O transistor um componente eletrnico que comeou a popularizar-se

na dcada de 1950, tendo sido o principal responsvel pela revoluo

da eletrnica na dcada
de
1960.
So
utilizados
principalmente
como amplificadores e interruptores de sinais eltricos, tambm so usados
como retificadores (alternada ->contnua) eltricos em um circuito podendo ter
variadas
funes.
Na prtica os transistores utilizam uma pequena corrente eltrica que os
alimenta para controlar o nvel de carga em outros dois terminais integrantes.
Existem dois tipos bsicos de transistor que so: transistor bipolar de juno
(TBJ) e transistor de efeito de campo (FET).
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO - BJT
Estes transistores deixam passar a corrente entre dois terminais chamados
coletor e emissor quando se faz passar uma corrente muito menor por um
terminal
chamado
base.
um dispositivo semicondutor composto por trs regies de semicondutores
dopados (base, coletor e emissor) que so separadas por duas junes do tipo
p-n.
Os transistores bipolares se dividem em dois tipos, NPN e PNP. Essa
diferena, na prtica, se reflete na polaridade das ligaes. O tipo NPN
consiste em duas regies N separadas por uma regio P, enquanto o tipo PNP
consiste em duas regies P separadas por uma regio N. Na verdade, na
ausncia de um sinal, ou seja, como o pino de base desconectado do circuito,
os
dois
tipos
ficam
"desligados",
sem
conduzir
corrente.
Contrariamente ao Transistor de Efeito de Campo (Field-effect transistor
(FET)), no qual a corrente produzida apenas por um nico tipo de portador de
cargas (eltrons ou lacunas), no BJT a corrente produzida por ambos os tipos
de portadores de cargas.

Fig. Smbolo esquemtico de um BJT tipo npn

Fig. Smbolo esquemtico de um BJT tipo pnp

O transistor, em muitos aspectos, se comporta como dois diodos justapostos, e

uma conseqncia disso que existe dentro deles a mesma barreira de tenso
dos diodos. Ou seja: a diferena de tenso entre o emissor e o coletor deve ser
maior que 0,6V ou o transstor no conduzira mesmo com uma grande tenso
na base. E ainda, a tenso na base tem que ter uma diferena de pelo menos
0,6V em relao ao emissor (+0,6V nos NPN e -0,6V nos PNP) para que se
inicie a conduo.

http://macao.communications.museum/por/exhibition/secondfloor/moreinfo/2_1
0_3_HowTransistorWorks.html
http://www.centelhas.com.br/biblioteca/transistores_como_chaves.pdf

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO TEC

O Transistor de Efeito de Campo (do ingls, Field-effect transistor (FET)) um
dispositivo semicondutor, construdo com quatro terminais: o dreno, a fonte, a
porta e o substrato. Nesse tipo de transistor, a resistncia entre os dois
terminais (dreno e fonte) determinada pela tenso aplicada porta. O dreno
ligado alimentao positiva atravs da carga e a fonte ligada ao terra.
Trata-se de um dispositivo unipolar, pois a corrente produzida somente por
um tipo de portador de carga (eltrons ou lacunas), dependendo do tipo de
transistor, canal n ou canal p.

Fig. Smbolo esquemtico de um MOSFET Canal P

Fig. Smbolo esquemtico de um MOSFET canal N