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AULA 2 OPERAO
DO DIODO
SEMICONDUTOR
Em 1 de outubro de 2014.
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CRISTAL EXTRNSECO
- Isolante
- Submetido ao processo de
dopagem onde impurezas so
adicionadas ao cristal: eltrons OU
lacunas
Captulo 1 do Boylestad: sees:1.1 a 1.6
Captulo 3 do Sedra: sees 3.1 a 3.3
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Juno PN
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JUNO PN
Quando os cristais P e N so unidos, h o deslocamento das lacunas que
esto prximas a juno, no sentido do cristal P para o N.
j , os livres se
Efeito semelhante ocorre no sentido inverso,, ou seja,
movimentam do cristal N para o cristal P.
Esse movimento denomina-se difuso, resultado do deslocamento de
cargas da regio de maior concentrao para a de menor concentrao.
O resultado desse movimento a recombinao das lacunas com os
livres e dos livres com as lacunas, o que provoca o aparecimento de ons.
Esse processo d origem a uma regio desprovida de portadores de carga
eltrica mveis regio depleo.
A recombinao resulta tambm no aparecimento de ons, formando um
campo eltrico, que para ser vencido, requer um potencial denominado de:
Tenso da barreira de potencial ou tenso de juno (Vj), tenso de limiar
(V) ou ainda limiar (threshold (VTH)).
Diodo de Si Vj=0,7V
Diodo de Ge Vj=0,3V
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POLARIZAO DIRETA
+
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POLARIZAO DIRETA
Inicialmente o terminal positivo da fonte Vcc no cristal P e o terminal
negativo no cristal N.
++ ++
+ ++ +
+Cristal
+ P+
+
- - -- - -- - Cristal N
+ +
+ Vcc
V
Portadores:
cargas eltricas
com a capacidade
de movimento.
A anlise do
fenmeno de
conduo baseiase no sentido real
da corrente
eltrica.
l i
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POLARIZAO DIRETA
+ ++
+ + +
+++ + +
- - - - - - - --
Vcc
O aumento da quantidade de portadores no interior do cristal provoca o
aumento do campo eltrico entre os cristais a tal ponto de que a
camada de depleo vencida a partir de um potencial denominado
tenso de limiar (V), joelho (Vj) ou threshold (VTH).
Diodo CONDUZ
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CORRENTE DE SATURAO - IS
Corrente devido ao fluxo dos portadores minoritrios.
A denominao saturao justifica-se por se tratar de um valor que alcana o valor
mximo rapidamente e, no mudar significativamente a intensidade com o aumento
do potencial de polarizao.
A ordem de grandeza de Is para Si na faixa de nA e Ge uA.
+
-
Portadores
minoritrios
Is
Is
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POLARIZAO REVERSA
-
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POLARIZAO REVERSA
+ ++
+ ++ +
+
- - - - - - -
Cristal P
Cristal N
+
Vcc
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REPRESENTAO GRFICA DO
COMPORTAMENTO DO DIODO SEMICONDUTOR
A a camada de depleo
impede a circulao de corrente.
Nesta
N
condio
di o diodo
di d
comporta-se como uma chave
eletrnica aberta.
ID (A)
B a camada de depleo
comea a ser vencida e inicia-se
a circulao de portadores.
Nesta condio o diodo est na
entre o estado de no
transio
conduo para o de conduo.
C a tenso de joelho alcanada e
com isso o diodo passa ao estado de
conduo plena. H o fluxo contnuo
de portadores. A corrente limitada
pela resistncia eltrica do circuito.
VD (V)
Vj
A
Polarizao direta
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REPRESENTAO GRFICA DO
COMPORTAMENTO DO DIODO SEMICONDUTOR
Curva caracterstica do diodo
ID = f(VD)
ID (A)
VD (V)
Is
Vj
Is corrente de saturao.
Resultante do movimento
dos portadores minoritrios.
Polarizao reversa
Polarizao direta
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AO DA TEMPERATURA
O nmero de portadores livres de corrente em um cristal semicondutor depende da
intensidade de dopagem do cristal e do percentual de tomos ionizados da impureza.
A razo de tomos ionizados cresce com a temperatura
p
,p
portanto um aumento de
temperatura causa um aumento na condutividade.
Portadores
disponveis
Temperatura
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Polarizao Reversa
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FOLHA DE ESPECIFICAES
DATA SHEET
Seo 1.9 - Boylestad
Diodo 1N4007 pertence a famlia 1N4000
1N4000.
Interpretao da folha de especificao:
Caractersticas eltricas e mecnicas sobre o componente.
Nomenclatura para os parmetros tm sua origem na lngua inglesa.
Faixa mnima, mxima e tpica de operao para uma dada condio
de teste (T, Iteste, Vteste, ...)
Os grficos: ateno s unidades e tipo da escala (logartmica)
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