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01/10/2014

UNIVERSIDADE TECNOLGICA FEDERAL DO PARAN


DEPARTAMENTO ACADMICO DE ELETROTCNICA
ELETRNICA 1 - ET74C -- Prof Elisabete N Moraes

AULA 2 OPERAO

DO DIODO
SEMICONDUTOR
Em 1 de outubro de 2014.

Aula 2 - Operao do diodo

1-Out-14

REVISO: CRISTAL INTRNSECO X EXTRNSECO


CRISTAL INTRNSECO

CRISTAL EXTRNSECO

- Isolante

- Submetido ao processo de
dopagem onde impurezas so
adicionadas ao cristal: eltrons OU
lacunas
Captulo 1 do Boylestad: sees:1.1 a 1.6
Captulo 3 do Sedra: sees 3.1 a 3.3

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Aula 2 - Operao do diodo

1-Out-14

REVISO: CRISTAL TIPO P E TIPO N

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1-Out-14

FORMAO DO DIODO SEMICONDUTOR


Processo de recombinao dos portadores, d origem a uma regio
desprovida de portadores de carga eltrica mveis regio de depleo.

Juno PN

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JUNO PN
Quando os cristais P e N so unidos, h o deslocamento das lacunas que
esto prximas a juno, no sentido do cristal P para o N.
j , os livres se
Efeito semelhante ocorre no sentido inverso,, ou seja,
movimentam do cristal N para o cristal P.
Esse movimento denomina-se difuso, resultado do deslocamento de
cargas da regio de maior concentrao para a de menor concentrao.
O resultado desse movimento a recombinao das lacunas com os
livres e dos livres com as lacunas, o que provoca o aparecimento de ons.
Esse processo d origem a uma regio desprovida de portadores de carga
eltrica mveis regio depleo.
A recombinao resulta tambm no aparecimento de ons, formando um
campo eltrico, que para ser vencido, requer um potencial denominado de:
Tenso da barreira de potencial ou tenso de juno (Vj), tenso de limiar
(V) ou ainda limiar (threshold (VTH)).
Diodo de Si Vj=0,7V
Diodo de Ge Vj=0,3V
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DIODO SEM POLARIZAO

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POLARIZAO DIRETA
+

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POLARIZAO DIRETA
Inicialmente o terminal positivo da fonte Vcc no cristal P e o terminal
negativo no cristal N.

++ ++
+ ++ +
+Cristal
+ P+
+

- - -- - -- - Cristal N

+ +

+ Vcc
V

Portadores:
cargas eltricas
com a capacidade
de movimento.
A anlise do
fenmeno de
conduo baseiase no sentido real
da corrente
eltrica.
l i

O aumento do potencial de Vcc fora o


deslocamento de portadores para o interior de
cada cristal.

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POLARIZAO DIRETA
+ ++
+ + +
+++ + +

- - - - - - - --

Vcc
O aumento da quantidade de portadores no interior do cristal provoca o
aumento do campo eltrico entre os cristais a tal ponto de que a
camada de depleo vencida a partir de um potencial denominado
tenso de limiar (V), joelho (Vj) ou threshold (VTH).
Diodo CONDUZ

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DIODO DIRETAMENTE POLARIZADO

A polaridade da fonte responsvel pelo aumento do nvel de energia dos


portadores majoritrios, com isso penetram nos cristais opostos. Assim que
penetram so capturados, mas por estarem na camada de valncia, so facilmente
liberados Esse processo se estende cada vez mais para dentro do cristal at
liberados.
chegar no terminal oposto. Com isso estabelece-se um fluxo de cargas entre os
seus terminais.
A corrente resultante no diodo
a diferena entre a corrente
dos portadores majoritrios e a
corrente de saturao
(portadores minoritrios) .

O valor da tenso da barreira


de potencial definida em:
Vj = 0,7 V Si
Vj = 0,3 V Ge
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CORRENTE DE SATURAO - IS
Corrente devido ao fluxo dos portadores minoritrios.
A denominao saturao justifica-se por se tratar de um valor que alcana o valor
mximo rapidamente e, no mudar significativamente a intensidade com o aumento
do potencial de polarizao.
A ordem de grandeza de Is para Si na faixa de nA e Ge uA.

+
-

Portadores
minoritrios

Is
Is

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POLARIZAO REVERSA
-

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POLARIZAO REVERSA
+ ++
+ ++ +
+

- - - - - - -

Cristal P

Cristal N

+
Vcc

Camada de depleo aumenta


Diodo NO conduz

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REPRESENTAO GRFICA DO
COMPORTAMENTO DO DIODO SEMICONDUTOR
A a camada de depleo
impede a circulao de corrente.
Nesta
N
condio
di o diodo
di d
comporta-se como uma chave
eletrnica aberta.

ID (A)

B a camada de depleo
comea a ser vencida e inicia-se
a circulao de portadores.
Nesta condio o diodo est na
entre o estado de no
transio
conduo para o de conduo.
C a tenso de joelho alcanada e
com isso o diodo passa ao estado de
conduo plena. H o fluxo contnuo
de portadores. A corrente limitada
pela resistncia eltrica do circuito.

VD (V)

Vj
A

Polarizao direta
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REPRESENTAO GRFICA DO
COMPORTAMENTO DO DIODO SEMICONDUTOR
Curva caracterstica do diodo
ID = f(VD)

ID (A)

VD (V)
Is

Vj

Is corrente de saturao.
Resultante do movimento
dos portadores minoritrios.
Polarizao reversa

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Polarizao direta

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AO DA TEMPERATURA
O nmero de portadores livres de corrente em um cristal semicondutor depende da
intensidade de dopagem do cristal e do percentual de tomos ionizados da impureza.
A razo de tomos ionizados cresce com a temperatura
p
,p
portanto um aumento de
temperatura causa um aumento na condutividade.
Portadores
disponveis

Temperatura

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OPERAO DO DIODO IDEAL


Polarizao Direta

Polarizao Reversa

Exerccios sobre a fsica dos semicondutores esto disponveis na webpage.


http://www.das.ufsc.br/~elisanm/Eletronica/Exerc_FisicaSemicondutor.pdf

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FOLHA DE ESPECIFICAES
DATA SHEET
Seo 1.9 - Boylestad
Diodo 1N4007 pertence a famlia 1N4000
1N4000.
Interpretao da folha de especificao:
Caractersticas eltricas e mecnicas sobre o componente.
Nomenclatura para os parmetros tm sua origem na lngua inglesa.
Faixa mnima, mxima e tpica de operao para uma dada condio
de teste (T, Iteste, Vteste, ...)
Os grficos: ateno s unidades e tipo da escala (logartmica)

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