os condutores: os semicondutores (que tambm
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por um ponto branco. O sentido do campo eltrico tal que o eltron se movimenta
para a esquerda, onde esta o polo positivo da bateria que fornece a ddp.
Esse fenmeno se repete para outro eltron de valncia, como ilustra a figura
2.7. Assim, existe no semicondutor uma corrente de eltrons livres da direita para a
esquerda e uma corrente de lacunas da esquerda para a direita, e essas correntes
se somam. E importante notar que os eltrons de valncia que se deslocam para a
esquerda eventualmente encontraro a borda do cristal e, portanto, o polo positivo
da bateria, transformando-se em eltrons livres. A corrente total no cristal ser a
soma do fluxo de eltrons com o fluxo de lacunas:
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1.2 Juno PN
Se uma barra de material P ligada metalurgicamente a uma barra de material
N, cria-se uma juno PN, cujas caractersticas permitem a produo de todos os
dispositivos eletrnicos.
A diferena de concentrao de lacunas e eltrons livres entre as duas regies
da juno PN possibilita a ocorrncia de um fenmeno chamado de difuso:
deslocamento (corrente eltrica) de lacunas do lado P para o N e de eltrons livres
do lado N para o P.
A difuso no e um processo contnuo, pois o deslocamento de eltrons e
lacunas faz surgir uma regio de cargas negativas (tomos de impurezas receptoras
que aceitaram esses eltrons) e positivas fixas (figura 2.10). Nessa regio,
denominada regio de cargas espaciais (RCE) ou regio de depleo, no existem
cargas livres, uma vez que, em razo do campo eltrico gerado pelas cargas
espaciais, caso aparea uma carga livre (eltron livre ou lacuna), ela ser acelerada
por esse campo, deslocando-se para o lado N ou P. As cargas fixas criam uma
barreira de potencial que se ope a difuso de mais portadores majoritrios
lacunas no lado P e eltrons livres no lado N. Essa corrente representada por
IDifuso.
Os portadores minoritrios de ambos os lados da juno esto movimentandose aleatoriamente por causa da temperatura. Se algum dos portadores minoritrios
(aqueles gerados pela temperatura) eltrons livres no lado P ou lacunas no lado N
se aproximar da RCE, ser acelerado pelo campo eltrico existente nessa regio e
passar para o outro lado da juno. Essa corrente e chamada de corrente de deriva
(IDeriva).
As duas correntes podem ser observadas na figura 2.10. Quando a juno est
em equilbrio, a soma das correntes da juno zero, isto , IDeriva = IDifuso.
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Para VD < 0 e em modulo muito maior que 26mV, a expresso da corrente ser
aproximadamente igual IS.
Existe um valor de tenso que provoca a ruptura da juno, destruindo o diodo
por efeito Joule (aumento excessivo de calor). Essa tenso de ruptura (breakdown)
representada por VD < VBK, que na literatura costuma aparecer como VBR e no
manual dos fabricantes como VRRM (mxima tenso reversa de pico repetitiva). Em
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alguns casos, o diodo construdo especialmente para operar nessa regio, como o
diodo Zener.
A figura 2.15 apresenta os dados de diodos de uso geral, para 1A (I F(AV)) e de
diferentes tenses reversas.
2.37
- Circuito com
diodo polarizado diretamente.
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A figura 2.19a representa um circuito com um diodo real (1N4001) ligado a uma
bateria de 100V e a figura 2.19b mostra o mesmo circuito, porm com o diodo
substitudo por uma chave fechada. No primeiro caso, a corrente vale 99,2mA e, no
segundo, 100mA, mas na prtica essa diferena de valores desprezada, o que
significa que o modelo pode ser usado.
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MODELO 2 BATERIA
Um modelo mais elaborado considera o diodo conduzindo corrente eltrica
como se fosse uma pequena bateria de 0,6V (valor a partir do qual o diodo inicia a
conduo). Portanto, se a tenso aplicada no diodo for menor que 0,6V, ele se
comportar como uma chave aberta; se a tenso estiver acima de 0,6V, o diodo ser
substitudo por uma bateria de 0,6V. A figura 2.21 mostra a curva caracterstica
representativa desse modelo e o circuito equivalente.
O modelo com bateria deve ser usado quando a tenso de polarizao for
maior que 0,6V e da mesma ordem de grandeza.
MODELO 3 BATERIA E RESISTNCIA (MODELO LINEARIZADO POR
TRECHOS DE RETA)
Pode-se obter maior preciso levando em conta a resistncia do diodo quando
est em conduo. A figura 2.23a ilustra a curva caracterstica linearizada por dois
trechos de reta, que representa a bateria em srie com resistncia de baixo valor.
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A figura 2.25 reproduz a mesma anlise, porm com uma resistncia de carga
menor, 100.
Podemos observar que, nos dois casos (1k e 100), os valores das correntes
so muito prximos; no primeiro (1k), a diferena se deve ao fato de que o trecho
linearizado no coincide com a curva. Assim, quanto maior o valor da corrente, mais
ocorre coincidncia da curva com a reta.
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Obs.: A tenso mdia (Vcc) deve ser medida a partir de um voltmetro CC.
Para essa mesma forma de onda, o valor da tenso eficaz dado por:
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importante lembrar que o diodo deve ser dimensionado de acordo com seus
valores de corrente e tenso.
DIMENSIONAMENTO DO DIODO
Os principais limites eltricos encontrados no Datasheet (folha de dados) de
um diodo so:
VRRM = mxima tenso de pico reversa
VRMS = mxima tenso eficaz
VCC = mxima tenso CC reversa
IAV = mxima corrente contnua
Para esse retificador de meia onda, os valores das tenses e corrente do diodo
devem ter no mnimo os seguintes limites:
VRRM > VP
IAV>VP/RL.
VRMS > VP/2
VCC > VP/
Para o diodo 1N4001, por exemplo, os limites so:
VRRM = 50V
IAV = 1A
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Pode-se observar que esses valores esto bem abaixo dos limites.
Para uma tenso retificada de meia onda, se o valor de pico for muito maior
que o ripple, este pode ser estimado aproximadamente por:
em que:
VP o valor da tenso de pico alternada (em Volt);
C o valor da capacitncia do capacitor (em Farad);
f a frequncia (em Hertz) do ripple (meia onda = 60 Hz e onda completa =
120 Hz);
R o valor da carga (em Ohm).
A figura 3.4 mostra o circuito e as formas de onda da tenso na carga (R L) e na
entrada do retificador, para uma tenso senoidal de alimentao.
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Para essa mesma forma de onda, o valor eficaz (tenso medida por um
voltmetro RMS) calculado por:
DIMENSIONAMENTO DO DIODO
Para esse circuito, o diodo deve ter no mnimo os seguintes limites:
VRRM > 2 VP
Como a corrente mdia por diodo a metade da corrente mdia na carga:
Mxima tenso eficaz:
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Para essa mesma forma de onda, o valor eficaz (tenso medida por um
voltmetro RMS) obtido por:
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DIMENSIONAMENTO DO DIODO
Para esse circuito, o diodo deve ter no mnimo os seguintes limites:
VRRM > VP
A mxima corrente contnua:
Mxima tenso eficaz:
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2.13 - Ponte
retificadora.
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Os valores de potncia mais conhecidos so: 0,25W, 0,5W, 1W, 5W, 10W e
50W.
Os valores de tenso Zener esto compreendidos entre 3,3 V e 75 V.
Exemplos de diodos Zener comerciais: 1N4729A para 3,6V, 1N4730A para
3,9V e 1N4735A para 6,2V.
Se escolhermos o 1N4735A de 1W, a mxima corrente que ele pode conduzir
:
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Soluo:
Considerando que o Zener est operando normalmente (VL = VZ = 6,2V), a
corrente IS valer sempre:
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3 Transistores bipolares
O transistor foi desenvolvido nos laboratrios da Bell em Murray Hill, New
Jersey, Estados Unidos em 1947, pelos cientistas John Bardeen, Walter Brattain e
William Shockley. O desenvolvimento desse componente semicondutor foi de grande
relevncia para a histria da eletrnica e da informtica, pois ele est presente em
inmeras invenes eletroeletrnicas, modificando vertiginosamente nossa
sociedade.
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3.1.1 Funcionamento
Vamos entender como um transistor funciona, tomando como exemplo o
transistor NPN, por ser o mais utilizado. De maneira simplificada, para compreender
a operao de trabalho do PNP, basta inverter o sentido das tenses e correntes.
Consideremos uma situao em que as duas junes foram polarizadas
diretamente, assim as correntes que circulam sero altas (da ordem de mA). Se as
duas junes estiverem polarizadas reversamente, todas as correntes sero
praticamente nulas. No entanto, se a juno da base com o emissor for polarizada
diretamente e a outra juno polarizada reversamente, tambm as correntes de
coletor e emissor sero altas, aproximadamente de mesmo valor. Como se explica
isso? Em polarizao normal (como amplificador), a juno base-emissor e
polarizada diretamente e a juno base-coletor reversamente.
Na configurao ilustrada na figura 4.2, como a juno base-emissor est
polarizada diretamente, os eltrons so emitidos no emissor (que possui alta
dopagem), isto , passa a existir uma corrente (de eltrons) indo do emissor para a
base. Os eltrons atingem a base e, por ela ser muito fina e pouco dopada, quase
todos atingem a regio de carga espacial (regio de depleo) da juno basecoletor, onde so acelerados pelo campo eltrico e direcionados para o coletor. Dos
eltrons emitidos no emissor, apenas pequena parcela (1% ou menos) consegue se
recombinar com as lacunas da base, formando a corrente de base; os outros (99%
ou mais) atingem a juno do coletor. Observe que externamente o sentido indicado
e o convencional para as trs correntes: de base (IB), de coletor (IC) e de emissor
(IE). A maneira como o transistor est conectado chamada de ligao base
comum.
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Define-se:
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A tabela 4.1 mostra parte da folha de dados dos transistores BC546, BC547 e
BC548 (NPN) com os principais limites.
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Como possvel observar na figura 4.9, o ganho de corrente (hFE) varia com
a corrente de coletor, temperatura e tenso coletor-emissor. O grfico do ganho de
corrente normalizado, isto , para a corrente de 4mA, o ganho 100%. Para
correntes menores ou maiores que 4mA, o ganho apresenta outros valores: para
0,4mA, por exemplo, o ganho ser 70% do ganho a 4mA.
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, o que fisicamente
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Com base nessa anlise, podemos concluir que o ponto de operao (Q) deve
ser bem localizado para que seja possvel obter a mxima sada de pico a pico sem
distoro. A melhor localizao no meio da reta de carga (
, pois permite
um valor VCC de mxima sada. Observe os trs casos representados na figura
4.15. No primeiro (figura 4.15a), a mxima sada de pico a pico possvel de 10V,
antes que ocorra o ceifamento (distoro) por saturao ou corte; nos outros dois
(figuras 4.15b e 4.15c), de 4V em ambos os casos, se a entrada aumentar, o
sinal de sada distorcer.
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3.19 - Circuito de
polarizao por corrente de
base constante.
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de temperatura.
possvel, porm, polarizar o transistor de maneira que no fique vulnervel
variao de . Na configurao da figura 4.20, chamada de circuito de polarizao
por divisor de tenso na base, a realimentao negativa em CC estabiliza o ponto Q,
isto , quando a temperatura aumenta, a corrente de emissor e a tenso V E tambm
aumentam. No entanto, como a tenso na base (VB) constante, obrigatoriamente
VBE diminui, despolarizando a base e reduzindo as correntes que tinham aumentado
com a temperatura. Claramente, o circuito possui um controle interno por causa
dessa realimentao.
e, como
resultando:
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, ento:
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Ento:
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3.22 - Regulador de
tenso
em
srie
com
transistor.
Soluo:
A tenso em RS 15V 6V = 9V; portanto, o valor da corrente sobre RS ser:
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em que VXX a tenso regulada para o circuito integrado 7805, por exemplo,
VXX = 5V e IQ a corrente de polarizao, normalmente da ordem de A.
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(figura 5.3a). medida que VDS aumenta (figura 5.3b), a corrente de dreno se eleva,
causando queda de tenso ao longo do canal e seu afunilamento. A corrente de
dreno provoca entre o ponto A e a fonte uma tenso VA e entre o ponto B e a fonte
uma tenso VB, ou seja, VA > VB. Essas tenses so aplicadas na juno de maneira
reversa, e no ponto onde a tenso reversa maior a regio de carga espacial
avana mais no canal, isto , o estreitamento maior prximo ao dreno.
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4.8 - Aspecto
fsico do JFET BF245A,
com encapsulamento TO92.
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4.13
MOSFET
tipo
crescimento com VGS VT e
VDS = VGS VT = VDSsat.
A figura 5.15 mostra a curva de dreno para um valor de VGS e as trs regies
de operao (triodo, saturao e corte).
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4.19 - MOSFET tipo depleo canal N operando com: a) VGS = 0, b) VGS >
0 e c) VGS < 0.
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5 Amplificadores Operacionais
Os amplificadores operacionais, tambm denominados AOs ou AMPOPs so
circuitos eletrnicos com caractersticas que se aproximam s de um amplificador de
sinais ideal. O amplificador operacional (AO) foi desenvolvido na dcada de 1960.
De incio montado em uma placa com componentes discretos (transistores,
resistores e capacitores), hoje, com o avano da indstria eletrnica e o
desenvolvimento de dispositivos minsculos, construido em circuitos integrados,
conhecidos por chips (pastilhas de silcio), com dezenas de transistores e outros
componentes de pequenas dimenses.
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5.4 - Gerao de 0V
internamente ao Amplificador
Operacional.
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Como
IMPEDNCIA DE SADA
Pode ser representada como um resistor em srie com a sada do Amplificador
Operacional, que denominada Zo:
5.9 - Representao da
impedncia de sada de um
Amplificador Operacional.
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Logo:
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b) Va = 6,1V
Vb = 6,0V
Va Vb = 0,1V
Vo = Ad.(0,1V) = 10V
Diz-se que nos dois casos, o Amplificador Operacional rejeitou o valor comum
s duas entradas, e amplificou apenas a diferena. Este Amplificador Operacional
tem
.
Um Amplificador Operacional real amplifica tambm as tenses comuns aos
dois terminais de entrada, mas com ganho muito menor, o que por exemplo pode
resultar em valores de Vo maiores do que 10V no caso acima (V O = 10,01V; VO =
10,06V; etc).
Diz-se nesse caso que o Amplificador Operacional no rejeitou completamente
os valores de tenso comuns s duas entradas.
O valor de CMRR para os Amplificadores Operacionais reais dado em
decibis (dB).
BANDA DE PASSAGEM
Os Amplificadores Operacionais podem apresentar ganhos diferenciais em
malha aberta (Ad) da ordem 100.000 a 200.000.
Contudo, esse ganho diferencial no constante ao longo de toda a faixa de
frequncias. O grfico da figura 6.16 apresenta a resposta em frequncia genrica
dos Amplificadores Operacionais:
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5.17
Amplificador
Operacional alimentado com
fonte simtrica +/-15V.
No grfico, quando
obedece a equao:
Isso caracteriza uma operao linear nessa regio, que por consequncia
denominada regio linear de operao.
Um Amplificador Operacional operando como amplificador de sinais, deve
trabalhar na regio linear.
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5.19
Amplificador
Operacional realimentado
negativamente.
Supondo-se agora uma reduo ainda maior de ganho, para A d = 100, tm-se
um aumento da regio linear de operao:
92
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5.22 - Topologia do
amplificador inversor.
5.23 - Representao
da impedncia de entrada do
Amplificador Operacional.
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Por essa equao pode-se perceber que o ganho do circuito depende apenas
dos componentes que compem a malha de realimentao.
Exemplo
Calcule o ganho do circuito:
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5.26 - Amplificador
inversor exemplo.
5.27 - Impedncia de
entrada
do
amplificador
inversor.
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Como
, ento:
Finalmente:
Pode-se perceber que neste caso no h sinal negativo, o que indica que a
sada est em fase com a entrada.
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5.30
Topologia
Amplificador Somador.
do
Ou ainda:
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com
99
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100
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5.36 - Comparador de
estabelecida na entrada inversora.
tenso
com referncia
Considerando que o Sensor de nvel da figura 6.37 conta com uma boia que
fixada mecanicamente ao cursor da resistncia varivel (deslizante), de modo que a
tenso na entrada inversora do Amplificador Operacional (Vin) seja diretamente
proporcional ao nvel de combustvel contido no tanque.
Enquanto o nvel de lquido no tanque alto, V in se mantm prximo ao valor
de +VCC. Nessas condies, a tenso na entrada inversora maior do que a tenso
de referncia na entrada no inversora, e o Amplificador Operacional est em
saturao negativa, no caso em 0V.
Quando o nvel de lquido no tanque decresce, a tenso V in tambm decresce
proporcionalmente at o momento em que a tenso na entrada inversora seja menor
do que a tenso de referncia na entrada no inversora, e o Amplificador
Operacional passar saturao positiva, em +VCC.
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Percebe-se que quanto mais rpida a atuao do motor, mais rpido o nvel do
tanque aumenta e maior a frequncia de chaveamento da sada, podendo ento
ocorrer o problema de chaveamento infinito. Nesse contexto se insere a idia da
topologia do comparador com histerese.
COMPARADOR COM HISTERESE
O
circuito comparador com histerese elimina a frequncia infinita de
chaveamento, gerada no ponto de VRef do circuito comparador simples. Essa
topologia utiliza realimentao positiva, o que possibilita ter-se uma referncia
dinmica, variando com o nvel de tenso na sada, que pode estar saturada positiva
ou negativamente.
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, dada por:
5.40 - Oscilador
Amplificador Operacional.
Ponte de Wien
com
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5.46 - CI 555 em
topologia
monoestvel:
circuito bsico.
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Observaes
1. O fabricante recomenda que o valor do resistor de temporizao (R) no seja
baixo R 1K, por questes de segurana), para evitar a saturao do transistor,
pois quando o TR est saturado, a corrente que circula por ele determinada por:
2. A durao do pulso de disparo (tempo que o pino 2 fica em zero) deve ser
menor do que a durao da temporizao T.
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Com isso, a sada (pino 3) vai a zero e o transistor TR satura, fazendo com que
o capacitor se descarregue por meio de RB e do transistor interno (figura 6.50b).
Quando a tenso em C fica abaixo de
, ento R = 0 e S = 1, o que impe:
Q = 1 e Q = 0. Desse modo, o transistor interno levado condio de corte e o
capacitor volta a se carregar (a partir de
), e o ciclo se repete.
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Observao
Se
, os tempos alto e baixo sero aproximadamente iguais. Lembre
que a resistncia RA deve ser maior que 1K para proteger o transistor interno.
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6 Sensores
Existem diversos tipos de sensores utilizados em equipamentos eletrnicos.
Podemos usar simples chaves ou dispositivos de acionamento momentneo do tipo
mecnico, at transdutores especiais que convertem alguma grandeza fsica numa
grandeza eltrica como, por exemplo, uma tenso. Esses sensores servem para
informar um circuito eletrnico a respeito um evento que ocorra externamente, sobre
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o qual ele deva atuar, ou a partir do qual ele deva comandar uma determinada ao.
Equipamentos mais simples podem usar apenas um sensor, mas um rob, uma
mquina industrial ou um equipamento mdico complexo podem empregar muitos
sensores e de tipos diferentes.
Nos tpicos seguintes, sero relacionados os principais tipos de sensores que
encontramos nas aplicaes eletrnicas, com suas respectivas caractersticas.
6.1.1 Reedswitch
Consistem de um bulbo de vidro com duas lminas metlicas, ligadas por
terminais ao circuito eltrico de acionamento. A presena do campo magntico move
as lminas de sua posio, possibilitando o fechamento do contato. A figura 7.1
representa essa ao.
6.1.2 Microchaves
So chaves bastante robustas que exigem baixo esforo mecnico para
acionamento, e por isso muito utilizadas como dispositivos sensores. A figura 7.2
apresenta um exemplo desse tipo de sensor.
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6.2 - Exemplo de
microchave.
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6.7 - Exemplo de
aplicao
do
sensor
capacitivo.
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6.2.1 Termorresistncias
Os Termorresistores ou termistores tal como o nome sugere, so dispositivos
que tm sua propriedade principal a resistncia alterada com a variao de
temperatura do meio. So em geral, construdos com materiais que tenham altos
coeficientes de variao da resistncia em relao temperatura, e obedecem
equaes do tipo:
Onde:
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6.13 - Comportamento
Resistncia X Temperatura.
do
PT100:
Tabela
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6.2.2 Termopares
Os dispositivos chamados termopares tm funcionamento baseado no efeito
Seebeck (1821). Dois fios construdos com metais diferentes so soldados e
dispostos tal como apresenta a figura 7.16. Se as extremidades dos materiais so
expostas a temperaturas T1 e T2, surge entre as extremidades soltas dos fios, uma
tenso eltrica V, que depende da natureza dos metais envolvidos e da diferena
de temperatura (T2 T1).
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6.20 - Capacitor
genrico.
6.21 - Sensor de
presso capacitivo.
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6.22 - Esquema
simplificado do sensor de
presso indutivo.
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6.4.1 LDR
O LDR (do ingls Light Dependent Resistor ou em portugus Resistor
Dependente de Luz) um tipo de resistor cuja resistncia varia de acordo com a
intensidade de radiao do espectro visvel que incide sobre ele.
6.23
Simbologia
LDR.
do
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REFERNCIAS
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