8.40. Defina o conceito de baixa injeo.

Define-se baixo nvel de injeo quando o material, fora da condio de equilbrio,

apresentar
uma perturbao significativa apenas na concentrao dos portadores
minoritrios, sendo que
esta perturbao mantm ainda a concentrao dos portadores minoritrios bem
menor que a
concentrao dos majoritrios.
8.41. Argumente porque a taxa de G-R trmico
em baixa injeo, em material tipo p, dada
por: .
No tipo p, os portadores minoritrios so os eltrons, estes iro variar conforme a
relao:
onde o tempo de vida do eltron, = 1/(Cn*Nt) e Cn a probabilidade de captura
de um
eltron.
Assim, a taxa :

8.42. Qual o efeito do tempo de vida sobre a

taxa G-R trmico? Como define tempo de vida?
Como pode se controlar ou alterar o tempo de
vida?

O tempo de vida inversamente proporcional taxa de G-R.

O tempo de vida dos portadores minoritrios pode ser interpretado como sendo o
tempo mdio
que um excesso de portadores minoritrios sobrevive num mar de majoritrios.
O tempo de vida varia com a densidade de estados, ou seja, com a perfeio
cristalina e
pureza do material semicondutor. Dessa forma a contaminao de um material
com Au ou
ainda o uso de tcnicas de gettering alteram o tempo de vida.

/8.43. O que representa a equao da

continuidade? Descreva suas componentes.
Representa a alterao na variao da concentrao dos portadores no espao e no
tempo,
considerando todas as possveis aes.
Suas componentes so relativas a: mecanismos de transporte (deriva e difuso);
mecanismos
de recombinao e gerao; e outros, referindo-se a gerao de portadores por luz
ou outro
tipo de radiao, gerao de portadores por efeito piezoeltrico, transporte por
tunelamento,
emisso terminica, gerao de portadores por impacto etc.

8.47. Qual o significado do comprimento de

difuso?
O comprimento de difuso de portadores minoritrios representa a distncia
mdia que
portadores minoritrios conseguem difundir-se num mar de majoritrios, at
serem aniquilados
por processo de recombinao trmica.
8.48. Defina nveis de quase-Fermi.
Os nveis de quase-Fermi so definidos como nveis tais que, substituindo o nvel de
Fermi nas expresses de Boltzmann, estas relacionam corretamente as
concentraes de
eltrons e de lacunas, estando o material fora de equilbrio trmico.
8.49. Qual a relao entre a densidade de
corrente de portadores e o correspondente
nvel de quase-Fermi?
, onde Fp o nvel de quase-Fermi de lacunas
Densidade de corrente de lacunas
, onde Fn o nvel de quase-Fermi de eltrons
Densidade de corrente de eltrons
8.59 Quais os parmetros mais importantes de caracterizao de

semicondutores?
As propriedades mais importantes dos semicondutores, que devem ser
caracterizadas, so as seguintes: tipo de condutividade, concentrao dos
portadores em equilbrio, mobilidade dos portadores, massa efetiva dos
portadores, largura da banda proibida, nveis e densidades de estados dentro da
banda proibida, tempo de vida dos portadores.
8.60 Explique o princpio da medida de ponta quente.
Esta tcnica permite determinar o tipo de condutividade do semicondutor.
Na regio prxima ponta quente, os portadores apresentam velocidade
trmica, vter,1, maior que no resto do material, vter,2.Como conseqncia, entre
2 dois pontos prximos, aparecer um fluxo de portadores levando em conta a
diferena de velocidades trmicas:
F = .N.(vter,1 - vter,2)
Sendo o material do tipo p, por exemplo, teremos um fluxo lquido interno
de lacunas da ponta quente para a regio fria (ponta fria). Esta corrente
ter continuidade pelo circuito fechado atravs do ampermetro que indicar
uma corrente eltrica saindo da ponta fria para a ponta quente. No caso do

semicondutor tipo n, teremos agora um fluxo interno de eltrons da ponta

quente para a ponte fria. Este fluxo de eltrons ter continuidade pelo circuito do
ampermetro indicando agora uma corrente eltrica contrria, ou seja, saindo da
ponta quente para a ponta fria.