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SD RAM y EEPROM
SD RAM e EEPROM
M-1114A
EXPERIMENTS MANUAL
Manual de Experimentos
Manual de Experimentos
1
Contedo
1. Experincia 01: Memrias RAM I
2. Experincia 02: Memrias RAM II
3. Experincia 03: Memrias EEPROM Serial IC PROG
3
12
16
A: 8K x 8 Static RAM: significa que esta memria uma SRAM, com capacidade de 8192
campos para armazenar dados, sendo cada um dos campos constitudos de 8 bits, ou seja,
podemos utilizar at 8192 endereos com at 8 bits cada;
B: tempo que a memria demora para acessar diretamente um dos endereos estipulados;
C: esta memria compatvel com circuitos que trabalham com tecnologia TTL, ou seja,
sua alimentao deve ser de +5V.
A figura 2 mostra um diagrama interno da memria 6264.
WE: Habilitar escrita (Write Enable), com esse terminal em nvel lgico 0 a memria receber dados para serem escritos nela, caso contrrio a mesma estar no modo de leitura de
dados. Mais adiante veremos a sequncia correta de memorizao, onde este terminal
um dos principais para a reteno dos dados;
NC: simplesmente no conectado internamente, este um terminal morto para qualquer situao eletrnica, est apenas para completar a simetria do chip.
Obs: quando uma entrada apresenta uma barra acima significa que ela ativa em zero,
ento no caso das entradas CE1, WE e OE aparece a barra para indicar essa condio.
A figura 3 mostra uma parte de um manual (Data sheet) com as especificaes limites.
corresponde a
corresponde a
corresponde a
corresponde a
corresponde a
2. A figura 6 mostra como ligar a memria 6264 para escrever um dado em uma determinada posio de memria. Ligue primeiramente as entradas de controle e depois as entradas
de dados e endereo. Observe que das 8 linhas de dados sero usadas as 4 primeiras
(I/O0, I/O1, I/O2, I/O3, as outras so colocadas em zero). As linhas de endereamento so
usadas apenas 4 (A0, A1, A2, A3) as outras esto aterradas. As chaves so lgicas, na
parte superior da maleta. No efetue as conexes com a maleta ligada.
=0 (escrita)
A3
0
0
0
0
A2
0
0
0
0
A1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
I3
0
0
0
1
I2
0
0
1
0
I1
0
1
0
0
I0
1
0
0
0
4. Ligue a maleta. Voc ir programar a memria SRAM a partir deste ponto. Comece com
o endereo 0000 na primeira linha da tabela I e com o dado 0001. No esquea de deixar a chave de Escrita/Leitura (pino 27) em 1. Volte a chave para 0, mude o endereo e
o dado. Repita o procedimento para as outras posies da tabela I
5. No desligue a maleta pois perder os dados gravados.
6. Faa as conexes indicadas na figura 7, preparando o circuito para a leitura dos dados
na memria. Mantenha todos as entradas de controle com o mesmo nvel lgico exceo
da entrada Escrita/Leitura (pino 27) que agora deve ser colocada em 1. Observe que a
visualizao da informao ser feita utilizando LEDs.
10
=1 (leitura)
A3
0
0
0
0
A2
0
0
0
0
A1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
LED12
LED11
LED10
LED9
11
12
=0 (escrita)
A3
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
=0
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
I3
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
=1
I2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
13
I1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
I0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
4. Aps ter escrito, substitua a entrada manual de endereamento pelas sadas QDQCQBQA
do contador 74190, conforme figura 10. Ligue as sadas de endereamento e dados nos
display, desta forma o endereo e o dado de 4 bits poder ser lido e decodificado.
OBS: caso o numero de cabos seja excessivo, opte por ver somente o dado, portanto no
ligue no display as entradas de endereamento.
Figura 10: Mudando endereo com contador mostrando dado da memria em display
5. Altere os dados da memria de acordo com a tabela IV e para isso coloque a entrada
= 0 (aterrada portanto) e depois leia o dado como j exposto.
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=0 (escrita)
A3
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
=0
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
I3
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
=1
I2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
15
I1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
I0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
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Nota: se voc clicar 2 vezes em cada endereo abrir uma janela, portanto pode-se tambm programar usando cdigo decimal ou ainda o valor equivalente ao ASCII:
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